剖视图来描述示例实施例。如此，预计会出现由例如制造技术和/或公差引起的示图的形 状的变化。因此，示例实施例不应被解释为局限于在此示出的区域的具体形状，而是包括由 例如制造导致的形状的偏差。附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状并不意图 示出装置的区域的实际形状，并且不意图限制发明的范围。
[0043] 除非另外定义，否则在这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与 本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在这里 明确地如此定义，否则术语（诸如在通用词典中定义的术语）应该被解释为具有与其在相 关技术的上下文中的意思一致的意思，并且将不以理想化或过于形式化的意思来解释。
[0044] 图1是示出根据一些示例实施例的有机发光显示装置的像素的电路图。
[0045] 参照图1，扫描线（SCAN)、数据线（Vdata)和Vdd线（ELVDD)可以电连接到像素电 路。在示例实施例中，其它线可以根据像素电路（C)的结构电连接到像素电路。
[0046] 在示例实施例中，像素电路可以包括第一晶体管（T1)、第二晶体管（T2)、第三晶 体管（T3)、存储电容器（Cst)、C-保持电容器（C-hold capacitor，CJ和有机发光二极管 (OLED)。在这种情况下，第一晶体管（Tl)可以电连接到扫描线（SCAN)和数据线（V data)，第 二晶体管T2可以电连接到有机发光二极管（OLED)和Vdd线（ELVDD)，第三晶体管T3可以 电连接到有机发光二极管（OLED)和第一晶体管（Tl)。另外，存储电容器（Cst)和C-保持 电容器（CJ可以设置在第一晶体管（Tl)和第二晶体管（T2)之间。
[0047] 在示例实施例中，第一晶体管（Tl)可以是开关晶体管，第二晶体管（Τ2)可以是驱 动晶体管。图1中的像素电路可以是示例性实施例，本发明可以不限于此。例如，像素电路 (C)可以包括另外的晶体管和另外的电容器。
[0048] 图2是部分地示出根据一些示例实施例的有机发光显示装置的平面图。
[0049] 参照图2,有机发光显示装置10可以包括沿第一方向延伸的多条栅极线（GL)、沿 第二方向延伸的多条数据线（DL)以及电源线。多条栅极线（GL)和多条数据线（DL)可以 彼此交叉，从而限定多个像素区域（P)。
[0050] 在示例实施例中，每个像素区域（P)可以包括多个子像素区域（SP1、SP2、SP3)。具 体地，每个子像素区域（SP1、SP2、SP3)可以被分成透明区域（T)和发光区域（B1、B2、B3)。
[0051] 在这种情况下，相对于像素区域（P)的面积（即，子像素区域（SP1、SP2、SP3)的总 面积），透明区域（T)可以占据范围为大约25%至大约85%的比例。
[0052] 当将有机发光显示装置10关断时，有机发光显示装置10可以足够透明，以允许通 过透明区域（T)观看有机发光显示装置10后面的环境。当接通有机发光显示装置10时， 有机发光显示装置可以通过发光区域（B1、B2、B3)显示图像。
[0053] 在其它示例实施例中，当接通有机发光显示装置10时，有机发光显示装置10可以 足够透明，以允许观看有机发光显示装置10后面的环境。
[0054] 如果透明区域（T)可以相对于像素区域（P)的面积占据大约25%以下的比例，则 有机发光显示装置的透明度会劣化。如果透明区域（T)可以相对于像素区域（P)的面积占 据大约85%以上的比例，则发光区域（B1、B2、B3)的面积会减小，从而难以使有机发光显示 装置10显示图像。因此，当透明区域⑴可以相对于像素区域⑵的面积占据范围为大约 25%至大约85%的比例时，有机发光显示装置可以具有期望的透明度，并且可以能够显示 图像。
[0055] 另外，驱动电路可以设置在子像素区域（SP1、SP2、SP3)的每个发光区域（BK B2、 B3)处，其中，栅极线（GL)和数据线（DL)可以彼此交叉。例如，驱动电路可以与参照图1描 述的驱动电路基本相同。
[0056] 在示例实施例中，发光区域可以包括第一子像素区域（SPl)的第一发光区域 (BI)、第二子像素区域（SP2)的第二发光区域（B2)和第三子像素区域（SP3)的第三发光区 域（B3)。然而，本发明可以不限于此，从而每个像素区域（P)可以包括两个子像素区域或四 个子像素区域。
[0057] 在示例实施例中，设置在第一子像素区域（SPl)的第一发光区域（BI)中的有机发 光二极管可以发射红色光，设置在第二子像素区域（SP2)的第二发光区域（B2)中的有机发 光二极管可以发射绿色光，设置在第三子像素区域（SP3)的第三发光区域（B3)中的有机发 光二极管可以发射蓝色光。
[0058] 图3是示出根据一些示例实施例的有机发光显示装置的剖视图。图3是沿着图2 的线Ι-Γ截取的剖视图。
[0059] 参照图3,有机发光显示装置可以包括晶体管、电容器、第一电极170、有机层结构 190和第二电极195。
[0060] 基底100可以包括透明绝缘基底。例如，基底100可以包括玻璃基底、石英基底、 透明树脂基底等。在其它不例实施例中，基底100可以是柔性基底。
[0061] 在示例实施例中，基底100可以被分成如图2中示出的透明区域（T)和发光区域 (B2)。每个发光区域（B2)可以包括多个子像素区域。
