用于沉积氧化锌涂层的化学气相沉积工艺、用于形成导电玻璃制品的方法以及由此制成 ...的制作方法
【专利摘要】提供了一种用于沉积氧化锌涂层的CVD工艺。所述CVD工艺包括提供移动的玻璃衬底。所述CVD工艺还包括：形成烷基锌化合物和惰性气体的气态混合物作为第一料流，在第二料流中提供第一气态无机含氧化合物，并且在第二料流中、在第三料流中或者在第二料流和第三料流两者中提供第二气态无机含氧化合物。另外，所述CVD工艺包括在移动的玻璃衬底的表面上或者在移动的玻璃衬底的表面附近混合所述料流并在移动的玻璃衬底的表面上形成氧化锌涂层。还提供了一种用于形成涂覆玻璃制品的方法。另外，还提供了一种涂覆玻璃制品。
【专利说明】用于沉积氧化待涂层的化学气相沉积工艺、用于形成导电 玻璃制品的方法W及由此制成的涂覆玻璃制品
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请根据美国法典第35条第119款（e)项要求2012年3月16日提交的、申请 号61/611，715的临时申请的权益，因此通过引用将其全部公开内容并入。
【技术领域】
[0003]本发明涉及一种用于沉积氧化锋涂层的工艺。更具体地，本发明涉及一种用于沉 积氧化锋涂层的化学气相沉积（CVD)工艺。本发明还涉及一种用于形成涂覆玻璃制品的方 法W及一种涂覆有具备某些期望性质的氧化锋层的玻璃制品。
【背景技术】
[0004]在玻璃衬底上沉积氧化锋涂层是已知的。但是，已知的氧化锋涂层的制造工艺受 到限制。例如，用于沉积氧化锋涂层的已知工艺可能损坏先前沉积在玻璃衬底上的涂层。因 而，在某些涂层上形成氧化锋涂层是个难题，或者可选地，其上能够沉积氧化锋的层受到限 巧||。所W，希望提供一种改进的工艺，该工艺比用于形成氧化锋涂层的已知工艺更稳固。所 得到的涂覆玻璃制品也是符合要求的。
【发明内容】
[0005]本发明提供了一种用于沉积氧化锋涂层的化学气相沉积工艺。在一个实施例中， 该化学气相沉积工艺包括提供移动的玻璃衬底。该化学气相沉积工艺还包括；形成焼基锋 化合物和惰性气体的气态混合物作为第一料流，在第二料流中提供第一气态无机含氧化合 物，并且在第二料流中、在第H料流中或者在第二料流和第H料流两者中提供第二气态无 机含氧化合物。在移动的玻璃衬底的表面上或者在移动的玻璃衬底的表面附近混合气态料 流，W在移动的玻璃衬底的表面上形成氧化锋涂层。
[0006]此外，还提供了 一种用于形成涂覆玻璃制品的方法。在一个实施例中，所述用于形 成涂覆玻璃制品的方法包括提供玻璃衬底，所述玻璃衬底具有沉积在其上的导电氧化锡涂 层。该方法还包括在导电氧化锡涂层上形成包括气态含锋化合物、第一气态无机含氧化合 物、第二气态无机含氧化合物和惰性气体的气态混合物。使气态混合物反应W在导电氧化 锡涂层上沉积氧化锋涂层，将表面电阻（sheetresistance)保持在0. 5欧姆/平方（Ohms/ sq)W内。
[0007] 另外，还提供了一种涂覆玻璃制品。在一个实施例中，所述涂覆玻璃制品包括玻璃 衬底、沉积在玻璃衬底上的惨氣氧化锡涂层和沉积在惨氣氧化锡涂层上的氧化锋涂层。该 涂覆玻璃制品呈现的表面电阻小于15欧姆/平方。
【专利附图】
【附图说明】
[000引当根据附图考虑如下的详细描述时，本发明的上述W及其它的优点对本领域技术 人员来说将变得显而易见，在附图中：
[0009] 图1是根据本发明的某些实施例用于实施浮法玻璃工艺的装置的竖直剖视的示 意图，所述装置包括适当地定位在浮槽中的四个涂覆设备，用W在玻璃衬底上形成涂层；
[0010] 图2是图1中的涂覆设备实施例的侧视图；
[0011] 图3是图2中的涂覆设备实施例的横截面视图；
[0012] 图4是根据本发明实施例的涂覆玻璃制品的局部截面视图；W及
[0013]图5是根据本发明实施例的涂覆玻璃制品的局部截面视图。
【具体实施方式】
[0014] 应当理解，本发明可W采取各种可选的取向和步骤顺序，除非明确规定为相反。还 应当理解，在附图中示出的W及在下面的说明内容中描述的特定工艺、方法、设备和产品仅 仅是本发明构思的示范性实施例。因此，所公开的实施例中涉及的特定尺寸、方向或其它的 物理特性不应被认为是限制性的，除非另有明确说明。而且，尽管可能并非如此，但是，本申 请的该部分所描述的各种实施例中同样的元件可W共同引用同样的附图标记。
[0015] 在一个实施例中，提供了 一种用于沉积氧化锋涂层的CVD工艺（在下文中也被称 为"CVD工艺")。在某些实施例中，将结合形成涂覆玻璃制品来介绍CVD工艺。涂覆玻璃制 品可W具有多种用途和/或可W被用于多种应用。例如，涂覆玻璃制品可W用作太阳能电 池制造中的超基板（superstate)。但是，本领域技术人员应当理解，涂覆玻璃制品也可W 用作太阳能电池制造中的衬底。此外，在此描述的涂覆玻璃制品并不局限于在太阳能电池 应用中使用。例如，在某些实施例中，涂覆玻璃制品可W被用于建筑物的玻璃窗。此外，涂 覆玻璃制品可W被用于电子设备和/或具有汽车和航空方面的应用。
[0016] 为了描述在此公开的某些实施例，氧化锋涂层可W利用化学式ZnO表示。最优选 地，氧化锋涂层主要包含锋和氧，可能还包含微量染污物，例如碳的微量染污物。关于该实 施例，氧化锋涂层可描述为"无惨杂的"。但是，在某些实施例中，氧化锋涂层可W惨杂或共 同惨杂，该样，其包括锋、氧和至少一种惨杂材料。在一个实施例中，氧化锋涂层为热解涂 层。
[0017] CVD工艺包括提供玻璃衬底。玻璃衬底具有沉积表面，氧化锋涂层形成在所述沉积 表面上方。在本申请的该部分中，玻璃衬底可W用附图标记18或84中的任一个表示。
