专利名称：一种太阳能硅片的表面清洗方法
技术领域：
本发明涉及一种太阳能硅片的表面清洗方法。
背景技术：
目前，太阳能硅片的清洗方法是在晶棒切成片并经脱胶后，先用纯水漂洗，接着用纯水超声清洗，然后又在纯水中加入清洗剂进行超声波清洗，之后再经多次纯水超声波漂 洗即完成清洗工艺。这种清洗方法不彻底，导致太阳能硅片表面的化学物、金属杂质、酸碱 残留等过多，会使太阳能硅片制绒时出现白斑，产生色差现象，影响成品率及产品质量。
发明内容
本发明的目的是提供能提高太阳能硅片表面清洁度的一种太阳能硅片的表面清 洗方法。本发明采取的技术方案是一种太阳能硅片的表面清洗方法，其特征在于在晶棒 切成太阳能硅片并经脱胶后，先在浓度为1 3%的氢氟酸溶液中浸泡，接着采用纯水漂 洗，接着放在浓度为1 3%的柠檬酸溶液中并导入纯净压缩空气边鼓泡边浸泡，然后又采 用纯水漂洗，之后又在浓度为1 3%的硅片清洗剂中采用超声波清洗，接着再经多次纯水 超声波漂洗后，最后放入温度保持在45 70°C的纯水中并采用超声波清洗即可。采用本发明方法，由于采用了酸液浸泡，并导入纯净压缩空气鼓泡，使太阳能硅片 表面的金属粘污物及切割溶液迅速分解剥离，大大增加了硅片表面清洁度，从而提高了太 阳能硅片制绒的成品率及质量。
具体实施例方式下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。1、在晶棒切成片并经脱胶后，在浓度为1 3%的氢氟酸溶液中浸泡3分钟以上。2、接着，经纯水漂洗3分钟以上；3、接着，放在浓度为1 3%柠檬酸溶液中，导入纯净压缩空气边鼓泡边浸泡3分 钟以上；4、然后，又经纯水漂洗3分钟以上；5、之后，又在浓度为1 3%的硅片清洗液中采用超声波清洗3分钟以上；6、接着再经四次纯水超声波漂洗，每次在3分钟以上；7、最后，放在温度保持在45°C 70°C的纯水中采用超声波清洗3分钟以上即可。
权利要求
一种太阳能硅片的表面清洗方法，其特征在于在晶棒切成太阳能硅片并经脱胶后，先在浓度为1～3％的氢氟酸溶液中浸泡，接着采用纯水漂洗，接着放在浓度为1～3％的柠檬酸溶液中并导入纯净压缩空气边鼓泡边浸泡，然后又采用纯水漂洗，之后又在浓度为1～3％的硅片清洗剂中采用超声波清洗，接着再经多次纯水超声波漂洗后，最后放入温度保持在45～70℃的纯水中并采用超声波清洗即可。
全文摘要
本发明涉及一种太阳能硅片的表面清洗方法，该方法在晶棒切成太阳能硅片并经脱胶后，先在浓度为1～3％的氢氟酸溶液中浸泡，接着采用纯水漂洗，接着放在浓度为1～3％的柠檬酸溶液中并导入纯净压缩空气边鼓泡边浸泡，然后又采用纯水漂洗，之后又在浓度为1～3％的硅片清洗剂中采用超声波清洗，接着再经多次纯水超声波漂洗后，最后放入温度保持在45～70℃的纯水中并采用超声波清洗即可。采用本发明方法，由于采用了酸液浸泡，并导入纯净压缩空气鼓泡，使太阳能硅片表面的金属粘污物及切割溶液迅速分解剥离，大大增加了硅片表面清洁度，从而提高了太阳能硅片制绒的成品率及质量。
文档编号B08B3/08GK101817006SQ20101012981
公开日2010年9月1日 申请日期2010年3月22日 优先权日2010年3月22日
发明者方建和, 柴宏峰, 郜勇军 申请人:浙江矽盛电子有限公司