专利名称：去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置及清洗方法
技术领域：
本发明涉及一种清洗装置，特别是一种结构简单的去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置；本发明还涉及一种使用该清洗装置的清洗方法。
背景技术：
刻蚀过程使用的气体有HBr、Cl2、CF4等腐蚀性气体，于是在刻蚀过程后在刻蚀图形侧壁及周围会残留一定数量的聚合物，如图1和图2所示。这些聚合物形成的主要原因为由光阻(光刻胶)中分离出来的碳与刻蚀剂(含氟、氯、溴元素气体)和刻蚀生成物(如溴化物、氯化物等)结合在一起，形成难以去除的氟碳聚合链化合物，并覆盖在图形侧壁及底部。残留在侧壁或周围的聚合物必须经过化学清洗的方法或其他等离子体清洗的方法予以去除，否则它们成为下一步工艺的污染源并可能造成器件的短路或断路，影响器件成品率和可靠性。
目前所普遍使用的清洗方法是槽式湿法清洗在刻蚀工艺结束后对硅片进行湿法清洗，以去除硅片表面的聚合物。该方法一次装入一个硅片盒(Cassette)(25片)硅片，而清洗液需要将整个cassette浸泡才能进行清洗，所需清洗液较多。将cassette放入装有不同清洗剂的清洗槽中轮流浸泡，每次浸泡后采用超净水喷淋后，进入下一个清洗槽，最后采用氮气吹干或加热烘干。典型流程为浓硫酸(120℃)→水洗→氨水+双氧水→水洗→氢氟酸→水洗→吹干/烘干。该清洗方法的的缺点有1.清洗程序复杂，次数多，清洗剂、超净水消耗量大，成本高；2.该清洗方法适合于生产线流程式的操作，而对于工艺研发来说有些累赘。
另外，也有用硅片清洗机进行兆声清洗的，该方法是在刻蚀工艺结束后，采用单片硅片清洗机对刻蚀过程产生的聚合物进行清洗。真空将硅片吸附在可以进行不同转速和喷淋时间的设置，连续完成多步清洗步骤。典型工艺为兆声→氨水+双氧水(可以进行加温)→水洗→盐酸+双氧水→水洗→兆声→甩干。该种清洗方法的缺点是1.设备本身造价较高；2.清洗剂、超净水消耗量大，清洗成本高；3.无加热功能(无法到达120℃高温)清洗聚合物效果较差。
发明内容
(一)要解决的技术问题本发明的一个目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种适合工艺研发阶段的需要，而且结构简单、操作方便的去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置；本发明的另一个目的在于提供一种使用本发明的装置的清洗方法。
(二)技术方案为实现上述目的，本发明采用如下技术方案本发明去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置，其中包括底板和设置在底板周围的护框以及设置在护框上的提手，所述底板上均匀分布有若干渗漏孔。
其中所述护框内侧设有用于限位的若干硅片固定槽。
其中所述渗漏孔为椭圆形、圆形、三角形、方形或长条形。
本发明的清洗方法，包括如下步骤A、将待清洗的硅片放在底板上面；B、将清洗装置放入带加温装置的浓H2SO4清洗槽中清洗；C、将经步骤B处理的硅片用纯净水冲洗干净；D、将经步骤C处理的硅片放入HF清洗槽中清洗；E、将经步骤D处理的硅片用纯净水冲洗干净，烘干即可。
其中所述步骤B中清洗槽中的H2SO4与水的比值为4∶1，清洗槽内温度为120度。
其中所述步骤D中HF与水的比值为1∶100。
其中在各个清洗步骤中还包括振摇清洗装置步骤。
(三)有益效果本发明的去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置的优点和积极效果在于本发明的装置，只包括底板、护框和提手，所以结构简单，相应地成本低廉，操作简单、方便。
使用本发明的清洗方法，所需要的清洗液较少，极大的节约了成本，对于工艺研发阶段具有重要意义。
图1是刻蚀后残留在图形侧壁的聚合物；图2是刻蚀后残留在图形周围的聚合物；图3是本发明去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置的结构示意图。
图中1.底板；2.护框；3.硅片固定槽；4.提手；5.渗漏孔。
具体实施例方式
下面结合附图，进一步详细说明本发明去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置的具体实施方式
，但不用来限制本发明的保护范围。
参见图1。本发明的去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置，去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置，包括底板1、设置在底板1周围的护框以及设置在护框2上的提手4，护框2内侧设有用于限位的若干硅片固定槽3。所述底板1上均匀分布有若干椭圆形的渗漏孔5。渗漏孔5还可以是圆形、三角形、方形或长条形等其他形状。本发明的去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置中，底板1镂空的设计以及侧面的硅片固定槽可以在清洗的时候进行上下的运动，从而使得清洗效果更好。
本发明的清洗方法，包括如下步骤A将待清洗的硅片放在底板1上面，并插入硅片固定槽3中；B将清洗装置放入带加温装置的浓H2SO4清洗槽中清洗，其中H2SO4与水的比值为4∶1，清洗槽内温度为120度。
C将经步骤B处理的硅片用纯净水冲洗干净；D将经步骤C处理的硅片放入HF清洗槽中清洗，其中HF与水的比值为1∶100。
E将经步骤D处理的硅片用纯净水冲洗干净，烘干即可。
在上述的各个清洗步骤中都可以上、下振动或左、右摇动清洗装置，以便清洗的更彻底。
以上为本发明的最佳实施方式，依据本发明公开的内容，本领域的普通技术人员能够显而易见地想到的一些雷同、替代方案，均应落入本发明保护的范围。
权利要求
1.去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置，其特征在于包括底板(1)和设置在底板(1)周围的护框(2)以及设置在护框(2)上的提手(4)，所述底板(1)上均匀分布有若干渗漏孔(5)。
2.根据权利要求1所述的去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置，其特征在于所述护框(2)内侧设有用于限位的若干硅片固定槽(3)。
3.根据权利要求1所述的去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置，其特征在于所述渗漏孔(5)为椭圆形、圆形、三角形、方形或长条形。
4.一种使用如权利要求1所述的单片清洗装置的清洗方法，其特征在于包括如下步骤A、将待清洗的硅片放在底板(1)上面；B、将清洗装置放入带加温装置的浓H2SO4清洗槽中清洗；C、将经步骤B处理的硅片用纯净水冲洗干净；D、将经步骤C处理的硅片放入HF清洗槽中清洗；E、将经步骤D处理的硅片用纯净水冲洗干净，烘干即可。
5.根据权利要求4所述的单片清洗方法，其特征在于所述步骤B中清洗槽中的H2SO4与水的比值为4∶1。
6.根据权利要求4所述的单片清洗方法，其特征在于所述步骤B中清洗槽内温度为120度。
7.根据权利要求4所述的单片清洗方法，其特征在于所述步骤D中HF与水的比值为1∶100。
8.根据权利要求4所述的单片清洗方法，其特征在于在各个清洗步骤中还包括振摇清洗装置步骤。
全文摘要
本发明涉及清洗装置。本发明去除刻蚀后聚合物的单片清洗装置包括底板和设置在底板周围的护框以及设置在护框上的提手，所述底板上均匀分布有若干渗漏孔。本发明的清洗装置的有益效果是结构简单，相应地成本低廉，操作简单、方便。本发明的清洗方法包括如下将待清洗的硅片放在底板上面；将清洗装置放入带加温装置的浓H
文档编号B08B3/10GK1850363SQ20051012630
公开日2006年10月25日 申请日期2005年12月5日 优先权日2005年12月5日
发明者霍秀敏 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司