[0018] 在某些实施例中，CVD工艺在动态沉积条件下实施。在该些实施例中，CVD工艺包 括提供移动的玻璃衬底，即玻璃衬底在形成氧化锋涂层的时候是移动的。优选地，玻璃衬底 W预定速率移动，例如W大于3. 175每分钟米（m/min) (125in/min)的预定速率移动。更优 选地，玻璃衬底在形成氧化锋涂层期间W3. 175m/min(125in/min)-12. 7m/min化OOin/min) 之间的速率移动。
[0019] 在一个实施例中，玻璃衬底基本上是透明的。在该实施例中，玻璃衬底可W是 碱-石灰-石英玻璃。但是，CVD工艺不局限于特定的玻璃衬底组成，在某些实施例中，玻璃 衬底可W是娃酸测玻璃。另外，本发明不局限于透明玻璃衬底，在实施CVD工艺时也可W使 用半透明玻璃衬底。而且，玻璃衬底的透明性或吸收特性可W随着CVD工艺的不同实施例 而变化。例如，在该里所述的CVD工艺中，可能优选使用具有低铁含量的玻璃衬底。此外， CVD工艺可W利用明亮玻璃或彩色玻璃衬底实施，并且不局限于特定玻璃衬底厚度。
[0020] 在某些实施例中，玻璃衬底被加热。在该些实施例中，玻璃衬底的温度可W大于 1050T巧66C)。优选地，在玻璃衬底上形成氧化锋涂层时，玻璃衬底的温度可W在大约 1050T巧66C)到1400T(76(TC)之间。因而，CVD工艺意外地允许在高温下形成氧化 锋涂层。
[0021] 另外，在某些实施例中，在玻璃衬底上形成氧化锋涂层时，玻璃衬底表面基本上处 于大气压力下。在该些实施例中，CVD工艺为大气压CVD(APCVD)工艺。在其它实施例中， CVD工艺可W在低压条件下实践。
[0022] CVD工艺可W在制造玻璃衬底时一起进行。例如，氧化锋涂层可W在形成玻璃衬底 期间沉积在玻璃衬底上。优选地，玻璃衬底利用众所周知的浮法玻璃制造工艺形成。在该 些实施例中，玻璃衬底可被称为玻璃带。图1显示了浮法玻璃制造工艺中所使用的浮法玻 璃装置10的示范性说明。
[002引如图1所示，所使用的浮法玻璃装置10可W包括通道部12,沿着该通道部12将烙 融玻璃14从烙炉（未描绘）传送到浮槽部16,在浮槽部16中，根据众所周知的浮法玻璃 工艺形成连续玻璃带18。玻璃带18从浮槽部16前进，通过相邻的退火炉20和冷却部22。 浮槽部16包括其内含有烙融锡26的槽的底部24、顶板28、相对的侧壁（未显示）和端壁 30。顶板28、侧壁和端壁30 -起限定了在其中保持非氧化气氛W防止烙融锡26氧化的腔 32。但是，在此所述W及图1所示的浮法玻璃装置仅仅是为了说明该样的装置，本发明并不 局限于此。
[0024]另外，CVD工艺可W包括提供涂覆设备。图1-3示出了适用于CVD工艺的涂覆设 备34。而且，适合于实施本发明的涂覆设备的描述可W在美国专利申请序列号13/426,697 中找到，其全部公开内容在此引入作为参考。
[00巧]如图3清楚地示出的，在一个实施例中，涂覆设备34包括一主体36。主体36具有 一对侧壁38、40和至少一个面42、44。在某些实施例中，可W设置一对面42、44,每个面附 着于一侧壁38、40。涂覆设备34还可W包括一个或多个流量调节器46。如果有，一个或多 个流量调节器46位于该对侧壁38、40之间。优选地，从面42、44到所述一个或多个流量调 节器46的出口端84的距离约为6. 4-102毫米（mm)，优选地，等于或大于25. 4mm。
[0026] 在一个实施例中，涂覆设备34设置在玻璃衬底上方一预定距离处。更具体地说， 在一个实施例中，主体36设置在玻璃衬底上方一预定距离处，并且在衬底上横向延伸。从 面42、44起测量，涂覆设备34可W位于玻璃衬底上方2-30mm的预定距离处。更优选地，从 面42、44起测量，涂覆设备34可W位于玻璃衬底上方约2-lOmm的预定距离处。在该些实施 例中，面42、44位于玻璃衬底上方并与之成平行关系，侧壁38、40与玻璃衬底成垂直关系。
[0027] 涂覆设备34优选位于至少一个预定位置上。如图1所示，当玻璃衬底是玻璃带18 时，涂覆设备34可位于浮槽腔32中。但是，在其它实施例中，涂覆设备可W位于退火炉20 中或位于浮槽腔32和退火炉20之间的间隙110中。
[0028] CVD工艺可W包括提供气态含锋化合物源、第一气态含氧化合物源、第二气态含氧 化合物源、气态添加剂化合物源和一种或多种惰性气体的源。在一个实施例中（未描绘）， 该些源设置在浮槽腔外面的位置上。独立的供给管线从气体反应剂（前体）化合物源伸出， 并且还从惰性气体源伸出。
[0029] 在此所使用的短语"气态反应剂化合物"和"气态前体化合物"可W互换地使用， 是指气态含锋化合物、第一气态含氧化合物、第二气态含氧化合物和气态添加剂化合物中 的任何或全部和/或描述在此公开的各种实施例。
[0030] 本领域技术人员应当理解，适合于用作气态含锋化合物、第一气态含氧化合物、第 二气态含氧化合物和气态添加剂化合物的材料应当适用于CVD工艺。该样的材料在某方面 可W是液体或固体，并且易挥发，该样其可W汽化成气态W在CVD工艺中使用。一旦成为气 态，化合物就可W包含在气态料流中，并在CVD工艺中使用，W形成氧化锋涂层。
[0031] 由CVD工艺形成的氧化锋涂层可W利用适合的气态前体化合物的任意组合。
[0032] 在一个实施例中，气态含锋化合物为有机锋化合物。优选地，有机锋化合物为焼基 锋化合物，例如二己基锋值E幻或，更优选地，二甲锋（DMZ)。应当理解，另外的有机锋化合 物也适用于CVD工艺。此外，应当理解，锋化合物不一定必须是有机锋化合物才能实施CVD 工艺。
