] 在示例实施例中，第二绝缘中间层图案135可以仅设置在第一源电极142和152、 第一漏电极141和151、第二源电极144和154、第二漏电极143和153以及导电图案146、 148、156和158将被设置的位置。第二绝缘中间层图案135可以部分地覆盖发光区域（B2)， 使得有机发光显示装置的透明度可以提高大约3%至大约5%。
[0080] 现在参照图3,平坦化层160可以设置在基底100的发光区域（B2)中，以覆盖晶体 管和电容器。即，平坦化层160可以不设置在透明区域（T)中。
[0081] 在示例实施例中，第一开口 162可以设置在基底100的透明区域（T)中，从而穿过 平坦化层160。另外，第二开口 164可以穿过平坦化层160以使第六导电图案158暴露。
[0082] 第一开口 162可以由第一绝缘中间层130的顶表面和平坦化层160的暴露的侧 壁来限定。第一绝缘中间层130和栅极绝缘层120可以从发光区域（B2)延伸到透明区域 (T)。即，第一绝缘中间层130的台阶或栅极绝缘层120的台阶可以不设置在透明区域（T) 中，从而可以改善有机发光显示装置的清晰度（sharpness)，如参照图4至图7描述的。
[0083] 第一电极170可以设置在平坦化层160上。第一电极170可以穿过平坦化层160 以电连接到第一漏电极141和151。例如，第一电极170可以包括诸如氧化铟锡（ITO)、氧 化铟锌（IZO)等的透明导电材料。
[0084] 像素限定层180可以设置在平坦化层160上，以部分地覆盖第一电极170。例如， 像素限定层180可以包括诸如聚酰亚胺的有机材料。
[0085] 在示例实施例中，像素限定层180可以设置在像素区域（P)中，并且可以不设置在 透明区域（T)中。即，像素限定层180可以不设置在第一开口 162的底表面或侧壁上。即， 像素限定层180的台阶可以不设置在透明区域T中，从而可以改善有机发光显示装置的清 晰度，如参照图3至图7描述的。
[0086] 有机层结构190可以包括有机发光层。在示例实施例中，有机层结构190还可以 包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层。
[0087] 第二电极195可以设置在有机层结构190和像素限定层180上。第二电极195可 以包括铝（Al)、铂（Pt)、银（Ag)、金（Au)、镁（Mg)、铬（Cr)、钨（W)、钼（Mo)、钛（Ti)或它们 的合金。第二电极195可以具有相对小的厚度，从而第二电极195可以具有相对高的透明 度。
[0088] 在示例实施例中，第二电极195可以设置在发光区域（B2)中。可选择地，第二电 极195可以设置在发光区域（B2)和透明区域⑴中。
[0089] 根据示例实施例，栅极绝缘层120和第一绝缘中间层130可以从发光区域（B2)延 伸到透明区域（T)，从而栅极绝缘层120的台阶或第一绝缘中间层130的台阶可以不设置 在透明区域（T)中。此外，像素限定层180可以仅设置在发光区域（B2)中，从而像素限定 层180的台阶可以不设置在透明区域（T)中。因此，可以改善有机发光显示装置的清晰度。 此外，第一导电图案126、第二导电图案132、第三导电图案146和第四导电图案156可以设 置为彼此叠置，从而第一电容器和第二电容器可以彼此叠置。因此，可以增大有机发光显示 装置的开口率。
[0090] 图4是示出用于测量有机发光显示装置的清晰度的试验的示意图。具体地，图4 中的（a)是示出用于测量有机发光显示装置的清晰度的试验的示意图，图4中的（b)是光 源的原图像，图4中的（c)是穿过有机发光显示装置的穿透过的图像。
[0091] 参照图4中的（a)，具有原图像的光可以从光源20照射到有机发光显示装置。穿 过有机发光显示装置的光可以在目标30的表面上形成穿透过的图像。在这种情况下，光源 20和有机发光显示装置10之间的第一距离（dl)可以为大约0.5m，有机发光显示装置10 和目标30之间的第二距离（d2)可以为大约lm。
[0092] 参照图4中的（b)，原图像可以具有八面体形式的鲜明的边界线。同时，参照图4 中的（c)，穿透过的图像会具有模糊的边界。当边界不清楚时，有机发光显示装置会具有低 清晰度。
[0093] 可以通过上面的试验来量化有机发光显示装置的清晰度。原图像可以具有零的清 晰度，随着穿透过的图像的清晰度接近于零，有机发光显示装置可以具有改善的清晰度。表 1示出根据示例实施例和比较实施例的有机发光显示装置的清晰度试验结果。
[0094] 表 1
[0095]
[0096] 根据示例实施例1的有机发光显示装置可以与参照图3描述的有机发光显示装置 基本类似。根据比较实施例1的有机发光显示装置可以与参照图5描述的有机发光显示装 置基本类似，根据比较实施例2的有机发光显示装置可以与参照图6描述的有机发光显示 装置基本类似。
[0097] 图5是示出根据一些比较实施例的有机发光显示装置的剖视图。除第一开口 161、 阻挡层106、栅极绝缘层121和第一绝缘中间层131之外，有机发光显示装置可以与参照图 3描述的有机发光显示装置基本类似。
[0098] 第一开口 161可以被设置为穿过平坦化层160、阻挡层106、栅极绝缘层121和第 一绝缘中间层131。因此，第一开口 161可以由基底100的顶表面以及平坦化层160、阻挡 层106、栅极绝缘层121和第一绝缘中间层131的侧壁来限定。因此，透明区域⑴可以被 分成可设置阻挡层106、栅极绝缘层121和第一绝缘中间层131的第一区域以及可以不设置 阻挡层106、栅极绝缘层121和第一绝缘中间层131的第二区域。即，阻挡层106、栅极绝缘 层121和第一绝缘中间层131的台阶（A)会设置在透明区域（T)中。
