一种mems压阻谐振器的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种MEMS压阻谐振器，包括：衬底；输入电极，用于为振子提供交流电压信号以使振子振动；输入偏置电压电极，形成在衬底上并位于振动的波节处，用于为振子提供直流偏置电压信号，以使得响应交流电压信号所导致的振子的电阻变化而产生的感测电流流经振子；输出电极，位于振动的波节处，并与输入偏置电压电极相对设置，用于响应所述感测电流，输出频率信号；第一锚结构，用于将直流偏置电压信号传送到振子；第二锚结构，用于将感测电流传送到输出电极；振子，设置于输入电极之间，并通过第一和第二锚结构悬置于衬底上方，振子包括：流过所述感测电流的第一区域以及不流过所述感测电流的第二区域，以减小自发热产生的频率不稳定性。
【专利说明】—种MEMS压阻谐振器
【技术领域】
[0001]本发明实施例涉及振荡器【技术领域】，尤其涉及一种MEMS压阻谐振器。
【背景技术】
[0002]在时钟和频率控制领域一般采用石英振荡器，其具有优越的温度稳定性和相位噪声特性，然而随着当前的时钟产品越来越趋向微型化，石英振荡器的缺点日益突出，石英振荡器为片外组元、体积难以缩小、与硅工艺不兼容、不易于集成以及非工业标准的封装等，使得各厂家在提供薄型化产品的同时将面临高成本及低成品率的问题。
[0003]微机电系统(Micro Electro Mechanical System, MEMS)谐振器是近年来迅猛发展的一种谐振器，被广泛用于制作射频滤波器、振荡器、频率计和放大器。MEMS谐振器以其微型化和与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)兼容的特点，正显示替代石英振荡器的强劲势头。然而，对于低成本，高质量，全集成的MEMS谐振器也有不少难题，包括硅30ppm/0C的温度系数，多晶疲劳所导致的老化，封装污染导致的频率漂移。其中频率漂移是最主要的问题，因为MEMS谐振器尺寸达到几十微米，对表面污染十分敏感。通过MEMS-first?和EpiSeal?的硅封装的发明和非硅谐振器的进步，允许硅谐振器封装于工业标准的低成本塑料封装，解决了维持真空封装的问题，实际上消除了空腔污染物和老化现象，减轻了温度补偿和漂移的复杂性。阻碍早期MEMS谐振器的成本问题和技术障碍均被顺利清除。
[0004]通过真空塑料封装虽然能解决MEMS谐振器的关键问题，但成本和制作的复杂性要求MEMS谐振器能在非真空下也具有良好的性能。MEMS谐振器具有高Q值、低功耗、易集成的优点，但是也有需要克服的问题，包括动态电阻很高以及频率稳定性差。
[0005]传统的电容式谐振器的机电转换是通过振子和电极之间的电容进行，动态电阻高达几千欧，不适用与外电路连接。
[0006]现有技术中采用压阻谐振器来解决高电阻的问题。所谓压阻效应，是指当半导体受到应力作用时，由于载流子迁移率的变化，使其电阻率发生变化的现象。图1所示为现有技术中一种MEMS压阻谐振器的结构示意图，如图1所示，所述谐振器包括:衬底(未示出)；振子11 ;输入电极(未示出)，形成在所述衬底上并位于所述振子11的两短边侧，用于为所述振子11提供交流电压信号；输入偏置电压电极，形成在所述衬底上，用于为所述振子11提供直流偏置电压信号；输出电极，形成在所述衬底上并与所述输入偏置电压电极相对设置，用于响应所述交流信号所导致的振子11的电阻变化而输出频率信号；第一锚结构12和第二锚结构13用于将所述振子11悬置于所述衬底上。当施加直流偏置电压信号并输入交流电压信号产生静电激励时，该压阻谐振器利用振子11的压阻效应在振子11中产生感测电流，其中所述感测电流的近似路径如图1中箭头所示，同时静电激励使振子11产生振动，振子11的伸缩振动导致振子11电阻的变化，通过检测从流经振子11的感测电流的变化可以输出频率信号。
[0007]现有技术中的压阻谐振器的动态电阻仅为几十欧，相比于电容式谐振器有很大优势，但是由于感测电流流经振子，振子会自发热而影响频率的稳定性，相比于电容式谐振器的频率稳定性更差。
