显示器薄膜晶体管结构及显示器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示技术领域，尤其是涉及一种显示器薄膜晶体管结构以及具有该薄膜晶体管结构的显示器。
【背景技术】
[0002]有机发光显示器是利用有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de,OLED)制成的显示屏，由于其具有自主发光、对比度高、厚度薄、反应速度快、功率低、可用于挠性面板、且使用温度范围广、低压直流驱动、视角广、颜色丰富等一系列的优点，与液晶显示器相比，有机发光显示器还不需要背光源，其响应速度可达液晶显示器的1000倍，制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器。因此有机发光显示器有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
[0003]有机发光显示器屏体的基本结构是:包括一玻璃基板，在玻璃基板上形成有由像素电路、阳极、有机发光层、阴极等各层组成的有机发光单元，并用封装盖把有机发光单元封装在玻璃基板与封装盖之间，阳极、阴极在非发光区位置通过引线引出，与集成电路(IC)或柔性电路板(FPC)进行绑定。其中，像素电路主要包括薄膜晶体管(TFT)以及与TFT相连的线路(扫描线、数据线等hTFT的主要作用是驱动显示器上的像素点，每个像素点至少由一个TFT驱动，因此在显示器中包含有由多个TFT组成的阵列结构。
[0004]在平板显示器制造过程中，由于一些不可预知因素，例如小颗粒灰尘或者工艺偏差常常会造成不良的发生，特别是当缺陷发生在TFT部分时，常会造成点缺陷，即通常说的坏点现象，所谓坏点是指有缺陷的像素点。目前常用的点缺陷修复方法是通过激光将TFT打成短路或断路，从而将亮点修复成暗点，而暗点将无法修复，当暗点超过一定数量时将导致显示器不良品出现。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的在于提供一种显示器薄膜晶体管结构，其能够彻底修复坏点，改变目前只能将亮点变为暗点，而暗点无法修复的现状。
[0006]本实用新型提供一种显示器薄膜晶体管结构，包括形成在基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、源极引线、漏极引线、栅极搭界以及介电层，每一薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，该栅极搭界、该第一薄膜晶体管的栅极以及该第二薄膜晶体管的栅极位于第一金属层中，该源极引线、该漏极引线、该第一薄膜晶体管的源极和漏极以及该第二薄膜晶体管的源极和漏极位于第二金属层中，该源极引线与该第一薄膜晶体管的源极相连，该漏极引线与该第一薄膜晶体管的漏极相连，该源极引线与该第二薄膜晶体管的源极之间或者该漏极引线与该第二薄膜晶体管的漏极之间断开形成缺口，该栅极搭界对应于该缺口设置，该介电层设置在该第一金属层与该第二金属层之间。
[0007]进一步地，该源极引线与该第二薄膜晶体管的源极之间断开形成该缺口，该栅极搭界与该源极引线之间以及该栅极搭界与该第二薄膜晶体管的源极之间均具有重叠区，该漏极引线与该第二薄膜晶体管的漏极相连。
[0008]进一步地，该漏极引线与该第二薄膜晶体管的漏极之间断开形成该缺口，该栅极搭界与该漏极引线之间以及该栅极搭界与该第二薄膜晶体管的漏极之间均具有重叠区，该源极引线与该第二薄膜晶体管的源极相连。
[0009]进一步地，该显示器薄膜晶体管结构还包括扫描线、数据线和像素电极，该第一薄膜晶体管的栅极以及该第二薄膜晶体管的栅极与该扫描线电性连接，该源极引线与该数据线电性连接，该漏极引线与该像素电极电性连接。
[0010]进一步地，该第一薄膜晶体管的半导体层和该第二薄膜晶体管的半导体层形成在该基板上，该第一薄膜晶体管的半导体层和该第二薄膜晶体管的半导体层上覆盖形成有绝缘层，该栅极搭界、该第一薄膜晶体管的栅极以及该第二薄膜晶体管的栅极形成在该绝缘层上，该介电层形成在该绝缘层上，该介电层覆盖该栅极搭界、该第一薄膜晶体管的栅极以及该第二薄膜晶体管的栅极，该源极引线、该漏极引线、该第一薄膜晶体管的源极和漏极以及该第二薄膜晶体管的源极和漏极形成在该介电层上。
[0011]进一步地，该基板上还形成有缓冲层，该第一薄膜晶体管的半导体层和该第二薄膜晶体管的半导体层形成在该缓冲层上。