[0033] 在一个实施例中，第一气态含氧化合物为无机含氧化合物。优选地，第一气态无机 含氧化合物是水化2〇)。
[0034] 在一个实施例中，第二气态含氧化合物为无机含氧化合物。优选地，第二气态无机 含氧化合物是氧气（〇2)。氧气可W作为诸如空气的气态组合物的一部分提供，或者W基本 上纯的形式提供。在任一个实施例，氧气采用分子氧的形式。
[00巧]应当理解，另外的和/或替换的无机含氧化合物可适合用作第一气态含氧化合物 或第二气态含氧化合物。
[0036] 在一个实施例中，气态添加剂化合物为有机化合物。在另一个实施例中，气态添加 剂化合物物为有机含氧化合物。优选地，有机含氧化合物为二丽化合物。在一个实施例中， 二丽合成物是己醜基丙丽（C^A)。为了描述在此所公开的某些实施例，己醜基丙丽可W表 示为术语"acac"。但是，在其它实施例中，气态添加剂化合物为己醜基丙丽衍生物。例如， 可使用H氣己醜丙丽和/或六氣己醜丙丽作为添加剂化合物。并且，应当理解，另外的气态 添加剂化合物也适用于实施CVD工艺，和/或替换的有机和有机含氧添加剂化合物可W适 用于在此所述的工艺。
[0037]适合的惰性气体包括氮气（Ns)、氮化e)及其混合物。因此，在一个实施例中，所述 一种或多种惰性气体可选自下列构成的组；馬、化及其混合物。在某些实施例中，料流可W 主要由惰性气体构成，可能也包含微量的某些杂质。但是，在包括至少一种气态前体化合物 的料流中，料流还可W包括惰性载气/稀释气体。优选地，惰性载气/稀释气体为N,、He或 其混合物。
[0038] 如上所述，独立的供给管线从气体反应剂（前体）化合物源伸出，并且还从惰性气 体源伸出。在某些实施例中，供给管线延伸到涂覆设备34中的入口 50。
[0039] 在一个实施例中，包括气态含锋化合物、第一气态含氧化合物、第二气态含氧化合 物和/或惰性气体中的一种或多种的料流被引入到涂覆设备34中的两个或多个独立流动 路径52、54、56、58、60中。在另一个实施例中，包括气态添加剂化合物的料流被引入到涂覆 设备34中的两个或多个独立流动路径52、54、56、58、60中。
[0040] 为了避免某些气态前体化合物预反应，即避免其在从涂覆设备排出之前反应，优 选的是在独立料流中提供某些气态前体化合物。例如，在实施例中，在料流中提供气态含锋 化合物，在独立的料流中提供第一气态含氧化合物和第二气态含氧化合物。但是，在某些实 施例中，优选的是在同一料流中提供某些气态前体化合物。例如，在一个实施例中，气态含 锋化合物和气态添加剂化合物被包含在同一料流中。并且，在一个实施例中，第一气态含氧 化合物和第二气态含氧化合物被包含在同一料流中。
[0041] 在一个实施例中，CVD工艺包括形成由焼基锋化合物和惰性气体构成的气态混合 物作为第一料流。在该实施例中，在第二料流中提供第一气态无机含氧化合物，在第二料流 中、在第H料流中或在第二和第H料流两者中提供第二气态无机含氧化合物。在另一个实 施例中，该工艺还包括在一料流中提供气态添加剂化合物。气态添加剂化合物可W被包含 在第一料流、第二料流、第H料流和/或在第四料流中。
[0042] 当使用涂覆设备34时，各种气态料流被保持独立，并优选调节至所希望的层流程 度，并且在某些实施例中，保持在所希望的温度范围内，同时被引导通过涂覆设备34,W准 备在玻璃衬底的沉积表面上方从涂覆设备34排出。
[0043] 在进入涂覆设备34之前，各个料流被引导至入口 50。各个入口 50与涂覆设备34 中设置的流动路径52、54、56、58、60流体连通。在一个实施例中，为每个流动路径提供盖块 62。在该实施例中，各个入口 50贯穿盖块62延伸W与流动路径52、54、56、58、60连通。因 而，涂覆设备34可W包括多个盖块62。在某些实施例中，盖块62位于流动路径的与料流从 涂覆设备34排出的端部66相对的端部64处。
[0044] 流动路径是独立的、分散的，设计成各个料流在涂覆设备34中彼此保持分开。在 一个实施例中，涂覆设备34包括两个或多个流动路径52、54、56、58、60。在该实施例中，两 个或多个流动路径52、54、56、58、60贯穿主体36延伸。然而，涂覆设备34可W具有多于两 个的流动路径。例如，如图3所示，涂覆设备34可W具有五个流动路径52、54、56、58、60或 更多。
[0045] 在一个实施例中，涂覆设备34,具体地说是主体36,至少部分地限定两个或多个 流动路径52、54。在某些实施例中，两个流动路径52、54部分地由侧壁38、40和位于侧壁 38、40之间的气流分离器68限定。在某些实施例中，涂覆设备34包括多个气流分离器68。
[0046] 气态前体化合物/惰性气体的料流被引导通过两个或多个流动路径52、54、56、 58、60。气态前体化合物/惰性气体的料流W预定速度流过两个或多个流动路径52、54、56、 58、60。气态料流的速度可W与相邻流动路径中的料流的速度相同、基本上相等或不同。
[0047] 气态前体化合物/惰性气体的气态料流的流动速度受流动路径构造的影响。优选 地，两个或多个流动路径52、54、56、58、60中的每一个具有其长度大于宽度的狭槽状构造。 在另一个实施例中，流动路径56中的至少一个基本上是笔直的。在其它实施例中，两个或 多个流动路径52、54、56、58、60中的至少一个基本上笔直的一部分或多部分。在另外的实 施例中，流动路径52、54、56、58、60中的至少一个具有连接于或基本上连接于流动路径的 基本上笔直的部分的弯头70。在该些实施例中，流动路径也可W构造成具有多个弯头70。 某些流动路径54的宽度可W与相邻流动路径58的宽度相同或不同。在一个实施例中，某 些流动路径52、54构造成使它们在形状、长度和宽度上几乎相同。
