本发明涉及一种温控半导体bopet聚酯基膜及其生产工艺。
背景技术：
bopet聚酯薄膜具有强度高、刚性好、透明、光泽度高等特点,可以通过涂布或真空镀铝的方式，提升其性能从而扩大的应用领域；涂布是在薄膜表面涂布一层某种特性高分子溶液，如本文类似的温控半导体聚酯薄膜均是通过涂布具有温控半导体特性的高分子溶液在聚酯薄膜表层来达到这一效果的；本发明通过对聚酯原料共混改性后通过熔体直拉实现bopet基膜夹层具有温控半导体特性；相比涂布法而言，本发明减少后道加工工序及成本，半导体特性稳定永久，不会像涂布法一样表层的特性涂布溶剂易脱落造成特性消失。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明提供了一种温控半导体bopet聚酯基膜及其生产工艺。
为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：
一种温控半导体bopet聚酯基膜在120℃以下可导,120℃以上绝缘，包括abcde五层结构，其特征在于：c层为中间芯层，材料为大有光聚酯熔体；a/e层为上、下表层，材料包括sio2抗粘结母粒及有光聚酯熔体，b/d层为半导体特性层，材料包括半导体特性母粒、有光聚酯熔体；a层与e层材料具有如下质量百分比的组分：1％～2％的sio2抗粘结母粒及98％～99％有光聚酯熔体；b层与d层材料具有如下质量百分比的组分：20％～30％的温控半导体特性母粒及70％～80％有光聚酯熔体；c层材料为100%有光聚酯熔体。
优选的，a/e层厚度占10％～15％，b/d层厚度占15％～20％，c层厚度占40%。
优选的，sio2抗粘结母粒及半导体特性母粒均是由有微米级二氧化硅、纳米级温控铁电介质钛酸锶钡分别与有光聚酯熔体采用共混方法制备所得。
所述的温控半导体bopet聚酯基膜的生产工艺，包括如下步骤：
步骤一：分别将2.5～3.5μmsio2粉末和0.1～0.2μm钛酸锶钡粉末与有光聚酯熔体共混后，经铸带切粒制成3%的sio2母粒和10%半导体母粒；
步骤二：将a/e表层的sio2母粒、b/d特性层中间芯层的有光聚酯熔体与中间芯层聚酯熔体分别送入五层共挤双向拉伸设备并分别挤出，b/d层由一台双螺杆挤出机挤出；a/e层由一台双螺杆挤出机挤出；
步骤三：将a/e表层sio2抗粘结母粒在270℃～285℃挤出熔融，经有光聚酯熔体混合稀释成sio2含量为1100～1400ppm有光聚酯熔体，经过计量泵计量输送至过滤器过滤后至五层共挤模头；b/d特性层在270℃～285℃挤出熔融，经有光聚酯熔体混合稀释成特性介质含量为35000～50000ppm有光聚酯熔体，经过计量泵计量输送过滤器过滤后至五层共挤模头；c层中间芯层由聚酯熔体泵直接输送有光聚酯熔体经主料计量泵计量后至五层共挤模头；
步骤四：经五层共挤模头挤出铸片，挤出压力控制45～50bar；在运转的冷鼓上面快速冷却，冷却温度控制30～35℃；
步骤五：再通过85℃～105℃预热纵向和105℃～115℃横向拉伸，纵向拉伸比控制3.5～3.8，横向拉伸比控制在3.8～4.0；
步骤六：完成双向拉伸后经235℃～245℃定型处理冷却后收卷，制成厚度25～75μm的半导体bopet聚酯基膜母卷，然后进行母卷分切。
优选的，步骤二中b/d层由一台双螺杆挤出机挤出；a/e层由一台双螺杆挤出机挤出。
优选的，步骤三中，a/e表层的过滤器选用精度为15um～20um的碟片过滤器；b/d特性层的过滤器选用精度为精度为5um～10um的碟片过滤器。
优选的，步骤四中在铸片接触冷鼓前通过高压静电吸附在冷鼓上。
优选的，步骤五中，在拉伸过程的前端和后端均设有测厚仪。
优选的，步骤五中，在纵向拉伸过程中，采用差速两段式拉伸。
综上所述，本发明由于采用了以上技术方案，具有显著的技术效果：本发明通过半导体母粒及抗粘结母粒与聚酯有光pet共混共挤成膜，将半导体特性层置于膜层夹层防止半导体特性层的脱落，提高特性薄膜的稳定性；本发明在25℃～120℃条件下测试，具有良好的导电性，120℃以上时因特性介质本身属性发生变化，变成绝缘体，另外，高压静电可以使铸片很好的贴在冷鼓上，使冷缺效果更好，在拉伸过程的前后两端安装测厚仪，可以随时监控拉伸过程的变化，并作出调整，采用差速两段式拉伸，可以在保证拉伸长度的同时，降低转轴的转速。
