一种发光二极管的切割方法

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一种发光二极管的切割方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及半导体技术领域,特别设及一种发光二极管的切割方法。
【背景技术】
[0002] 发光二极管化ight Emitting Diode,简称LED)是可W把电能转化成光能的半导 体二极管。AlGaInP发光二极管在黄绿、澄色、澄红色、红色波段性能优越,在白光光源、全色 显示、交通信号灯、城市亮化工程等领域具有广阔的应用前景。
[0003] 制备AlGaInP发光二极管时,通常先在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、N型GaInP 牺牲层、N型AlInP限制层、AlGaInP多量子阱层、P型AlInP限制层、P型GaP接触层;考虑到 GaAs衬底会吸收外延片发出的光,因此将P型GaP接触层粘合到Si衬底上,并去除GaAs衬底、 GaAs缓冲层、N型GaInP牺牲层;再在N型AlInP限制层上形成N型电极,在Si衬底上形成P型电 极,得到晶元(wafer);最后使用刀片切割晶元,得到若干独立的L邸忍片。
[0004] 在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在W下问题:
[0005] 使用刀片(如金刚石)切割晶元,切割过程中容易产生碎屑,碎屑粘附在Lm)忍片上 造成L邸忍片漏电,不良率较高。

【发明内容】

[0006] 为了解决现有技术造成Lm)忍片漏电、不良率较高的问题,本发明实施例提供了一 种发光二极管的切割方法。所述技术方案如下:
[0007] 本发明实施例提供了一种发光二极管的切割方法,所述切割方法包括:
[000引将晶元的第一表面粘附在第一胶膜上,所述晶元包括Si衬底、设置在所述Si衬底 的第一表面的P型电极、W及依次层叠在所述Si衬底的第二表面的键合层、电流扩展层、P型 限制层、多量子阱层、N型限制层、N型电极,所述Si衬底的第二表面为与所述Si衬底的第一 表面相反的表面,所述晶元的第一表面为设置有所述P型电极的表面;
[0009] 对所述晶元的第二表面进行激光切割,所述晶元的第二表面为与所述晶元的第一 表面相反的表面;
[0010] 去除所述第一胶膜,将所述晶元的第二表面粘附在第二胶膜上;
[0011] 对所述晶元的第一表面进行激光切割;
[0012] 对所述晶元的第一表面进行劈裂,得到若干独立的发光二极管忍片。
[0013] 可选地,所述对所述晶元的第二表面进行激光切割,包括:
[0014] 对所述晶元的第二表面进行两次激光切割。
[0015] 可选地,对所述晶元的第二表面进行激光切割的深度为所述晶元的厚度的15%~ 20%。
[0016] 可选地,对所述晶元的第一表面进行激光切割的深度为所述晶元的厚度的40%~ 50%。
[0017] 可选地,所述第一胶膜包括聚氯乙締 PVC基材和亚克力系粘着剂。
[0018] 可选地,所述第二胶膜包括聚氯乙締 PVC基材和亚克力系粘着剂。
[0019] 可选地,在所述对所述晶元的第二表面进行激光切割之前,所述切割方法还包括:
[0020] 在所述晶元的第二表面上涂上激光切割保护胶。
[0021] 优选地,所述激光切割保护胶包括聚乙締醇。
[0022] 可选地,所述对所述晶元的第一表面进行劈裂之前,所述切割方法还包括:
[0023] 在所述晶元的第一表面覆盖聚对苯二甲酸乙二醋阳T薄膜。
[0024] 优选地,所述PET薄膜与所述晶元的第一表面相贴的表面涂有硅油。
[0025] 本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0026] 通过分别对晶元两个相对的表面进行激光切割,并对晶元进行劈裂,得到若干独 立的发光二极管忍片,由于激光切割的过程中没有碎屑产生,因此有效避免L邸忍片由于粘 附有碎屑而漏电,提高发光二极管的良率。
【附图说明】
[0027] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于 本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可W根据运些附图获得其他 的附图。
[0028] 图1是本发明实施例提供的一种发光二极管的切割方法的流程图。
【具体实施方式】
[0029] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方 式作进一步地详细描述。