[0048] 涂覆设备34可W包括多个挡板块72。优选地，挡板块72位于涂覆设备34中设置 的每个流动路径52、54、56、58、60中，盖块62和流量调节器46之间。挡板块72有助于均 匀地分配流动路径中的气态料流或有助于至少增加气态料流的均匀性。
[0049] 优选地，涂覆设备34包括一个或多个流量调节器46。在一个实施例中，每个流动 路径52、54、56、58、60具有位于其中的流量调节器46。在一个实施例中，每个流量调节器 46优选通过焊接附着于至少一个气流分离器68的一侧。优选地，每个流量调节器46邻接 流动路径的出口 74。在一个实施例中，每个料流被引导W预定流动速度通过流量调节器46 W调节每个料流，即，流量调节器增加了被引导通过其的料流的层流性。在某些实施例中， 流量调节器46提供了具有所希望的层流性程度或所希望的层流性增加的料流。
[0050] 流量调节器46的竖直尺寸或"厚度"可W根据特定气态前体料流的流动层流性所 希望改变的程度而变化，约5mm到约25mm是调节器46的竖直尺寸的优选范围。在一个实 施例中，涂覆设备34中的流量调节器46中的至少一个具有"蜂房"构造。具有蜂房构造的 流量调节器46可W进一步增加流过其的气体的层流性。蜂房单元的尺寸可W在尺寸和形 状上变化。蜂房的每个单元的优选面积约为Imm2D然而，应当理解，本发明不局限于具有蜂 房构造的流量调节器，所提供的用来描述特定流量调节器实施例的尺寸的尺寸也不局限于 某些实施例。
[0051] 在一个实施例中，主要由一种或多种惰性气体构成的料流被引入到涂覆设备34 中的至少一个流动路径52、54、56、58、60中。适合的惰性气体包括馬、氮化6)及其混合物。 在该实施例中，料流可W充当屏障料流。作为屏障料流，惰性气体料流优选被引导通过一流 动路径，该流动路径位于具有包括流过其中的气态前体化合物的料流的流动路径之间。在 CVD工艺的某些实施例中，主要由惰性气体构成的两个或多个料流被引入到涂覆设备34中 的两个或多个独立的流动路径58、60中。
[0052] 在CVD工艺中，气态料流的混合通过扩散进行。另外，气态料流的混合在从涂覆设 备34排出气态料流之后的非常短的时间内开始进行。由于气态料流的混合通过扩散进行， 主要由惰性气体构成的屏障料流推迟了气态前体化合物在料流从涂覆设备34排出之后的 混合。该推迟可W归因于气态前体化合物在彼此混合之前扩散到惰性气体中所需的额外时 间/扩散。
[0053] 在一个实施例中，包括气态含锋化合物（优选为焼基锋化合物）和惰性气体的第 一料流被引入涂覆设备34中的第一流动路径52中。在该实施例中，包括第一气态含氧化合 物和第二气态含氧化合物的第二料流被引入到涂覆设备34中的第二流动路径54中，主要 由惰性气体构成的气态料流被引入到涂覆设备34中的第H流动路径56、58、60中。第H流 动路径56、58、60位于第一和第二流动路径52、54之间。在该实施例中，一旦料流从涂覆设 备34排出，主要由惰性气体构成的料流就推迟气态前体化合物的混合。在该些实施例中， 诸如己醜基丙丽的气态添加剂化合物可W被引入到第一流动路径52中的第一料流中。
[0054] 涂覆设备34还可W包括至少一个排气通道76。在某些实施例中，所述至少一个排 气通道至少部分地由主体36限定。每个排气通道76包括排气开口 78。排气通道76允许 连续去除所消耗或未使用的气态前体化合物和/或惰性气体，否则有可能在衬底的沉积表 面上形成不希望的污染物。该种气态排气抽出也可W用于影响气流奈流的量和在玻璃衬底 的沉积表面上或沉积表面附近进行混合的速率。因而，排气抽出的速率具有影响氧化锋涂 层的沉积速率的可能。
[00巧]CVD工艺可W包括从涂覆设备34排出料流。每个料流通过出口 74从涂覆设备34 排出。每个出口 74可W具有与相邻出口 74相同或不同的宽度。因而，在一个实施例中，出 口 74具有的宽度与相邻出口的宽度相同或基本上相同。在其它实施例中，出口 74具有的 宽度可W大于或小于相邻出口的宽度。
[0056] 涂覆设备34保持涂覆设备34中的流动路径中的气态料流，甚至控制对该些料流 从涂覆设备34排出之前的时间/距离内的流路几何形状。在一个实施例中，在从流量调节 器46排出时，当气态料流在通过扩散而混合之前的一段时间内朝着玻璃衬底的沉积表面 继续前进时，气态料流处于仍然独立的流路中。
[0057] 优选的是，每个料流的流动速度被选择成控制料流的组合排放的奈流程度。应当 理解，一旦从涂覆设备34排出，该些料流的奈流程度越高，其间的扩散速率越快。所W，奈 流可能对涂覆沉积速率W及涂覆厚度的均匀性影响很大。
[0058] 在一个实施例中，来自每个出口 74的每个料流的流动速度选择成控制料流从涂 覆设备34排出之前的流路几何形状。根据所希望的目标，一个出口的流动速度可W与相邻 出口的流动速度相同或不同。但是，优选的是，一个出口 74与下一个出口的气流速度基本 上相等，W便实现可接受的少量奈流。
[0059] 用于控制对该些料流从涂覆设备34排出之前的时间/距离内的流路几何形状的 另一种方法是，控制涂覆设备34的温度，尤其是在紧邻流量调节器46和出口 74的区域中， W帮助保持例如流量调节器46的结构完整性，该有助于防止气态前体化合物的预反应。涂 覆设备34的温度优选地通过任何合适的装置控制在预定设定点温度的+或-50T(IOC) 内，并可W利用涂覆设备34的某些部分80中的适合的传热介质实现。
