有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法
【技术领域】
[0001] 示例实施例涉及一种有机发光显示装置和一种制造有机发光显示装置的方法。更 具体地，示例实施例涉及一种具有改善的清晰度的有机发光显示装置和一种制造该有机发 光显示装置的方法。
【背景技术】
[0002] 当有机发光显示装置在"关断"状态下操作时，透明有机发光显示装置能够在有机 发光显示装置的透明区域之前或之后透射目标图像。在有机发光显示装置的"接通"状态 中，有机发光显示装置可以利用从其有机发光层产生的光在邻近于透明区域的像素区域中 显示图像。
[0003] 因此，需要在确保期望的透射率的同时具有增强的特性的有机发光显示装置。
【发明内容】
[0004] 示例实施例提供一种具有改善的清晰度的有机发光显示装置。
[0005] 示例实施例提供一种制造具有改善的清晰度的有机发光显示装置的方法。
[0006] 根据示例实施例的一方面，提供一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置 包括基底、第一栅电极、第一绝缘中间层、第一漏电极、平坦化层和第一电极。基底包括多个 像素，每个像素包括发光区域和透明区域。第一栅电极设置在基底的发光区域中。第一绝缘 中间层覆盖第一栅电极。第一绝缘中间层从发光区域延伸到透明区域。第一漏电极设置在 第一绝缘中间层上。第一漏电极结合第一栅电极构成第一晶体管。平坦化层覆盖第一漏电 极。平坦化层暴露透明区域中的第一绝缘中间层的顶表面。第一电极设置在平坦化层上。
[0007] 在示例实施例中，所述有机发光显示装置还可以包括设置在平坦化层上的像素限 定层。像素限定层可以部分地覆盖第一电极。像素限定层可以设置在发光区域中，并且像 素限定层可以暴露透明区域中的第一绝缘中间层的顶表面。
[0008] 在示例实施例中，所述有机发光显示装置还可以包括设置在第一漏电极和第一绝 缘中间层之间的第二绝缘中间层图案。第二绝缘中间层图案可以包括不同于第一绝缘中间 层的材料。
[0009] 在示例实施例中，所述有机发光显示装置还可以包括：第一导电图案，设置在第一 绝缘中间层下方；第二导电图案，设置在第一绝缘中间层上；以及第三导电图案，设置在第 二导电图案上方。第一导电图案可以包括与第一栅电极的材料相同的材料。第三导电图案 可以包括与第一漏电极的材料相同的材料。第二绝缘中间层图案可以设置在第二导电图案 和第三导电图案之间。
[0010] 在示例实施例中，第二绝缘中间层图案可以包括介电常数比第一绝缘中间层的材 料的介电常数高的材料。第二绝缘中间层图案可以具有比第一绝缘中间层的厚度小的厚 度。
[0011] 在示例实施例中，第二绝缘中间层图案可以包括氮化硅。第一绝缘中间层可以是 包括氧化硅的单层。
[0012] 在示例实施例中，第二绝缘中间层图案可以设置在发光区域中。第二绝缘中间层 图案可以暴露透明区域。
[0013] 在示例实施例中，第一导电图案、第二导电图案以及设置在第一导电图案和第二 导电图案之间的第一绝缘中间层可以构成第一电容器。第二导电图案、第三导电图案以及 设置在第二导电图案和第三导电图案之间的第二绝缘中间层图案可以构成第二电容器。当 从与基底的顶表面基本垂直的方向观看时，第一电容器和第二电容器可以彼此叠置。
[0014] 在示例实施例中，第一电容器可以是C-保持电容器，第二电容器可以是存储电容 器。
[0015] 根据示例实施例的一方面，提供一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置 包括基底、第一栅电极、第一绝缘中间层、第二栅电极、第二绝缘中间层、第一漏电极、第二 漏电极、平坦化层和第一电极。基底包括多个像素，每个像素包括发光区域和透明区域。第 一栅电极设置在基底的发光区域中。第一绝缘中间层覆盖第一栅电极。第一绝缘中间层从 发光区域延伸到透明区域。第二栅电极设置在发光区域中且在第一绝缘中间层上。第二绝 缘中间层覆盖第二栅电极。第二绝缘中间层从发光区域延伸到透明区域。第一漏电极设置 在第二绝缘中间层上。第一漏电极结合第一栅电极构成第一晶体管。第二漏电极设置在第 二绝缘中间层上。第二漏电极结合第二栅电极构成第二晶体管。平坦化层覆盖第一漏电极 和第二漏电极。平坦化层暴露透明区域中的第二绝缘中间层的顶表面。第一电极设置在平 坦化层上。
[0016] 在示例实施例中，所述有机发光显示装置还可以包括：第三绝缘中间层图案，设置 在第一漏电极和第二绝缘中间层之间以及第二漏电极和第二绝缘中间层之间。第三绝缘中 间层图案可以包括不同于第二绝缘中间层的材料。
[0017] 在示例实施例中，第三绝缘中间层图案可以包括氮化硅。第一绝缘中间层和第二 绝缘中间层可以包括氧化硅。
[0018] 在示例实施例中，所述有机发光显示装置还可以包括：第一导电图案，设置在所述 第一绝缘中间层下方，第一导电图案包括与第一栅电极的材料相同的材料；第二导电图案， 设置在第一绝缘中间层上，第二导电图案包括与第一栅电极的材料相同的材料；以及第三 导电图案，设置在第三绝缘中间层图案上，第三导电图案包括与第一漏电极的材料相同的 材料。
[0019] 在示例实施例中，第一导电图案、第二导电图案以及设置在第一导电图案和第二 导电图案之间的第一绝缘中间层可以构成第一电容器。第二导电图案、第三导电图案以及 设置在第二导电图案和第三导电图案之间的第二绝缘中间层可以构成第二电容器。当从与 基底的顶表面基本垂直的方向观看时，第一电容器和第二电容器可以彼此叠置。
[0020] 根据示例实施例的一方面，提供一种制造有机发光显示装置的方法。在所述方法 中，提供基底以包括多个像素，每个像素包括发光区域和透明区域。在基底上形成第一半导 体图案。形成栅极绝缘层，以覆盖第一半导体图案。在栅极绝缘层上形成第一栅电极。第 一栅电极与第一半导体图案部分叠置。形成第一绝缘中间层，以覆盖第一栅电极。第一绝 缘中间层从发光区域延伸到透明区域。在第一绝缘中间层上方形成第一漏电极和第一源电 极。第一漏电极和第一源电极结合第一栅电极构成第一晶体管。形成平坦化层，以覆盖第 一漏电极和第一源电极。平坦化层暴露透明区域中的第一绝缘中间层的顶表面。在平坦化 层上形成第一电极。
