阵列基板、显示面板及显示装置制造方法

文档序号:2543274阅读:124来源:国知局
阵列基板、显示面板及显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置,阵列基板包括第一修复线和第二修复线,第一修复线与数据线平行设置,且设置于像素单元的与数据线所在侧相反的一侧,第二修复线至少设置于奇数列或者偶数列上每一个像素单元另外两侧设有的两条平行分布的栅极线之间,且每一条第二修复线的一端与第一修复线连接;连接线,连接线至少设置于奇数列或者偶数列上每一个像素单元另外两侧设有的两条平行分布的栅极线之间,连接线与像素单元同层设置,且连接线的一端通过接触孔与第二修复线的另一端连接,连接线的另一端与数据线分别在阵列基板上的投影交叠。上述阵列基板,可实现多条数据线断裂进行修复的目的,可减小显示装置的边框。
【专利说明】阵列基板、显示面板及显示装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示器【技术领域】,特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。【背景技术】
[0002]虽然目前阵列基板的制造技术已经趋于成熟,但在制造过程中仍难免会产生一些不良,而这些不良会影响使用此基板的显示装置的显示品质。若直接报废这些有不良的阵列基板,将会使得制造成本大幅增加。通常,只依赖改善工艺技术来实现零不良率是非常困难的,因此阵列基板的不良修补技术变得相当的重要。
[0003]图1a和图1b分别为现有技术中阵列基板进行修补前后的电路示意图。图1a中,阵列基板上设有多条交叉分布的数据线01和栅极线02,阵列基板会在外围区域预先保留多条修补线R0,当数据线01有一断线处03时,数据信号将只能从图1a的上方传递至断线处03为止(如箭头所示),断线处03下方的像素单元就无法接收到数据信号而不能显示。此时,可将原本彼此绝缘的修补线RO与数据线01的上下两端都连接在一起,如图1b中连接点04和05所示。如此一来,数据信号将可由修补线RO传递至断线处03下方的像素单元,以便断线处03下方的像素单元能够正常显示。
[0004]然而,为了避免因为修补线RO的数量不足而导致断线处03过多时无法进行修补,必须提供相当数量的修补线RO在阵列基板的外围区域。这样一来,会导致阵列基板的外围区域的面积增大,且外围区域的线路复杂度也增加许多。另外,修补后的阵列基板利用绕在外围的修补线RO传递数据信号,会因为走线长度较长而面临阻抗过高的问题,需连接预留的功率放大器或更换功率较大的驱动芯片,这样均会使阵列基板的成本大幅提高。而且,走线长度较长也增加信号受干扰的机会,导致修补后的阵列基板的品质较差。
实用新型内容
[0005]本实用新型提供了一种阵列基板,可实现多条数据线断裂进行修复的目的,可减小显示装置的边框。
[0006]另外,本实用新型还提供了一种显示面板和显示装置,具有较长的使用寿命和较好的使用性能。
[0007]为达到上述目的,本实用新型提供以下技术方案:
[0008]本实用新型提供了一种阵列基板,包括:多条相互交叉分布的数据线和栅极线、阵列分布的多个像素单元,相邻的两行所述像素单元之间设有两条平行分布的栅极线,每条所述数据线由其左右相邻的两列像素单元所共用,还包括:
[0009]第一修复线和第二修复线,所述第一修复线与所述数据线平行设置,且设置于所述像素单元的与所述数据线所在侧相反的一侧,所述第二修复线至少设置于奇数列或者偶数列上每一个所述像素单元另外两侧设有的所述两条平行分布的栅极线之间,且每一条所述第二修复线的一端与所述第一修复线连接;
[0010]连接线,所述连接线至少设置于奇数列或者偶数列上每一个所述像素单元另外两侧设有的所述两条平行分布的栅极线之间,所述连接线与所述像素单元同层设置,且所述连接线的一端通过接触孔与所述第二修复线的另一端连接,所述连接线的另一端和所述数据线分别在所述阵列基板上的投影交叠。
