阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主体结构为液晶面板，液晶面板包括背光源、对盒的薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板，液晶分子填充在阵列基板和彩膜基板之间。其中，阵列基板包括交叉分布的多条栅线和数据线，用于限定多个像素区域。参见图1所示，每一像素区域包括像素电极I和薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅电极3与栅线连接，源电极4与数据线连接，漏电极5与像素电极I连接。薄膜晶体管作为开关器件，用于控制像素电极I与公共电极2形成驱动液晶偏转的电场，实现显示。
[0003]根据驱动液晶电场的方向，TFT-1XD分为垂直电场型和水平电场型。其中，垂直电场型TFT-LCD的公共电极形成在彩膜基板上，包括扭曲向列型(TN型)。水平电场型TFT-LCD的公共电极2形成在阵列基板上，包括高级超维场转换型(HADS型，如图1所示KHADS技术可以提高显示装置的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。
[0004]针对不同应用，HADS技术的改进技术有高透过率的1-HADS技术、高开口率的H-HADS技术和高分辨率的S-HADS技术等。参见图1所示，基于H-HADS技术的阵列基板包括板状像素电极I和狭缝公共电极2 ο现有技术中的H-HADS型阵列基板，薄膜晶体管的漏电极5和像素电极I不同层设置，具体通过以下方式来连接漏电极5和像素电极1:在完成薄膜晶体管的制作后，形成过孔，露出薄膜晶体管的漏电极5和像素电极I，然后在制作狭缝公共电极2的过程中，形成透明导电图形7。透明导电图形7分别与露出的漏电极5和像素电极I电性接触，实现漏电极5和像素电极I的连接。但是这种通过第三导电层连接漏电极5和像素电极I的方式，容易出现传输接触不良，使产品的良率急剧下降。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种HADS阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，用以解决现有技术中薄膜晶体管的漏电极和像素电极的电性连接方式容易出现传输接触不良，使产品的良率急剧下降的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括多个像素区域，所述制作方法包括:
[0007]提供一基底；
[0008]在每一像素区域形成薄膜晶体管和像素电极；
[0009]在所述薄膜晶体管的漏电极和像素电极之间形成绝缘层，形成绝缘层的步骤包括:
[0010]在所述绝缘层中形成过孔，所述漏电极和像素电极通过所述过孔直接电性接触。
[0011]本发明实施例中还提供一种阵列基板，包括多个像素区域，每一像素区域包括设置在一基底上的薄膜晶体管和像素电极，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的漏电极和像素电极之间形成绝缘层，所述绝缘层中具有过孔，所述漏电极和像素电极通过所述过孔直接电性接触。
[0012]本发明实施例中还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
[0013]本发明实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。
[0014]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0015]上述技术方案中，薄膜晶体管的漏电极和像素电极通过过孔直接电性接触，连接良好，不易出现输接触不良的问题，提高了产品的良率。
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1表示现有技术中HADS阵列基板的结构示意图；
[0018]图2表示本发明实施例中底栅型薄膜晶体管HADS阵列基板的结构示意图；
[0019]图3表示本发明实施例中顶栅型薄膜晶体管HADS阵列基板的结构示意图；
[0020]图4表示本发明实施例中顶栅共面型薄膜晶体管HADS阵列基板的结构示意图；
[0021 ]图5-图9表示图2中HADS阵列基板的制作过程示意图。
【具体实施方式】
[0022]下面将结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0023]实施例一
[0024]结合图2-图4所示，本发明实施例中提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括多个像素区域，所述制作方法包括:
[0025]提供一基底100;
[0026]在每一像素区域形成薄膜晶体管和像素电极I;
[0027]在所述薄膜晶体管的漏电极5和像素电极I之间形成绝缘层101，形成绝缘层101的步骤包括:
[0028]在绝缘层101中形成过孔，漏电极5和像素电极I通过所述过孔直接电性接触。
[0029]通过上述制作方法制得的阵列基板，薄膜晶体管的漏电极5和像素电极I通过过孔直接电性接触，连接良好，不易出现传输接触不良的问题，提高了产品的良率。
[0030 ]其中，漏电极5和像素电极I通过绝缘层1I中的过孔直接电性接触是指:当漏电极5位于绝缘层101远离基底100的一侧时，绝缘层101中的过孔露出像素电极I的一部分，漏电极5的一部分填充所述过孔，与像素电极I电性接触。当漏电极5位于绝缘层101靠近基底100的一侧时，绝缘层101中的过孔露出的漏电极5—部分，像素电极I的一部分填充所述过孔，与漏电极5电性接触。
[0031]优选地，薄膜晶体管的漏电极5和像素电极I之间仅具有一个绝缘层101，则在绝缘层101中形成的过孔为浅孔(贯穿一个绝缘层的过孔深度较小，为浅孔)，不会出现深孔(贯穿多个绝缘层的过孔深度较大，为深孔)刻蚀中存在的过刻(undercut)问题，进一步保证漏电极5和像素电极I的传输接触良好。
[0032]本实施例中，薄膜晶体管的漏电极5和像素电极I之间的绝缘层101为栅绝缘层。
[0033]本发明的技术方案适用于所有类型的薄膜晶体管阵列基板，如:底栅型薄膜晶体管阵列基板(参加图2所示)、顶栅型薄膜晶体管阵列基板(参加图3所示)、顶栅共面型薄膜晶体管阵列基板(参加图4所示)。
[0034]当然，本发明的技术方案也同时适用于水平电场型阵列基板和垂直电场型阵列基板。
[0035]下面以HADS阵列基板为例来具体介绍本发明的技术方案。
[0036]如图2所示，对于底栅型薄膜晶体管阵列基板，为了简化制作工艺，通过一次构图工艺形成栅绝缘层101和薄膜晶体管的有源层6，则，HADS阵列基板的制作方法具体包括:
[0037]提供一基底100，为透明基底，如:玻璃基底、石英树脂基底、有机树脂基底；
[0038]在基底100上形成栅电极3和板状像素电极I，如图5所示；
[0039]形成覆盖栅电极3和像素电极I的栅绝缘层101，结合图6所示；
[0040]在栅绝缘层101上形成半导体层103，如图6所示，对半导体层103和栅绝缘层101进行一次构图工艺，形成薄膜晶体管的有源层6，并在栅绝缘层101中形成过孔7，露出像素电极I的一部分，如图8所不；
[0041]形成直接搭接在有源层6两端的源电极4和漏电极5，漏电极5的一部分