该电荷注入传输层的膜厚为130?1000皿， (5) 该电荷注入层含有交联的芳香族胺聚合物。
2. 根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，在所述玻璃基材上形成有所述第1 导电层的状态下的表面缺陷的密度为2. 0个/cm2 W上。
3. 根据权利要求1或2所述的有机电致发光元件，其中，所述玻璃基材含有1. 0质量％ W上的Na2〇和馬0中的至少一种。
4. 根据权利要求1?3中的任一项所述的有机电致发光元件，其中，所述电荷注入传输 层的膜厚为130?500nm。
5. 根据权利要求1?4中的任一项所述的有机电致发光元件，其中，所述玻璃基材为通 过浮法制造的。
6. 根据权利要求5所述的有机电致发光元件，其中，所述玻璃基材为未研磨的玻璃基 材。
7. 根据权利要求1?6中的任一项所述的有机电致发光元件，其中，所述交联的芳香族 胺聚合物含有下述式（1)所示的部分结构：
式（1)中，Ara和Arb各自独立地表示任选具有取代基的碳数4?60的芳香族姪环基 或芳香族杂环基，Ai~a表示2价基团，Ar b表示1价基团。
8. 根据权利要求1?7中的任一项所述的有机电致发光元件，其中，所述交联的芳香族 胺聚合物具有选自下述交联性基团组T中的交联性基团来源的交联结构： <交联性基团组T〉
式中，沪?R25各自独立地表示氨原子或碳数1?12的烧基；Ar"表示任选具有取代 基的芳香族姪基或任选具有取代基的芳香族杂环基；另外，苯并环了締环任选具有取代基。
9. 一种有机电致发光元件，其特征在于，其在基材上至少层叠有第1导电层、电荷注入
传输层、发光层W及第2导电层，其中， (1) 该电荷注入传输层为通过湿式成膜法形成的层， (2) 该电荷注入传输层包括与第1导电层接触的电荷注入层， (3) 该电荷注入传输层的膜厚为130?1000皿， (4) 该电荷注入层含有交联的芳香族胺聚合物。
10. 根据权利要求9所述的有机电致发光元件，其中，所述基材为玻璃基材，在该玻璃 基材上形成有所述第1导电层的状态下的表面缺陷的密度为2. 0个/cm2 W上。
11. 根据权利要求10所述的有机电致发光元件，其中，所述玻璃基材为通过浮法制造 的。
12. 根据权利要求11所述的有机电致发光元件，其中，所述玻璃基材为未研磨的玻璃 基材。
13. 根据权利要求9?12中的任一项所述的有机电致发光元件，其中，所述电荷注入传 输层的膜厚为130?500nm。
14. 一种有机电致发光元件的制造方法，其是制造在玻璃基材上至少层叠有第1导电 层、电荷注入传输层、发光层W及第2导电层的有机电致发光元件的方法，其中， (1) 作为该玻璃基材，使用该第1导电层一侧表面的波纹度正切的最小值为4. 00 X 10^6 W上或该波纹度正切的最大值为22X 1(T6W上的玻璃基材，使得具有该波纹度正切的面成 为该第1导电层一侧表面， (2) 该电荷注入传输层通过湿式成膜法形成， (3) 该电荷注入传输层包括与第1导电层接触的电荷注入层， (4) 通过W湿式成膜法涂布含有具有交联性基团的芳香族胺聚合物和溶剂的组合物并 使之干燥、交联而形成该电荷注入层， (5) W 130?1000皿的膜厚形成该电荷注入传输层。
15. 根据权利要求14所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，在所述玻璃基材上 形成有所述第1导电层的状态下的表面缺陷的密度为2. 0个/cm2 W上。
16. 根据权利要求14或15所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，作为所述玻璃 基材，使用含有1.0质量％ W上的Na2〇和馬0中的至少一种的玻璃基材。
17. 根据权利要求14?16中的任一项所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，所 述电荷注入传输层的膜厚为130?500皿。
18. 根据权利要求14?17中的任一项所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，作 为所述玻璃基材，使用通过浮法制造的玻璃基材。
19. 根据权利要求18所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，作为所述玻璃基材， 使用通过浮法制造且未研磨的玻璃基材。
20. -种有机电致发光元件的制造方法，其是制造在基材上至少层叠有第1导电层、电 荷注入传输层、发光层W及第2导电层有机电致发光元件的方法，其中， (1) 该电荷注入传输层通过湿式成膜法形成， (2) 该电荷注入传输层包括与第1导电层接触的电荷注入层， (3) 该电荷注入传输层的膜厚为130?1000皿， (4) 通过W湿式成膜法涂布含有具有交联性基团的芳香族胺聚合物和溶剂的组合物并 使之干燥、交联而形成该电荷注入层。
21. 根据权利要求20所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，所述基材为玻璃基 材，在该玻璃基材上形成有所述第1导电层的状态下的表面缺陷的密度为2.0个/cm 2W上。
22. 根据权利要求21所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，作为所述玻璃基材， 使用通过浮法制造的玻璃基材。
23. 根据权利要求22所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，作为所述玻璃基材， 使用通过浮法制造且未研磨的玻璃基材。
24. 根据权利要求20?23中的任一项所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，所 述电荷注入传输层的膜厚为130?500皿。
25. -种有机电致发光元件，其在玻璃基材上至少依次具有第1导电层、通过湿式成膜 法形成且含有电荷传输材料的电荷注入传输层、发光层W及第2导电层， 该玻璃基材通过浮法制造， 该第1导电层形成侧的该玻璃基材表面为未研磨的状态， 该电荷注入传输层的膜厚为该第1导电层的膜厚的1. 3倍W上。
26. -种有机电致发光元件，其在玻璃基材上至少依次具有第1导电层、通过湿式成膜 法形成且含有电荷传输材料的电荷注入传输层、发光层W及第2导电层， 该第1导电层形成侧的该玻璃基材表面的波纹度正切的最小值为4. 20X 1(T6W上或该 波纹度正切的最大值为22X 1(T6W上， 该电荷注入传输层的膜厚为该第1导电层的膜厚的1. 3倍W上。
【专利摘要】本发明的有机电致发光元件在基材上至少层叠有第1导电层、通过湿式成膜法形成的电荷注入传输层、发光层以及第2导电层，其中，(1)电荷注入传输层包括与第1导电层接触的电荷注入层，(2)电荷注入传输层的膜厚为130～1000nm，(3)电荷注入层含有交联的芳香族胺聚合物。基材为玻璃基材，玻璃基材的第1导电层一侧表面的波纹度正切的最小值为4.00×10-6以上或波纹度正切的最大值为22×10-6以上。
【IPC分类】H05B33-10, H01L51-50, C03C17-38, H05B33-02
【公开号】CN104604332
【申请号】CN201380046087
【发明人】坂东祥匡, 加藤尚范, 长尾茂树, 绪方朋行
【申请人】三菱化学株式会社
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2013年9月3日
【公告号】EP2894942A1, EP2894942A4, US20150179963, WO2014038559A1