成 第一半导体图案110和第二半导体图案115。具体地，可以通过沉积非晶硅层并且使非晶硅 层结晶来形成第一半导体图案110和第二半导体图案115。可选择地，可以通过溅射工艺或 化学气相沉积（CVD)工艺使用氧化物半导体来形成第一半导体图案110和第二半导体图案 115〇
[0120] 可以在阻挡层105上形成栅极绝缘层120,以覆盖第一半导体图案110和第二半导 体图案115。可以使用氧化娃、氮化娃或高k介电材料来形成栅极绝缘层120。例如，当栅 极绝缘层120包括氧化硅时，栅极绝缘层120与半导体图案110和115之间的界面可以是 化学上稳定的。
[0121] 参照图9,可以在栅极绝缘层120上形成第一栅电极122、第二栅电极124和第一 导电图案126。
[0122] 具体地，可以在栅极绝缘层120上形成第一导电层，并且可以部分地去除第一导 电层以同时形成第一栅电极122、第二栅电极124和第一导电图案126。
[0123] 在示例实施例中，第一栅电极122可以与第一半导体图案110部分地叠置，第二栅 电极124可以与第二半导体图案115部分地叠置。
[0124] 然后，可以通过CVD工艺在栅极绝缘层120上形成第一绝缘中间层130,以覆盖栅 电极122和124以及第一导电图案126。例如，可以使用氧化硅形成第一绝缘中间层130。 在示例实施例中，第一绝缘中间层130和栅极绝缘层120可以包括相同的材料。
[0125] 可以使用作为离子注入掩模的第一栅电极122和第二栅电极124将杂质注入到第 一半导体图案110和第二半导体图案115中。因此，第一半导体图案110可以包括第一源 区113、第一漏区112以及设置在第一源区113和第一漏区112之间的第一沟道区111。另 外，第二半导体图案115可以包括第二源区118、第二漏区117以及设置在第二源区118和 第二漏区117之间的第二沟道区116。
[0126] 参照图10,可以在第一绝缘中间层130上形成第二导电图案132,以与第一导电图 案126叠置。
[0127] 第二导电图案132可以包括诸如铝（Al)、铜（Cu)、钨（W)、铬（Cr)的金属或诸如氧 化铟锡（ITO)的导电金属氧化物。具体地，当第二导电图案132包括ITO时，第二导电图案 132可以具有相对低的电阻和相对高的机械强度。
[0128] 因此，第一导电图案126、第二导电图案132以及设置在第一导电图案126和第二 导电图案132之间的第一绝缘中间层130可以构成第一电容器。在不例实施例中，第一电 容器可以是参照图2描述的存储电容器或C-保持电容器。
[0129] 参照图11，可以在第一绝缘中间层130上形成第二绝缘中间层图案135、第一源电 极142和152、第一漏电极141和151、第二源电极144和154、第二漏电极143和153以及 导电图案146、148、156和158。
[0130] 具体地，可以在第一绝缘中间层130上形成第二绝缘中间层，并且可以部分地去 除第一绝缘中间层130和第二绝缘中间层以形成暴露源区113和118以及漏区112和117 的接触孔。可以在第二绝缘中间层上顺序地形成第二导电层和第三导电层，以填充接触孔。 然后，可以部分地去除第二绝缘中间层、第二导电层和第三导电层，以同时形成第二绝缘中 间层图案135、第一源电极142和152、第一漏电极141和151、第二源电极144和154、第二 漏电极143和153以及导电图案146、148、156和158。即，可以在蚀刻第二导电层和第三导 电层的工艺过程中对第二绝缘中间层进行蚀刻。
[0131] 在示例实施例中，可以使用氮化硅形成第二绝缘中间层图案135。在形成第二绝缘 中间层的沉积工艺过程中，会在第二绝缘中间层中产生氢原子或氢分子。氢原子或氢分子 可以迀移到半导体图案110和115中，从而可以修复半导体图案110和115的受损部分。
[0132] 在示例实施例中，第一源电极142和152、第一漏电极141和151、第二源电极144 和154以及第二漏电极143和153可以具有包括不同导电材料的多层结构。
[0133] 现在参照图11，可以在第二绝缘中间层图案135上形成第三导电图案146和第四 导电图案156,以与第二导电图案132叠置。因此，第三导电图案146和第四导电图案156、 第二导电图案132与设置在它们之间的第二绝缘中间层图案135可以构成第二电容器。当 第二绝缘中间层图案135包括氮化硅时，与第二绝缘中间层图案135包括氧化硅的情况相 比，第二电容器可以具有较高的容量。
[0134] 在示例实施例中，第二电容器可以是参照图2描述的存储电容器或C-保持电容 器。
[0135] 根据示例实施例，可以将第一导电图案126、第二导电图案132、第三导电图案146 和第四导电图案156设置为彼此叠置，使得第一电容器和第二电容器可以彼此叠置。因此， 可以增大有机发光显示装置的开口率。
[0136] 可以在第二绝缘中间层图案135上设置第五导电图案148和第六导电图案158。 第五导电图案148和第六导电图案158可以用作参照图2描述的数据线（DL)、栅极线（GL) 和电源线（未示出）的接触焊盘。
[0137] 参照图12,可以在第一绝缘中间层130上形成平坦化层160,以覆盖晶体管和电容 器。
[0138] 可以通过诸如旋涂工艺的涂覆工艺使用诸如聚酰亚胺、聚酯、丙烯酸酯等来形成 平坦化层160。因此，平坦化层160可以具有基本平坦的顶表面。例如，可以使用聚酰亚胺 形成平坦化层160。
