1.一种多层流延膜,其包含由齐格勒-纳塔催化的乙烯和α-烯烃共聚物制备的流延膜组件层,所述乙烯和α-烯烃共聚物具有:
约0.910g/cc和约0.930 g/cc之间的密度;
低于约3.5 wt%的己烷可提取物;
约20和约35 dg/min之间的熔体指数比(I21/I2);
约0.5和约10 dg/min之间的熔体指数(I2);
约3.0和约5.0之间的多分散性指数(Mw/Mn);和
在35oC的洗脱温度以下至少15%的升温洗脱分级(TREF)级分;
其中所述流延膜组件层在200%预拉伸下具有至少200克力/英寸宽度的粘着力和大于50 J/mm的抗缓慢穿刺性。
2.权利要求1所述的多层流延膜,其中所述共聚物通过在约50oC至约100oC范围内的反应温度下,在气相反应器过程中,在钛基齐格勒-纳塔催化剂存在下使乙烯和α-烯烃共聚单体反应来制备。
3.权利要求2所述的多层流延膜,其中所述α-烯烃共聚单体选自1-己烯、1-辛烯和1-丁烯。
4.权利要求2所述的多层流延膜,其中所述钛基齐格勒-纳塔催化剂包含:
a. 镁;
b. 具有式R1mSi(OR2)n的化合物,其中R1和R2是C1-C20碳原子,m=0-3,n=1-4,且m+n=4,并且其中各R1和各R2可相同或不同;
c. 具有式R3xSiXy的化合物,其中R3是C1-C20碳原子,X是卤素,x=0-3,y=1-4,且x+y=4,并且其中各X和各R3可相同或不同;
d. 具有式MX4和M(OR4)X4的化合物,其中M是钛,其中R4是C1-C20碳原子,X是卤素,并且其中各R4可相同或不同;
e. 取代的芳族氮化合物;和
f. 具有式R5X的卤代烷或芳族卤化物化合物,其中R5是含有3至20个碳原子的烷基或含有6至18个碳原子的芳族基团,并且X选自氯和溴。
5.权利要求1所述的多层流延膜,其中没有粘着添加剂存在于所述流延膜组件层中。
6.权利要求1所述的多层流延膜,其中所述流延膜组件层可不经预混合而用作皮层和芯层两者。
7.权利要求1所述的多层流延膜,其中所述流延膜组件层是所述皮层。
8.权利要求1所述的多层流延膜,其中所述流延膜组件层具有大于450 g/mil的TD撕裂强度。
9.权利要求1所述的多层流延膜,其中通过在50℃至100℃范围内的温度下,乙烯分压为10 psi至350 psi,并且共聚单体与乙烯之比为0.01至0.50,在钛基齐格勒-纳塔催化剂和烷基铝助催化剂存在下使乙烯和α-烯烃共聚单体反应来制备所述共聚物。
10.权利要求9所述的多层流延膜,其中所述α-烯烃共聚单体选自1-己烯、1-辛烯和1-丁烯。
11.权利要求9所述的多层流延膜,其中所述钛基齐格勒-纳塔催化剂包含:
g. 镁;
h. 具有式R1mSi(OR2)n的化合物,其中R1和R2是C1-C20碳原子,m=0-3,n=1-4,且m+n=4,并且其中各R1和各R2可相同或不同;
i. 具有式R3xSiXy的化合物,其中R3是C1-C20碳原子,X为卤素,x=0-3,y=1-4,且x+y=4,并且其中各X和各R3可相同或不同;
j. 具有式MX4和M(OR4)X4的化合物,其中M是钛,其中R4是C1-C20碳原子,X是卤素,并且其中各R4可相同或不同;
k. 取代的芳族氮化合物;和
l. 具有式R5X的卤代烷或芳族卤化物化合物,其中R5是含有3至20个碳原子的烷基或含有6至18个碳原子的芳族基团,并且X选自氯和溴。
12.一种多层流延膜,其包含由齐格勒-纳塔催化的乙烯和α-烯烃共聚物制备的流延膜组件层,其中所述流延膜组件层在200%预拉伸下具有至少200克力/英寸宽度的粘着力和大于50 J/mm的抗缓慢穿刺性,并且其中没有粘着添加剂存在于所述流延膜组件层中。
13.权利要求12所述的多层流延膜,其中所述流延膜组件层是皮层。
14.权利要求12所述的多层流延膜,其中所述流延膜组件层是芯层。
15.权利要求12所述的多层流延膜,其中所述流延膜组件层不经预混合而用作皮层和芯层两者。
16.权利要求12所述的多层流延膜,其中所述流延膜组件层具有大于450 g/mil的TD撕裂强度。
17.一种单层流延膜,其包含由齐格勒-纳塔催化的乙烯和α-烯烃共聚物制备的膜,其中所述流延膜组件层在200%预拉伸下具有至少200克力/英寸宽度的粘着力和大于50 J/mm的抗缓慢穿刺性,并且其中没有粘着添加剂存在于所述单层流延膜中。
18.权利要求17所述的多层流延膜,其中所述流延膜组件层具有大于450 g/mil的TD撕裂强度。