[0060] CVD工艺还包括在玻璃衬底的沉积表面上或附近混合气态料流W在其上形成氧化 锋涂层。重要的是要注意，混合在气态前体化合物/惰性气体接触玻璃衬底的沉积表面之 前开始。在某些实施例中，气态料流的混合在玻璃衬底的沉积表面上方的空间或混合区进 行。
[0061] CVD工艺使高质量氧化锋涂层的沉积形成在玻璃衬底上。尤其是，使用CVD工艺形 成的氧化锋涂层呈现优良的涂层厚度均匀性。例如，厚度高达100纳米（nm)的氧化锋涂层 可W均匀地沉积在玻璃衬底上。
[0062] 当被包括在气态料流中或作为气态混合物的一部分时，人们相信，气态添加剂化 合物充当反应速率改进器。虽然不希望束缚在一具体工作原理上，应当相信，气态添加剂化 合物可W临时降低气态含锋化合物与第一和第二气态含氧化合物之间的反应速率。如上所 述，一旦气态料流从涂覆设备排出，气态料流就进行混合。同样，不希望气态含锋化合物与 第一和第二气态含氧化合物在到达玻璃衬底的沉积表面之前开始反应形成氧化锋。所W， 所述化合物之间的反应速率临时降低的有意方面在于，气态料流可W开始混合，但不会过 早地形成氧化锋，即，在到达玻璃衬底的沉积表面之前不会形成氧化锋。而且人们认为，气 态添加剂化合物可W增强氧化锋涂层在沉积表面上的成核。
[0063] 在一个实施例中，氧化锋涂层直接形成在玻璃衬底上。但是，在其它实施例中，氧 化锋涂层直接形成在之前沉积的导电氧化锡涂层上或上方。在一个实施例中，导电氧化锡 涂层为惨杂氧化锡（Sn化:幻涂层。优选地，惨杂氧化锡涂层可W是惨氣氧化锡（Sn化:巧。
[0064] -般而言，通过只使用单个含氧化合物的CVD工艺在导电氧化锡涂层上方沉积氧 化锋涂层，形成带有增大的表面电阻的涂覆玻璃制品。例如，包括玻璃衬底和其上沉积的 Sn化:F涂层的玻璃制品的表面电阻可W具有大约15欧姆/平方或更小的表面电阻，取决于 Sn〇2:F涂层的厚度和其中氣的原子百分数。但是，在只是形成氧化锋涂层的Sn〇2:F涂层上 方形成氧化锋涂层之后，例如，&0(水蒸气/蒸汽形成）增大了涂覆玻璃制品的表面电阻。 实际上，表面电阻可W根据其上形成的氧化锋涂层的厚度显著增大。
[0065] 形成鲜明对比的是，在此所述的CVD工艺，其中利用含锋化合物，优选焼基锋化合 物、诸如&0的第一气态无机含氧化合物和诸如化的第二气态无机含氧化合物形成氧化锋 涂层，保持涂覆玻璃制品的表面电阻。实际上，表面电阻可W保持在其测量值的0. 5欧姆/ 平方W内（在氧化锋涂层沉积之前测量）。优选地，表面电阻可W保持在其测量值的0. 2欧 姆/平方W内。更优选地，表面电阻可W保持在其测量值的0.1欧姆/平方W内。因而，利 用CVD工艺，提供包括玻璃衬底、导电氧化锡涂层和氧化锋涂层的涂覆玻璃制品，所述涂覆 玻璃制品的表面电阻明显低于已知玻璃衬底。
[0066] 同样，还提供了一种用于形成涂覆玻璃制品的方法。
[0067] 在一个实施例中，所述用于形成涂覆玻璃制品的方法包括提供玻璃衬底。玻璃衬 底如上所述。例如，玻璃衬底可W在形成涂覆玻璃制品时移动。玻璃衬底具有沉积在其上 的导电氧化锡涂层。
[006引涂覆玻璃制品具有低的表面电阻。导电氧化锡涂层提供了带有低的表面电阻的涂 覆玻璃制品。导电氧化锡涂层如上所述。在导电氧化锡涂层为惨杂氧化锡涂层的实施例 中，导电氧化锡涂层中惨杂物的原子百分数W及导电氧化锡涂层的厚度可W选择成提供带 有所要求的低表面电阻的涂覆玻璃制品，例如大约15欧姆/平方或更小。
[0069] 在一个实施例中，导电氧化锋涂层为Sn化:F涂层。Sn化:F涂层中氣的原子百分数 和Sn化:F涂层的厚度可W在该方法的不同实施例变化。但是，在一个实施例中，Sn化:F涂 层中氣的原子百分数在大约0. 2-1. 0%之间，更优选地为大约0. 7原子百分数。优选地， Sn化:F涂层形成的厚度在大约300-1000nm之间。更优选地，Sn化:F涂层形成的厚度在大约 400-440nm之间。
[0070] 在某些实施例中，Sn化:F涂层为热解涂层。在该些实施例中，Sn化:F涂层可W利 用含团素的锡化合物形成。优选的含团素的锡化合物是二甲基锡二氯化物（DMT)、四氯化锡 (SnCL)和单下基锡H氯化物（MBTC)。在形成Sn化:F涂层时使用的优选的惨杂合成物是氣 化氨（HF)。但是，应当理解，可W在形成Sn化:F涂层时使用替代的化合物。
[0071]另外，该方法可W包括在沉积氧化锋涂层之前，在导电氧化锡涂层上方提供无惨 杂氧化锡（Sn〇2)涂层。在该实施例中，Sn化涂层可W利用含团素锡化合物形成。在形成 Sn化涂层时使用的优选锡化合物为DMT、SnCL和MBTC。在一个实施例中，化涂层直接沉 积在导电氧化锡涂层上，厚度在大约5-lOOnm之间。更优选地，Sn化涂层沉积的厚度在大约 5〇-80nm之间。
[0072] 如上所述，涂覆玻璃制品包括玻璃衬底、导电氧化锡涂层和氧化锋涂层。在某些实 施例中，导电氧化锡涂层可W直接沉积在玻璃衬底上。但是，在其它实施例中，在形成导电 氧化锡涂层之前，可W在玻璃衬底上形成彩虹色抑制中间层。优选地，彩虹色抑制中间层沉 积在玻璃衬底与导电氧化锡涂层之间。彩虹色抑制中间层的设置使得涂覆玻璃制品在透射 和反射上具有中和色。正如将要论述的那样。彩虹色抑制中间层可W是单个涂层，或者可 W包括两个或多个离散的涂层。
[0073] 该方法包括形成气态混合物。在一个实施例中，该气态混合物包括气态含锋化合 物、第一气态无机含氧化合物、第二气态无机含氧化合物和惰性气体。气态混合物形成在导 电氧化锡涂层上方。在一个实施例中，气态添加剂化合物被包含在气态混合物中。
