撑基底1相接触的表面(图3中有机硅氧烷层2的下表面)照射紫外线或臭氧(UV)，紫外线或臭氧的照射方向如图3中的箭头所示。
[0056]图4为完成步骤S5之后的柔性器件的剖视图。如图4所示，在完成步骤S4之后，在有机硅氧烷层2与支撑基底1之间形成二氧化硅层20。然后，将支撑基底1自二氧化硅层20剥离。借助二氧化硅层20，可以降低柔性基板3和支撑基底1之间的结合强度，在二者之间起到了过渡层的作用，从而可以更容易地将支撑基底1剥离，进而降低柔性器件被损坏的风险，提高产品良率。而且，二氧化硅层20还具有阻隔水汽的作用，而且还可以增加柔性基板的强度和稳定性。此外，由上可知，本发明实施例提供的柔性器件的制作方法只需对有机硅氧烷层2与支撑基底1相接触的表面进行氧化处理，即可达到降低柔性器件被损坏的风险，提高产品良率的目的，从而工艺简单、成本较低。
[0057]需要说明的是，在本实施例中，进行氧化处理的方式是采用紫外线或臭氧照射有机硅氧烷层2与支撑基底1相接触的表面，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，还可以采用其他任意的氧化处理方式，只要能够在有机硅氧烷层与支撑基底之间形成二氧化硅层即可。
[0058]图5为本发明第二实施例提供的柔性器件的制作方法的流程框图。请参阅图5，本实施例提供的柔性器件的制作方法与上述第一实施例相比，区别仅在于:对二氧化硅层固化处理，以及对柔性基板和有机硅氧烷层进行固化处理。
[0059]具体地，柔性器件制作方法包括以下步骤:
[0060]S11，在支撑基底上制备有机硅氧烷层；
[0061 ] S12，在有机硅氧烷层上制备柔性基板；
[0062]S13，对柔性基板和有机硅氧烷层进行固化处理；
[0063]S14，在柔性基板上制备显示器件；
[0064]S15，对有机硅氧烷层与支撑基底相接触的表面进行氧化处理，以在有机硅氧烷层与支撑基底之间形成二氧化硅层；
[0065]S16，对二氧化硅层进行固化处理；
[0066]S17，将支撑基底自二氧化硅层剥离。
[0067]在步骤S13中，通过对柔性基板和有机硅氧烷层进行固化处理，可以使二者固化成型(优选低温处理)，最终形成一体的柔性基板。
[0068]在步骤S16中，通过经过氧化处理后的二氧化硅层进行固化处理，可以增加有机硅氧烷层的硬度。
[0069]本实施例中的其他步骤与上述第一实施例的技术方案相同，在此不再赘述。
[0070]作为另一个技术方案，本发明还提供一种柔性显示器件，如图4所示，其包括柔性基板3，在该柔性基板3上设置有显示器件，并且，在柔性基板3背离该显示器件的表面设置有有机硅氧烷层2，在该有机硅氧烷层2上设置有二氧化硅层20。
[0071]优选的，二氧化硅层20为经过固化处理之后的膜层，从而增加有机硅氧烷层2的硬度。
[0072]优选的，柔性基板3和有机硅氧烷层2为经过固化处理之后的膜层，二者通过固化成型(优选低温处理)，最终形成一体的柔性基板。
[0073]在本实施例中，显示器件包括TFT器件4、有机发光材料层5和封装保护层6，其中，TFT器件4设置在柔性基板3上;有机发光材料层5设置在TFT器件4上;封装保护层6设置在有机发光材料层5上。当然，在实际应用中，显示器件还可以根据具体需要由其他种类的膜层组成。
[0074]优选的，有机硅氧烷层包括聚二甲基硅氧烷。该材料具有良好的电绝缘性和耐高低温性，可在-50?+250°C的温度条件下长期使用；而且，聚二甲基硅氧烷材料还具有压缩率大，表面张力低，憎水防潮性好等的优点。另外，聚二甲基硅氧烷因其具有表面张力低的性质，可以在为流体之后极易形成平滑、均匀的涂层。在实际应用中，可以根据不同的需求，对聚二甲基硅氧烷进行适当的改性。
[0075]优选的，柔性基板包括诸如聚酰亚胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚合物基板。
[0076]综上所述，本发明实施例提供的柔性显示器件，其在柔性基板背离显示器件的表面设置有有机硅氧烷层，并在该有机硅氧烷层上设置二氧化硅层，该二氧化硅层可以降低柔性基板和支撑基底之间的结合强度，从而可以更容易地将支撑基底剥离，进而降低柔性器件被损坏的风险，提高产品良率。此外，二氧化硅层还具有阻隔水汽的作用，而且还可以增加柔性基板的强度和稳定性。