【发明内容】
[0008]本发明提供一种MEMS压阻谐振器，以在保持低动态电阻特性的同时减小自发热产生的频率不稳定性。
[0009]本发明提供一种MEMS压阻谐振器，包括:
[0010]衬底；
[0011]至少一对输入电极，形成在所述衬底上，用于为振子提供交流电压信号，以使所述振子振动；
[0012]输入偏置电压电极，形成在所述衬底上并位于所述振子振动的波节处，用于为所述振子提供直流偏置电压信号，以使得响应所述交流电压信号所导致的振子的电阻变化而产生的感测电流流经所述振子；
[0013]输出电极，形成在所述衬底上并位于所述振子振动的波节处，并与所述输入偏置电压电极相对设置，用于响应所述感测电流，从而输出频率信号；
[0014]第一锚结构,用于将所述振子支撑于输入偏置电压电极上并将直流偏置电压信号传送到振子；
[0015]第二锚结构，用于将所述振子支撑于输出电极上并将所述感测电流传送到输出电极；
[0016]振子，设置于所述输入电极之间，并且通过第一锚结构和第二锚结构悬置于所述衬底上方，其中所述振子包括:流过所述感测电流的第一区域以及不流过所述感测电流的
第二区域。
[0017]其中，所述第一区域、所述第一锚结构和所述第二锚结构的材质为掺杂单晶硅，其中，所述第一锚结构和第二锚结构的掺杂浓度相同，且高于所述第一区域的掺杂浓度，所述第二区域的材质为不掺杂的单晶硅。
[0018]其中，所述掺杂单晶硅的掺杂类型为η型掺杂或P型掺杂。
[0019]其中，当所述掺杂类型为η型掺杂时，所述第一区域沿掺杂单晶硅的〈100〉晶向；或
[0020]当所述掺杂类型为P型掺杂时，所述第一区域沿掺杂单晶硅的〈110〉晶向。
[0021]其中，所述振子还包括挖空区域，所述挖空区域位于所述第一区域和第二区域之间。
[0022]其中，所述挖空区域的形状为长方形、多边形、圆形、椭圆形、跑道形状或扇形。
[0023]其中，所述振子呈对称结构，其中所述挖空区域为一对对称的挖空区域，所述第二区域位于所述对称的挖空区域之间，所述第一区域与所述对称的挖空区域配对设置。
[0024]其中，所述振子还包括不流过感测电流的第三区域，所述第三区域位于所述流过感测电流的第一区域和挖空区域之间。
[0025]其中，所述振子的尺寸范围为10nm-3000ym，厚度为10nm_90 μ m。
[0026]其中，当所述输入电极为多对时，所述输入电极在所述振子的侧面呈周向均匀分布。[0027]本发明提供一种MEMS压阻谐振器，根据输入电极提供的交流电压信号产生的静电力的激励而使振子产生振动，当静电力的频率接近于谐振器的特征频率时发生谐振，其中，振子中不流过所述感测电流的第二区域决定谐振器的特征频率，振子中流过所述感测电流的第一区域实现压阻读出，即振子振动导致所述第一区域的电阻变化，并通过输入偏置电压电极施加的直流偏置电压信号产生流经所述第一区域的感测电流，输出电极响应所述感测电流，从而输出频率信号，以在保持低动态电阻特性的同时减小振子自发热产生的频率不稳定性。
【专利附图】
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本发明，下面将对本发明中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为现有技术中一种MEMS压阻谐振器的结构示意图；
[0030]图2为本发明实施例提供的一种MEMS压阻谐振器的结构示意图；
[0031]图2a为本发明实施例提供的另一种MEMS压阻谐振器的结构示意图；
[0032]图3为本发明实施例提供的一种具体的振动模态；
[0033]图4为本发明实施例提供的一种具体的挖空区域和对应的振动模态；
[0034]图5为本发明实施例提供的另一种MEMS压阻谐振器的结构示意图；
[0035]图6为本发明实施例提供的另一种具体的挖空区域和对应的振动模态；
[0036]图7为本发明实施例提供的再一种MEMS压阻谐振器的结构示意图；
[0037]图8为图7所示的MEMS压阻谐振器的振动模态。
