技术特征：
技术总结
本发明涉及具有集成混合耦合器的RF器件封装。RF器件封装包括：RF输入端子；第一和第二放大器输入节点；和混合耦合器，整体地形成为RF器件封装的部分并且连接在RF输入端子和第一和第二放大器输入节点之间。混合耦合器包括：第一LC网络，直接电连接到RF输入端子并且与第一和第二放大器输入节点物理断开；第二LC网络，直接电连接到第一放大器输入节点并且与RF输入端子和第二放大器输入节点物理断开；和第三LC网络，直接电连接到第二放大器输入节点并且与RF输入端子和第一放大器输入节点物理断开。在互感器配置中，第二和第三LC网络各自电感耦合到第一LC网络。
技术研发人员：B.小阿加尔;M.马贝尔
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.08.08