max)随有机发光器件的结构或特性而变，通过表 1和3以及图7A~7C和9所示的测量结果可以看出，有机层总厚度应具有比预定厚度小 5%到大5%的范围，以将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长调节为Amax±l〇nm，相 当于比预定峰值波长（Xmax)小IOnm到大IOnm的范围。另外，可以看出，有机层总厚度应 具有比预定厚度小3%到大3%的范围，以将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长调节 为Amax±8nm，相当于比预定峰值波长（Amax)小8nm到大8nm的范围。另外，可以看出，有 机层总厚度应具有比预定厚度小3%到大3%的范围，以将有机发光显示装置的EL光谱的 峰值波长调节为Xmax±4nm，相当于比预定峰值波长（Amax)小4nm到大4nm的范围。另 外，可以看出，有机层总厚度应具有预定厚度的-5%~+5% ( 即，±5%)的范围，以将有机 发光显示装置的EL光谱的峰值波长调节为λ max±10nm，相当于比预定峰值波长（Amax) 小IOnm到大IOnm的范围。
[0252] 另外，现将对用于将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长（Xmax)调节为 λ max± IOnm(相当于比预定峰值波长（Amax)小IOnm到大IOnm的范围）的EML中包含的 掺杂剂含量进行说明。如上面参照表2和图8A~8C所述，EML中包含的掺杂剂含量可以 随有机发光器件的结构或特征而改变。通过将红光EML中包含的掺杂剂含量在掺杂剂预定 含量（如4%的含量）的-50%~+50% ( 即，±50% )的范围内改变，红色的峰值波长可 以移动至多_4nm。另外，通过将绿光EML中包含的掺杂剂含量在掺杂剂预定含量（如12% 的含量）的-30%~+30% (即，±30%)的范围内改变，绿色的EL光谱的峰值波长可以移 动至多+4nm。另外，通过将蓝光EML中包含的掺杂剂含量在掺杂剂预定含量（如4%的含 量）的-50%~+50% (即，±50%)的范围内改变，蓝色EL光谱的峰值波长可以移动至 多+4nm。如上面参照表4和图10所述，EML中包含的掺杂剂含量可以随有机发光器件的结 构或特征而改变。通过将黄绿光EML中包含的掺杂剂含量在掺杂剂预定含量（如16%的 含量）的-50%~+30 %的范围内改变，黄绿色的峰值波长可以在-8nm~+4nm之间移动。 此处，掺杂剂预定含量可以是在有机发光显示装置的设计过程中基于EML的发射效率（其 基于掺杂剂的含量）而调节的掺杂剂含量。因此，由于有机发光显示装置的EL光谱的峰值 波长（X max)随有机发光器件的结构或特性而变，通过表2和4以及图8A~8C和10的 测量结果可以看出，EML中包含的掺杂剂含量应在比掺杂剂预定含量小0%到大50%的范 围内，以将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长调节为Amax±10nm，相当于比预定峰 值波长Umax)小IOnm到大IOnm的范围。另外，EML中包含的掺杂剂含量应具有比掺杂 剂预定含量小50%到大50%的范围，以将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长调节为 Amax±8nm，相当于比预定峰值波长（Xmax)小8nm到大8nm的范围。另外，EML中包含的掺 杂剂含量应具有比掺杂剂预定含量小30%到大30%的范围，以将有机发光显示装置的EL 光谱的峰值波长调节为Amax±4nm，相当于比预定峰值波长（Amax)小4nm到大4nm的范 围。另外，EML中包含的掺杂剂含量应具有掺杂剂预定含量的-50%到+50% (即，±50% ) 的范围，以将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长调节为Xmax±l〇nm，相当于比预定 峰值波长（Xmax)小IOnm到大IOnm的范围。
