离型层、基板结构、与柔性电子元件工艺的制作方法

文档序号:2452610阅读:115来源:国知局
离型层、基板结构、与柔性电子元件工艺的制作方法
【专利摘要】本发明提供的基板结构,应用于柔性电子元件工艺,包括:支撑载体;离型层,以第一面积覆盖支撑载体,其中离型层为芳香性聚亚酰胺;以及柔性(flexible)基板,以第二面积覆盖离型层与支撑载体,其中第二面积大于第一面积,且柔性基板与支撑载体之间的密着度大于离型层与支撑载体之间的密着度。
【专利说明】离型层、基板结构、与柔性电子元件工艺

【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种离型层(release layer),特别涉及包括此离型层的基板结构与 其制作方法。

【背景技术】
[0002] 由于2011年行动通讯快速兴起与内容服务相结合的发展趋势,柔性显示器已成 为新世代新颖显示器的发展趋势。世界各大研发公司均由现行厚重且易破碎的玻璃基板跨 入非玻璃系(如重量更轻的柔性塑料基板材料),并朝向主动式全彩TFT显示面板迈进。随 着平面显示器在智能手机(Smart Phone)与平板计算机(Tablet)的新应用需求,产品设计 朝向薄化与重量更轻的趋势迈进。另一个备受瞩目的发展重点为可挠式/柔性显示技术, 未来可能开启显示器设计变革新纪元。随着中小尺寸面板量产技术成熟,在轻薄、争取电池 空间的价值要求下,有机会量产可挠式柔性显示器。
[0003] 柔性基板的制造方式可分成批次式(batch type)及卷对卷(roll to roll)两种 方式。若选择批次式制作TFT元件,可利用现有TFT设备进行制作,具有相当优势。但批次 式必须发展所谓基板转移或离膜技术,将柔性显示器从玻璃上转移到其它柔性基板上,或 由玻璃基板上取下柔性基板。而卷对卷式则必须利用全新设备来进行,并必须克服转动及 接触所引发的相关问题。
[0004] 以批次式式制作TFT元件如LTPS,因工艺温度高于400°C,所以需要耐高温材料。 由于批次式可使用现有玻璃基板的相关工艺设备,可节省设备的成本支出。但如何在玻璃 上的柔性基板上进行工艺时不会产生离型状况,且在完成元件后又可轻易将柔性基板取下 而不粘附于玻璃上,将是一大关键。
[0005] 综上所述,目前亟需新的基板结构用于柔性电子元件工艺。


【发明内容】

[0006] 本发明提供可耐高温材料(例如400°C以上),以应用于TFT工艺,可使玻璃上的 柔性(flexible)基板上进行工艺时不会产生离型状况,且在完成元件后又可轻易将柔性 基板取下而不粘附于玻璃。
[0007] 本发明一实施例提供的离型层(release layer),应用于柔性电子元件工艺,且该 离型层为芳香性聚亚酰胺。
[0008] 本发明一实施例提供的基板结构,应用于柔性电子元件工艺,包括:支撑载体;离 型层,以第一面积覆盖支撑载体,其中离型层为芳香性聚亚酰胺;以及柔性基板,以第二面 积覆盖离型层与支撑载体,其中第二面积大于第一面积,且柔性基板与支撑载体之间的密 着度(adhesion force)大于离型层与支撑载体之间的密着度。
[0009] 本发明一实施例提供的柔性电子元件工艺,包括:提供支撑载体;形成第一面积 的离型层覆盖支撑载体,且离型层为芳香性聚亚酰胺;形成第二面积的柔性基板覆盖离型 层与支撑载体,其中第二面积大于第一面积,且柔性基板与支撑载体之间的密着度大于离 型层与支撑载体之间的密着度;形成元件于柔性基板上;以及分离支撑载体与离型层,且 自支撑载体分离的离型层与柔性基板的面积实质上等于第二面积。

【专利附图】

【附图说明】
[0010] 图IA示出了本发明一实施例中的基板结构的剖视图。
[0011] 图IB与图IC示出了本发明一实施例中的基板结构的上视图。
[0012] 图2A至图2E示出了本发明一实施例中的柔性电子元件的工艺剖视图。