【具体实施方式】
[0038]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例中的技术方案作进一步详细描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0039]实施例一
[0040]本实施例提供一种MEMS压阻谐振器，包括:衬底；至少一对输入电极，形成在所述衬底上，用于为振子提供交流电压信号，以使所述振子振动；输入偏置电压电极，形成在所述衬底上并位于所述振子振动的波节处，用于为所述振子提供直流偏置电压信号，以使得响应所述交流电压信号所导致的振子的电阻变化而产生的感测电流流经所述振子；输出电极，形成在所述衬底上并位于所述振子振动的波节处，并与所述输入偏置电压电极相对设置，用于响应所述感测电流，从而输出频率信号；第一锚结构，用于将所述振子支撑于输入偏置电压电极上并将直流偏置电压信号传送到振子；第二锚结构，用于将所述振子支撑于输出电极上并将所述感测电流传送到输出电极；振子，设置于所述输入电极之间，并且通过第一锚结构和第二锚结构悬置于所述衬底上方，其中所述振子包括:流过所述感测电流的第一区域以及不流过所述感测电流的第二区域。
[0041]需要说明的是，所述输入电极通过第一锚结构为振子提供交流电压信号，所述振子在交流电压信号产生的静电力的激励下振动，即使所述第一区域和第二区域产生振动，其中所述第二区域决定谐振器的特征频率，当所述静电力的频率接近于谐振器的特征频率时发生谐振，所述第一区域实现压阻读出，即由于压阻效应振子振动导致所述第一区域的电阻变化，并通过输入偏置电压电极施加的直流偏置电压信号产生流经所述第一区域的感测电流，输出电极响应所述感测电流，从而输出频率信号。
[0042]其中，所述第一区域由于流过所述感测电流而自发热，所述第二区域由于不流过所述感测电流而不发热，以减小振子自发热产生的频率不稳定性。
[0043]作为本实施例的一种优选的实施方式，所述第一区域、所述第一锚结构和所述第二锚结构的材质为掺杂单晶硅，其中，所述第一锚结构和第二锚结构的掺杂浓度相同，且高于所述第一区域的掺杂浓度，所述第二区域的材质为不掺杂的单晶硅。
[0044]需要说明的是，所述谐振器上的不同的掺杂区域，对应于不同的电阻率，即所述第一锚结构和第二锚结构的电阻率相同，所述第一区域的电阻率高于所述第一锚结构和第二锚结构的电阻率。所述第二区域的电阻率高于所述第一区域的电阻率。其中，流过感测电流的第一区域的压阻系数高，压阻效应明显，作为压阻读出区域。
[0045]优选地，所述第一锚结构和第二锚结构的电阻率比所述第一区域的电阻率小一个 数量级。
[0046]示例性地，以一个实例说明。所述第一锚结构和第二锚结构的掺杂浓度为
4.5X IO1Vcm3，相应地，所述第一锚结构和第二锚结构的电阻率为0.01 Ω.cm ;所述第一区域的掺杂浓度为7.8父1016/(^3，相应地，所述第一区域的电阻率为0.10.cm;所述第二区域为不掺杂的单晶硅，在室温20°C时，所述第二区域的电阻大于Ik Ω。
[0047]需要进一步说明的是，所述谐振器上的不同的掺杂区域，具有不同的作用。所述第一锚结构和第二锚结构用于连接电极，即所述第一锚结构与所述输入偏置电压电极连接，用于将所述感测电流引入所述第一区域，所述第二锚结构与所述输出电极连接，用于读出所述感测电流，并将所述感测电流传送到输出电极，所述输出电极响应所述感测电流，从而输出频率信号。所述第一区域用作压阻区域，由于本发明谐振器特有结构使所述第一区域的应力大于所述第一锚结构和所述第二锚结构的应力，所述应力可以为压应力或张应力。所述第二区域主要决定谐振器的特征频率。
[0048]可选地，所述掺杂单晶硅的掺杂类型为η型掺杂或P型掺杂。
[0049]进一步地，当所述掺杂类型为η型掺杂时，所述第一区域沿掺杂单晶硅的〈100〉晶向；或当所述掺杂类型为P型掺杂时，所述第一区域沿掺杂单晶硅的〈110〉晶向，以使所述感测电流流经所述第一区域的压阻系数最大的方向，从而使所述谐振器具有更好的压阻效应。