[0012]进一步地，该介电层和该绝缘层中设有多个源极接触孔和多个漏极接触孔，该第一薄膜晶体管的源极通过其中一个源极接触孔与该第一薄膜晶体管的半导体层电性连接，该第二薄膜晶体管的源极通过另一个源极接触孔与该第二薄膜晶体管的半导体层电性连接，该第一薄膜晶体管的漏极通过其中一个漏极接触孔与该第一薄膜晶体管的半导体层电性连接，该第二薄膜晶体管的漏极通过另一个漏极接触孔与该第二薄膜晶体管的半导体层电性连接。
[0013]进一步地，该介电层上还形成有平坦化层，该平坦化层覆盖该源极引线、该漏极引线、该第一薄膜晶体管的源极和漏极以及该第二薄膜晶体管的源极和漏极，该平坦化层中设有像素电极接触孔，该像素电极形成在该平坦化层上，该像素电极通过该像素电极接触孔与该漏极引线电性连接。
[0014]进一步地，该栅极搭界、该第一薄膜晶体管的栅极以及该第二薄膜晶体管的栅极形成在该基板上，该介电层形成在该基板上并覆盖该栅极搭界、该第一薄膜晶体管的栅极以及该第二薄膜晶体管的栅极，该源极引线、该漏极引线、该第一薄膜晶体管的源极和漏极以及该第二薄膜晶体管的源极和漏极形成在该介电层上，该介电层上形成有绝缘层，该绝缘层覆盖该源极引线、该漏极引线、该第一薄膜晶体管的源极和漏极以及该第二薄膜晶体管的源极和漏极。
[0015]进一步地，该第一薄膜晶体管的半导体层和该第二薄膜晶体管的半导体层形成在该介电层上，该第一薄膜晶体管的源极和漏极相互间隔开且均直接与该第一薄膜晶体管的半导体层接触，该第二薄膜晶体管的源极和漏极相互间隔开且均直接与该第二薄膜晶体管的半导体层接触。
[0016]进一步地，该像素电极形成在该绝缘层上，该绝缘层中设有像素电极接触孔，该像素电极通过该像素电极接触孔与该漏极引线电性连接。
[0017]本实用新型还提供一种显示器，包括呈阵列排布的多个像素点，每个像素点设有如上所述的显示器薄膜晶体管结构。
[0018]进一步地，该显示器为OLED显示器或者液晶显示器。
[0019]本实用新型提供的显示器薄膜晶体管结构，通过在原有的像素电路中的薄膜晶体管上并联一个或多个薄膜晶体管作为备份，当原有的薄膜晶体管出现不良时，透过修复方法启用备份薄膜晶体管，能够彻底修复坏点，改变目前只能将亮点变为暗点，而暗点无法修复的现状。
【附图说明】
[0020]图1为本实用新型第一实施例中显示器薄膜晶体管结构的平面示意图。
[0021]图2a为图1中沿1-1线的剖开示意图。
[0022]图2b为图1中沿I1-1I线的剖开示意图。
[0023]图2c为图1中沿II1-1II线的剖开示意图。
[0024]图3为本实用新型第一实施例中形成两个半导体层的平面示意图。
[0025]图4为本实用新型第一实施例中形成栅极以及栅极搭界的平面示意图。
[0026]图5为本实用新型第一实施例中形成源/漏极接触孔的平面示意图。
[0027]图6为本实用新型第一实施例中形成源/漏极和源/漏极引线的平面示意图。
[0028]图7为本实用新型第一实施例中形成像素电极接触孔的平面示意图。
[0029]图8为本实用新型第二实施例中显示器薄膜晶体管结构的平面示意图。
[0030]图9为本实用新型第三实施例中显示器薄膜晶体管结构的平面示意图。
[0031 ]图1Oa为图9中沿IV-1V线的剖开示意图。
[0032]图1Ob为图9中沿V-V线的剖开示意图。
[0033]图1Oc为图9中沿V1-VI线的剖开示意图。
【具体实施方式】
[0034]为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对本实用新型的【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。
[0035]图1为本实用新型第一实施例中显示器薄膜晶体管结构的平面示意图，图2a为图1中沿1-1线的剖开示意图，图2b为图1中沿I1-1I线的剖开示意图，图2c为图1中沿II1-1II线的剖开示意图。请参图1、图2a至图2b，本实施例提供的显示器薄膜晶体管结构包括形成在基板10上的第一薄膜晶体管A、第二薄膜晶体管B、源极引线11、漏极引线12、栅极搭界13以及介电层14。每一薄膜晶体管A、B包括半导体层21、栅极22、源极23和漏极24。栅极搭界13、第一薄膜晶体管A的栅极22以及第二薄膜晶体管B的栅极22位于第一金属层中。源极引线
11、漏极引线12、第一薄膜晶体管A的源极23和漏极24以及第二薄膜晶体管B的源极23和漏极24位于第二金属层中。源极引线11与第一薄膜晶体管A的源极23相连，漏极引线12与第一薄膜晶体管A的漏极24相连。源极引线11与第二薄膜晶体管B的源极23之间断开形成缺口30，栅极搭界13对应于该缺口 30设置。介电层14设置在该第一金属层与该第二金属层之间。
[0036]在本实施例中，源极引线11与第二薄膜晶体管B的源极23之间断开形成缺口30，栅极搭界13对应于该缺口 30设置，栅极搭界13与源极引线