积层型半导体封装体的制造装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种积层型半导体封装体的制造装置，更详细而言，涉及一种用以制造多个半导体封装体沿上下方向依序积层而成的积层型半导体封装体的积层型半导体封装体的制造装置。
【背景技术】
[0002]半导体元件为了扩大其电容及功能，在晶片(wafer)制造制程中集成度逐渐增加。如果欲在晶片上扩大半导体元件的电容及功能，则需在晶片制造制程中投入大量的设备且需要较多的费用。
[0003]与此相反，如果在晶片上制作半导体芯片(chip)后组装成封装体的过程中利用将两个以上的半导体芯片或两个以上的半导体封装体整合成一体的方法，则能够以较少的设备投入及费用来扩大半导体元件的电容及功能。因此，在半导体制造中，封装(packaging)技术作为最终决定器件(device)的电性能、可靠性、生产性及电子系统(electronic system)的小型化的核心技术而其重要性日益增加。
[0004]最近，许多半导体企业为了在封装制程中进一步提高单位体积的安装效率，应用整合型半导体封装体技术。作为代表性的整合型半导体封装体，有系统级封装体(SystemIn Package，SIP)、多芯片封装体(Multi Chip Package，MCP)、积层型封装体(Package OnPackage，POP;以下称为“积层型半导体封装体”)等。在这些整合型半导体封装体中，积层型半导体封装体是将完成封装制程及电检查制程的多个单一半导体封装体整合成一体的封装体。因此，以对单一半导体封装体充分地检查电功能而去除不良的状态实现组装，故而具有如下优点:在组装成积层型封装体(Package On Package)结构后发生的电性不良减少，可将执行不同功能的单一半导体封装体制成一个半导体封装体。
[0005]这种积层型半导体封装体经由焊接(soldering)制程而制成，所述焊接制程是在积层有多个单一半导体封装体的状态下，加热至将所述多个单一半导体封装体电连接的焊球(solder ball)的熔点以上。然而，存在如下问题:因在高温焊接制程中积层而成的半导体封装体的翘曲现象(warpage)而在两个半导体封装体的接合部发生接着不良；或在焊接制程后，焊球产生龟裂(crack)。
[0006][现有技术文献]
[0007][专利文献]
[0008]韩国公开专利公报第2010-0121231 号(2010.11.17.)
[0009]韩国公开专利公报第2013-0116100 号(2013.10.23.)
【发明内容】
[0010][发明欲解决的课题]
[0011]本发明是为了解决如上所述的必要性而提出，目的在于提供一种可减少因第二半导体封装体或第一半导体封装体的翘曲现象引起的第二半导体封装体与第一半导体封装体的接合部的接着不良或产生龟裂的问题的积层型半导体封装体的制造装置。
[0012][解决课题的手段]
[0013]用以达成所述目的的本发明的积层型半导体封装体的制造装置用以制造第一半导体封装体与第二半导体封装体以通过第一半导体封装体与第二半导体封装体之间的封装体连接端子电连接的方式上下积层而成的积层型半导体封装体，所述积层型半导体封装体的制造装置的特征在于包含:接触式加热器(heater)，其以能够与所述第二半导体封装体的一面接触的方式设置，以便可通过封装体组装体的所述第二半导体封装体而对接着剂及封装体连接端子进行加热，所述封装体组装体是以在所述第一半导体封装体与所述第二半导体封装体之间介置有用以接合第一半导体封装体与第二半导体封装体的所述接着剂及所述封装体连接端子的状态下，将所述第一半导体封装体与所述第二半导体封装体结合而成；及控制器(controller)，其以如下方式对所述接触式加热器进行控制，即，在所述接触式加热器与所述第二半导体封装体的一面接触的状态下，将所述接触式加热器的加热温度分别以固定时间保持为使所述接着剂硬化的硬化温度及使所述封装体连接端子熔融的焊接温度。
[0014][发明的效果]
[0015]本发明的积层型半导体封装体的制造装置利用介置在第一半导体封装体与第二半导体封装体之间的封装体连接端子焊接第一半导体封装体与第二半导体封装体，同时利用第一半导体封装体与第二半导体封装体之间的接着剂将第一半导体封装体与第二半导体封装体接合。因此，可制造比仅利用封装体连接端子将第一半导体封装体与第二半导体封装体接合的以往的积层型半导体封装体更坚固且在结构上更优异的积层型半导体封装体。
[0016]另外，本发明的积层型半导体封装体的制造装置利用接触式加热器按压第二半导体封装体使第一半导体封装体与第二半导体封装体之间的接着剂硬化而牢固地接合第一半导体封装体与第二半导体封装体，因此可减少如下问题:像以往一样，在高温焊接制程中，因第一半导体封装体或第二半导体封装体的翘曲现象(warpage)而在两个半导体封装体的接合部发生接着不良；或在焊接制程后，在封装体连接端子等产生龟裂。
[0017]另外，本发明的积层型半导体封装体的制造装置在使接触式加热器与封装体组装体的上表面接触的状态下，高速控制接触式加热器的温度，由此可迅速且连续地执行对介置在第一半导体封装体与第二半导体封装体之间的接着剂及封装体连接端子的硬化制程及焊接制程。因此，可缩短制造时间，提高制造效率。
【附图说明】
[0018]图1是表示通过本发明的一实施例的积层型半导体封装体的制造装置而制造的积层型半导体封装体的侧视图。
[0019]图2是概略性地表示本发明的一实施例的积层型半导体封装体的制造装置的构成图。
[0020]图3是表示图2所示的积层型半导体封装体的制造装置的加热单元(heatingunit)的图。
[0021]图4是表示图3所示的加热单元的硬化制程及焊接制程中的温度及压力变化的曲线图(graph)ο
[0022]附图标记说明:
[0023]10:积层型半导体封装体；
[0024]15:封装体组装体；
[0025]20:第一半导体封装体；
[0026]21:第一封装体基板；
[0027]22:第一芯片；
[0028]23:外部连接端子；
[0029]24:第一密封材；
[0030]25、26、36、37:端子垫；
[0031]27、38:芯片连接端子；
[0032]30:第二半导体封装体；
[0033]31:第二封装体基板；
[0034]32、33:第二芯片；
[0035]34:封装体连接端子；
[0036]35:第二密封材；
[0037]40:接着剂层；
[0038]45:接着剂；
[0039]100:积层型半导体封装体的制造装置；
[0040]110:移送单元；
[0041]115:滑车；
[0042]120:装载器；
[0043]130:接着剂分配器；
[0044]140:组装用装载器；
[0045]150:加热单元；
[0046]151:接触式加热器；
[0047]152:接触面；
[0048]153:吸附孔；
[0049]154:气孔；
[0050]155:温度传感器；
[0051]156:电源装置；
[0052]158:加热器冷却单元；
[0053]159:冷却套；
[0054]160:冷却流路；
[0055]161:流入口；
[0056]162:排出口；
[0057]163:冷却介质供给器；
[0058]165:升降机构；
[0059]167:压力传感器；
[0060]169:控制器；
[0061]170:检查单元；
[0062]Tl、T2、Τ3、Τ4、Τ5、Τ6、Τ7、tl、t2、t3、t4、t5:时间。
【具体实施方式】
[0063]以下，参照附图，详细地对本发明的积层型半导体封装体的制造装置进行说明。
[0064]图1是表示通过本发明的一实施例的积层型半导体封装体的制造装置而制造的积层型半导体封装体的侧视图，图2是概略性地表示本发明的一实施例的积层型半导体封装体的制造装置的构成图，图3是表示图2所示的积层型半导体封装体的制造装置的加热单元的图。
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