技术总结
本实用新型涉及一种混压高频微波基板，包括基底基材；高频基材，其混压至该基底基材上以形成混压基材；离子注入层，其通过离子注入方法注入该混压基材的表面下方，其中，该离子注入层的注入材料与该混压基材形成稳定的掺杂结构，该掺杂结构在该混压基材的表面下方形成多个基桩；以及导体加厚层，其形成在该离子注入层的上方。
技术研发人员：张志强;杨志刚;吴香兰;宋红林
受保护的技术使用者：武汉光谷创元电子有限公司
文档号码：201720520367
技术研发日：2017.05.11
技术公布日：2018.03.16