混压高频微波基板的制作方法

技术特征：

1.一种混压高频微波基板，包括：

基底基材；

高频基材，其混压至所述基底基材上以形成混压基材；

离子注入层，其通过离子注入方法注入所述混压基材的表面下方，其中，所述离子注入层的注入材料与所述混压基材形成稳定的掺杂结构，所述掺杂结构在所述混压基材的表面下方形成多个基桩；以及

导体加厚层，其形成在所述离子注入层的上方。

2.根据权利要求1所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述高频基材为PTFE基材、PPO基材、PI基材、BT基材、CE基材、APPE基材或TPPE基材，所述高频树脂包含或不包含玻纤或增强材料。

3.根据权利要求1所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述基底基材为非高频基材。

4.根据权利要求3所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述非高频基材为金属基材、环氧树脂基材或陶瓷基材。

5.根据权利要求4所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述金属基材能够进一步改善所述混压高频微波基板的散热效果。

6.根据权利要求4所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述金属基材为铜基材、铝基材、铁基材、镍铁合金基材、钨金合金基材或钨钼合金基材。

7.根据权利要求4所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述环氧树脂基材为环氧树脂FR4基材。

8.根据权利要求1所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述混压基材设置有通孔和/或盲孔，所述离子注入层还位于所述通孔和/或盲孔的孔壁下方。

9.根据权利要求8所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述离子注入层位于所述孔壁的表面下方1-50nm的深度内。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述离子注入层包括邻近所述混压基材的Ni或Ni-Cu合金层、和注入所述Ni或Ni-Cu合金层中的Cr离子层，其中所述离子注入层位于所述混压基材的表面下方1-50nm的深度内。

11.根据权利要求1-9中任一项所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述混压高频微波基板还包括位于所述离子注入层和所述导体加厚层之间的等离子体沉积层，所述等离子体沉积层由导电材料组成，具有1-500nm的厚度。

12.根据权利要求1-9中任一项所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述导体加厚层具有0.01-100μm的厚度。

13.根据权利要求12所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述导体加厚层是厚度为0.5-18μm的铜层。

14.根据权利要求1-9中任一项所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述导体加厚层的外表面具有小于0.1微米的表面粗糙度。