半导体装置的制造方法
【专利摘要】本发明的实施方式提供一种一面抑制半导体衬底的破损一面将半导体衬底与支持衬底分离的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法是形成包括半导体衬底、第1接着剂层、第2接着剂层、及支持衬底的接着体者，且以第1接着剂层的周缘部露出的方式去除支持衬底的一部分与第2接着剂层的一部分，自支持衬底的与第2接着剂层的接着面的相反面沿厚度方向去除支持衬底的一部分，至少在支持衬底的一部分形成沿支持衬底的第1方向延伸的脆弱部，沿在支持衬底的平面上与第1方向交叉的第2方向剥离支持衬底。
【专利说明】半导体装置的制造方法
[0001][相关申请案]
[0002]本申请案享有以日本专利申请案2014-188526号(申请日:2014年9月17日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
[0003]实施方式的发明涉及一种半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0004]在使硅晶片等半导体衬底变薄的步骤，或在半导体衬底的平面的一部分形成电路图案的步骤，进而在半导体衬底形成TSV(Through Silicon Via，娃通孔)等贯通电极的步骤等半导体衬底的加工步骤中，已知有如下方法，即为了提高半导体衬底的加工面的平坦性，在已矫正翘曲的状态下使用接着剂贴合半导体衬底与支持衬底而对半导体衬底进行加工。
[0005]在对半导体衬底进行加工后，需要将半导体衬底与支持衬底分离。作为将半导体衬底与支持衬底分离的方法而考虑例如如下方法，即，使用治具等沿垂直方向牵拉半导体衬底或支持衬底而将半导体衬底与支持衬底分离。然而，贴合所使用的接着剂对半导体衬底及支持衬底的接着强度较高，因此即便沿垂直方向牵拉半导体衬底或支持衬底亦难以将半导体衬底与支持衬底分离。
[0006]此外，作为将半导体衬底与支持衬底分离的方法，考虑一面使半导体衬底或支持衬底弯曲一面进行剥离的方法。由于加工后的半导体衬底非常薄，如果使半导体衬底弯曲则该半导体衬底容易破损，故而较佳为一面使支持衬底弯曲一面进行剥离。然而，由于支持衬底的刚性较高，故而难以一面使支持衬底弯曲一面进行剥离。
【发明内容】
[0007]实施方式的发明所欲解决的问题是一面抑制半导体衬底的破损一面将半导体衬底与支持衬底分离。
[0008]实施方式的半导体装置的制造方法是形成接着体者，该接着体包括:半导体衬底；第I接着剂层，其以覆盖半导体衬底的平面的一部分的方式接着在半导体衬底；第2接着剂层，其以覆盖第I接着剂层的方式接着在半导体衬底，且具有较第I接着剂层高的对半导体衬底的接着强度；及支持衬底，其以隔着第I接着剂层及第2接着剂层而与半导体衬底对向的方式接着在第2接着剂层；且该半导体装置的制造方法是以第I接着剂层的周缘部露出的方式去除支持衬底的一部分与第2接着剂层的一部分，自支持衬底的与第2接着剂层的接着面的相反面沿厚度方向去除支持衬底的一部分，至少在支持衬底的一部分形成沿支持衬底的第I方向延伸的脆弱部，且沿在支持衬底的平面上与第I方向交叉的第2方向剥离支持衬底，由此将支持衬底与半导体衬底分离。
【附图说明】
[0009]图1是表示半导体装置的制造方法例的流程图。
[0010]图2是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0011]图3是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0012]图4是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0013]图5是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0014]图6是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0015]图7是