专利名称：一种单晶炉内用保温筒的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种单晶炉内用保温筒。
背景技术：
在直拉单晶硅生产过程中，经常会出现漏硅现象。其中的原因之一是由于上下保温筒之间的温度不均衡，熔化的硅料下流到石英坩埚的底部会遇冷膨胀，将石英坩埚胀裂，从而出现漏硅现象。目前，我们使用的保温筒分为上、中、下三层，层层之间采用连接环连接。
发明内容本实用新型的目的是提供能提高恒温效果的一种单晶炉内用保温筒。本实用新型采取的技术方案是一种单晶炉内用保温筒，分成上、中、下三层，层与层之间设有连接环，其特征在于环绕中层保温筒与下层保温筒之间的连接环的外部设有若干层碳毡。采用本实用新型，由于碳毡能保温，就会减少连接环散热，确保中层保温筒与下层保温筒之间保持相对的恒温，防止石英坩埚胀裂，从而出现漏硅现象。
图I是本实用新型使用在单晶炉中的示意图。图中序号表示上保温筒I、中保温筒2、连接环3、碳毡4和下保温筒5。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本实用新型作进一步说明。参照图1，该单晶炉内用保温筒的分成上保温筒I、中保温筒2和下保温筒5三层，层与层之间设有连接环3，环绕中层保温筒2与下层保温筒5之间的连接环3的外部设有若干层碳毡4。由于碳毡4能保温，就会减少连接环3散热，确保中层保温筒2与下层保温筒5之间保持相对的恒温，当熔化的硅料下流到底部时，就不会受冷膨胀并使石英坩埚胀裂，从而防止出现漏硅现象。
权利要求1.一种单晶炉内用保温筒，分成上、中、下三层，层与层之间设有连接环，其特征在于环绕中层保温筒与下层保温筒之间的连接环的外部设有若干层碳毡。
专利摘要本实用新型涉及一种单晶炉内用保温筒，该保温筒分成上、中、下三层，层与层之间设有连接环，且在环绕中层保温筒与下层保温筒之间的连接环的外部设有若干层碳毡。采用本实用新型，由于碳毡能保温，就会减少连接环散热，确保中层保温筒与下层保温筒之间保持相对的恒温，防止石英坩埚胀裂，从而出现漏硅现象。
文档编号C30B29/06GK202519364SQ20122015427
公开日2012年11月7日 申请日期2012年4月13日 优先权日2012年4月13日
发明者余小金, 郜勇军, 金炯 申请人:浙江矽盛电子有限公司