[0139] 可以部分地去除平坦化层160,以形成第一开口 162和第二开口 164。可以将第一 开口 162设置在透明区域（T)中。第二开口 164可以暴露发光区域（B2)中的第六导电图 案 158〇
[0140] 在示例实施例中，可以将第一开口 162形成为暴露透明区域（T)中的第一绝缘中 间层130的顶表面。即，可以由第一绝缘中间层130的顶表面和暴露的平坦化层160的侧 壁来限定第一开口 162。
[0141] 在形成第一开口 162的工艺过程中，可以不去除第一绝缘中间层130和栅极绝缘 层120。即，第一绝缘中间层130和栅极绝缘层120可以从发光区域（B2)延伸到透明区域 (T)。即，第一绝缘中间层130的台阶或栅极绝缘层120的台阶可以不设置在透明区域（T) 中，从而可以改善有机发光显示装置的清晰度，如参照图3至图7描述的。
[0142] 参照图13,可以在平坦化层160上形成第一电极170。
[0143] 具体地，可以部分地去除平坦化层160以形成暴露第一漏电极151的接触孔，并且 可以在平坦化层160上形成第四导电层以填充接触孔，然后可以部分地去除第四导电层以 形成第一电极170。
[0144] 例如，可以使用诸如氧化铟锡（ITO)、氧化铟锌（IZO)等的透明导电材料形成第一 电极170。
[0145] 参照图14,可以在平坦化层160上形成像素限定层180,以部分地覆盖第一电极 170〇
[0146] 在示例实施例中，可以将像素限定层180形成在发光区域（B2)中，并且可以不形 成在透明区域（T)中。即，像素限定层180可以不形成在第一开口 162的底表面或侧壁上。
[0147] 因此，像素限定层180的台阶可以不设置在透明区域（T)中，从而可以改善有机发 光显示装置的清晰度，如参照图3至图7描述的。
[0148] 然后，可以形成包括发光层的有机层结构和第二电极，以制造有机发光显示装置。
[0149] 图15至图20是示出根据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖视 图。
[0150] 参照图15,可以在基底100上形成阻挡层105、半导体图案110和115以及栅极绝 缘层120。形成阻挡层105、半导体图案110和115以及栅极绝缘层120的工艺与参照图8 描述的形成阻挡层105、半导体图案110和115以及栅极绝缘层120的工艺基本类似或相 同。
[0151] 参照图16,可以在栅极绝缘层120上形成第一栅电极122和第一导电图案126。
[0152] 具体地，可以在栅极绝缘层120上形成第一导电层，并且可以部分地去除第一导 电层以同时形成第一栅电极122和第一导电图案126。
[0153] 在示例实施例中，第一栅电极122可以与第一半导体图案110部分地叠置，并且第 一导电图案126可以不与半导体图案110和115叠置。
[0154] 然后，可以在栅极绝缘层120上形成第一绝缘中间层130,以覆盖第一栅电极122 和第一导电图案126。例如，可以使用氧化硅形成第一绝缘中间层130。
[0155] 可以通过使用作为离子注入掩模的第一栅电极122将杂质注入到第一半导体图 案110中。因此，第一半导体图案110可以包括第一源区113、第一漏区112以及设置在第 一源区113和第一漏区112之间的第一沟道区111。
[0156] 参照图17,可以在第一绝缘中间层130上形成第二栅电极134和第二导电图案 136〇
[0157] 具体地，可以在第一绝缘中间层130上形成第二导电层，然后可以部分地去除第 二导电层以同时形成第二栅电极134和第二导电图案136。
[0158] 在示例实施例中，第二栅电极134可以与第二半导体图案115部分地叠置，第二导 电图案136可以与第一导电图案126叠置。
[0159] 因此，第一导电图案126、第二导电图案136以及设置在第一导电图案126和第二 导电图案136之间的第一绝缘中间层130可以构成第一电容器。在不例实施例中，第一电 容器可以是参照图2描述的存储电容器或C-保持电容器。
[0160] 然后，可以在第一绝缘中间层130上形成第二绝缘中间层140,以覆盖第二栅电极 134和第二导电图案136。例如，第二绝缘中间层140可以包括氧化硅。
[0161] 另外，可以通过使用作为离子注入掩模的第二栅电极134将杂质注入到第二半导 体图案115中。因此，第二半导体图案115可以包括第二源区118、第二漏区117以及设置 在第二源区118和第二漏区117之间的第二沟道区116。
[0162] 参照图18,可以在第一绝缘中间层130上形成第三绝缘中间层图案138、第一源电 极142和152、第一漏电极141和151、第二源电极144和154、第二漏电极143和153以及 导电图案146、148、156和158。这些工艺可以与参照图11描述的工艺基本类似。
[0163] 在示例实施例中，可以使用氮化硅形成第三绝缘中间层图案138。在形成第二绝缘 中间层的沉积工艺过程中，会在第二绝缘中间层中产生氢原子或氢分子。氢原子或氢分子 可以迀移到半导体图案110和115中，从而可以矫正半导体图案110和115的受损部分。
[0164] 此外，可以将第三绝缘中间层图案138设置在第一源电极142和152、第一漏电极 141和151、第二源电极144和154、第二漏电极143和153以及导电图案146、148、156和 158将被设置的位置。因此，第三绝缘中间层图案138可以部分地覆盖发光区域（B2)，从而 有机发光显示装置的透明度可以提高大约3%至