大约5%。
[0165] 此外，第一源电极142和152以及第一漏电极141和151可以结合第一半导体图 案110和第一栅电极122构成第一晶体管。第二源电极144和154以及第二漏电极143和 153可以结合第二半导体图案115和第二栅电极134构成第二晶体管。因此，第二半导体图 案115和第二栅电极134之间的距离可以比第一半导体图案110和第一栅电极122之间的 距离大。
[0166] 在示例实施例中，第一源电极142和152、第一漏电极141和151、第二源电极144 和154以及第二漏电极143和153可以具有包括不同导电材料的多层结构。
[0167] 现在参照图18,可以在第三绝缘中间层图案138上形成第三导电图案146和第四 导电图案156,以与第二导电图案136叠置。因此，第三导电图案146和第四导电图案156、 第二导电图案136与设置在它们之间的第二绝缘中间层图案135可以构成第二电容器。
[0168] 根据示例实施例，第一电容器和第二电容器可以彼此叠置。因此，可以增大有机发 光显示装置的开口率。
[0169] 参照图19,可以在第一绝缘中间层130上形成平坦化层160以覆盖晶体管和电容 器，并且可以在平坦化层160上形成第一电极170。这些工艺可以与参照图12和图13描述 的工艺基本类似。
[0170] 然后，可以部分地去除平坦化层160以形成第一开口 162和第二开口 164。在示例 实施例中，可以将第一开口 162形成为暴露透明区域（T)中的第二绝缘中间层140的顶表 面。即，可以由第二绝缘中间层140的顶表面和暴露的平坦化层160的侧壁来限定第一开 口 162。即，第一绝缘中间层130的台阶或栅极绝缘层120的台阶可以不设置在透明区域 (T)中，从而可以改善有机发光显示装置的清晰度，如参照图3至图7描述的。
[0171] 参照图20,可以在平坦化层160上形成像素限定层180,以部分地覆盖第一电极 170。这些工艺可以与参照图14描述的工艺基本类似。
[0172] 在示例实施例中，可以将像素限定层180形成在发光区域（B2)中，并且可以不形 成在透明区域（T)中。即，像素限定层180可以不形成在第一开口 162的底表面或侧壁上。
[0173] 因此，像素限定层180的台阶可以不设置在透明区域（T)中，从而可以改善有机发 光显示装置的清晰度，如参照图3至图7描述的。
[0174] 然后，可以形成包括发光层的有机层结构和第二电极，以制造有机发光显示装置。
[0175] 以上是对示例实施例的举例说明，并且将不被解释为限制示例实施例。虽然已经 描述了几个示例实施例，但是本领域技术人员将容易领会到，在实质上不脱离示例实施例 的新颖教导和优点的情况下，可以在示例实施例中进行许多修改。因此，所有这样的修改意 图被包括在如权利要求限定的示例实施例的范围内。在权利要求中，功能性限定意图覆盖 这里被描述为执行所述功能的结构，并且不仅覆盖结构等同物，而且覆盖等同的结构。因 此，将要理解的是，以上是对示例实施例的举例说明，并且不应被解释为局限于所公开的特 定实施例，对公开的示例实施例的修改以及其它示例实施例意图被包括在所附权利要求书 的范围内。本发明由权利要求来限定，其中，权利要求的等同物将被包含在本发明中。
【主权项】
1. 一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置包括： 基底，包括多个像素，每个像素包括发光区域和透明区域； 第一栅电极，设置在所述基底的所述发光区域中； 第一绝缘中间层，覆盖所述第一栅电极，所述第一绝缘中间层从所述发光区域延伸到 所述透明区域； 第一漏电极，设置在所述第一绝缘中间层上，所述第一漏电极结合所述第一栅电极构 成第一晶体管； 平坦化层，覆盖所述第一漏电极，所述平坦化层暴露所述透明区域中的所述第一绝缘 中间层的顶表面；以及 第一电极，设置在所述平坦化层上。2. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置还 包括： 像素限定层，设置在所述平坦化层上，所述像素限定层部分地覆盖所述第一电极， 其中，所述像素限定层设置在所述发光区域中，并且所述像素限定层暴露所述透明区 域中的所述第一绝缘中间层的顶表面。3. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置还 包括： 第二绝缘中间层图案，设置在所述第一漏电极和所述第一绝缘中间层之间， 其中，所述第二绝缘中间层图案包括不同于所述第一绝缘中间层的材料。4. 根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置还 包括： 第一导电图案，设置在所述第一绝缘中间层下方，所述第一导电图案包括与所述第一 栅电极的材料相同的材料； 第二导电图案，设置在所述第一绝缘中间层上；以及 第三导电图案，设置在所述第二导电图案上方，所述第三导电图案包括与所述第一漏 电极的材料相同的材料， 其中，所述第二绝缘中间层图案设置在所述第二导电图案和所述第三导电图案之间。5. 根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二绝缘中间层图案 包括介电常数比所述第一绝缘中间层的材料的介电常数高的材料，并且所述第二绝缘中间 层图案具有比所述第一绝缘中间层的厚度小的厚度。6. 根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二绝缘中间层图案 包括氮化硅，所述第一绝缘中间层是包括氧化硅的单层。7. 根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二绝缘中间层图案 设置在所述发光区域中，所述第二绝缘中间层图案暴露所述透明区域。8. 根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一导电图案、所述第 二导电图案以及设置在所述第一导电图案和所述第二导电图案之间的所述第一绝缘中间 层构成第一电容器， 所述第二导电图案、所述第三导电图案以及设置在所述第二导电图案和所述第三导电 图案之间的所述第二绝缘中间层图案构成第二电容器，并且 当从与所述基底的顶表面垂直的方向观看时，所述第一电容器和所述第二电容器彼此 叠置。