【具体实施方式】
[0013] 本发明提供的基板结构具有耐高温的特性。在支撑载体与柔性基板中间,导入耐 高温涂布型的离型层材料。藉由离型层,可分隔柔性基板与支撑载体,避免柔性基板在后段 高温工艺后,柔性基板与玻璃粘死而无法分离,造成无法取下柔性基板的问题。上述基板结 构可提升工艺良率。
[0014] 请参阅图1A,本发明一实施例提供的基板结构10可用于柔性电子元件工艺。基 板结构10包括支撑载体12、离型层14、以及柔性基板16。支撑载体12可包括玻璃或硅晶 圆。离型层14覆盖支撑载体12的面积为A1,且离型层14的图案可为一或多个区块(如 图IB或图IC所示)。值得注意的是,上述离型层14的图案仅用以举例,本【技术领域】中具有 通常知识者自可依需求选择适当的离型层14的图案的形状、大小、与密度。离型层14为芳 香性聚亚酰胺,由二胺与二酸酐共聚而成。二胺为4, 4' -二胺基二苯醚、3, 4' -二胺基二苯 醚、对苯二胺、2, 2'-二(三氟甲基)二胺基联苯、或上述的组合,且二酸酐为均苯四甲酸二 酐、联苯四羧酸二酐、4, 4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、或上述的组合。二胺与二酸酐先聚合 形成聚酰胺酸(Polyamic acid, PAA)后,再脱水形成聚亚酰胺(Polyimide, PI),如式1所 /Jn 〇
[0015]

【权利要求】
1. 一种离型层,应用于柔性电子元件工艺,且所述离型层为芳香性聚亚酰胺。
2. 权利要求1所述的离型层,其中所述芳香性聚亚酰胺由二胺与二酸酐共聚而成,所 述二胺为4, 4'-二胺基二苯醚、3, 4'-二胺基二苯醚、对苯二胺、2, 2'-二(三氟甲基)二胺 基联苯、或上述的组合,且所述二酸酐为均苯四甲酸二酐、联苯四羧酸二酐、4, 4' -(六氟异 丙烯)二酞酸酐、或上述的组合。
3. -种基板结构,包括: 支撑载体; 离型层,以第一面积覆盖该支撑载体,其中所述离型层为芳香性聚亚酰胺;以及 柔性基板,以第二面积覆盖所述离型层与所述支撑载体,其中所述第二面积大于所述 第一面积,且所述柔性基板与所述支撑载体之间的密着度大于所述离型层与所述支撑载体 之间的密着度。
4. 权利要求3所述的基板结构,其中所述芳香性聚亚酰胺由二胺与二酸酐共聚而成, 所述二胺为4, 4'-二胺基二苯醚、3, 4'-二胺基二苯醚、对苯二胺、2, 2'-二(三氟甲基)二 胺基联苯、或上述的组合,且所述二酸酐为均苯四甲酸二酐、联苯四羧酸二酐、4, 4' -(六氟 异丙烯)二酞酸酐、或上述的组合。
5. 权利要求3所述的基板结构,其中所述支撑载体包括玻璃或硅晶圆。
6. 权利要求3所述的基板结构,其中所述柔性基板的组成不同于所述离型层的组成, 且所述柔性基板包括聚亚酰胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚对苯二甲酸乙 二醇酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚醚亚酰胺。
7. 权利要求3所述的基板结构,更包括粉末混掺于所述柔性基板中。
8. 权利要求3所述的基板结构,更包括元件形成于所述柔性基板上。
9. 一种柔性电子元件工艺,包括: 提供支撑载体; 形成第一面积的离型层覆盖所述支撑载体,且所述离型层为芳香性聚亚酰胺; 形成第二面积的柔性基板覆盖所述离型层与所述支撑载体,其中所述第二面积大于所 述第一面积,且所述柔性基板与所述支撑载体之间的密着度大于所述离型层与所述支撑载 体之间的密着度; 形成元件于所述柔性基板上;以及 分离所述支撑载体与所述离型层,且自所述支撑载体分离的离型层与所述柔性基板的 面积实质上等于所述第二面积。
10. 权利要求9所述的柔性电子元件工艺,其中所述芳香性聚亚酰胺由二胺与二酸酐 共聚而成,所述二胺为4, 4' -二胺基二苯醚、3, 4' -二胺基二苯醚、对苯二胺、2, 2' -二(三 氟甲基)二胺基联苯、或上述的组合,且所述二酸酐为均苯四甲酸二酐、联苯四羧酸二酐、 4, 4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐、或上述的组合。
11. 权利要求9所述的柔性电子元件工艺,其中形成所述元件于所述柔性基板上的步 骤的温度介于250°C至450°C之间。
12. 权利要求9所述的柔性电子元件工艺,其中分离所述支撑载体与所述离型层的步 骤包括:以垂直所述支撑载体表面的方向,切割所述离型层与所述柔性基板重叠的边缘部 份。
13.权利要求9所述的柔性电子元件工艺,更包括在分离所述支撑载体与所述离型层 的步骤后,分离所述柔性基板与所述离型层。
【文档编号】B32B17/10GK104512075SQ201410130994
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2014年4月2日 优先权日:2013年10月4日
【发明者】林志成, 吕奇明, 郭育如 申请人:财团法人工业技术研究院
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