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0016]图8是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0017]图9是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0018]图10是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0019]图11是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0020]图12是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0021]图13是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0022]图14是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0023]图15是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0024]图16是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
【具体实施方式】
[0025]以下，参照图式对实施方式进行说明。另外，图式为示意图，例如厚度与平面尺寸的关系、各层的厚度的比例等存在与实际情况不同的情况。此外，在各实施方式中，对实质上相同的构成要素标注相同符号并省略说明。
[0026](第I实施方式)
[0027]图1是表示半导体装置的制造方法例的流程图。图1所示的半导体装置的制造方法例至少包括半导体衬底加工步骤(Sl-1)、修整步骤(S1-2)、支持衬底薄化步骤(S1-3)、脆弱部形成步骤(S1-4)、分离步骤(S1-5)、清洗步骤(S1-6)、及切割步骤(S1-7)。另外，各步骤的顺序并不限定于图1所示的顺序。进而，参照图2至图10对所述步骤进行说明。图2至图10是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0028]在半导体衬底加工步骤(Sl-1)中，如图2所示，形成接着体而对半导体衬底I进行加工，该接着体包括半导体衬底1、半导体元件2、接着剂层3、接着剂层4、及支持衬底5。半导体衬底I的加工并无特别限定，作为加工例，可列举例如在厚度方向上对半导体衬底I的一部分进行磨削的薄化步骤、或在半导体衬底I的平面的一部分形成电路图案的电路图案形成步骤、及形成贯通半导体衬底I的TSV等贯通电极的贯通电极形成步骤等。此外，在图2中图示在形成半导体元件2之后对半导体衬底I进行加工的例，但并不限定于此，亦可在形成半导体元件2之前对半导体衬底I进行加工。
[0029]半导体衬底I是经过半导体衬底加工步骤(Sl-1)而获得的半导体衬底。例如，经过薄化步骤而获得的半导体衬底I的厚度例如为50 μπι以上且100 μπι以下。此外，经过电路图案形成步骤而获得的半导体衬底I具有设置在平面的一部分的电路图案。另外，亦可在电路图案形成步骤中形成半导体元件2。进而，经过贯通电极形成步骤而获得的半导体衬底I具有贯通半导体衬底I的贯通电极。
[0030]半导体衬底I包括例如单晶硅衬底等硅衬底。由于硅衬底容易形成贯通电极或容易进行薄化等加工，故而较佳。另外，半导体衬底I的平面形状例如为圆形或矩形状。此处，对使用具有圆形的平面形状的半导体衬底I的情况进行说明。此外，亦可将例如蓝宝石衬底、砷化镓衬底等用作半导体衬底I。
[0031]半导体元件2设置在半导体衬底I的平面的一部分。作为半导体元件2，例如既可设置电晶体等，此外可设置NAND (Not AND，反及)快闪记忆体的记忆体元件等。另外，并非必须在接着体设置半导体元件2。