9. 根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一电容器是C-保持 电容器，所述第二电容器是存储电容器。10. -种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置包括： 基底，包括多个像素，每个像素包括发光区域和透明区域； 第一栅电极，设置在所述基底的所述发光区域中； 第一绝缘中间层，覆盖所述第一栅电极，所述第一绝缘中间层从所述发光区域延伸到 所述透明区域； 第二栅电极，设置在所述发光区域中，且在所述第一绝缘中间层上； 第二绝缘中间层，覆盖所述第二栅电极，所述第二绝缘中间层从所述发光区域延伸到 所述透明区域； 第一漏电极，设置在所述第二绝缘中间层上，所述第一漏电极结合所述第一栅电极构 成第一晶体管； 第二漏电极，设置在所述第二绝缘中间层上，所述第二漏电极结合所述第二栅电极构 成第二晶体管； 平坦化层，覆盖所述第一漏电极和所述第二漏电极，所述平坦化层暴露所述透明区域 中的所述第二绝缘中间层的顶表面；以及 第一电极，设置在所述平坦化层上。11. 根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置 还包括： 第三绝缘中间层图案，设置在所述第一漏电极和所述第二绝缘中间层之间以及所述第 二漏电极和所述第二绝缘中间层之间， 其中，所述第三绝缘中间层图案包括不同于所述第二绝缘中间层的材料。12. 根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第三绝缘中间层图 案包括氮化硅，所述第一绝缘中间层和所述第二绝缘中间层包括氧化硅。13. 根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置 还包括： 第一导电图案，设置在所述第一绝缘中间层下方，所述第一导电图案包括与所述第一 栅电极的材料相同的材料； 第二导电图案，设置在所述第一绝缘中间层上，所述第二导电图案包括与所述第一栅 电极的材料相同的材料；以及 第三导电图案，设置在所述第三绝缘中间层图案上，所述第三导电图案包括与所述第 一漏电极的材料相同的材料。14. 根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第一导电图案、所述 第二导电图案以及设置在所述第一导电图案和所述第二导电图案之间的所述第一绝缘中 间层构成第一电容器， 所述第二导电图案、所述第三导电图案以及设置在所述第二导电图案和所述第三导电 图案之间的所述第二绝缘中间层构成第二电容器，以及 当从与所述基底的顶表面垂直的方向观看时，所述第一电容器和第二电容器彼此叠 置。15. -种制造有机发光显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括： 提供包括多个像素的基底，每个像素包括发光区域和透明区域； 在所述基底上形成第一半导体图案； 形成栅极绝缘层，以覆盖所述第一半导体图案； 在所述栅极绝缘层上形成第一栅电极，所述第一栅电极与所述第一半导体图案部分地 叠置； 形成覆盖所述第一栅电极的第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层从所述发光区域延 伸到所述透明区域； 在所述第一绝缘中间层上方形成第一漏电极和第一源电极，所述第一漏电极和所述第 一源电极结合所述第一栅电极构成第一晶体管； 形成覆盖所述第一漏电极和所述第一源电极的平坦化层，所述平坦化层暴露所述透明 区域中的所述第一绝缘中间层的顶表面；以及 在所述平坦化层上形成第一电极。16. 根据权利要求15所述的方法，其特征在于，形成所述第一栅电极的步骤包括：在所 述栅极绝缘层上形成第一导电图案。17. 根据权利要求16所述的方法，其特征在于，形成所述第一漏电极和所述第一源电 极的步骤包括：形成第三导电图案，所述第三导电图案与所述第一导电图案叠置。18. 根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法还包括： 在所述第一绝缘中间层上形成第二导电图案，所述第二导电图案与所述第一导电图案 叠置；以及 形成覆盖所述第二导电图案的第二绝缘中间层图案。19. 根据权利要求18所述的方法，其特征在于，形成所述第二绝缘中间层图案的步骤 包括： 使用氮化硅在所述第一绝缘中间层上形成第二绝缘中间层；以及 部分地去除所述发光区域中的所述第二绝缘中间层。20. 根据权利要求19所述的方法，其特征在于，形成所述平坦化层的步骤包括： 在所述透明区域和所述发光区域中形成有机层，所述有机层覆盖所述第一漏电极和所 述第一源电极；以及 部分地去除所述有机层以形成第一开口，所述第一开口由所述第一绝缘中间层的顶表 面和所述有机层的侧壁来限定。
【专利摘要】公开一种有机发光显示装置和一种制造有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置包括基底、第一栅电极、第一绝缘中间层、第一漏电极、平坦化层和第一电极。基底包括多个像素，每个像素包括发光区域和透明区域。第一栅电极设置在基底的发光区域中。第一绝缘中间层覆盖第一栅电极。第一绝缘中间层从发光区域延伸到透明区域。第一漏电极设置在第一绝缘中间层上。第一漏电极结合第一栅电极构成第一晶体管。平坦化层覆盖第一漏电极。平坦化层暴露透明区域中的第一绝缘中间层的顶表面。第一电极设置在平坦化层上。
【IPC分类】H01L21/77, H01L27/32
【公开号】CN105609521
【申请号】CN201510623475
【发明人】柳春基
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年9月25日
【公告号】EP3021362A1, US20160141351