附图说明
图1为一种温控半导体bopet聚酯基膜的结构示意图。
具体实施方式
通过图1对本发明一种温控半导体bopet聚酯基膜及其生产工艺作进一步的说明。
实施例一：
一种温控半导体bopet聚酯基膜在120℃以下可导,120℃以上绝缘，包括abcde五层结构，其特征在于：c层为中间芯层，材料为大有光聚酯熔体；a/e层为上、下表层，材料包括sio2抗粘结母粒及有光聚酯熔体，b/d层为半导体特性层，材料包括半导体特性母粒、有光聚酯熔体；a层与e层材料具有如下质量百分比的组分：1％的sio2抗粘结母粒及99％有光聚酯熔体；b/d层材料具有如下质量百分比的组分：20％的半导体特性母粒及80％有光聚酯熔体；c层材料为100%有光聚酯熔体。
优选的，a/e层厚度占10％，b/d层厚度占20％，c层厚度占40%。
优选的，sio2抗粘结母粒及半导体特性母粒均是由有微米级二氧化硅、纳米级半导体铁电介质钛酸锶钡分别与有光聚酯熔体采用共混方法制备所得。
所述的温控半导体bopet聚酯基膜的生产工艺，包括如下步骤：
步骤一：分别将2.5μmsio2粉末和0.1μm钛酸锶钡粉末与有光聚酯熔体共混后，经铸带切粒制成3%的sio2母粒和10%半导体母粒；
步骤二：将a/e表层的sio2母粒、b/d特性层中间芯层的有光聚酯熔体与中间芯层聚酯熔体分别送入五层共挤双向拉伸设备并分别挤出，b/d层由一台双螺杆挤出机挤出；a/e层由一台双螺杆挤出机挤出；
步骤三：将a/e表层sio2抗粘结母粒在270℃挤出熔融，经有光聚酯熔体混合稀释成sio2含量为1100ppm有光聚酯熔体，经过计量泵计量输送至过滤器过滤后至五层共挤模头；b/d特性层在270℃挤出熔融，经有光聚酯熔体混合稀释成特性介质含量为35000ppm有光聚酯熔体，经过计量泵计量输送过滤器过滤后至五层共挤模头；c层中间芯层由聚酯熔体泵直接输送有光聚酯熔体经主料计量泵计量后至五层共挤模头；
步骤四：经五层共挤模头挤出铸片，挤出压力控制45bar；在运转的冷鼓上面快速冷却，冷却温度控制30℃；
步骤五：再通过85℃预热纵向和105℃横向拉伸，纵向拉伸比控制3.5，横向拉伸比控制在3.8；
步骤六：完成双向拉伸后经235℃定型处理冷却后收卷，制成厚度25μm的半导体bopet聚酯基膜母卷，然后进行母卷分切。
优选的，步骤二中b/d层由一台双螺杆挤出机挤出；a/e层由一台双螺杆挤出机挤出。
优选的，步骤三中，a/e表层的过滤器选用精度为15um的碟片过滤器；b/d特性层的过滤器选用精度为精度为5um的碟片过滤器。
优选的，步骤四中在铸片接触冷鼓前采用高压静电吸附在冷鼓表面。
优选的，步骤五中，在拉伸过程的前端和后端均设有测厚仪。
优选的，步骤五中，在纵向拉伸过程中，采用差速两段式拉伸。
实施例二：
一种温控半导体bopet聚酯基膜在120℃以下可导,120℃以上绝缘，包括abcde五层结构，其特征在于：c层为中间芯层，材料为大有光聚酯熔体；a/e层为上、下表层，材料包括sio2抗粘结母粒及有光聚酯熔体，b/d层为半导体特性层，材料包括半导体特性母粒、有光聚酯熔体；a层与e层材料具有如下质量百分比的组分：2％的sio2抗粘结母粒及99％有光聚酯熔体；b/d层材料具有如下质量百分比的组分：30％的半导体特性母粒及70％有光聚酯熔体；c层材料为100%有光聚酯熔体。
优选的，a/e层厚度占15％，b/d层厚度占15％，c层厚度占40%。
优选的，sio2抗粘结母粒及半导体特性母粒均是由有微米级二氧化硅、纳米级半导体介质钛酸锶钡分别与有光聚酯熔体采用共混方法制备所得。
所述的半导体bopet聚酯基膜的生产工艺，包括如下步骤：
步骤一：分别将3.5μmsio2粉末和0.2μm钛酸锶钡粉末与有光聚酯熔体共混后，经铸带切粒制成3%的sio2母粒和10%半导体母粒；