[0032]接着剂层3是以覆盖半导体元件2的方式接着在半导体衬底I。即，接着剂层3是以覆盖半导体衬底I的平面的一部分的方式接着在半导体衬底I。作为接着剂层3，可使用例如脂膏状的油脂等可通过表面张力而接着的液状材料，例如可使用烃是树脂等。
[0033]接着剂层4是以覆盖接着剂层3的方式接着在半导体衬底I。此时，例如通过以覆盖半导体衬底I的平面及侧面的方式设置接着剂层4，而可抑制半导体衬底I在加工时或搬送时的破损。接着剂层4对半导体衬底I的接着强度，较佳为高于接着剂层3对半导体衬底I的接着强度。接着强度为可通过例如基于JIS(Japanese Industrial Standards，日本工业标准)规格的剥离试验等而测定的值。
[0034]作为接着剂层4，例如可使用以丙烯酸是树脂、烃是树脂(聚环烯烃树脂、萜烯树月旨、石油树脂等)、酚醛清漆型的酚树脂等作为主成分的接着剂的一种或混合使用复数种。接着剂层4例如是通过使用旋转涂布机等涂布装置一面使半导体衬底I或支持衬底5旋转一面将材料涂布在半导体衬底I或支持衬底5的表面而形成。通过所述方法，可形成例如5 μ m以上且100 μ m以下的厚度均匀的接着剂层4。另外，亦可使用能应用在接着剂层4的形成的方法来形成接着剂层3。
[0035]支持衬底5是以隔着接着剂层3及接着剂层4而与半导体衬底I对向的方式接着在接着剂层4。支持衬底5的厚度是根据材质或所要求的强度而适当设定。支持衬底5的侧面通过进行倒角等而形成为曲面，但并不限定于此。支持衬底5的平面形状例如为圆形或矩形状。此处，对使用具有圆形的平面形状的支持衬底5的情况进行说明。作为支持衬底5，可使用例如玻璃衬底、硅衬底、氧化铝衬底、碳化硅(SiC)衬底、铝衬底、不锈钢衬底或树脂衬底等。
[0036]在半导体衬底加工步骤(Sl-1)中所使用的半导体衬底与支持衬底的接着体，具有半导体衬底与支持衬底隔着不同的复数个接着剂层而接着的构造。因此，例如预先矫正半导体衬底的翘曲并且通过接着剂层贴合半导体衬底与支持衬底，由此可提高半导体衬底的平坦性，从而可提高加工步骤中的对半导体衬底的加工精度。
[0037]在修整步骤(S1-2)中，以接着剂层3的周缘部露出的方式对接着剂层4的一部分进行磨削(亦称为修整)。例如，如图3所示般将接着体固定于旋转式载置台7并使之旋转。进而，使金刚石刀片等刀片6旋转并使刀片6的至少侧面与接着剂层4接触。由此，可对接着剂层4的一部分及支持衬底5的一部分进行磨削。此时，亦可对支持衬底5的一部分进行磨削。此外，亦可对半导体衬底I的一部分进行磨削，但以不会到达与半导体元件2重叠的部分的方式进行磨削。
[0038]作为刀片6，例如可使用切割刀片。此时，亦可通过分成复数次对接着剂层4的一部分进行磨削而使接着剂层3的周缘部露出。此外，亦可使用具有较切割刀片厚的宽度的刀片并利用I次磨削而使接着剂层3的周缘部露出。亦将修整所使用的刀片称为修整刀片。另外，并不限定于利用刀片的磨削方法，只要可对接着剂层4进行磨削，则亦可使用其他方法。
[0039]在支持衬底薄化步骤(S1-3)中，自支持衬底5的与接着剂层4的接着面的相反面(亦称为支持衬底5的露出面)沿厚度方向对支持衬底5的一部分进行磨削。例如，如图4所示般将半导体衬底I的与接着剂层4的接着面的相反面(亦称为半导体衬底I的露出面)贴附在保持带8，并将保持带8的与和接着体的接着面相同的面贴附在保持环9。保持带8对支持衬底5的接着强度较佳为高于接着剂层3对半导体衬底I的接着强度。其后，使接着体与保持环9 一同反转。进而，可在使保持带8吸附保持在平台10的状态下通过磨石11等对支持衬底5的一部分进行磨削。此时，较佳为磨削至支持衬底5的厚度成为例如
0.3mm以下为止。
[0040]在脆弱部形成步骤(S1-4)中，形成沿支持衬底5的平面延伸的脆弱部51。例如，如图5所示般使用金刚石刀片等刀片12自支持衬底5的露出面在支持衬底5的一部分形成切口，由此可形成脆弱部51。由此，支持衬底5成为沿脆弱部51分割的分割体。此时，切口亦可到达接着剂层4，但通过以不到达半导体元件2的方式将切口形成至接着剂层4的中途为止，而可抑制半导体元件2及半导体衬底I的损伤。作为刀片12，可使用例如切割刀片等。另外，亦可使用修整步骤(S1-2)中所使用的刀片6来代替刀片12。
