体可能为具有栅极、栅极绝缘层的衬底。对于不同的图形化薄膜目的，相应的初体根据具体需求灵活确定，在此不一一赘述。
[0031]本发明采用疏水层的特性进行图形化薄膜制备，制备工艺简单，操作方便，适合于柔性衬底，对薄膜晶体管的印刷制备具有重要意义。通过依次制备各层，可以获得需要结构的薄膜晶体管，本发明的方法适合制备底栅接触型、底栅顶接触型、顶栅底接触型或者顶栅顶接触型薄膜晶体管中的各层薄膜。
[0032]实施例2。
[0033]本实施例的薄膜晶体管为底栅底接触结构，如图1所示。其中绝缘层2是由玻璃衬底6上的栅极I氧化形成，有源层5、源级3和漏极4均使用本发明实施例1所述的图形化薄膜制备方法制备而成。其中，绝缘层2由AlOx层和Nd层叠设构成。栅极I由Al层和Nd层叠设构成。
[0034]该薄膜晶体管的制备过程如下:预先制备有源层和源漏电极的前驱体溶液。具体是，量取1mL乙二醇单甲醚，加入0.19g硝酸铟、0.15g硝酸锌，滴加60μ?乙醇胺搅拌溶解，获得铟锌氧化物(IZO)的有源层前驱体溶液。量取1mL乙二醇单甲醚，加入0.17g硝酸铟，
0.0113g氯化亚锡，滴加60UL乙醇胺搅拌溶解，获得铟锡氧化物(ITO)的源漏电极前驱体溶液。
[0035]然后，如图2所示:
(a)将CYTOP(—种含氟聚合物)溶液经匀胶技术涂覆在A10x:Nd/Al:Nd衬底上形成湿膜，涂覆转速为2200rpm，涂覆时间为20s，将所涂覆的湿膜在100 V下加热30分钟，形成疏水层7;
(b)将步骤(a)制备的整体结构放置在源漏电极掩膜板8中，对疏水层进行氧气等离子体处理，刻蚀出所需的源漏电极图案；
(c)涂布ITO源漏电极前驱体溶液9;
(d)在100°C下进行加热处理，除去CYTOP疏水层，然后进行退火处理得到成品图形化氧化物薄膜10作为薄膜晶体管的源漏电极；
(e)再将含氟聚合物溶液经匀胶技术涂覆在步骤(d)制备好ITO电极上形成湿膜，涂覆转速为2200rpm，涂覆时间为20s，然后将湿膜在100 °C下加热30分钟，形成疏水层； (f)将步骤(e)的结构整体放置在有源层掩膜板中，对疏水层进行氧气等离子体处理，刻蚀出所需的有源层图案；
(g)在步骤(f)的结构上涂布铟锌氧化物前驱体溶液11;
(h)对步骤(g)得到的结构进行加热处理，除去疏水层，再经过退火得到图形化氧化物薄膜12作为有源层。
[0036]最后得到完整的底栅底接触型氧化物薄膜晶体管。
[0037]图3、4分别示出了对本实施例的TFT测试获得的输出特性和转移特性曲线。从转移曲线可以看出，正扫曲线与回扫曲线之间差别不大，即转移特性曲线的迟滞较小，说明有源层与源漏电极的接触良好，进一步证明本发明图形化方法的可靠性。
[0038]本发明采用疏水层的特性进行图形化薄膜制备，通过依次制备各层，可以获得需要结构的薄膜晶体管，具有工艺简单、成本低廉的特点。
[0039]需要说明的是，本发明的方法适合制备底栅接触型、底栅顶接触型、顶栅底接触型或者顶栅顶接触型薄膜晶体管中的各层薄膜，在此不再一一赘述。
[0040]最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
【主权项】
1.一种图形化薄膜的制备方法，其特征在于:包括如下步骤，(a)在待成膜的初体上涂布疏水层；(b)使用掩膜板对疏水层进行等离子体刻蚀得到图形化疏水层；(C)将预先制备的薄膜前驱体溶液涂布于图形化疏水层表面，得到初始涂覆薄膜结构(d)将初始涂覆薄膜结构中的疏水层去除，然后进行退火处理得到最终的图形化薄膜。2.根据权利要求1所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于:所述疏水层为含氟聚合物疏水层。3.根据权利要求2所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于:所述疏水层是通过旋涂、棒涂或者提拉涂布方式得到的疏水性含氟聚合物薄膜。4.根据权利要求3所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于:所述步骤(b)中等离子体刻蚀是采用氧气或者氩气的等离子体进行刻蚀的。5.根据权利要求4所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于:所述步骤(c)中薄膜前驱体溶液通过旋涂、棒涂或者提拉方式涂布于图形化疏水层表面。6.根据权利要求5所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于:所述步骤(d)中通过加热方式将初始涂覆薄膜结构中的疏水层除去。7.根据权利要求6所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于:所述步骤(d)中去除初始涂覆薄膜结构中的疏水层所采用的加热温度为95?110°C。8.根据权利要求1至7任意一项所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于:所述步骤(c)中预先制备的薄膜前驱体溶液具体为薄膜晶体管中的栅极、绝缘层、有源层或者源漏电极前驱体溶液，最终相应地制得作为薄膜晶体管栅极、绝缘层、有源层或者源漏电极的图形化薄膜。9.一种薄膜晶体管，设置有栅极、有源层、绝缘层以及源极和漏极，其特征在于:绝缘层、有源层、栅极、源极和漏极中的至少一种是通过权利要求1至8任意一项的图形化薄膜的制备方法制备得到的图形化薄膜。10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于:所述薄膜晶体管为底栅接触型、底栅顶接触型、顶栅底接触型或者顶栅顶接触型。
【专利摘要】一种图形化薄膜的制备方法及薄膜晶体管。图形化薄膜的制备方法包括如下步骤，（a）在待成膜的初体上涂布疏水层；（b）使用掩膜板对疏水层进行等离子体刻蚀得到图形化疏水层；（c）将预先制备的薄膜前驱体溶液涂布于图形化疏水层表面，得到初始涂覆薄膜结构；（d）将初始涂覆薄膜结构中的疏水层去除，然后对涂覆的薄膜进行退火处理得到最终的图形化薄膜。本发明采用疏水层的特性进行图形化薄膜制备，制备工艺简单，操作方便，适合于柔性衬底。本发明的薄膜晶体管，采用上述图形化薄膜构成其一个或者多个功能层，具有制备工艺简单，操作方便，适合于柔性衬底的特点。
【IPC分类】H01L29/786, H01L21/34
【公开号】CN105576039
【申请号】CN201610098306
【发明人】兰林锋, 李 远, 彭俊彪
【申请人】华南理工大学
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2016年2月23日