[0091]根据各种实施例，金属可以包括铜合金或者可以是铜合金。
[0092]根据各种实施例，半导体衬底可以是半导体晶片。此外，半导体衬底可以包括硅或者可以由硅组成。此外，半导体晶片可以是硅晶片。此外，半导体晶片可以是或者可以包括勘测晶片。此外，半导体晶片可以具有从大约5cm至大约50cm的直径或宽度。此外，半导体晶片可以具有大于大约5011(例如大于大约10011)的直径或宽度以及小于大约10(^111、5(^111、4(^ηι、30μηι、20μηι、15μηι、10μηι或5μηι的厚度。半导体晶片的高深宽比可以降低半导体晶片的机械稳定性，使得金属的影响在处理中可能需要被考虑。
[0093]根据各种实施例，半导体衬底可以具有小于大约ΙΟΟμπι的厚度。
[0094]根据各种实施例，覆盖多个管芯中的每一个管芯的金属可以具有大于大约3μπι的厚度。此外，覆盖多个管芯中的每一个管芯的金属可以具有大于大约5μηι，例如大于大约10μm或15μηι的厚度。
[0095]根据各种实施例，覆盖多个管芯中的每一个管芯的金属可以具有大于或等于半导体衬底的厚度的大约25%的厚度。金属与半导体衬底的厚度的关系可以影响在半导体衬底中创建或者转移到半导体衬底中的应力的量，或者可以影响半导体衬底和金属的变形。
[0096]根据各种实施例，由半导体衬底形成多个管芯可以包括切割。此外，由半导体衬底形成多个管芯可以包括使用切割锯的机械切割、使用激光的热切割或者通过刻蚀进行的化学切割中的至少一个。
[0097]根据各种实施例，由半导体衬底形成多个管芯可以包括等离子体切割，其中覆盖半导体衬底的多个管芯区的金属可以用作用于等离子体切割的掩模。
[0098]根据各种实施例，方法可以进一步包括:在切割之前将半导体衬底安装在玻璃载体上，使得多个管芯的管芯在切割之后粘附到玻璃载体。
[0099]根据各种实施例，方法可以进一步包括:在退火之前，用金属将多个管芯中的至少一个管芯粘附到金属层。
[0100]此外，金属层可以包括金属箔或者引线框中的至少一个。
[0101]根据各种实施例，方法可以进一步包括:在退火之前将多个管芯中的至少一个管芯粘附到辅助载体。此外，管芯中的一个或多个可以经由转印箔转移到辅助载体。此外，辅助载体(例如包括聚酰亚胺或Kapton)可以是例如至少一直到大约400°C的温度稳定的。此夕卜，多个管芯中的至少一个管芯可以经由温度稳定胶(例如包括光电酰亚胺，例如旋涂或喷涂的光电酰亚胺)粘附到辅助载体。
[0102]根据各种实施例，方法可以包括:将层印刷在半导体晶片之上，层包括金属颗粒(例如悬浮在溶剂(还被称为油墨或膏剂)中)；对层进行预退火(例如以至少部分地驱除溶剂)；将半导体晶片切割成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯可以被覆盖(例如多个管芯中的每一个管芯的正面和/或背面可以被覆盖)有预退火后的层的金属颗粒；以及，随后，烧结预退火后的层的金属颗粒。
[0103]根据各种实施例，切割半导体晶片可以包括等离子体切割。
[0104]根据各种实施例，烧结的金属颗粒可以提供各自管芯的背面金属化。
[0105]根据各种实施例，金属颗粒可以包括铜或者可以是铜颗粒。此外，金属颗粒可以包括纳米颗粒和/或微颗粒。
[0106]根据各种实施例，方法可以包括:由半导体晶片形成多个管芯，其中多个管芯可以附着在辅助载体上，并且其中多个管芯中的每一个管芯可以具有小于大约40μπι的厚度；用金属层部分地覆盖多个管芯中的每一个管芯，其中金属层具有大于大约ΙΟμπι的厚度；以及随后，对金属层进行退火。
[0107]根据各种实施例，电子器件(例如半导体器件或者垂直集成半导体器件)可以包括:等离子体切割的半导体管芯，其中等离子体切割的半导体管芯的至少一个表面覆盖有烧结金属层;其中烧结金属层具有大于或等于半导体管芯的厚度的大约25%的厚度。
[0108]根据各种实施例，方法可以包括:用待退火的金属覆盖半导体衬底的多个管芯区；由半导体衬底形成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有金属，以及随后，对覆盖多个管芯中的至少一个管芯的金属进行退火。
[0109]根据各种实施例，方法可以包括:用金属覆盖半导体衬底的多个管芯区，其中金属根据管芯图案被结构化；由半导体衬底形成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有金属(例如金属可以根据将由半导体衬底形成的期望的管芯尺寸而掩蔽半导体衬底)；以及随后，对覆盖多个管芯中的至少一个管芯的金属进行退火。
