专利名称：双银低辐射玻璃的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种镀膜玻璃，尤其是涉及一种双银低辐射玻璃。
背景技术：
我们知道，传统的低辐射玻璃主要是单银LOW-E复合膜玻璃，其在性能上，遮阳系 数、可见光透过率和U值等都无法达到市场对高性能产品的要求，而由于单银镀膜玻璃结 构上的限制，其只能采用先钢化后镀膜的方式来进行生产，使得生产工艺复杂，且成本高。
实用新型内容为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种能有效降低生产成 本、低遮阳系数、高可见光透过率、低U值的双银低辐射玻璃。本实用新型是通过以下技术方案来实现的一种双银低辐射玻璃，包括浮法玻璃和镀膜层，其特征在于，镀膜层包括依次镀覆 的复合膜一和复合膜二，其中，复合膜一的膜层结构依次为第一电介质层、第二电介质层、 第一银层、第一保护层、第三电介质层和第四电介质层，而复合膜二的膜层结构依次为第 五电介质层、第六电介质层、第二银层、第二保护层、第七电介质层和第八电介质层。所述的第一电介质层、第四电介质层和第八电介质层的材料分别选自Si3N4、 SiNxOy中的一种或两种混合。所述的第二电介质层和第六电介质层的材料为aio。所述的第三电介质层和第七电介质层的材料为aiSn03。所述的第一保护层和第二保护层的材料选自NiCr、NiCrOx ；中的一种或者两种混
I=I O所述的第五电介质层的材料选自Si3N4、SiNx0y、Tx0、ZnSnO3中的一种或几种。本实用新型的有益效果是本实用新型通过采用双银的膜层结构，使得其加工方 法发生了改变，可实现先镀膜再进行改切、磨边、钢化等后续加工，简化了工艺步骤，降低了 生产成本，而最重要的是，本实用新型具有低遮阳系数、高可见光透过率、低U值的性能。
图1为本实用新型一实施例的结构示意图；图2为本实用新型所述的复合膜一的结构示意图；图3为本实用新型所述的复合膜二的结构示意图。图中主要附图标记含义为1、浮法玻璃2、复合膜一21、第一电介质层 22、第二电介质层24、第一保护层25、第三电介质层31、第五电介质层 32、第六电介质层
3、复合膜二 23、第一 Ag层 26、第四电介质层 33、第二 Ag层
3[0020]34、第二保护层35、第七电介质层 38、第八电介质层具体实施方式
下面将结合附图，详细说明本实用新型的具体实施方式
图1为本实用新型一实施例的结构示意图；图2为本实用新型所述的复合膜一的 结构示意图；图3为本实用新型所述的复合膜二的结构示意图。如图1至图3所示双银低辐射玻璃，包括浮法玻璃1和镀膜层，其特征在于，镀膜 层包括依次镀覆的复合膜一 2和复合膜二 3，其中，复合膜一 1的膜层结构依次为第一电 介质层21、第二电介质层22、第一银层23、第一保护层M、第三电介质层25和第四电介质 层26，而复合膜二 3的膜层结构依次为第五电介质层31、第六电介质层32、第二银层33、 第二保护层34、第七电介质层35和第八电介质层36。其中第一电介质层21、第四电介质层沈和第八电介质层36的材料分别选自 Si3N4^SiNxOy中的一种或两种混合；第二电介质层22和第六电介质层32的材料为SiO ’第 三电介质层25和第七电介质层35的材料为aiSn03。而所述的第一保护层M和第二保护层34的材料选自NiCr、NiCrOx ；中的一种或 者两种混合。此外，第五电介质层31的材料选自Si3N4、SiNxOy、TxO JnSnO3中的一种或几种。第一电介质层21的作用是防止浮法玻璃1中的Na+向膜层中渗透，保证产品经过 热处理后颜色及性能不会受到影响，且能够增加膜层和浮法玻璃1之间的吸附力。第二电介质层22和第六电介质层32作用是对银层起铺垫作用，银层在其上可以 更好地成膜，且保护银层不被氧化。第一银层23和第二银层33的作用是降低辐射。第三电介质层25、第四电介质层沈和第五电介质层31的作用是保护整个膜层结 构，减少氧化，提高其物理和化学性能，同时控制膜系的光学性能和颜色。第六电介质层32的作用是保护整个膜层结构，减少氧化，提高其物理和化学性 能，控制膜系的光学性能和颜色，同时还可保护膜层，防止起划伤。