[0041]脆弱部51在支持衬底5上为刚性较低的区域(低刚性区域)。脆弱部51的宽度较佳为例如0.2mm以下。脆弱部51的平面形状并无特别限定，例如可为线状、短条状等。脆弱部51例如如图6所示，较佳为在俯视下以分割支持衬底5的方式延伸。S卩，较佳为以成为支持衬底5的切割线的方式设置脆弱部51。例如，脆弱部51是以在与支持衬底5的剥离方向大致垂直的方向(垂直方向或距垂直方向±10度以内的方向)上延伸的方式设置。
[0042]此外，亦可如图6所示般沿支持衬底5的剥离方向设置复数个脆弱部51。此时，复数个脆弱部51的间隔较佳为例如3mm以下。通过形成脆弱部51而在将半导体衬底I与支持衬底5分离时可容易地使支持衬底5弯曲。
[0043]在分离步骤(S1-5)中，通过沿在支持衬底5的平面上与脆弱部51的延伸方向交叉的方向(剥离方向)剥离支持衬底5，而将半导体衬底I与支持衬底5分离。例如，如图7所示般将转印带13贴合在支持衬底5的磨削面，一面使转印带13弯曲一面牵拉支持衬底5。由此，沿脆弱部51分割的支持衬底5的分割体被转印至转印带13，从而能以接着剂层3的一部分作为剥离面而将支持衬底5剥离。此时，存在于半导体衬底I上产生接着剂层3的残渣物3a的情况。另外，支持衬底5的牵拉方向并不限定于图7所示的方向。此外，在图7中，通过剥离而将接着剂层4沿着脆弱部51分割，但接着剂层4并非必须被分割。
[0044]转印带13的牵拉方法并无特别限定，例如可通过将转印带13贴附在热转印带，并使用滚筒回拉热转印带而牵拉转印带13。此外，只要可将支持衬底5剥离，则亦可使用其他剥离方法剥离支持衬底5。
[0045]在清洗步骤(S1-6)中，如图8所示般去除半导体衬底I的残渣物3a。例如，可使用纯水或有机溶剂等药液去除残渣物3a。作为有机溶剂，可使用例如:对薄荷烷、d-柠檬烯、对薄荷烷、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、甲基异戊酮、2-庚酮、N-甲基-2-吡咯烷酮等酮类；乙二醇、乙二醇单乙酸酯、二乙二醇、二乙二醇单乙酸酯、丙二醇、丙二醇单乙酸酯、二丙二醇或二丙二醇单乙酸酯的单甲醚、单乙醚、单丙醚、单丁醚或单苯醚等多元醇类及其衍生物；二噁烷般的环式醚类；以及乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯类；均三甲苯等烃类等。该等中，根据所使用的接着剂而适当选择使用I种以上即可。另外，在分离步骤(S1-5)中，在未产生残渣物3a的情况下，亦可省略清洗步骤(S1-6)。
[0046]在切割步骤(S1-7)中，对应于半导体元件2而将半导体衬底I单片化。例如，如图9所示，在自保持带8剥离半导体衬底I之后，隔着接着带16而将半导体衬底I贴附在周缘被固定于晶片环14的延伸带15上。进而，通过在晶片环14与延伸环17之间设置高低差而拉伸延伸带15，并通过金刚石刀片等刀片18切断半导体衬底I。通过以上步骤而可将半导体衬底I单片化。另外，亦可使用修整步骤(S1-2)中所使用的刀片6来代替刀片18。
[0047]另外，亦可在修整步骤(S1-2)之前进行切割步骤(S1-7)。在于修整步骤(Sl_2)之前进行切割步骤(S1-7)的情况下，例如如图10所示，将图2所示的接着体贴附在周缘被固定于晶片环14的延伸带15上。另外，亦可在支持衬底5与延伸带15之间设置接着带。进而，通过在晶片环14与延伸环17之间设置高低差而对延伸带15进行拉伸，并通过刀片18将半导体衬底I切断。通过以上步骤而可将半导体衬底I单片化。另外，于在形成半导体元件2之前对半导体衬底I进行加工的情况下，亦可不设置切割步骤(S1-7)。
[0048]如以上般，在本实施方式的半导体装置的制造方法中，形成具有较高的刚性的支持衬底与半导体衬底的接着体而对半导体衬底进行加工。其后，在支持衬底的一部分形成脆弱部，并沿着与脆弱部交叉的方向自半导体衬底剥离支持衬底。通过在支持衬底的一部分形成脆弱部，而支持衬底容易以该脆弱部为支点弯曲。因此，通过在形成脆弱部之后自半导体衬底剥离支持衬底，可仅使支持衬底弯曲而将半导体衬底与支持衬底分离。因此，可抑制半导体衬底的破损。