[0253] 另外，现将对用于将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长（Xmax)调节为 λ max± IOnm(相当于比预定峰值波长（λ max)小IOnm到大IOnm的范围）的P型CGL中包 含的掺杂剂含量进行说明。如上面参照表5和图11所述，P型CGL中包含的掺杂剂含量可 以随有机发光器件的结构或特征而改变。通过将P型CGL中包含的掺杂剂含量在掺杂剂预 定含量（如16%的含量）的约-70%~约+25%的范围内改变，蓝色的峰值波长可以移动至 多-4nm。另外，通过将P型CGL中包含的掺杂剂含量在掺杂剂预定含量（如16%的含量） 的约-70 %~约+25 %的范围内改变，黄绿色的峰值波长可以在-4nm~+4nm之间移动。此 处，掺杂剂的预定含量可以是在有机发光显示装置的设计过程中基于EML的发射效率（其 基于掺杂剂的含量）而调节的掺杂剂含量。因此，由于有机发光显示装置的EL光谱的峰值 波长的移动范围（Amax)随有机发光器件的结构或特性而变，通过表5和图11所示的测量 结果可以看出，P型CGL中包含的掺杂剂含量应具有比掺杂剂预定含量小50%到大50%的 范围，以将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长调节为λ max±10nm，相当于比预定峰 值波长Umax)小IOnm到大IOnm的范围。另外，可以看出，P型CGL中包含的掺杂剂含量 应具有比掺杂剂预定含量小50%到大50%的范围，以将有机发光显示装置的EL光谱的峰 值波长调节为Xmax±8nm，相当于比预定峰值波长（Amax)小8nm到大8nm的范围。另外， 可以看出，P型CGL中包含的掺杂剂含量应具有比掺杂剂预定含量小30 %到大30 %的范围， 以将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长调节为Xmax±4nm，相当于比预定峰值波长 (A max)小4nm到大4nm的范围。另外，可以看出，P型CGL中包含的掺杂剂含量应具有掺 杂剂预定含量的-50%到+50% ( 即，±50% )的范围，以将有机发光显示装置的EL光谱的 峰值波长调节为Xmax±10nm，相当于比预定峰值波长（Amax)小IOnm到大IOnm的范围。
[0254] 此外，表5和图11涉及包含两个P型CGL的有机发光器件，可以看出，所述两个P 型CGL各自包含的掺杂剂含量应具有比掺杂剂预定含量小50%到大50%的范围。作为另 选，当图3的有机发光器件包含一个P型CGL时，可以看出，P型CGL中包含的掺杂剂含量 应具有比掺杂剂预定含量小50%到大50%的范围。
[0255] 因此，可以看出，有机层总厚度的范围、EML中包含的掺杂剂含量的范围和/SP 型CGL中包含的掺杂剂含量的范围应进行调节，以将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波 长调节为Xmax±10nm，相当于比预定峰值波长（Amax)小IOnm到大IOnm的范围。有机 发光显示装置的EL光谱的峰值波长可以基于有机层总厚度、EML中包含的掺杂剂含量和P 型CGL中包含的掺杂剂含量之间的相互作用而获得，因此，即使有机层总厚度、EML中包含 的掺杂剂含量和P型CGL中包含的掺杂剂含量中至少一个因素的范围在预定范围之外，通 过控制与至少一个因素不同的另一因素的范围，也可以将有机发光显示装置的EL光谱的 峰值波长调节为Xmax±10nm，相当于比预定峰值波长（Amax)小IOnm到大IOnm的范围。 另外，有机层总厚度的范围、EML中包含的掺杂剂含量的范围和/或P型CGL中包含的掺 杂剂含量的范围可以通过它们的组合来调节，因此，可以将有机发光显示装置的EL光谱的 峰值波长调节为Xmax±10nm，相当于比预定峰值波长（Amax)小IOnm到大IOnm的范围。 也就是说，基于有机层总厚度在比预定总厚度小5%至大5%的范围内或在比预定总厚度 小3%至大3%的范围内、EML中包含的掺杂剂含量在比掺杂剂预定含量小50%到大50% 的范围内或在比掺杂剂预定含量小30 %到大30 %的范围内、以及P型CGL中包含的掺杂 剂含量在比掺杂剂预定含量小50%到大50%的范围内或在比掺杂剂预定含量小30%到大 30%的范围内以及其组合的条件，可以将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长调节为 Amax±10nm，相当于比预定峰值波长（Xmax)小IOnm到大IOnm的范围。