此外，本实用新型的生产工艺为首先选用新鲜的浮法玻璃1，然后通过清洗机清 洗达到要求后，进过预真空过度，然后镀制复合膜一 2，经切割、洗磨、钢化、清洗干燥后，再 镀制复合膜二 3，然后经除膜、清洗、干燥、中空后，经喷塑胶粉粒处理后用PE布密封包装。其中，在洗磨工序，建议砂带打磨，若上机磨，则应放低压轮且每隔一段距离增加 一个喷淋管，洗片机毛刷采用质地较软的且水加热后，开始清洗，清洗使用去离子水；而钢 化(或热弯)工序，则采用对流式钢化炉，在相同厚度的普通白玻基础上，适当降低钢化温 度，延长加热时间；此外，中空时，使用去离子水，且边部除膜；且在镀复合膜二 3前的清洗， 不能使用盘刷，应使用质地较软的滚筒刷且水加热后，开始清洗，清洗使用去离子水。此外，上述的各膜层的材料的镀制工艺如下当电介质层选用材料SiNxOy时，通过旋转交流阴极的硅铝靶在氮、氧、氩氛围中 溅射，其中Si Al = 92 8 ；当电介质层选用材料Si3N4时，通过旋转交流阴极的硅铝靶在氮、氩氛围中溅射， 其中 Si Al = 92 8 ；[0037]当电介质层的材料为ZnO时，通过旋转交流阴极的锌铝靶在氮、氩氛围中溅射，其 中Si Al=98 2;银层，通过直流平面阴极的银靶在氩气氛围中溅射；当保护层的材料为NiCrOx时，通过直流平面阴极NiCr合金靶在氧氩氛围中溅射， 其中 Ni Cr = 80 20 ；当保护层的材料为MCr时，通过直流平面阴极MCr合金靶在氩氛围中溅射，其中 Ni Cr = 80 20 ；当电介质层的材料为SiSnO3时，通过旋转交流阴极的锌锡合金靶在氧氩氛围中溅 射，其中 Zn Sn = 50 50 ；当电介质层的材料为TxO时，通过旋转交流阴极的陶瓷钛靶在氧氩氛围中溅射。本实用新型的生产工艺简单，降低了生产成本，并极大地降低了玻璃表面的辐射 率，并提高了玻璃对光谱的选择性，使其使用性能达到了最佳。以上已以较佳实施例公开了本实用新型，然其并非用以限制本实用新型，凡采用 等同替换或者等效变换方式所获得的技术方案，均落在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种双银低辐射玻璃，包括浮法玻璃和镀膜层，其特征在于，镀膜层包括依次镀覆的 复合膜一和复合膜二，其中，复合膜一的膜层结构依次为第一电介质层、第二电介质层、第 一银层、第一保护层、第三电介质层和第四电介质层，而复合膜二的膜层结构依次为第五 电介质层、第六电介质层、第二银层、第二保护层、第七电介质层和第八电介质层。
2.根据权利要求1所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述的第一电介质层、第四电 介质层和第八电介质层的材料分别选自Si3N4、SiNxOy中的一种。
3.根据权利要求1所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述的第二电介质层和第六 电介质层的材料为SiO。
4.根据权利要求1所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述的第三电介质层和第七 电介质层的材料为SiSnO3。
5.根据权利要求1所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述的第一保护层和第二保 护层的材料选自NiCr、NiCrOx ；中的一种。
6.根据权利要求1所述的双银低辐射玻璃，其特征在于，所述的第五电介质层的材料 选自 Si3N4, SiNxOy, TxO, ZnSnO3 中的一种。
专利摘要本实用新型公开了一种双银低辐射玻璃，包括浮法玻璃和镀膜层，其特征在于，镀膜层包括依次镀覆的复合膜一和复合膜二，其中，复合膜一的膜层结构依次为第一电介质层、第二电介质层、第一银层、第一保护层、第三电介质层和第四电介质层，而复合膜二的膜层结构依次为第五电介质层、第六电介质层、第二银层、第二保护层、第七电介质层和第八电介质层。本实用新型通过采用双银的膜层结构，使得其加工方法发生了改变，可实现先镀膜再进行改切、磨边、钢化等后续加工，简化了工艺步骤，降低了生产成本，而最重要的是，本实用新型具有低遮阳系数、高可见光透过率、低U值的性能。
文档编号C03C17/36GK201817404SQ20102051543
公开日2011年5月4日 申请日期2010年9月1日 优先权日2010年9月1日
发明者林嘉宏 申请人:林嘉宏