[0077]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种柔性器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤: S1，在支撑基底上制备有机硅氧烷层； S2，在所述有机硅氧烷层上制备柔性基板； S3，在所述柔性基板上制备显示器件； S4，对所述有机硅氧烷层与所述支撑基底相接触的表面进行氧化处理，以在所述有机硅氧烷层与所述支撑基底之间形成二氧化硅层； S5，将所述支撑基底自所述二氧化硅层剥离。2.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，在完成所述步骤S4之后，进行所述步骤S5之前，还包括以下步骤: 对所述二氧化硅层进行固化处理。3.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，在完成所述步骤S2之后，进行所述步骤S3之前，还包括以下步骤: 对所述柔性基板和所述有机硅氧烷层进行固化处理。4.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，在所述步骤S1中，采用涂布法或旋涂法制备所述有机硅氧烷层。5.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，采用透明材料制作所述支撑基底;并且， 在所述步骤S4中，进行所述氧化处理的方式为:透过所述支撑基底朝向所述有机硅氧烷层与所述支撑基底相接触的表面照射紫外线或臭氧。6.根据权利要求5所述的柔性器件制作方法，其特征在于，所述透明材料包括玻璃。7.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，所述步骤S3进一步包括以下步骤: S31，在所述柔性基板上制备TFT器件； S32，在所述TFT器件上制备有机发光材料层； S33，在所述有机发光材料层上制备封装保护层。8.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，所述有机硅氧烷层包括聚二甲基硅氧烷。9.根据权利要求1所述的柔性器件制作方法，其特征在于，所述柔性基板包括聚酰亚胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯。10.一种柔性显示器件，包括柔性基板，在所述柔性基板上设置有显示器件，其特征在于，在所述柔性基板背离所述显示器件的表面设置有有机硅氧烷层，在所述有机硅氧烷层上设置有二氧化硅层。11.根据权利要求10所述的柔性显示器件，其特征在于，所述二氧化硅层为经过固化处理之后的膜层。12.根据权利要求10所述的柔性显示器件，其特征在于，所述柔性基板和所述有机硅氧烷层为经过固化处理之后的膜层。13.根据权利要求10所述的柔性显示器件，其特征在于，所述显示器件包括TFT器件、有机发光材料层和封装保护层，其中， 所述TFT器件设置在所述柔性基板上； 所述有机发光材料层设置在所述TFT器件上； 所述封装保护层设置在有机发光材料层上。14.根据权利要求10所述的柔性显示器件，其特征在于，所述有机硅氧烷层包括聚二甲基娃氧烧。15.根据权利要求10所述的柔性显示器件，其特征在于，所述柔性基板包括聚酰亚胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯。
【专利摘要】本发明提供一种柔性器件的制作方法及柔性显示器件，包括以下步骤：S1，在支撑基底上制备有机硅氧烷层；S2，在有机硅氧烷层上制备柔性基板；S3，在柔性基板上制备显示器件；S4，对有机硅氧烷层与支撑基底相接触的表面进行氧化处理，以在有机硅氧烷层与支撑基底之间形成二氧化硅层；S5，将支撑基底自二氧化硅层剥离。本发明提供的柔性器件的制作方法，其不仅工艺简单、成本较低，而且还可以增加柔性基板阻隔水氧的效果、强度及热稳定性。
【IPC分类】H01L51/52, H01L27/32, H01L51/56
【公开号】CN105489789
【申请号】CN201610032487
【发明人】程磊磊, 丁远奎, 王东方, 赵策
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2016年1月18日