作为另选，基于 有机层总厚度在比预定总厚度小5%至大5%的范围内或在比预定总厚度小3%至大3%的 范围内、EML中包含的掺杂剂含量在比掺杂剂预定含量小50%到大50%的范围内或在比掺 杂剂预定含量小30%到大30%的范围内、以及P型CGL中包含的掺杂剂含量在比掺杂剂预 定含量小50 %到大50 %的范围内或在比掺杂剂预定含量小30 %到大30 %的范围内以及其 组合的条件，可以将有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长调节为Xmax±8nm，相当于比 预定峰值波长（Xmax)小8nm到大8nm的范围。作为另选，基于有机层总厚度在比预定总 厚度小5%至大5%的范围内或在比预定总厚度小3%至大3%的范围内、EML中包含的掺 杂剂含量在比掺杂剂预定含量小50%到大50%的范围内或在比掺杂剂预定含量小30%到 大30%的范围内、以及P型CGL中包含的掺杂剂含量在比掺杂剂预定含量小50%到大50% 的范围内或在比掺杂剂预定含量小30%到大30%的范围内以及其组合的条件，可以将有 机发光显示装置的EL光谱的峰值波长调节为Amax±4nm，相当于比预定峰值波长（Amax) 小4nm到大4nm的范围。
[0256] 如上所述，根据本发明的实施方式，有机发光显示装置的EL光谱的峰值波长的移 动范围可得到优化，从而减少在有机发光显示装置的前方或侧方发生的色缺陷或色差。
[0257] 而且，根据本发明的实施方式，由于有机发光显示装置具有设定有机发光显示装 置的EL光谱的峰值波长的移动范围的PWES结构，从而可减少在有机发光显示装置的前方 或侧方发生的色缺陷或色差。
[0258] 在技术问题、技术方案和有益效果中记载的本发明实施方式的细节并非规定权利 要求的必要特征，因此，权利要求的范围不受本发明实施方式的详细说明中记载的细节的 限制。
[0259] 本领域技术人员会明白的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明 中可以进行各种修改和变型。因此，本发明应覆盖这种发明的修改和变型，只要其落入所附 权利要求及其等同物的范围之内。
【主权项】
1. 一种有机发光显不装置，其包含： 第一电极和第二电极；和 在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，所述有机层包含至少一个发光部， 其中，所述有机层被配置为所述有机发光显示装置从所述至少一个发光部发出的电致 发光（EL)光谱的峰值波长在比预定峰值波长（X)小10nm到比所述预定峰值波长（X)大 10nm的范围内。2. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个发光部包含至少一个 发光层，所述至少一个发光层为红光发射层、绿光发射层和蓝光发射层中的一种。3. 如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，红色EL光谱的峰值波长为600nm~ 650nm〇4. 如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，绿色EL光谱的峰值波长为520mn~ 550nm〇5. 如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，蓝色EL光谱的峰值波长为450nm~ 480nm〇6. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有机层的总厚度在比预定厚度 小5%到比所述预定厚度大5%的范围内。7. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中： 所述至少一个发光部包含至少一个发光层， 所述至少一个发光层包含至少一种主体和掺杂剂，并且 所述掺杂剂的含量在比所述掺杂剂的预定含量小50%到比所述掺杂剂的所述预定含 量大50%的范围内。8. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中： 所述至少一个发光部包含两个发光部， 所述两个发光部包含多个具有相同波长范围的发光层，并且 所述多个具有相同波长范围的发光层各自为红光发射层、绿光发射层和蓝光发射层中 的一种。9. