0的底部。
[0070]其中，所述第一次湿法刻蚀和第二次湿法刻蚀工艺的刻蚀液可以采用浓酸刻蚀液，本实施例中，所述第一次湿法刻蚀和第二次湿法刻蚀工艺的刻蚀液采用氢氟酸。
[0071]进一步地，设置第二绝缘层1000的厚度较大，可以由亚克力材料制得，其纵截面为上小下大的梯形，为反射层1012提供承载。而第一绝缘层1010的厚度可以较小，由无机绝缘材料制得，如:氮化硅、氧化硅。
[0072]对于以薄膜晶体管作为驱动元件的有源矩阵OLED显示基板，OLED的阳极1020与薄膜晶体管的漏电极1007点下连接。但是，当反射层1012与OLED的阳极1020由同一反射导电膜层形成，且两者之间断开时，阳极1020仅位于像素区域内，限制了与漏电极1007的连接。为了克服上述问题，本实施例中的制作方法还包括:
[0073]对一透明导电膜层进行构图工艺，形成连接电极1009。连接电极1009包括与漏电极1007正对的第一部分和与阳极1020正对的第二部分，所述第一部分与漏电极1007电性连接。OLED的阳极1 20设置在连接电极1009的第二部分上，与连接电极1009电性接触，从而通过连接电极1009实现阳极1020与漏电极1007电性连接。
[0074]结合图2-图7所示，下面以薄膜晶体管作为驱动元件的有源矩阵OLED显示基板为例，来具体介绍OLED显示基板的制作过程:
[0075]提供一基底1001，包括多个像素区域，参见图3所示；
[0076]在基底1001上形成缓冲层1002，用于改善基底1001的黏附性；
[0077]在缓冲层1002上形成位于每一像素区域的薄膜晶体管，参见图3所示，形成所述薄膜晶体管的步骤包括:
[0078]在缓冲层1002上形成有源层1003;
[0079]形成覆盖有源层1003的栅绝缘层1004;
[0080]在栅绝缘层1004上形成栅电极1005;
[0081]形成覆盖栅电极1005的层间绝缘层1006，形成贯穿层间绝缘层1006和栅绝缘层1004的第一过孔；
[0082]在层间绝缘层1006上形成源电极和漏电极1007，源电极和漏电极1007通过所述第一过孔与有源层1003电性接触；
[0083]形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦层1008，在平坦层1008中形成第二过孔，如图3所示；
[0084]在平坦层1008上形成连接电极1009，连接电极1009通过所述第二过孔与所述薄膜晶体管的漏电极1007电性接触，如图4所示；
[0085]在连接电极1009上形成像素界定层，用于界定所述多个像素区域；
[0086]结合图5-图7所示，形成所述像素界定层的步骤包括:
[0087]在基底1001上依次形成第一绝缘层1010和第二绝缘层1000，第一绝缘层1010在基底1001上的第一正投影位于第二绝缘层1000在基底1001上的第二正投影内，且所述第一正投影和第二正投影的边缘间隔一定距离；
[0088]形成覆盖像素界定层1011的反射导电膜层，所述反射导电膜层在像素界定层1011的边缘断开，形成覆盖像素界定层1011的上表面和侧面的反射层1012，以及位于像素区域的OLED的阳极1020，如图2所示。阳极1020设置在连接电极1009上，并与连接电极1009接触；
[0089]在阳极1020上形成有机发光层；
[0090]在所述有机发光层上形成阴极，所述阴极覆盖整个基底1001;
[0091]在所述阴极上形成封装层，用于阻隔水氧。
[0092]至此完成OLED显示基板的制作。
[0093]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种OLED显示基板，包括设置在一基底上的像素界定层，用于界定像素区域，所述像素区域包括依次设置在所述基底上的第一电极、有机发光层和第二电极，其特征在于，所述像素界定层的与其上表面相邻的侧面覆盖有反射层，所述像素界定层的所述上表面远离所述基底，所述第一电极由包括反射材料的材料制得。2.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述反射层由导电材料制得，所述第一电极和反射层之间断开。3.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述反射层与所述第一电极为同层结构。4.根据权利要求3所述的OLED显示基板，其特征在于，所述像素界定层包括依次设置在所述基底上的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层在所述基底上的第一正投影位于所述第二绝缘层在所述基底上的第二正投影内，且所述第一正投影和第二正投影的边缘间隔一定距离。5.根据权利要求4所述的OLED显示基板，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度大于第一绝缘层的厚度。6.根据权利要求3所述的OLED显示基板，其特征在于，所述像素区域还包括: 薄膜晶体管； 覆盖所述薄膜晶体管的平坦层； 设置在所述平坦层上的连接电极，所述连接电极与所述薄膜晶体管的漏电极电性连接； 所述第一电极设置在所述连接电极上，并与所述连接电极接触。7.根据权利要求1-6中任一项所述的OLED显示基板，其特征在于，所述第一电极为OLED的阳极。8.—种显示装置，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的OLED显示基板。9.一种权利要求1-7任一项所述的OLED显示基板的制作方法，包括: 提供一基底； 在所述基底上形成像素界定层，用于界定像素区域； 在每一像素区域形成第一电极、有机发光层和第二电极的步骤，其特征在于，还包括:在所述像素界定层的与其上表面相邻的侧面形成反射层，所述像素界定层的所述上表面远离所述基底； 通过对包括反射材料的导电膜层的构图工艺形成所述第一电极。10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，通过对同一反射导电膜层的构图工艺形成所述反射层和第一电极，所述第一电极和反射层之间断开。11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述像素界定层的步骤包括: 在所述基底上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层； 在所述第二绝缘膜层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中，光刻胶不保留区域对应所述像素区域，光刻胶保留区域对应其他区域； 采用第一次湿法刻蚀工艺去除光刻胶不保留区域的第二绝缘层； 采用第二次湿法刻蚀工艺去除光刻胶不保留区域的第一绝缘层，其中，第二次湿法刻蚀工艺的时间大于第一次湿法刻蚀工艺的时间； 去除剩余的光刻胶，形成所述像素界定层，所述像素界定层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层在所述基底上的第一正投影位于所述第二绝缘层在所述基底上的第二正投影内，且所述第一正投影和第二正投影的边缘间隔一定距离。12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述第一次湿法刻蚀和第二次湿法刻蚀工艺的刻蚀液采用氢氟酸。13.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层由亚克力材料制得，所述第一绝缘层为氮化硅层或氧化硅层。
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，公开了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。所述OLED显示基板为顶发射OLED显示基板，包括覆盖像素界定层侧面的反射层，从而所述反射层与OLED的第一电极形成反射杯结构，增加对OLED发出光线的反射作用，降低波导效应，提高器件的外量子效率。
【IPC分类】H01L51/52, H01L51/56
【公开号】CN105552249
【申请号】CN201610149846
【发明人】李彦松, 许晓伟, 李良坚
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2016年3月16日