[0050]其中，输入偏置电压电极和输出电极位于所述振子振动的波节处，从而使振动能
量损失最小化。
[0051]其中，所述振动包括酒杯型振动或回音壁模式(Whispering Gallery Mode, WGM)振动。
[0052]示例性地，以两对输入电极为例说明。当第一对输入电极和第二对输入电极提供的交流电压信号振幅不同、频率相同、相位相反，即相差H时，所述振子产生酒杯型振动；当第一对输入电极和第二对输入电极提供的交流电压信号振幅相同、频率相同、相位相同时，所述振子产生四阶WGM振动。
[0053]可选地，所述振子的形状为圆形或方形。
[0054]本实施例提供一种MEMS压阻谐振器，根据输入电极提供的交流电压信号产生的静电力的激励而使振子产生振动，当静电力的频率接近于谐振器的特征频率时发生谐振，其中，振子中不流过所述感测电流的第二区域决定谐振器的特征频率，振子中流过所述感测电流的第一区域实现压阻读出，即振子振动导致所述第一区域的电阻变化，并通过输入偏置电压电极施加的直流偏置电压信号产生流经所述第一区域的感测电流，输出电极响应所述感测电流，从而输出频率信号，以在保持低动态电阻特性的同时减小振子自发热产生的频率不稳定性。
[0055]可选地,所述振子的尺寸范围为10nm-3000 μ m,厚度为10nm-90 μ m。需要说明的
是，不同的尺寸和不同的厚度的振子对应于不同的谐振器的特征频率。
[0056]可选地，当所述输入电极为多对时，所述输入电极在所述振子的侧面呈周向均匀分布，通过增大与振子的交叠面积，以增大所述振子的静电力激励，进一步增大输入机电耦合系数，增强所述振子的振动幅度，从而增大输出的频率信号。
[0057]可选地，所述第一锚结构和第二锚结构形状相同，为锚点或支撑梁。当所述第一锚结构和第二锚结构的形状为支撑梁时，优选地，所述支撑梁的宽度为0.1μπι-2μπι。
[0058]实施例二
[0059]请参阅图2，为本发明实施例提供的一种MEMS压阻谐振器的结构示意图。如图2所不，所述谐振器包括:衬底、第一对输入电极21a、第二对输入电极21b、输入偏置电压电极、输出电极、第一锚结构22、第二锚结构23和振子24，其中所述振子24包括:流过感测电流的第一区域241以及不流过感测电流的第二区域242。
[0060]本实施例与上述实施例的相似之处不再赘述。区别在于，所述振子24还包括挖空区域243，所述挖空区域243位于所述第一区域241和第二区域242之间。所述第一对输入电极21a和第二对输入电极21b在所述振子24的侧面呈周向均匀分布，以增大所述振子的静电力激励，进一步增大输入机电耦合系数，增强所述振子的振动幅度，从而增大输出的频率信号。需要说明的是，本实施例中两对输入电极并不用于构成对本发明的限定，所述输入电极可以为多对，优选地，所述输入电极在所述振动盘的侧面呈周向分布。
[0061]进一步具体地，当第一对输入电极21a和第二对输入电极21b提供的交流电压信号振幅不同、频率相同、相位相反，即相差η时，所述振子24产生酒杯型振动；当第一对输入电极21a和第二对输入电极21b提供的交流电压信号振幅相同、频率相同、相位相同时，所述振子24产生四阶WGM振动。
[0062]需要说明的是，可以通过反应离子刻蚀工艺形成所述挖空区域243。
[0063]优选地，所述第一区域241、所述第一锚结构22和所述第二锚结构23的材质为掺杂单晶娃，其中，所述第一锚结构22和第二锚结构23的掺杂浓度相同,且高于所述第一区域241的掺杂浓度，所述第二区域242的材质为不掺杂的单晶硅。
[0064]可选地，所述掺杂单晶硅的掺杂类型为η型掺杂或P型掺杂。
[0065]进一步地，当所述掺杂类型为η型掺杂时，所述第一区域241沿掺杂单晶硅的〈100〉晶向；或当所述掺杂类型为P型掺杂时，所述第一区域241沿掺杂单晶硅的〈110〉晶向，以使所述感测电流流经所述第一区域的压阻系数最大的方向，从而使所述谐振器具有更好的压阻效应。