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中： 所述至少一个发光部包含两个发光部， 所述两个发光部包含含有第一发光层的第一发光部和含有第二发光层的第二发光部， 所述第一发光层包含蓝光发射层、深蓝光发射层和天蓝光发射层中的一种，并且 所述第二发光层包含黄绿光发射层、绿光发射层、红光发射层+黄绿光发射层和红光 发射层+绿光发射层中的一种。10. 如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，从所述第一发光部发出的EL光谱的 峰值波长为450nm~480nm。11. 如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，从所述第二发光部发出的EL光谱的 峰值波长为520nm~650nm。12. 如权利要求9所述的有机发光显示装置，其还包含在所述第一发光部和所述第二 发光部之间的P型电荷产生层，所述P型电荷产生层包含至少一种主体和掺杂剂， 其中，所述掺杂剂的含量在比所述掺杂剂的预定含量小30 %到比所述掺杂剂的所述预 定含量大30%的范围内。13. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中： 所述至少一个发光部包含三个发光部， 所述三个发光部包含含有第一发光层的第一发光部、含有第二发光层的第二发光部和 含有第三发光层的第三发光部， 所述第一发光层包含蓝光发射层、深蓝光发射层和天蓝光发射层中的一种， 所述第二发光层包含黄绿光发射层、绿光发射层、红光发射层+黄绿光发射层和红光 发射层+绿光发射层中的一种，并且 所述第三发光层包含蓝光发射层、深蓝光发射层和天蓝光发射层中的一种。14. 如权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，从所述第一发光部和所述第三发 光部各自发出的EL光谱的峰值波长为450nm~480nm。15. 如权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，从所述第二发光部发出的EL光谱 的峰值波长为520nm~650nm。16. 如权利要求13所述的有机发光显示装置，其还包含： 在所述第一发光部和所述第二发光部之间的第一 P型电荷产生层；和 在所述第二发光部和所述第三发光部之间的第二P型电荷产生层， 其中， 所述第一 P型电荷产生层和所述第二P型电荷产生层各自包含至少一种主体和掺杂 剂，并且 所述第一 P型电荷产生层和所述第二P型电荷产生层各自包含的所述掺杂剂的含量在 比所述掺杂剂的预定含量小50%到比所述掺杂剂的所述预定含量大50%的范围内。17. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有机层被配置为所述有机发光 显示装置从所述至少一个发光部发出的EL光谱的峰值波长满足X±8nm，相当于比所述预 定峰值波长小8nm到比所述预定峰值波长大8nm的范围。18. 如权利要求17所述的有机发光显示装置，其中，所述有机层的总厚度在比所述预 定厚度小3%到比所述预定厚度大3%的范围内。19. 如权利要求17所述的有机发光显示装置，其中： 所述至少一个发光部包含至少一个发光层， 所述至少一个发光层包含至少一种主体和掺杂剂，并且 所述掺杂剂的含量在比所述掺杂剂的预定含量小50%到比所述掺杂剂的所述预定含 量大50%的范围内。20. 如权利要求17所述的有机发光显示装置，其中： 所述至少一个发光部包含： 第一发光部和第二发光部；和 在所述第一发光部和所述第二发光部之间的P型电荷产生层，所述P型电荷产生层包 含至少一种主体和掺杂剂，并且 所述掺杂剂的含量在比所述掺杂剂的预定含量小50%到比所述掺杂剂的所述预定含 量大50%的范围内。21. 如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有机层被配置为所述有机发光 显示装置从所述至少一个发光部发出的EL光谱的峰值波长满足X±4nm，相当于比所述预 定峰值波长小4nm到比所述预定峰值波长大4nm的范围。22. 如权利要求21所述的有机发光显示装置，其中，所述有机层的总厚度在比预定厚 度小3%到比所述预定厚度大3%的范围内。23. 如权利要求21所述的有机发光显示装置，其中： 所述至少一个发光部包含至少一个发光层， 所述至少一个发光层包含至少一种主体和掺杂剂，并且 所述掺杂剂的含量在比所述掺杂剂的预定含量小30%到比所述掺杂剂的所述预定含 量大30%的范围内。24. 