[0049](第2实施方式)
[0050]在本实施方式中，对脆弱部形成步骤(S1-4)与第I实施方式中的半导体装置的制造方法例不同的半导体装置的制造方法例进行说明。另外，关于与第I实施方式的半导体装置的制造方法例相同的步骤，可适当引用第I实施方式的说明。
[0051]本实施方式的半导体装置的制造方法例与第I实施方式的半导体装置的制造方法例相同，至少包括半导体衬底加工步骤(Sl-1)、修整步骤(S1-2)、支持衬底薄化步骤(S1-3)、脆弱部形成步骤(S1-4)、分离步骤(S1-5)、清洗步骤(S1-6)、及切割步骤(S1-7)。关于半导体衬底加工步骤(Sl-1)、修整步骤(S1-2)、支持衬底薄化步骤(S1-3)、清洗步骤(S1-6)、及切割步骤(S1-7)，由于与第I实施方式的半导体装置的制造方法例相同，故而此处省略说明。
[0052]参照图11及图12对第2实施方式中的脆弱部形成步骤(S1-4)及分离步骤(Sl_5)进行说明。图11及图12是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0053]在脆弱部形成步骤(S1-4)中，形成未到达接着剂层4的深度的脆弱部51。例如，如图11所示，使用刀片12自支持衬底5的露出面至支持衬底5的中途为止以不会到达接着剂层4的方式在支持衬底5的一部分形成切口，由此可形成脆弱部51。关于其他条件，可应用与第I实施方式中的脆弱部形成步骤(S1-4)相同的条件。
[0054]在分离步骤(S1-5)中，通过沿在支持衬底5的平面上与脆弱部51的延伸方向交叉的方向(剥离方向)剥离支持衬底5，而将半导体衬底I与支持衬底5分离。例如，如图12所示般将转印带贴合在支持衬底5的磨削面，一面使转印带13弯曲一面牵拉支持衬底
5。在图12中通过剥离支持衬底5而沿着脆弱部51分割支持衬底5，并剥离支持衬底5的分割体，但并非必须分割支持衬底5。关于其他条件，可应用与第I实施方式中的分离步骤(S1-5)相同的条件。
[0055]如以上般，在本实施方式的半导体装置的制造方法中，通过形成未到达接着剂层的深度的切口而形成脆弱部。由此，与第I实施方式的半导体装置的制造方法例相比，可进而抑制半导体衬底的破损。
[0056](第3实施方式)
[0057]在本实施方式中，对脆弱部形成步骤(S1-4)与第I实施方式中的半导体装置的制造方法例不同的半导体装置的制造方法例进行说明。关于与第I实施方式的半导体装置的制造方法例相同的步骤，可适当引用第I实施方式的说明。
[0058]本实施方式的半导体装置的制造方法例与第I实施方式的半导体装置的制造方法例相同，至少包括半导体衬底加工步骤(Sl-1)、修整步骤(S1-2)、支持衬底薄化步骤(S1-3)、脆弱部形成步骤(S1-4)、分离步骤(S1-5)、清洗步骤(S1-6)、及切割步骤(S1-7)。关于半导体衬底加工步骤(Sl-1)、修整步骤(S1-2)、支持衬底薄化步骤(S1-3)、清洗步骤(S1-6)及切割步骤(S1-7)，由于与第I实施方式的半导体装置的制造方法例相同，故而此处省略説明。
[0059]参照图13及图14对第3实施方式中的脆弱部形成步骤(Sl_4)及分离步骤(Sl_5)进行说明。图13及图14是用以说明半导体装置的制造方法例的图。
[0060]在脆弱部形成步骤(S1-4)中，例如如图13所示，使用光学系统19a自支持衬底5的与接着剂层4的接着面的相反面对支持衬底5的一部分照射具有被半导体衬底I吸收的波长的激光19等电磁波，由此形成脆弱部51。例如，可使用光学系统19a使激光19聚光。受到激光19照射的支持衬底5的一部分通过伴随升华或蒸发而产生的体积膨胀而自支持衬底5解离。通过解离而形成在支持衬底5的一部分的槽成为脆弱部51。亦将所述步骤称为剥蚀。脆弱部51较佳为具有未到达接着剂层4的深度。关于其他条件，可应用与第I实施方式中的脆弱部形成步骤(S1-4)相同的条件。