[0030] 实施例
[0031] 本发明实施例提供了一种发光二极管的切割方法,参见图1,该切割方法包括:
[0032] 步骤101:将晶元的第一表面粘附在第一胶膜上。
[0033] 在本实施例中,晶元包括Si衬底、设置在Si衬底的第一表面的P型电极、W及依次 层叠在Si衬底的第二表面的键合层、电流阻挡层、P型限制层、多量子阱层、N型限制层、N型 电极。其中,Si衬底的第二表面为与Si衬底的第一表面相反的表面。晶元的第一表面为设置 有P型电极的表面。
[0034] 具体地,键合层可W为金属层、电流扩展层可W为AlGaAs层,P型限制层和N型限制 层可W为AlInP,多量子阱层可W包括交替层叠的两种Al组分不同的AlGaInP层。
[00巧]可选地,第一胶膜可W包括聚氯乙締 (Polyvinyl chloride,简称PVC)基材和亚克 力系粘着剂,如NITT0、SPV224S,使用完成后去除方便。
[0036] 具体地,该步骤101可W包括:
[0037] 采用全自动粘片机将晶元的第一表面粘附在第一胶膜上,W提高生产效率。
[0038] 在实际应用中,会先将第一胶膜粘附在铁环的一个端面上,W便将第一胶膜展开, 再将晶元从铁环的另一个端面进入铁环中,晶元的第一表面与第一胶膜相粘。
[0039] 可选地,将晶元的第一表面粘附在第一胶膜上时的溫度可W为40~50°C,此时第 一胶膜不易变形且易于粘附在第一表面上。
[0040] 步骤102:对晶元的第二表面进行激光切割。
[0041] 在本实施例中,晶元的第二表面为与晶元的第一表面相反的表面。
[0042] 可W理解地,通过执行步骤102,在晶元的第二表面形成切割道。
[0043] 可选地,对晶元的第二表面进行激光切割的深度可W为晶元的厚度的15%~ 25%,W将键合层完全切开,利于后续劈裂,且不易裂片。
[0044] 优选地,对晶元的第二表面进行激光切割的深度可W为晶元的厚度的20%。
[0045] 可选地,对晶元的第二表面进行激光切割的宽度可W为5~30皿。既保证了激光化 后不容易再次融合,又保证划痕窄对亮度影响小。同时,利于后期产品切割道变窄的优化。
[0046] 优选地,对晶元的第二表面进行激光切割的宽度可W为10~11M1。
[0047] 具体地,该步骤102可W包括:
[0048] 采用紫外激光机对晶元的第二表面进行激光切割。
[0049] 紫外激光(切割)机是采用紫外激光的切割系统,利用紫外光的特点,紫外激光切 割机比传统长波长切割机具有更高精度和更好的切割效果。利用高能量的激光源、W及精 确控制激光光束,可W有效提高加工速度和得到更精确的加工结果。
[0050] 可选地,该步骤102可W包括:
[0051] 对晶元的第二表面进行两次激光切割。
[0052] 需要说明的是,一次激光切割后,晶元的第二表面被切割的键合层等可能会再次 粘连在一起,进行两次激光切割,可W有效确保将其分离,提高产品良率,同时便于后续将 晶元劈裂成若干独立的L邸忍片(详见步骤106)。
[0053] 具体地,第一次激光切割的功率可W为1~1.5W,第二次激光切割的功率可W为 0.4~0.8W,W利于实现所需宽度和深度的激光划痕。
[0054] 优选地,第一次激光切割的功率可W为1.2W,第二次激光切割的功率可W为0.6W。
[0055] 具体地,激光切割的功率可W为80~140k化,W避免划切后再次融合,同时利于实 现所需宽度的激光划痕。
[0056] 优选地,激光切割的功率可W为11 Ok化。
[0057] 具体地,激光切割的速度可W为300mm/s,W避免划切后再次融合,同时利于实现 所需宽度的激光划痕,并提高生产效率。
[0058] 在本实施例的一种实现方式中,在该步骤102之前,该切割方法还可W包括:
[0059] 在晶元的第二表面上涂上激光切割保护胶。
[0060] 具体地,激光切割保护胶可W包括聚乙締醇。具有一定粘度的液体,属水溶性的。
[0061] 需要说明的是,若晶元的第二表面没有激光切割保护胶,则激光切割过程中产生 的烧结物便会附着在晶元上,很难去除。在晶元的第二表面上涂上激光切割保护胶,激光切 割过程中产生的烧结物粘附在激光切割保护层上,由于激光切割保护层很容易去除(激光 切割保护胶具有水溶性),在去除激光切割保护层的同时即可去除激光切割保护层上粘附 的烧结物,因此大大方便激光切割过程中产生的烧结物的去除,保护产品表面无激光烧结 物的污染。另外,激光切割保护胶还可W降低激光划切对产品性能的影响。而且激光切割
再多了解一些
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