专利名称：可异地加工的低辐射玻璃的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种镀膜玻璃，尤其是涉及一种可异地加工的低辐射镀膜玻璃。
背景技术：
低辐射镀膜玻璃是通过磁控真空溅射的方法，在优质浮法玻璃表面均勻地镀制 包括银层在内的多层金属或金属氧化物(氮化物)的膜系产品，此种产品，极大地降低了浮 法玻璃表面的辐射率.并提高了对光谱的选择性。但是，传统的低辐射镀膜玻璃，其 膜层结构及选用的材料通常为GlaSS/Si3N4/ NiCr/Ag /NiCr/ Si3N4 或 Glass/Si3N4/NiCr/Ag /CrNx/ Si3N4,上述结构适合生产遮阳型单银低辐射镀膜玻璃，但生产高透型低辐射镀膜玻璃时 就无法避免产品的抗氧化性能与低辐射性能之间的矛盾，因为如果要提高抗氧化性能就势 必保证金属保护层的厚度不能太薄，但这样就会损失可见光的透过，达不到高透的效果；而 如果保证金属保护层厚度不变，通过降低银层的厚度来提高可见光透过的话又会降低低辐 射的性能，即使增加Si3N4电介质膜层的厚度(甚至超过40nm)，也无法达到理想的效果。
发明内容为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种能有效降低玻璃表面 的反射率、并提高玻璃对可见光透过的可异地加工的低辐射镀膜玻璃。本实用新型是通过以下技术方案来实现的—种可异地加工的低辐射镀膜玻璃，包括浮法玻璃和镀膜层，镀膜层包括以浮法 玻璃为基础层向外依次镀覆的第一电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层和第二电介质 层，其中第一电介质层和第二电介质层的材料为Si3N4，其特征在于，所述的第一保护层和第 二保护层的材料为&02。本实用新型的有益效果是本实用新型通过采用&02材料的氧化物膜层取代金 属膜层作保护层，简化了工艺步骤，降低了生产成本，而最重要的是，本实用新型极大地降 低了玻璃表面的辐射率，并提高了玻璃对可见光透过，且具有较强的抗机械擦伤性能，使产 品性能达到了最佳。
图1为本实用新型一实施例的结构示意图。图中主要附图标记含义为1、浮法玻璃2、第一电介质层 3、第一保护层4、Ag层5、第二保护层6、第二电介质层。
具体实施方式
下面将结合附图，详细说明本实用新型的具体实施方式
[0014]图1为本实用新型一实施例的结构示意图。如图1所示可异地加工的低辐射镀膜玻璃，包括浮法玻璃1和镀膜层，其中，镀膜 层包括以浮法玻璃为基础层向外依次镀覆的第一电介质层2、第一保护层3、Ag层4、第二保 护层5和第二电介质层6，其中第一电介质层2和第二电介质层6的材料为Si3N4，而所述的 第一保护层3和第二保护层5的材料为&02。此外，本实用新型的生产工艺为首先选用新鲜的浮法玻璃1，然后通过清洗机清 洗达到要求后，按顺序依次镀制第一电介质层2、第一保护层3、Ag层4、第二保护层5和第 二电介质层6，最后经喷塑胶粉粒处理后用PE布密封包装。更为具体的是其中的第一电介质层2和第二电介质层6是通过双旋转阴极、中频 磁控溅射形成，其中溅射条件为背景真空度在10_6mbar条件下，充入Ar和N2的混合气 体，保持真空度在10_3mbar左右。而第一保护层3和第二保护层5通过平面阴极溅射形成，其中溅射条件为背 景真空度在10_6mbar条件下，充入Ar和反应气体02的混合气体，然后保持真空度在 lCT3mbar 左右。而Ag层4是通过平面阴极溅射形成，其中溅射条件为背景真空度在10_6mbar条 件下，充入Ar，然后保持真空度在IO-3Hibar左右。具体实施例1 第一电介质层2和第二电介质层6选用Si3N4，其中第一电介质层2的膜层厚度为 32nm 33nm，而第二电介质层6的膜层厚度为34nm 35nm，而第一保护层3和第二保护层 5选用Zr02，其中第一保护层3的膜层厚度为3. 2nm 3. 4nm，而第二保护层5的膜层厚度 为3. 3nm 3. 5nm，此外，Ag层4的膜层厚度为13nm 14nm。上述实施例的生产步骤为所有Si3N4膜层采用双阴极旋转靶在中频电源下溅射， 工艺气体为Ar和N2的混合气体，溅射功率为20kw lOOkw，中频电源频率为20kHz 50kHz.；所有&02膜层采用平面阴极在直流电源下溅射，工艺气体为Ar和02和混合气 体，溅射功率为3kw 20kw ；Ag膜层采用平面阴极在直流电源下溅射，工艺气体为Ar，溅射功率为5kw 15kw。本实用新型的生产工艺简单，降低了生产成本，并极大地降低了玻璃表面的辐射 率，并提高了玻璃对对可见光透过，使其使用性能达到了最佳。以上已以较佳实施例公开了本实用新型，然其并非用以限制本实用新型，凡采用 等同替换或者等效变换方式所获得的技术方案，均落在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1. 一种可异地加工的低辐射镀膜玻璃，包括浮法玻璃和镀膜层，镀膜层包括以浮法玻 璃为基础层向外依次镀覆的第一电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层和第二电介质 层，其中第一电介质层和第二电介质层的材料为Si3N4，其特征在于，所述的第一保护层和第 二保护层的材料为&02。
专利摘要本实用新型公开了一种可异地加工的低辐射镀膜玻璃，包括浮法玻璃和镀膜层，镀膜层包括以浮法玻璃为基础层向外依次镀覆的第一电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层和第二电介质层，其中第一电介质层和第二电介质层的材料为Si3N4，其特征在于，所述的第一保护层和第二保护层的材料为ZrO2。本实用新型通过采用ZrO2材料的氧化物膜层取代金属膜层作保护层，简化了工艺步骤，降低了生产成本，而最重要的是，本实用新型极大地降低了玻璃表面的辐射率，并提高了玻璃对可见光透过，且具有较强的抗机械擦伤性能，使产品性能达到了最佳。
文档编号C03C17/36GK201817408SQ201020545409
公开日2011年5月4日 申请日期2010年9月28日 优先权日2010年9月28日
发明者林嘉宏 申请人:林嘉宏