[0061]激光19等电磁波较佳为具有例如紫外线区域以下的波长(例如400nm以下的波长)。具有紫外线区域以下的波长的电磁波由于会被单晶硅等半导体衬底吸收，故而较佳。此外，激光19等电磁波较佳为不照射至半导体元件2。为了抑制电磁波对半导体元件2的影响，亦可在支持衬底5与接着剂层4之间设置具有电磁波屏蔽性的保护层。进而，亦可使用脉冲振荡的激光作为激光19。
[0062]在分离步骤(S1-5)中，通过沿在支持衬底5的平面上与脆弱部51的延伸方向交叉的方向(剥离方向)剥离支持衬底5，而将半导体衬底I与支持衬底5分离。例如，如图14所示般将转印带13贴合在支持衬底5的磨削面，一面使转印带13弯曲一面牵拉支持衬底5。在图14中，通过剥离支持衬底5而沿着脆弱部51分割支持衬底5，并剥离支持衬底5的分割体，但并非必须分割支持衬底5。关于其他条件，可应用与第I实施方式中的分离步骤(S1-5)相同的条件。
[0063]如以上般，在本实施方式的半导体装置的制造方法中，照射激光等电磁波而通过剥蚀使支持衬底5的一部分解离，由此形成脆弱部。由此，可在分离时抑制半导体衬底的破损，除此以外亦可使脆弱部的加工高速化。
[0064](第4实施方式)
[0065]在本实施方式中，对脆弱部形成步骤(S1-4)与第I实施方式中的半导体装置的制造方法例不同的半导体装置的制造方法例进行说明。关于与第I实施方式的半导体装置的制造方法例相同的步骤，可适当引用第I实施方式的说明。
[0066]本实施方式的半导体装置的制造方法例与第I实施方式的半导体装置的制造方法例相同，至少包括半导体衬底加工步骤(Sl-1)、修整步骤(S1-2)、支持衬底薄化步骤(S1-3)、脆弱部形成步骤(S1-4)、分离步骤(S1-5)、清洗步骤(S1-6)、及切割步骤(S1-7)。关于半导体衬底加工步骤(Sl-1)、修整步骤(S1-2)、支持衬底薄化步骤(S1-3)、清洗步骤(S1-6)、及切割步骤(S1-7)，由于与第I实施方式的半导体装置的制造方法例相同，故而此处省略説明。
[0067]参照图15及图16对第4实施方式中的脆弱部形成步骤(Sl_4)及分离步骤(Sl_5)进行说明。图15及图16是用以说明半导体装置的制造方法例的图。此处，对支持衬底5使用单晶硅衬底的例进行说明。
[0068]在脆弱部形成步骤(S1-4)中，例如如图15所示，使用光学系统20a自支持衬底5的与接着剂层4的接着面的相反面对支持衬底5的一部分照射具有透过半导体衬底I的波长的激光20等电磁波，由此形成脆弱部51。例如，可使用光学系统20a使激光20聚光。受到激光20照射的支持衬底5的一部分的结晶构造变质为非晶质或多晶。结晶构造变质的区域(亦称为缺陷区域)成为脆弱部51。另外，亦可为龟裂自缺陷区域延伸至支持衬底5的内部。脆弱部51较佳为具有未到达接着剂层4的深度。此外，脆弱部51亦可设置在支持衬底5的内部而不露出在表面。进而，并不限定于单晶硅衬底，只要可形成所述缺陷区域，则亦可使用其他衬底作为支持衬底5。
[0069]激光20等电磁波较佳为具有例如超过紫外线区域的波长(例如超过400nm的波长)。具有红外线区域等超过紫外线区域的波长的电磁波会透过单晶硅等半导体衬底1，故而较佳。因此，可在半导体衬底I的内部设置脆弱部51。激光20等电磁波较佳为不照射至半导体元件2。为了抑制电磁波对半导体元件2的影响，亦可在支持衬底5与接着剂层4之间设置具有电磁波屏蔽性的保护层。进而，亦可使用脉冲振荡的激光作为激光20。
[0070]在分离步骤(S1-5)中，通过沿在支持衬底5的平面上与脆弱部51的延伸方向交叉的方向(剥离方向)剥离支持衬底5，而将半导体衬底I与支持衬底5分离。例如，如图16所示般将转印带13贴合在支持衬底5的磨削面，一面使转印带13弯曲一面牵拉支持衬底5。在图16中，通过剥离支持衬底5而沿着脆弱部51分割支持衬底5，并剥离支持衬底5的分割体，但并非必须分割支持衬底5。关于其他条件，可应用与第I实施方式中的分离步骤(S1-5)相同的条件。