[0062] 阻挡层105可以设置在基底100上。阻挡层105可以提供平坦的顶表面，并且可 以防止杂质扩散到基底100中。阻挡层105可以包括无机材料、有机材料或它们的堆叠结 构。例如，无机材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛， 有机材料可以包括聚酰亚胺、聚酯或丙烯酸酯。
[0063] 在其它示例实施例中，阻挡层105可以具有包括至少一个有机层和至少一个无机 层的堆叠结构。可选择地，可以省略阻挡层105。
[0064] 第一半导体图案110和第二半导体图案115可以设置在阻挡层105上。第一半导 体图案110和第二半导体图案115可以设置在发光区域（B2)中，并且可以不设置在透明区 域⑴中。
[0065] 第一半导体图案110和第二半导体图案115可以包括氧化物半导体、多晶硅、掺杂 的多晶硅、非晶硅和掺杂的非晶硅等。在示例实施例中，第一半导体图案110和第二半导体 图案115可以包括二元化合物（AB x)、三元化合物（ABxCy)、四元化合物（ABxC yOz)等，其中，二 元化合物（ABx)、三元化合物（ABxC y)、四元化合物（ABxCyOz)等可以含有铟（In)、锌（Zn)、镓 (Ga)、锡（Sn)、钛（Ti)、铝（Al)、铪（Hf)、锆（Zr)、镁（Mg)等。这些化合物可以单独使用或 者以其混合物使用。例如，第一半导体图案110和第二半导体图案115可以包括G-I-Z-O 层（(In2O3)a(Ga2O3) b(ZnO)Jl )，其中，a、b 和 c 是各满足 a 多 0、b 多 0、c>0 的实数。
[0066] 在不例实施例中，第一半导体图案110可以包括第一源区113、第一漏区112以及 设置在第一源区113和第一漏区112之间的第一沟道区111。另外，第二半导体图案115可 以包括第二源区118、第二漏区117以及设置在第二源区118和第二漏区117之间的第二沟 道区116。
[0067] 栅极绝缘层120可以设置在阻挡层105上，以覆盖半导体图案110和115。例如， 栅极绝缘层120可以包括氧化娃、氮化娃或高k介电材料。在示例实施例中，栅极绝缘层 120可以是包括氧化硅并且具有范围为大约800人至大约1200A的厚度的单层。
[0068] 栅电极122和124以及第一导电图案126可以设置在栅极绝缘层120上。在示例 实施例中，第一栅电极122可以与第一半导体图案110的第一沟道区111叠置，第二栅电极 124可以与第二半导体图案115的第二沟道区116叠置。另外，第一导电图案126可以设置 在发光区域（B2)中，并且可以不设置在透明区域（T)中。
[0069] 第一绝缘中间层130可以设置在栅极绝缘层120上，以覆盖栅电极122和124以 及第一导电图案126。例如，第一绝缘中间层130可以包括氧化硅。
[0070] 现在参照图3,第二导电图案132可以设置在第一绝缘中间层130上，以与第一导 电图案126叠置。例如，第二导电图案132可以包括诸如铝（Al)、铜（Cu)、钨（W)、铬（Cr) 的金属或诸如氧化铟锡（ITO)的导电金属氧化物。在示例实施例中，第二导电图案132可 以具有可比栅电极122和124的厚度小的厚度。
[0071] 因此，第一导电图案126、第二导体图案132以及设置在它们之间的第一绝缘中间 层130可以构成第一电容器。在示例实施例中，第一电容器可以是参照图2描述的存储电 容器或C-保持电容器。
[0072] 第二绝缘中间层图案135可以设置在第一绝缘中间层130上。第二绝缘中间层图 案135可以被设置为与半导体图案110和115以及第二导电图案132对应。在示例实施例 中，第二绝缘中间层图案135可以具有可比第一绝缘中间层130的厚度小的厚度。例如，第 二绝缘中间层图案135可以包括氮化硅。
[0073] 第一源电极142和152、第一漏电极141和151、第二源电极144和154、第二漏电 极143和153以及导电图案146、148、156和158可以被设置为与第二绝缘中间层图案135 对应。
[0074] 第一源电极142和152以及第一漏电极141和151结合第一半导体图案110和第 一栅电极122可以构成第一晶体管。第二源电极144和154以及第二漏电极143和153结 合第二半导体图案115和第二栅电极124构成第二晶体管。例如，第一晶体管可以是参照 图2描述的驱动晶体管，第二晶体管可以是参照图2描述的开关晶体管。
[0075] 图3中示出的第二晶体管可以具有栅电极122和124设置在半导体图案110和 115上方的顶栅结构，然而本发明不限于此。例如，晶体管可以具有半导体图案设置在栅电 极上方的底栅结构。
[0076] 第三导电图案146和第四导电图案156可以设置在第二绝缘中间层图案135上， 以与第二导电图案132叠置。因此，第三导电图案146和第四导电图案156、第二导电图案 132与设置在它们之间的第二绝缘中间层图案135可以构成第二电容器。当第二绝缘中间 层图案135包括氮化硅时，与第二绝缘中间层图案135包括氧化硅的情况相比，第二电容器 可以具有更高的容量。另外，第二绝缘中间层图案135可以具有比第一绝缘中间层130的 厚度小的厚度，从而第二电容器可以具有比第一电容器的容量高的容量。
[0077] 在示例实施例中，第二电容器可以是参照图2描述的存储电容器或C-保持电容 器。例如，当第一电容器是C-保持电容器时，第二电容器可以是存储电容器。可选择地，当 第一电容器是存储电容器时，第二电容器可以是C-保持电容器。
[0078] 第五导电图案148和第六导电图案158可以设置在第二绝缘中间层图案135上。 第五导电图案148和第六导电图案158可以用作参照图2描述的数据线（DL)、栅极线（GL) 和电源线（未示出）的接触焊盘。
[0079