[0110]根据各种实施例，方法可以包括:用含金属的材料覆盖半导体衬底的多个管芯区；由半导体衬底形成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有含金属的材料，以及随后，对覆盖多个管芯中的至少一个管芯的含金属的材料进行退火(例如烧结)。含金属的材料可以包括金属，例如纯金属层或者金属合金层，或者金属和相比于金属的至少一个其他材料，例如包括金属的油墨或包括金属的膏剂。
[0111]尽管已经参考特定实施例特别地示出和描述了本发明，但是本领域技术人员应当理解，在不脱离如由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，其中可以做出形式和细节中的各种改变。本发明的范围因此由所附权利要求指示，并且进入到权利要求的相等物的意义和范围内的所有改变因此意在被包含。
【主权项】
1.一种方法，包括: 用待退火的金属覆盖半导体衬底的多个管芯区； 由所述半导体衬底形成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有所述金属，以及随后， 对覆盖多个管芯中的至少一个管芯的所述金属进行退火。2.根据权利要求1所述的方法， 其中用金属覆盖多个管芯区包括在所述半导体衬底之上形成金属层以及对所述金属层进行图案化。3.根据权利要求1所述的方法， 其中用金属覆盖多个管芯区包括在半导体衬底的多个管芯区之上印刷包含所述金属的悬浮液。4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括: 在印刷之后对所述悬浮液进行预退火。5.根据权利要求3所述的方法， 其中印刷所述悬浮液包括模板印刷。6.根据权利要求1所述的方法， 其中所述金属包括铜。7.根据权利要求1所述的方法， 其中所述半导体衬底是半导体晶片。8.根据权利要求1所述的方法， 其中所述半导体衬底具有小于ΙΟΟμπι的厚度。9.根据权利要求1所述的方法， 其中覆盖多个管芯中的每一个管芯的金属具有大于或等于半导体衬底的厚度的25%的厚度。10.根据权利要求1所述的方法， 其中由所述半导体衬底形成多个管芯包括切割。11.根据权利要求1所述的方法， 其中由所述半导体衬底形成多个管芯包括等离子体切割，并且其中覆盖所述半导体衬底的多个管芯区的金属用作用于等离子体切割的掩模。12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括: 在切割之前将所述半导体衬底安装在玻璃载体上，使得多个管芯中的管芯在切割之后粘附到所述玻璃载体。13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括: 在退火之前，用所述金属将多个管芯中的至少一个管芯粘附到金属层。14.根据权利要求1所述的方法，进一步包括: 在退火之前，将多个管芯中的至少一个管芯粘附到辅助载体。15.根据权利要求1所述的方法， 其中覆盖所述半导体衬底的多个管芯区的所述金属形成背面金属化。16.一种方法，包括: 将层印刷在半导体晶片之上，所述层包括金属颗粒； 对所述层进行预退火； 将所述半导体晶片分离成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有预退火后的层的金属颗粒；以及随后， 烧结所述预退火后的层的金属颗粒。17.根据权利要求16所述的方法， 其中分离所述半导体晶片包括等离子体切割。18.根据权利要求16所述的方法， 其中烧结的金属颗粒提供背面金属化。19.根据权利要求16所述的方法， 其中所述金属颗粒包括铜颗粒。20.一种方法，包括: 由半导体晶片形成多个管芯，其中多个管芯中的管芯附着到辅助载体，并且其中多个管芯中的每一个管芯具有小于40μηι的厚度； 用金属层部分地覆盖多个管芯中的每一个管芯，其中所述金属层具有大于5μπι的厚度；以及随后， 对所述金属层进行退火。
【专利摘要】本发明涉及用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法。根据各种实施例，用于处理半导体衬底的方法可以包括：用金属覆盖半导体衬底的多个管芯区；由半导体衬底形成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有金属；以及随后，对覆盖多个管芯中的至少一个管芯的金属进行退火。
【IPC分类】H01L21/28, H01L21/02
【公开号】CN105609410
【申请号】CN201511035867
【发明人】M·海因里奇, J·希尔施勒, M·米希茨, M·勒斯纳, G·施特兰茨尔, M·兹加加
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年11月13日
【公告号】DE102015119413A1, DE102015119413A8, US20160141208