[0066]也就是说，η型掺杂单晶硅的最大的压阻系数的晶向为〈100〉晶向，ρ型掺杂单晶硅的最大的压阻系数的晶向为〈110〉晶向。
[0067]所述振子24可以呈对称结构，其中所述挖空区域243为一对对称的挖空区域，所述第二区域242位于所述对称的挖空区域243之间，所述第一区域241与所述对称的挖空区域243配对设置。
[0068]可选地，所述振子24的形状为圆形或方形。
[0069]示例性地，以图2中所述振子24的形状为圆形的情况来说明。请同时参阅图3、图4，图3为本发明实施例提供的一种具体的振动模态，图4为本发明实施例提供的一种具体的挖空区域和对应的振动模态。在输入电极21a和21b为振子24施加相同激励的情况下，当图2中所述振子24不包括挖空区域243时，相应的振子24的振动模态如图3所述；当图2中所述振子24包括挖空区域243时，相应的振子24的振动模态如图4所述。图3和图4中实线代表所述振子24，虚线代表所述振子24的振动位移，其中实线与虚线的交点为振动的波节。
[0070]由此可知，在输入电极为振子施加相同激励的情况下，包含有挖空区域的振子的振动位移大于不包含挖空区域的振子的振动位移，也就是说，前者的输出的频率信号大于后者的输出的频率信号。
[0071]需要说明的是，呈对称结构的振子并不用于构成对本实施例的限定。
[0072]本实施例提供一种MEMS压阻谐振器，根据输入电极提供的交流电压信号产生的静电力的激励而使振子产生振动，当静电力的频率接近于谐振器的特征频率时发生谐振，其中，振子中不流过所述感测电流的第二区域决定谐振器的特征频率，振子中流过所述感测电流的第一区域实现压阻读出，即振子振动导致所述第一区域的电阻变化，并通过输入偏置电压电极施加的直流偏置电压信号产生流经所述第一区域的感测电流，输出电极响应所述感测电流，从而输出频率信号；并通过在所述第一区域和第二区域之间形成挖空区域，以隔离所述第一区域和第二区域之间的热传导，从而进一步减小振子自发热产生的频率不稳定性，此外还可以增大振子振动的位移，从而增大输出的频率信号。
[0073]在上述技术方案的基础上，优选地，请参阅图2a，所述振子24还可以包括不流过感测电流的第三区域244，所述第三区域244位于所述流过感测电流的第一区域241和挖空区域243之间。
[0074]其中，所述不流过感测电流的第三区域244的材质可以与所述第二区域242的材质相同。
[0075]本优选的实施方式不仅能够达到减小振子自发热产生的频率不稳定性，而且通过在流过感测电流的第一区域和挖空区域之间设置不流过感测电流的第三区域，使得在输入电极提供相同静电力和输入偏置电压电极提供相同偏置电压的情况下，增大流过感测电流的第一区域的振动位移所产生的应力，即增大流过感测电流的第一区域的张应力和压应力的差异，由于压阻效应，从而增大感测电流的第一区域的电阻的变化，进而增大产生的感测电流的变化，以增大输出的频率信号。[0076]可选地，所述挖空区域的形状为长方形、多边形、圆形、椭圆形、跑道形状或扇形，本实施例对此不进行限定。
[0077]示例性地，可以为如图5所示的挖空区域243 ^，其中所述挖空区域243 ^为跑道形状。需要说明的是，不同形状的挖空区域对应于不同的谐振器的特征频率。
[0078]示例性地，请参阅图6，为本发明实施例提供的另一种具体的挖空区域和对应的振动模态，挖空区域如图中643所示，数量为4个，虚线代表所述振子64的振动位移。
[0079]实施例三
[0080]请参阅图7，为本发明实施例提供的再一种MEMS压阻谐振器的结构示意图。如图7所不，所述谐振器包括:衬底、至少一对输入电极、输入偏置电压电极、输出电极、第一锚结构72、第二锚结构73和振子74，其中所述振子74包括:流过感测电流的第一区域741以及不流过感测电流的第二区域742。所述振子74还包括挖空区域743，所述挖空区域743位于所述第一区域741和第二区域742之间。[0081]可选地，所述振子74呈对称结构，其中所述挖空区域743为一对对称的挖空区域，所述第二区域742位于所述对称的挖空区域743之间，所述第一区域741与所述对称的挖空区域743配对设置。