如权利要求21所述的有机发光显示装置，其中： 所述至少一个发光部包含： 第一发光部和第二发光部；和 在所述第一发光部和所述第二发光部之间的P型电荷产生层，所述P型电荷产生层包 含至少一种主体和掺杂剂，并且 所述掺杂剂的含量在比所述掺杂剂的预定含量小30%到比所述掺杂剂的所述预定含 量大30%的范围内。25. -种有机发光显示装置，其包含： 位于基板上的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第二电极相对；和 在所述第一电极和所述第二电极之间的至少一个发光部，所述至少一个发光部包含至 少一个有机层， 其中，所述至少一个有机层包含电致发光（EL)光谱峰值波长（PWES)结构，其中设定从 所述至少一个发光部发出的EL光谱的峰值波长的移动范围。26. 如权利要求25所述的有机发光显示装置，其中，所述PWES结构相对于所述有机发 光显示装置的前方具有-10nm~+10nm的范围。27. 如权利要求25所述的有机发光显示装置，其中，所述PWES结构在相对于所述有机 发光显示装置的前方的±60°位置处具有-10nm~+10nm的范围。28. 如权利要求25所述的有机发光显示装置，其中，所述PWES结构在所述有机发光显 示装置的前方或在相对于所述有机发光显示装置前方的±60°位置处具有±4nm~±8nm 的范围。29. 如权利要求25所述的有机发光显示装置，其中，所述有机层的总厚度在预定厚度 的-5%到+5%的范围内。30. 如权利要求25所述的有机发光显示装置，其中： 所述至少一个发光部包含至少一个发光层， 所述至少一个发光层包含至少一种主体和掺杂剂，并且 所述掺杂剂的含量在所述掺杂剂的预定含量的-50%到+50%的范围内。31. 如权利要求25所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个发光部包含至少一 个发光层，所述至少一个发光层为红光发射层、绿光发射层和蓝光发射层中的一种。32. 如权利要求25所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个发光部包含两个发 光部，所述两个发光部包含多个具有相同波长范围的发光层。33. 如权利要求25所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个发光部包含两个发 光部，所述两个发光部包含多个具有不同波长范围的发光层。34. 如权利要求33所述的有机发光显示装置，其还包含在所述两个发光部之间的P型 电荷产生层，所述P型电荷产生层包含至少一种主体和掺杂剂， 其中，所述掺杂剂的含量在所述掺杂剂的预定含量的-50%~+50%的范围内。35. 如权利要求25所述的有机发光显示装置，其中： 所述至少一个发光部包含三个发光部， 所述三个发光部包含含有第一发光层的第一发光部、含有第二发光层的第二发光部和 含有第三发光层的第三发光部，并且 所述第一发光层至所述第三发光层中的至少两个发光层具有不同波长范围。36. 如权利要求35所述的有机发光显示装置，其还包含： 在所述第一发光部和所述第二发光部之间的第一 P型电荷产生层；和 在所述第二发光部和所述第三发光部之间的第二P型电荷产生层， 其中， 所述第一 P型电荷产生层和所述第二P型电荷产生层各自包含至少一种主体和掺杂 剂，并且 所述第一 P型电荷产生层和所述第二P型电荷产生层各自的所述掺杂剂的含量在所述 掺杂剂的预定含量的-50%~+50%的范围内。
【专利摘要】本申请涉及一种有机发光显示装置，其用于减少在有机发光显示装置的前方或侧方发生的色缺陷或色差。所述有机发光显示装置可以包含第一电极、第二电极和在第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包含至少一个发光部。所述有机层被配置为所述有机发光显示装置从所述至少一个发光部发出的电致发光(EL)光谱的峰值波长具有比预定峰值波长小10nm到比预定峰值波长大10nm的范围。
【IPC分类】H01L27/32
【公开号】CN105609527
【申请号】CN201510770463
【发明人】宋基旭, 许晶行, 琴台一, 金世雄, 崔喜栋, 金亨俊
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年11月12日
【公告号】EP3021376A2, US20160141555