步骤二：将a/e表层的sio2母粒、b/d特性层中间芯层的有光聚酯熔体与中间芯层聚酯熔体分别送入五层共挤双向拉伸设备并分别挤出，b/d层由一台双螺杆挤出机挤出；a/e层由一台双螺杆挤出机挤出；
步骤三：将a/e表层sio2抗粘结母粒在285℃挤出熔融，经有光聚酯熔体混合稀释成sio2含量为1400ppm有光聚酯熔体，经过计量泵计量输送至过滤器过滤后至五层共挤模头；b/d特性层在285℃挤出熔融，经有光聚酯熔体混合稀释成特性介质含量为50000ppm有光聚酯熔体，经过计量泵计量输送过滤器过滤后至五层共挤模头；c层中间芯层由聚酯熔体泵直接输送有光聚酯熔体经主料计量泵计量后至五层共挤模头；
步骤四：经五层共挤模头挤出铸片，挤出压力控制50bar；在运转的冷鼓上面快速冷却，冷却温度控制35℃；
步骤五：再通过105℃预热纵向和115℃横向拉伸，纵向拉伸比控制3.8，横向拉伸比控制在4.0；
步骤六：完成双向拉伸后经245℃定型处理冷却后收卷，制成厚度75μm的半导体bopet聚酯基膜母卷，然后进行母卷分切。
优选的，步骤二中b/d层由一台双螺杆挤出机挤出；a/e层由一台双螺杆挤出机挤出。
优选的，步骤三中，a/e表层的过滤器选用精度为20um的碟片过滤器；b/d特性层的过滤器选用精度为精度为10um的碟片过滤器。
优选的，步骤四中在铸片接触冷鼓前采用高压静电吸附在冷鼓表面。
优选的，步骤五中，在拉伸过程的前端和后端均设有测厚仪。
优选的，步骤五中，在纵向拉伸过程中，采用差速两段式拉伸。
实施例三：
一种温控半导体bopet聚酯基膜在120℃以下可导,120℃以上绝缘，包括abcde五层结构，其特征在于：c层为中间芯层，材料为大有光聚酯熔体；a/e层为上、下表层，材料包括sio2抗粘结母粒及有光聚酯熔体，b/d层为半导体特性层，材料包括半导体特性母粒、有光聚酯熔体；a层与e层材料具有如下质量百分比的组分：1.5％的sio2抗粘结母粒及98.5％有光聚酯熔体；b/d层材料具有如下质量百分比的组分：25％的半导体特性母粒及75％有光聚酯熔体；c层材料为100%有光聚酯熔体。
优选的，a/e层厚度占12％，b/d层厚度占18％，c层厚度占40%。
优选的，sio2抗粘结母粒及半导体特性母粒均是由有微米级二氧化硅、纳米级半导体介质钛酸锶钡分别与有光聚酯熔体采用共混方法制备所得。
所述的半导体bopet聚酯基膜的生产工艺，包括如下步骤：
步骤一：分别将2μmsio2粉末和0.15μm钛酸锶钡粉末与有光聚酯熔体共混后，经铸带切粒制成3%的sio2母粒和10%半导体母粒；
步骤二：将a/e表层的sio2母粒、b/d特性层中间芯层的有光聚酯熔体与中间芯层聚酯熔体分别送入五层共挤双向拉伸设备并分别挤出，b/d层由一台双螺杆挤出机挤出；a/e层由一台双螺杆挤出机挤出；
步骤三：将a/e表层sio2母粒在280℃挤出熔融，经有光聚酯熔体混合稀释成sio2含量为1200ppm有光聚酯熔体，经过计量泵计量输送至过滤器过滤后至五层共挤模头；b/d特性层在280℃挤出熔融，经有光聚酯熔体混合稀释成特性介质含量为40000ppm有光聚酯熔体，经过计量泵计量输送过滤器过滤后至五层共挤模头；c层中间芯层由聚酯熔体泵直接输送有光聚酯熔体经主料计量泵计量后至五层共挤模头；
步骤四：经五层共挤模头挤出铸片，挤出压力控制48bar；在运转的冷鼓上面快速冷却，冷却温度控制32℃；
步骤五：再通过95℃预热纵向和110℃横向拉伸，纵向拉伸比控制3.6，横向拉伸比控制在3.9；
步骤六：完成双向拉伸后经240℃定型处理冷却后收卷，制成厚度50μm的半导体bopet聚酯基膜母卷，然后进行母卷分切。
优选的，步骤二中b/d层由一台双螺杆挤出机挤出；a/e层由一台双螺杆挤出机挤出。
优选的，步骤三中，a/e表层的过滤器选用精度为18um的碟片过滤器；b/d特性层的过滤器选用精度为精度为8um的碟片过滤器。
优选的，步骤四中在铸片接触冷鼓前采用高压静电吸附在冷鼓表面。
优选的，步骤五中，在拉伸过程的前端和后端均设有测厚仪。
优选的，步骤五中，在纵向拉伸过程中，采用差速两段式拉伸。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。