[0082]进一步优选地，所述振子74还可以包括不流过感测电流的第三区域744，所述第三区域744位于所述流过感测电流的第一区域741和挖空区域743之间。
[0083]其中，所述不流过感测电流的第三区域744的材质可以与所述第二区域742的材质相同。
[0084]本实施例与上述实施例的相似之处不再赘述。区别在于，所述振子74的形状为方形，所述挖空区域743的形状为长方形，图8为图7所示的MEMS压阻谐振器的振动模态，其中，实线代表所述振子74，虚线代表所述振子74的振动位移。
[0085]最后应说明的是:以上各实施例仅用于说明本发明的技术方案，而非对其进行限制；实施例中优选的实施方式，并非对其进行限制，对于本领域技术人员而言，本发明可以有各种改动和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种MEMS压阻谐振器，其特征在于，包括: 衬底； 至少一对输入电极，形成在所述衬底上，用于为振子提供交流电压信号，以使所述振子振动； 输入偏置电压电极，形成在所述衬底上并位于所述振子振动的波节处，用于为所述振子提供直流偏置电压信号，以使得响应所述交流电压信号所导致的振子的电阻变化而产生的感测电流流经所述振子； 输出电极，形成在所述衬底上并位于所述振子振动的波节处，并与所述输入偏置电压电极相对设置，用于响应所述感测电流，从而输出频率信号； 第一锚结构，用于将所述振子支撑于输入偏置电压电极上并将直流偏置电压信号传送到振子； 第二锚结构，用于将所述振子支撑于输出电极上并将所述感测电流传送到输出电极； 振子，设置于所述输入电极之间，并且通过第一锚结构和第二锚结构悬置于所述衬底上方，其中所述振子包括:流过所述感测电流的第一区域以及不流过所述感测电流的第二区域。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述第一区域、所述第一锚结构和所述第二锚结构的材质为掺杂单晶硅，其中，所述第一锚结构和第二锚结构的掺杂浓度相同，且高于所述第一区域的掺杂浓度，所述第二区域的材质为不掺杂的单晶硅。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述掺杂单晶硅的掺杂类型为η型掺杂或P型掺杂。
4.根据权利要求3所述的谐振器，其特征在于，当所述掺杂类型为η型掺杂时，所述第一区域沿掺杂单晶硅的〈100〉晶向；或 当所述掺杂类型为P型掺杂时，所述第一区域沿掺杂单晶硅的〈110〉晶向。
5.根据权利要求1-4任一项所述的谐振器，其特征在于，所述振子还包括挖空区域，所述挖空区域位于所述第一区域和第二区域之间。
6.根据权利要求5所述的谐振器，其特征在于，所述挖空区域的形状为长方形、多边形、圆形、椭圆形、跑道形状或扇形。
7.根据权利要求5所述的谐振器，其特征在于，所述振子呈对称结构，其中所述挖空区域为一对对称的挖空区域，所述第二区域位于所述对称的挖空区域之间，所述第一区域与所述对称的挖空区域配对设置。
8.根据权利要求7所述的谐振器，其特征在于，所述振子还包括不流过感测电流的第三区域，所述第三区域位于所述流过感测电流的第一区域和挖空区域之间。
9.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述振子的尺寸范围为10nm-3000ym，厚度为 10nm-90 μ m。
10.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，当所述输入电极为多对时，所述输入电极在所述振子的侧面呈周向均匀分布。
【文档编号】H03H9/02GK103873012SQ201410116728
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2014年3月26日 优先权日:2014年3月26日
【发明者】张乐, 欧文, 明安杰 申请人:江苏物联网研究发展中心