[0074] 气态前体化合物和惰性气体如上所述。优选的含锋化合物为有机锋化合物，例如 DEZ，或更优选DMZ。优选的第一和第二无机含氧化合物是&0和化，优选的气态添加剂化合 物是己醜基丙丽。
[0075] 对于气态前体化合物的任何特定组合，用于实现特定沉积速率和氧化锋厚度的最 佳浓度可W变化。但是，为了形成在此所述的方法中所提供的表面电阻保持在0. 5欧姆/ 平方或更小的涂覆玻璃制品，气态混合物优选包括dmz、H2〇(蒸汽形式）、分子氧（化形式）， W及任选的气态添加剂化合物，例如己醜基丙丽。在该实施例中，气态混合物包括大约0. 25 摩尔％或更多的DMZ、大约3摩尔％或更多的&0、大约0. 8摩尔％或更多的化、W及任选的 大约0. 04摩尔％或更多的己醜基丙丽，其余为惰性气体。更优选地，在一个实施例中，气态 混合物包括大约0. 5摩尔％或更多的DMZ、大约6摩尔％或更多的&0、大约1. 6摩尔％或 更多的化、W及任选的大约0. 04摩尔％或更多的己醜基丙丽，其余为惰性气体。
[0076] 并且，应当理解，对于气态前体化合物的任何特定组合，用于实现特定沉积速率的 最佳浓度可W通过试验或通过计算机模拟确定。应当理解，更高浓度的特定气态反应物化 合物的使用W及高流动速率可能导致反应物较少效率低整体转变为氧化锋涂层，因此工业 操作的最佳条件可能不同于提供最高沉积速率的条件。
[0077] 在气态混合物形成在导电氧化锡涂层上方之后，气态混合物反应W在导电氧化锡 涂层上方形成氧化锋涂层，表面电阻保持在0. 5欧姆/平方W内。因而，该方法的一个特点 是，其允许形成氧化锋涂层和涂覆玻璃制品W保持它的低表面电阻。在某些实施例中，氧化 锋涂层可W形成为提供具有小于11欧姆/平方的表面电阻的涂覆玻璃制品。已知方法没 有提供包括在下述厚度带有该种有利的低表面电阻的上述涂层的涂覆玻璃制品。
[0078]所W，提供了 一种新颖的涂覆玻璃制品。
[0079] 图4不出了整体柄记为附图柄记82的涂覆玻璃制品的实施例。涂覆玻璃制品82 包括玻璃衬底84和附着于其一个表面的多层涂层86。在一个实施例中，多层涂层包括沉积 在玻璃衬底84的表面上的Sn〇2:F涂层88和沉积在Sn〇2:F涂层88上方的氧化锋涂层90。 在一个实施例中，多层涂层86还包括彩虹色（iridescence)抑制中间层92。
[0080]图5示出了整体标记为附图标记94的涂覆玻璃制品的另一个实施例。涂覆玻璃制 品94包括玻璃衬底84和附着于其一个表面的多层涂层96。在一个实施例中，多层涂层包 括彩虹色抑制中间层98、沉积在彩虹色抑制中间层98上方的Sn化:F涂层88、沉积在Sn化:F 涂层88上方的氧化锋涂层90、W及沉积在Sn〇2:F涂层88与氧化锋涂层90之间的Sn〇2涂 层100。应当理解，Sn化涂层100可W沉积在图4示出的涂覆玻璃制品82中的Sn02:F涂 层88与氧化锋涂层90之间。回头再参见图5,彩虹色抑制中间层98包括Sn〇2涂层102和 二氧化娃（Si〇2)涂层104。在该实施例中，该涂覆玻璃制品94呈现的表面电阻小于11欧 姆/平方。
[0081] 在图4和图5所示的实施例中，Sn化:F涂层88的厚度和Sn化:F涂层88中氣的原 子百分数被选择成，使得涂覆玻璃制品82、94在形成氧化锋涂层90之前呈现大约15欧姆 /平方或更小的表面电阻。更优选地，Sn化:F涂层88的厚度和Sn化:F涂层88中氣的原子 百分数被选择成，使得每个涂覆玻璃制品82、94在其上方形成氧化锋涂层90之前呈现小于 11欧姆/平方的表面电阻。
[0082] 玻璃衬底84如上所述。
[0083] 彩虹色抑制中间层92、98提供了用W反射和折射光W干涉彩虹色观察的装置。具 体地说，中间层92、98消除彩虹色，使得涂覆玻璃制品82、94可W根据需要在反射和透射两 种情况下都呈中和色。此外，中间层92、98抑制出射角颜色的观察。美国专利号4, 187, 336、 4, 419, 386和4, 206, 252描述了适合于抑制干涉色的涂覆技术，每个在此全部引入作为参 考。单层、多层或梯度层涂层适合于用作多层涂层92、98中的中间层。
[0084] 在图5所示的双组分中间层98中，双组分中间层98为优选类型的彩虹色抑制中 间层，沉积并附着在玻璃衬底上的涂层102在可见光谱中具有高折射指数，优选为Sn化。具 有低折射指数的第二涂层104沉积并附着在中间层的第一涂层上，并且优选为Si〇2。通常， 每个涂层102、104具有选定的厚度，使得中间层98形成的组合总光学厚度为500nm设计波 长的大约1/6到大约1/12。
[0085] 在该些实施例中，Sn〇2:F涂层88提供了带有低的表面电阻的涂覆玻璃制品。 Sn化:F涂层88可W如上所述形成。优选地，Sn化:F涂层88沉积在彩虹色抑制中间层92、 98上方。Sn化:F涂层88的厚度至少为400皿。Sn〇2:F涂层88中氣的原子百分数在大约 0. 2-1. 0%之间。更优选地，当Sn化:F涂层88沉积的厚度在400-440皿之间时，氣的原子 百分数为大约0. 7原子百分数。
[0086]Sn化涂层100可W如上所述形成。当设置Sn化涂层100时，其厚度优选在大约 SO-SOnm之间。优选地，Sn〇2涂层100是热解涂层。在该些实施例中，优选的是，Sn〇2涂层 100是无惨杂的。Sn〇2涂层100提供了另一涂层，该涂层高度透明，并且具有比Sn〇2:F涂层 88高的电阻。因而，利用Sn〇2:F涂层88与氧化锋涂层90之间的Sn〇2涂层100增大了涂 覆玻璃制品94的表面电阻。
[0087] 优选地，氧化锋涂层90如上所述并且如上所述形成。在某些实施例中，氧化锋涂 层90沉积的厚度为IOOnm或更小。在一个实施例中，氧化锋涂层90的厚度在IO-IOOnm之 间。更优选地，氧化锋涂层90的厚度在30-60nm之间。