[0021 ] 在示例实施例中，形成第一栅电极的步骤可以包括在栅极绝缘层上形成第一导电 图案。
[0022] 在示例实施例中，形成第一漏电极和第一源电极的步骤可以包括形成第三导电图 案。第三导电图案可以与第一导电图案叠置。
[0023] 在示例实施例中，在第一绝缘中间层上形成第二导电图案。第二导电图案与第一 导电图案叠置。形成覆盖第二导电图案的第二绝缘中间层图案。
[0024] 在示例实施例中，形成第二绝缘中间层图案的步骤包括：使用氮化硅在第一绝缘 中间层上形成第二绝缘中间层；以及部分地去除透明区域中的第二绝缘中间层。
[0025] 在示例实施例中，形成平坦化层的步骤包括：在透明区域和发光区域中形成有机 层，有机层覆盖第一漏电极和第一源电极；以及部分地去除有机层以形成第一开口，第一开 口由第一绝缘中间层的顶表面和有机层的侧壁来限定。
[0026] 根据示例实施例，栅极绝缘层和第一绝缘中间层可以从发光区域延伸到透明区 域，从而栅极绝缘层的台阶或第一绝缘中间层的台阶可以不设置在透明区域中。此外，像素 限定层可以仅设置在发光区域中，从而像素限定层的台阶可以不设置在透明区域中。因此， 可以改善有机发光显示装置的清晰度。此外，第一导电图案、第二导电图案、第三导电图案 和第四导电图案可以设置为彼此叠置，从而当从与基底的顶表面基本垂直的方向观看时， 第一电容器和第二电容器可以彼此叠置。因此，可以增大有机发光显示装置的开口率。
【附图说明】
[0027] 通过下面结合附图的描述能够更详细地理解示例实施例，在附图中：
[0028] 图1是示出根据一些示例实施例的有机发光显示装置的像素的电路图；
[0029] 图2是部分地示出根据一些示例实施例的有机发光显示装置的平面图；
[0030] 图3是示出根据一些示例实施例的有机发光显示装置的剖视图；
[0031] 图4是示出用于测量有机发光显示装置的清晰度的示意图；
[0032] 图5是示出根据一些比较实施例的有机发光显示装置的剖视图；
[0033] 图6是示出根据其它比较实施例的有机发光显示装置的剖视图；
[0034] 图7是示出根据其它示例实施例的有机发光显示装置的剖视图；
[0035] 图8至图14是示出根据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖视 图；以及
[0036] 图15至图20是示出根据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖视 图。
【具体实施方式】
[0037] 在下文中，参照附图更充分地描述示例实施例。然而，发明可以以许多不同的形式 实施，并且不应该被解释为局限于在此阐述的示例实施例。在附图中，为了清楚起见，会夸 大层和区域的尺寸和相对尺寸。
[0038] 将理解的是，当元件或层被称作"在"另一元件或层"上"、"连接到"或"结合到"另 一元件或层时，该元件或层可以直接在其它元件或层上，直接连接到或直接结合到其它元 件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被称作"直接在"另一元件或层"上"、 "直接连接到"或"直接结合到"另一元件或层时，不存在中间元件或层。同样或类似的附图 标记始终指示同样或类似的元件。如在这里使用的，术语"和/或"包括相关所列项中的一 个或更多个项的任意和全部组合。
[0039] 将理解的是，虽然在这里可以使用术语"第一"、"第二"、"第三"等来描述各种元 件、组件、区域、层、图案和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层、图案和/或部分不应被 这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层、图案或部分与另一元件、组 件、区域、层、图案或部分区别开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的 第一元件、组件、区域、层或部分可以被称作第二元件、组件、区域、层或部分。
[0040] 为了便于描述，在这里可以使用诸如"在……下面"、"在……下方"、"下"、"在…… 上方"和"上"等空间相对术语来描述如在附图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征 的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意在包含装置在使用或操 作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为"在"其它元件或特征"下方" 或"下面"的元件将随后被定向为"在"其它元件或特征"上方"。因此，示例性术语"在…… 下方"可包含"在……上方"和"在……下方"两种方位。装置可以被另外地定位（例如，旋 转90度或在其它方位），并相应地解释在此使用的空间相对描述语。
[0041] 在这里使用的术语仅出于描述具体示例实施例的目的，并且不意图成为发明的限 制。如在这里使用的，除非上下文清楚地另有表明，否则单数形式"一种"、"一个"、"该"和 "所述"也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语"包括"和/或"包 含"时，表示存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或者添加一 个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0042] 在这里参照作为发明的示例性地理想化的示例实施例（和中间结构）的示意图的