[0071]如以上般，在本实施方式的半导体装置的制造方法中，照射激光等电磁波而在支持衬底5的一部分形成使支持衬底5的结晶构造变质而成的缺陷区域，由此形成脆弱部。由此，可在分离时抑制半导体衬底的破损，除此以外亦可使脆弱部的加工步骤高速化。
[0072]另外，各实施方式是作为例而提出者，并未意图限定发明的范围。该等新颖的实施方式能以其他各种形态实施，且可在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、替换、变更。该等实施方式及其变形包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求中记载的发明及其均等的范围。
[0073]符号的说明
[0074]I 半导体衬底
[0075]2 半导体元件
[0076]3 接着剂层
[0077]3a残渣物
[0078]4 接着剂层
[0079]5 支持衬底
[0080]6 刀片
[0081]7 旋转式载置台
[0082]8 保持带
[0083]9 保持环
[0084]10 平台
[0085]11 磨石
[0086]12 刀片
[0087]13转印带
[0088]14 晶片环
[0089]15延伸带
[0090]16接着带
[0091]17延伸环
[0092]18 刀片
[0093]19 激光
[0094]19a光学系统
[0095]20 激光
[0096]20a光学系统
[0097]51脆弱部
【主权项】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于:其是形成接着体的，该接着体包括:半导体衬底；第I接着剂层，其以覆盖所述半导体衬底的平面的一部分的方式接着在所述半导体衬底；第2接着剂层，其以覆盖所述第I接着剂层的方式接着在所述半导体衬底，且具有较所述第I接着剂层更高的对所述半导体衬底的接着强度；及支持衬底，其以隔着所述第I接着剂层及所述第2接着剂层而与所述半导体衬底对向的方式接着在所述第2接着剂层；且该半导体装置的制造方法是: 以使所述第I接着剂层的周缘部露出的方式去除所述支持衬底的一部分与所述第2接着剂层的一部分； 自所述支持衬底的与所述第2接着剂层的接着面的相反面在厚度方向去除所述支持衬底的一部分； 至少在所述支持衬底的一部分形成沿所述支持衬底的第I方向延伸的脆弱部； 沿在所述支持衬底的平面上与所述第I方向交叉的第2方向剥离所述支持衬底。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于:使用刀片自所述支持衬底的与所述第2接着剂层的接着面的相反面，至少在所述支持衬底的一部分形成切口，由此形成所述脆弱部。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于:自所述支持衬底的与所述第2接着剂层的接着面的相反面，对所述支持衬底的一部分照射具有被所述半导体衬底吸收的波长的电磁波，通过伴随升华或蒸发而产生的体积膨胀而使所述支持衬底的一部分解离，由此形成所述脆弱部。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于:自所述支持衬底的与所述第2接着剂层的接着面的相反面，对所述支持衬底的一部分照射具有透过所述半导体衬底的波长的电磁波，而在所述支持衬底的一部分形成非晶质或多晶的缺陷区域，由此形成所述脆弱部。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于:所述接着体包括设置在所述半导体衬底的平面的一部分且被所述第I接着剂层覆盖的半导体元件；且 在对所述第2接着剂层的一部分进行磨削之前或剥离所述支持衬底之后，对应于所述半导体元件而将所述半导体衬底单片化。
【文档编号】H01L21/02GK105990100SQ201510101170
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年3月6日
【发明人】友野章
【申请人】株式会社东芝