[0088] 优选地，氧化锋涂层90是无惨杂的。氧化锋涂层90提供了一涂层，该涂层高度透 明，并且具有比Sn〇2:F涂层88高的电阻。因此，可W想象，当使用在Sn〇2:F涂层上方的氧 化锋涂层时，涂覆玻璃制品82、94的表面电阻将增大，当在氧化锋涂层90与Sn化:F涂层88 之间使用Sn化涂层时，表面电阻将进一步增大。但是，通过形成如上所述的氧化锋涂层90， 提供了具有15欧姆/平方或更小，优选小于11欧姆/平方的表面电阻的涂覆玻璃制品82、 94。进一步地，在某些实施例中，涂覆玻璃制品82、94的表面电阻与没有设置氧化锋涂层42 的情况相同或基本上相同。即使在Sn〇2涂层100沉积在Sn〇2:F涂层88与氧化锋涂层90 之间时，也保持该梅奇的结果。另外，在某些实施例中，该涂覆玻璃制品82、94呈现的表面 电阻小于10欧姆/平方。
[0089] 涂覆玻璃制品82、94可W与一个或多个附加涂层组合使用，W实现所要求的涂层 堆叠。附加涂层可W在形成氧化锋涂层90之后不久结合浮法玻璃制造工艺形成和/或作 为另一制造工艺的一部分。而且，该些附加涂层可W通过热解或通过另外的涂覆沉积工艺 形成。
[0090] 举例来说，薄膜光电材料或其它半导体材料的附加涂层可W形成在氧化锋涂层90 上方，W便提供所要求的涂层堆叠。光电材料或其它半导体材料可W在太阳能电池制造期 间形成在涂覆玻璃制品上方。由于涂覆玻璃制品具有高导电性或低表面电阻（与W前已知 的具有相同涂层堆叠的涂覆玻璃制品相比），在制造太阳能电池时利用在此提供的涂覆玻 璃制品引起较高的太阳能电池效率和/或更大的功率输出。
[0091] 如上所述，CVD工艺可W与浮法玻璃制造工艺一起实施。另外，该用于形成涂覆玻 璃制品的方法也可W与浮法玻璃制造工艺一起实施。进一步地，涂覆玻璃制品可W利用浮 法玻璃制造工艺形成。
[0092] 现在回到图1，在示范性浮法玻璃制造装置10中，烙融玻璃14W受控的量沿着调 节炉间口 106下方的通路流动并向下流到锡浴26的表面上。在烙融锡表面上，烙融玻璃14 在重力和表面张力的作用下一级某些机械作用下横向展开，并跨锡浴26前进W形成玻璃 带18。
[0093] 玻璃带18通过提升親108从浮槽部16移出，随后在调整親上被输送通过退火炉 20和冷却部22。涂层的形成/沉积优选发生在浮槽部11中，不过沉积也可W进一步沿着 玻璃生产线发生，例如在浮槽部16和退火炉20之间的间隙110中或在退火炉20中。
[0094] 图1显示了设置在浮槽腔32中的四个涂覆设备34、112、114、116。当设置有多个 涂覆设备34、112、114、116时，每个可^位于玻璃带18上方一预定距离处。但是，应当理 解，当本发明结合浮法玻璃制造工艺使用时，一个或多个涂覆设备34、112、114、116可W设 置在浮槽腔32内、退火炉20内、和/或在浮槽腔32和退火炉20之间的间隙110中。
[0095] 在浮槽腔32中保持有适合的非氧化气氛，通常为氮或其中W氮为主的氮氨混合 物，W防止包括锡浴26的烙融锡的氧化。气氛气体通过可操作地禪合于分配岐管120的导 管118导入。W足W补偿正常损耗并保持轻微正压（数量级为比外界大气压力高大约0.001 到大约0.01个大气压）的速率引入非氧化气体，W致防止外部大气的渗入。同样，为了描 述本发明某些实施例的目的，上述压力范围被认为构成了标准大气压力。
[0096] 因此，在某些实施例中，CVD工艺和用于形成涂覆玻璃制品的方法可W在玻璃衬底 的沉积表面基本上处于大气压力时实施。还应当注意，除浮槽腔32的压力之外，退火炉20 和/或浮槽部16和退火炉20之间的间隙110中的压力也可W基本上为大气压力，涂覆设 备34、112、114、116可^位于该样的大气压力中^实施在此所述的本发明的实施例。而且， CVD工艺和用于形成涂覆玻璃制品的方法不局限于基本上在大气压力或附近操作，因为氧 化锋涂层可W在低压条件下形成。
[0097] 用于保持锡浴26和腔32中期望温度的热量通过腔32内的福射加热器122提供。 由于冷却部22未被封闭并且其中的玻璃带18对外界大气开放，退火炉20内的气氛典型为 大气空气。外界空气可通过冷却部中的风扇124导向玻璃带18。加热器也可W设置在退火 炉20内，用于使玻璃带18的温度根据预定方式随着被输送通过而逐渐降低。
[0098] 示例
[0099] 表1中列出了氧化锋涂层的厚度的列标记为化0。表1中WExl-E巧列出了本发 明范围W内的某些示例列。但是，Exl-E巧只是用于说明性目的，不被看作是对本发明的限 巧||。不认为是本发明的一部分的比较例标记为CUC2和C3。
[0100] 表1中的涂覆玻璃制品（包括C1、C2、C3和Exl-Ex7)为玻璃/Sn〇2/Si〇2/&i〇2:F/ ZnO构造。在碱-石灰-娃玻璃衬底移动的同时，涂层沉积在衬底上。在形成氧化锋涂层之 前，热解Sn〇2涂层和Si〇2涂层均沉积在玻璃衬底上方，厚度在大约21-25皿之间。在形成 Sn〇2和Si化涂层后，热解Sn化:F涂层沉积在Si化涂层上方，厚度在大约400-440皿之间。Sn化:F涂层中氣的原子百分数为大约0. 7%。然后热解氧化锋涂层沉积在Sn02:F涂层上 方。
[0101] 使用涂覆设备在玻璃衬底上形成每个涂层。玻璃衬底通过带式输送机烙炉输送， 更具体地说，通过具有衬底加热区、涂覆区和冷却区的H区烙炉输送。其它涂层（Sn〇2/Si化/ Sn化:巧之前已经沉积在玻璃衬底上。每个衬底都被装载到带式运输机上并允许加热，使得 在衬底经过所使用的涂覆设备下方而形成氧化锋涂层之前，玻璃温度为62rC(1150T)。