[0099] 如上面的表1中所示，阻挡层106、栅极绝缘层121和第一绝缘中间层131的台阶 (A)会使有机发光显示装置的清晰度劣化。
[0100] 图6是示出根据其它比较实施例的有机发光显示装置的剖视图。除像素限定层 181之外，有机发光显示装置可以与参照图3描述的有机发光显示装置基本类似。
[0101] 像素限定层181可以设置在平坦化层160的顶表面和第一开口 163的侧壁上。因 此，透明区域（T)可以被分成可以设置像素限定层181的第一区域以及可以不设置像素限 定层181的第二区域。即，像素限定层181的台阶⑶会设置在透明区域⑴中。
[0102] 如上面的表1所示，像素限定层181的台阶（B)会使有机发光显示装置的清晰度 劣化。
[0103] 图7是示出根据其它示例实施例的有机发光显示装置的剖视图。除第二绝缘中间 层140、第三绝缘中间层图案138、第二栅电极134和第二导电图案136之外，有机发光显示 装置可以与参照图3描述的有机发光显示装置基本类似。
[0104] 基底100可以被分成如图2中示出的透明区域⑴和发光区域（B2)。阻挡层105 可以设置在基底100上。阻挡层105可以提供平坦的顶表面，并且可以防止杂质扩散到基 底100中。
[0105] 第一半导体图案110和第二半导体图案115可以设置在阻挡层105上。在示例 实施例中，第一半导体图案110可以包括第一源区113、第一漏区112以及设置在第一源区 113和第一漏区112之间的第一沟道区111。另外，第二半导体图案115可以包括第二源区 118、第二漏区117以及设置在第二源区118和第二漏区117之间的第二沟道区116。
[0106] 栅极绝缘层120可以设置在阻挡层105上，以覆盖半导体图案110和115。第一栅 电极122和第一导电图案126可以设置在栅极绝缘层120上。在示例实施例中，第一栅电 极122和第一导电图案126可以具有相同的厚度，并且可以包括相同的材料。
[0107] 第一绝缘中间层130可以设置在栅极绝缘层120上，以覆盖第一栅电极122和第 一导电图案126。第二栅电极134和第二导电图案136可以设置在第一绝缘中间层130上。 在示例实施例中，第二栅电极134和第二导电图案136可以具有相同的厚度，并且可以包括 相同的材料。因此，第一导电图案126、第二导电图案136以及设置在第一导电图案126和 第二导电图案136之间的第一绝缘中间层130可以构成第一电容器。
[0108] 现在参照图7,平坦化层160可以设置在基底100的发光区域（B2)中，以覆盖晶体 管和电容器。即，平坦化层160可以不设置在透明区域（T)中。
[0109] 在示例实施例中，第一开口 162可以由第二绝缘中间层140的顶表面和平坦化层 160的暴露的侧壁来限定。即，第一绝缘中间层130和栅极绝缘层120可以从发光区域（B2) 延伸到透明区域（T)。即，第一绝缘中间层130的台阶或栅极绝缘层120的台阶可以不设置 在透明区域（T)中，从而可以改善有机发光显示装置的清晰度，如参照图3至图7描述的。
[0110] 第一电极170可以设置在平坦化层160上。第一电极170可以穿过平坦化层160， 以电连接到第一漏电极141和151。
[0111] 像素限定层180可以设置在平坦化层160上，以部分地覆盖第一电极170。例如， 像素限定层180可以包括诸如聚酰亚胺的有机材料。
[0112] 在示例实施例中，像素限定层180可以设置在像素区域（P)中，并且可以不设置在 透明区域（T)中。即，像素限定层180可以不设置在第一开口 162的底表面或侧壁上。即， 像素限定层180的台阶可以不设置在透明区域（T)中，从而可以改善有机发光显示装置的 清晰度，如参照图3至图7描述的。
[0113] 图8至图14是示出根据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖视 图。具体地，图9至图14是沿着图2的线Ι-Γ截取的剖视图。
[0114] 参照图8,可以在基底100上形成阻挡层105、半导体图案110和115以及栅极绝 缘层120。
[0115] 基底100可以包括透明绝缘基底。例如，基底100可以包括玻璃基底、石英基底、 透明树脂基底等。在其它不例实施例中，基底100可以是柔性基底。在不例实施例中，基底 100可以被分成如图2中示出的透明区域⑴和发光区域（B2)。
[0116] 可以在基底100上形成阻挡层105。阻挡层105可以提供平坦的顶表面，并且可以 防止杂质扩散到基底100中。可以使用无机材料、有机材料或它们的堆叠结构来形成阻挡 层105。例如，无机材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化 钛，有机材料可以包括聚酰亚胺、聚酯或丙烯酸酯。
[0117] 在其它示例实施例中，阻挡层105可以具有包括至少一个有机层和至少一个无机 层的堆叠结构。可选择地，可以省略阻挡层105。
[0118] 可以在阻挡层105上形成第一半导体图案110和第二半导体图案115。具体地， 可以在阻挡层105上形成半导体层，并且可以部分地去除半导体层以形成第一半导体图案 110和第二半导体图案115。在示例实施例中，可以将第一半导体图案110和第二半导体图 案115设置在发光区域（B2)中，并且可以不设置在透明区域（T)中。
[0119] 可以使用氧化物半导体、多晶硅、掺杂的多晶硅、非晶硅和掺杂的非晶硅等来形