，阳极1020仅位于像素区域内，限制了与漏电极1007的连接。为了克服上述问题，本实施例中设置连接电极1009，连接电极1009包括与漏电极1007正对的第一部分和与阳极1020正对的第二部分，所述第一部分与漏电极1007电性连接。阳极1020设置在连接电极1009的第二部分上，与连接电极1009电性接触，从而通过连接电极1009实现阳极1020与漏电极1007电性连接。
[0032]本实施例中，以有源矩阵OLED显示基板为例来介绍OLED显示基板的具体结构，包括:
[0033]基底1001，包括多个像素区域；
[0034]设置在基底1001缓冲层1002，用于改善基底1001的黏附性；
[0035]设置在缓冲层1002上、位于每一像素区域的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括:
[0036]设置在缓冲层1002上的有源层1003，可以为硅半导体(非晶硅或多晶硅)或金属氧化物半导体(如:ZnO、IGO、IZO、ITO或 IGZO);
[0037]覆盖有源层1003的栅绝缘层1004，可以为氮化硅层、氧化硅层或其复合层；
[0038]设置在栅绝缘层1004上的栅电极1005，其材料可以选择Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο等；
[0039]覆盖栅电极1005的层间绝缘层1006，可以为氮化娃层、氧化娃层或其复合层；
[0040]设置在层间绝缘层1006上的源电极和漏电极1007，源电极和漏电极1007通过贯穿层间绝缘层1006和栅绝缘层1004的过孔与有源层1003电性接触，源电极和漏电极1007的材料可以选择Cu，Al ,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο等；
[0041]覆盖所述薄膜晶体管的平坦层1008，可以由亚克力材料、有机树脂材料制得；
[0042]设置在平坦层1008上的连接电极1009，连接电极1009通过贯穿平坦层1008中的过孔与所述薄膜晶体管的漏电极1007电性接触；
[0043]设置在连接电极1009上的像素界定层1011，用于界定所述多个像素区域，像素界定层1011包括依次设置在基底1001上的第一绝缘层1010和第二绝缘层1000，第一绝缘层1010在基底1001上的第一正投影位于第二绝缘层1000在基底1001上的第二正投影内，且所述第一正投影和第二正投影的边缘间隔一定距离；
[0044]覆盖像素界定层1011的上表面和侧面的反射层1012，材料可以选择Ag;
[0045]设置在连接电极1009上的、位于每一像素区域的OLED，所述OLED包括:
[0046]设置在连接电极1009上的阳极1020，并与连接电极1009接触，阳极1020与反射层1012为同层结构，并在像素界定层1011的边缘处断开；
[0047]设置在阳极1020上的有机发光层；
[0048]设置在所述有机发光层上的阴极，所述阴极覆盖整个基底1001。
[0049]覆盖OLED的封装层，包括无机绝缘层，如:氮化硅层、氧化硅层或其复合层，用于阻隔环境中的水氧，防止环境中的水氧影响OLED的性能。
[0050]需要说明的是，本发明的技术方案不仅适用于附图中以共面型薄膜晶体管为驱动元件的有源矩阵OLED基板，还适用于以其他类型膜晶体管为驱动元件的有源矩阵OLED基板，如:以顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管为驱动元件的有源矩阵OLED基板。
[0051 ]上述技术方案中，第一电极1020为OLED的阳极，其与反射层1012为同层结构，由同一反射膜层制得。当然，本发明的技术方案也适用于第一电极1020为OLED的阴极的情形，此时，OLED的阴极与反射层1012为同层结构，由同一半透半反膜层制得。进一步地，可以设置连接电极1009为OLED的阳极，由反射材料制得(如Ag)，在连接电极1009和阴极之间设置有有机发光层，同样能达到本发明的技术效果。其中，半透半反膜层可以为一部分由透明导电层，另一部分为反射导电层的结构，透明导电层的材料可以选择Zn0、IG0、IZO、ITO或IGZO等。
[0052]本实施例中还提供一种显示装置，采用如上所述的OLED显示基板，用以提高显示装置的亮度，降低功耗。
[0053]实施例二
[0054]结合图1所示，本实施例中提供一种实施例一中的顶发射OLED显示基板的制作方法，包括:
[0055]提供一基底1001;
[0056]在基底1001上形成像素界定层1011，用于界定像素区域；
[0057]在每一像素区域形成0LED，包括在基底1001上形成第一电极1020、有机发光层和第二电极的步骤，所述制作方法还包括:
[0058]在像素界定层1011的与其上表面相邻的侧面形成反射层1012，像素界定层1011的所述上表面远离基底1001 ；
[0059 ]通过对包括反射材料的导电膜层的构图工艺形成OLED的第一电极1020。
[0060]第一电极1020具体可以为OLED的阳极。
[0061]通过上述步骤形成的OLED显示基板，覆盖像素界定层1011侧面的反射层1012和OLED的阳极1020形成反射杯结构，增加对OLED发出光线的反射作用，降低波导效应，提高器件的外量子效率。
[0062]可选的，反射层1012由导电材料制得，阳极1020和反射层1012之间断开，实现绝缘，从而OLED的有机发光层与反射层1012对应的侧面部分不发光，保证反射层1012仅起到反射的作用，提高反射效果。进一步地，可以设置反射层1012同时覆盖像素界定层1011的上表面和与其上表面相邻的侧面。
[0063]在一个优选的实施方式中，如图2所示，通过对同一反射导电膜层的构图工艺形成反射层1012和OLED的阳极1020，阳极1020和反射层1012之间断开，从而不需增加单独制作反射层1012的工艺和材料，降低生产成本。结合图5-图7所示，具体可以通过底层过刻工艺来断开阳极1020和反射层1012，则形成像素界定层1011的步骤包括:
[0064]在基底上依次形成第一绝缘层1010和第二绝缘层1000;
[0065]在第二绝缘膜层1000上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中，光刻胶不保留区域对应所述像素区域，光刻胶保留区域对应其他区域；
[0066]采用第一次湿法刻蚀工艺去除光刻胶不保留区域的第二绝缘层1000，如图6所示；
[0067]采用第二次湿法刻蚀工艺去除光刻胶不保留区域的第一绝缘层1010，如图7所示，其中，第二次湿法刻蚀工艺的时间大于第一次湿法刻蚀工艺的时间；
[0068]去除剩余的光刻胶，形成像素界定层1011，如图2所示。
[0069]通过上述步骤形成的像素界定层1011，包括第一绝缘层1010和第二绝缘层1000，第一绝缘层1010在基底1001上的第一正投影位于第二绝缘层1000在基底1001上的第二正投影内，且所述第一正投影和第二正投影的边缘间隔一定距离，从而在像素界定层1011上形成反射导电膜层时，所述反射导电膜层会在像素界定层1011的边缘处断开，形成位于像素区域内的阳极1020，以及覆盖像素界定层1011的上表面和与其上表面相邻的侧面的反射层1012。为了实现上述底层过刻，还需控制刻蚀液的量，不能太大，在增加的第一绝缘层11的刻蚀时间中，保证刻蚀液尽量刻蚀第一绝缘层1010，少量刻蚀第二绝缘层100