专利名称：单晶炉用石墨坩埚的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种直拉硅单晶炉用石墨坩埚，适用于直拉硅单晶棒的制造，主要应用于大直径硅单晶棒的生产，属于石墨坩埚技术领域。
背景技术：
随着经济全球化进程的加速和工业经济的迅猛发展，世界范围内的能源短缺和环境污染已成为制约人类社会可持续发展的两大重要因素。光伏发电因发电过程中无污染、 无噪音、维护简单、无需生产原料等优点而逐步显示出其发展空间和应用前景。太阳能电池用的单晶硅的制作是这个产业中重要的一个环节。单晶硅的制作一般采用直拉法的生产工艺，其制造过程主要分为以下几个阶段装多晶料、抽空、多晶硅熔化、颈及肩的生长、等直径生长、尾部晶体的生长和晶体冷却，其中大部分过程是吸热过程，即需要外部供给热量。 单晶炉中一般有一个石墨制的主发热体，在其两端通上直流电，产生热量，发热体处在吸热体的外面，热量是由外向内径向传导的。随着硅单晶直径的加大，单晶炉热场的尺寸变得越来越大，相应地，石墨坩埚的重量也大大增加。目前，使用的坩埚由于结构简单，存在着传热效率低、加热缓慢、加热时间长、能耗高等缺点。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，在此提供一种单晶炉用石墨坩埚， 具有传热效率提高、加热迅速、减少加热时间短、节约能耗。本实用新型是这样实现的，构造一种单晶炉用石墨坩埚，由圆筒状的坩埚本体构成，其特征是坩埚本体外表面形成有凹槽。根据本实用新型所述的单晶炉用石墨坩埚，其特征在于所述凹槽为间隔均勻的设置在坩埚本体外。根据本实用新型所述的一种单晶炉用石墨坩埚，其特征是凹槽的深度为1 一 5mm ο本实用新型的优点在于本实用新型通过增加石墨坩埚外表面积来提高传热面积，可使石墨坩埚的外表面积增加一倍，达到加大传热量、快速加热的目的。
图1是本实用新型所述的结构示意图其中1、坩埚本体，2、凹槽。
具体实施方式
为了克服现有技术的不足，本实用新型在此提供一种单晶炉用石墨坩埚，如图1 所示其中由圆筒状的坩埚本体1构成，并且在坩埚本体1外表面形成有凹槽2。由于在坩埚的外表面形成有凹槽2，因此增加了坩埚本体1的外表受热面积。其中通过增加石墨坩埚外表面积来提高传热面积，可使石墨坩埚的外表面积增加一倍，达到加大传热量、快速加热的目的。所述凹槽2为间隔均勻的设置在坩埚本体1外。所述的凹槽2的深度为1 一5mm。
权利要求1.一种单晶炉用石墨坩埚，由圆筒状的坩埚本体(1 )构成，其特征是坩埚本体(1) 外表面形成有凹槽(2)。
2.根据权利要求1所述的单晶炉用石墨坩埚，其特征在于所述凹槽(2)为间隔均勻的设置在坩埚本体(1)外。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉用石墨坩埚，其特征是凹槽(2)的深度为1一5mm ο
专利摘要本实用新型公开了一种单晶炉用石墨坩埚，由圆筒状的坩埚本体构成，其特征是坩埚本体外表面形成有凹槽。所述凹槽为间隔均匀的设置在坩埚本体外。凹槽的深度为1—5mm。由于在坩埚的外表面形成有凹槽，因此增加了坩埚本体的外表受热面积。其中通过增加石墨坩埚外表面积来提高传热面积，可使石墨坩埚的外表面积增加一倍，达到加大传热量、快速加热的目的。
文档编号C30B29/06GK201952523SQ201020695060
公开日2011年8月31日 申请日期2010年12月31日 优先权日2010年12月31日
发明者周雅清 申请人:乐山凯亚达光电科技有限公司