[0102] 为形成Exl-E巧的氧化锋涂层，包括DMZ和用作载气的惰性气体的气态混合物形 成为第一料流。另外，在第一料流中提供气态己醜基丙丽。还提供包括馬0和〇2的第二料 流。用作载气的惰性气体包含在第二料流中。该些料流被引导通过涂覆设备。为了形成 C1、C2和C3的氧化锋涂层，具有DMZ和载气的气态混合物形成为第一料流。在第一料流中 提供气态己醜基丙丽。还提供包括&0和惰性气体的第二料流。该些料流被引导通过涂覆 设备。
[0103] Exl-E巧和C1-C3的总气体量基本上相等。玻璃衬底经过涂覆设备下方，并且在其 在涂覆设备下方移动时，该些气态料流在玻璃衬底的沉积表面上或附近混合而在其上形成 氧化锋涂层。基本上所有输入的消耗/未使用的气体都被排出，W免干扰沉积工艺。
[0104] 表1中列出了各个气态前体化合物的量。表1中所列出的线速度，即玻璃衬底在 涂覆设备下方移动的速度，记录为英寸每分钟（IPM)。表1中列出的氧化锋涂层厚度使用反 射算出，并记录为纳米。并且，在Exl-E巧和C1-C3的上述条件下制造的涂覆玻璃制品的表 面电阻OU使用四点探针测量，并记录为欧姆每平方（欧姆/平方）。
[0105] 表 1
[0106]
【权利要求】
1. 一种用于沉积氧化锌涂层的化学气相沉积工艺，包括： 提供移动的玻璃衬底； 形成由烷基锌化合物和惰性气体构成的气态混合物作为第一料流； 在第二料流中提供第一气态无机含氧化合物； 在第二料流中、在第三料流中或者在第二料流和第三料流两者中提供第二气态无机含 氧化合物；以及 在移动的玻璃衬底的表面上或者在移动的玻璃衬底的表面附近混合气态料流，以在移 动的玻璃衬底的表面上形成氧化锌涂层。
2. 如权利要求1所述的工艺，其中，在形成氧化锌涂层之前，料流被引导通过涂覆设 备。
3.如权利要求1所述的工艺，还包括在料流中提供气态添加剂化合物。
4.如权利要求1所述的工艺，其中，第一无机含氧化合物是水，且第二无机含氧化合物 是氧气。
5.如权利要求1所述的工艺，其中，氧化锌涂层是热解涂层。
6. 如权利要求1所述的工艺，其中，氧化锌涂层在浮法玻璃制造工艺中基本上在大气 压力下形成在玻璃带上。
7.如权利要求1所述的工艺，其中，在形成氧化锌涂层之前，在玻璃衬底的表面上沉积 掺氟氧化锡涂层。
8. 如权利要求2所述的工艺，其中，在被混合之前，气态料流被分别引导通过涂覆设 备。
9.如权利要求2所述的工艺，还包括：在玻璃衬底上方的预定距离处从涂覆设备排出 气态料流。
10.如权利要求3所述的工艺，其中，气态添加剂化合物是二酮化合物。
11.如权利要求3所述的工艺，其中，烷基锌化合物是二甲锌，气态添加剂化合物是乙 酰基丙酮，且第一和第二无机含氧化合物是水和氧气。
12.如权利要求7所述的工艺，其中，在形成氧化锌涂层之前，在掺氟氧化锡涂层上沉 积氧化锡涂层。
13. -种用于形成涂覆玻璃制品的方法，包括： 提供玻璃衬底，所述玻璃衬底具有沉积在其上的导电氧化锡涂层； 在导电氧化锡涂层上形成包括气态含锌化合物、第一气态无机含氧化合物、第二气态 无机含氧化合物和惰性气体的气态混合物；以及 使气态混合物反应以在导电氧化锡涂层上沉积氧化锌涂层，并且将表面电阻保持在 0.5欧姆/平方以内。
14.如权利要求13所述的方法，其中，涂覆玻璃制品具有的表面电阻小于11欧姆/平 方。
15.如权利要求13所述的方法，其中，气态混合物还包括气态添加剂化合物。
16.如权利要求13所述的方法，其中，导电氧化锡涂层是沉积厚度为400-440nm的掺杂 氧化锡涂层。
17.如权利要求13所述的方法，其中，第一和第二气态无机含氧化合物是水和氧气。
18. 如权利要求13所述的方法，其中，玻璃衬底的表面基本上处于大气压力下，且玻璃 衬底在形成氧化锌涂层时移动。
19. 如权利要求13所述的方法，还包括：引导包括含锌化合物的气态料流以及包括第 一和第二无机含氧化合物的一股或多股气态料流分别通过涂覆设备。
20. 如权利要求16所述的方法，其中，掺杂氧化锡涂层掺杂有氟。
21. -种涂覆玻璃制品，包括： 玻璃衬底； 沉积在玻璃衬底上的掺氟氧化锡涂层；和 沉积在掺氧氧化锡涂层上的氧化锌涂层； 其中，涂覆玻璃制品呈现的表面电阻小于15欧姆/平方。
22. 如权利要求21所述的涂覆玻璃制品，其中，掺氟氧化锡涂层的厚度至少为400nm。
23. 如权利要求21所述的涂覆玻璃制品，还包括由沉积在掺氟氧化锡涂层与氧化锌涂 层之间的氧化锡涂层构成的涂层。
24. 如权利要求21所述的涂覆玻璃制品，还包括形成在掺氟氧化锡涂层与玻璃衬底的 表面之间的色彩抑制中间层。
25. 如权利要求21所述的涂覆玻璃制品，其中，氧化锌涂层的厚度在30-60nm之间。
26. 如权利要求23所述的涂覆玻璃制品，其中，氧化锌涂层的厚度在30-60nm之间。
27. 如权利要求23所述的涂覆玻璃制品，其中，氧化锡涂层的厚度在50-80nm之间。
28. 如权利要求26所述的涂覆玻璃制品，其中，涂覆玻璃制品的表面电阻小于11欧姆 /平方。
29. 如权利要求26所述的涂覆玻璃制品，其中，涂覆玻璃制品的表面电阻小于10欧姆 /平方。
【文档编号】C03C17/245GK104379806SQ201380023818
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2013年3月8日 优先权日:2012年3月16日
【发明者】王瑜, S·瓦拉纳西, D·A·斯特里克勒 申请人:皮尔金顿集团有限公司