[0011]本实用新型提供的阵列基板,当阵列基板上的某条数据线断裂时,将与该条数据线相邻的那条第一修复线剪断,并将该数据线断点处对应的像素单元另外两侧分别设有的连接线的另一端与该条断裂的数据线焊接,焊接时,采用激光焊接技术将连接线的另一端和数据线的交叠位置处焊在一起,实现电连接,使得连接线、第二修复线、第一修复线和该断裂的数据线形成新的信号传输路径,由于该第一修复线和第二修复线设置于每一个像素单元的与数据线所在侧相反的一侧,第一修复线与数据线平行设置,也就是说第一修复线的数目与数据线的数目相同,无论几条数据线出现断裂,都可以进行修补,避免了现有技术中因为修补线的数量不足而导致断线处的数据线过多时无法修补的现象的发生,且与现有技术中的修补线设置在阵列基板的外围区域相比,减少了修复线的走线长度,也就减少了阻抗过高和信号受干扰的现象的发生。
[0012]所以,本实用新型提供的阵列基板,可实现多条数据线断裂进行修复的目的,可减小显示装置的边框。
[0013]在一些可选的实施方式中,所述第二修复线与所述数据线同层设置。
[0014]在一些可选的实施方式中,所述第一修复线为与所述数据线材料相同的修复线,所述第二修复线为与所述数据线材料相同的修复线。
[0015]在一些可选的实施方式中,所述连接线为透明导电金属氧化物材料的连接线。
[0016]在一些可选的实施方式中,所述第一修复线、所述第二修复线和所述连接线的线宽相等。
[0017]在一些可选的实施方式中,所述第一修复线、所述第二修复线和所述连接线的线宽均为4微米。一般来说,在目前的工艺条件下,两行同层的栅极线之间的间距为10微米左右,将第二修复线设置为4微米,这样,第二修复线与上下两栅极线之间的间距均为3微米左右,不会使非同层的第二修复线与栅极线之间出现重叠而产生寄生电容。
[0018]在一些可选的实施方式中,所述第一修复线的两端均连接到阵列基板的公共电极端。当阵列基板上没有数据线发生断裂时,整条第一修复线容易浮置在像素单元中间,容易产生一些静电,为了防止这种现象的发生,可以将第一修复线的两端均连接到阵列基板的公共电极端。
[0019]在一些可选的实施方式中,所述第一修复线的两端均连接到阵列基板的接地端。当阵列基板上没有数据线发生断裂时,整条第一修复线容易浮置在像素单元中间,容易产生一些静电,为了防止这种现象的发生,可以将第一修复线的两端均连接到阵列基板的接地端。
[0020]另外,本实用新型还提供了一种显示面板,包括上述任一项所述的阵列基板。由于上述阵列基板可实现多条数据线断裂进行修复的目的,可减小显示装置的边框。所以,本实用新型提供的显示面板也具有较长的使用寿命和较好的使用性能。
[0021]本实用新型还提供了一种显示装置,包括上述显示面板。由于上述显示面板具有较长的使用寿命和较好的使用性能,所以,本实用新型提供的显示装置,也具有较长的使用寿命和较好的使用性能。【专利附图】

【附图说明】
[0022]图1a为现有技术中阵列基板进行修补前的电路示意图;
[0023]图1b为现有技术中阵列基板进行修补后的电路示意图;
[0024]图2为本实用新型提供的阵列基板的电路示意图。
[0025]图中:
[0026]01-数据线02-栅极线03-断线处RO-修补线04-连接点05-连接点1-数据线2-栅极线3-像素单元41-第一修复线42-第二修复线5-连接线6-接触孔71-薄膜晶体管源极72-薄膜晶体管漏极
【具体实施方式】
[0027]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0028]实施例一
[0029]图2为本实用新型提供的阵列基板的电路示意图,如图2所示,本实用新型实施例提供的阵列基板,包括:多条相互交叉分布的数据线I和栅极线2、阵列分布的多个像素单元3,相邻的两行像素单元3之间设有两条平行分布的栅极线2,每条数据线I由其左右相邻的两列像素单元所共用,还包括:
[0030]第一修复线41和第二修复线42,第一修复线41与数据线I平行设置,且设置于像素单元3的与数据线I所在侧相反的一侧,第二修复线42至少设置于奇数列或者偶数列上每一个像素单元3另外两侧设有的两条平行分布的栅极线2之间,且每一条第二修复线42的一端与第一修复线41连接;
[0031 ] 连接线5,连接线5至少设置于奇数列或者偶数列上每一个像素单元3另外两侧设有的两条平行分布的栅极线2之间,连接线5与像素单元3同层设置,且连接线5的一端通过接触孔6与第二修复线42的另一端连接,连接线5的另一端与数据线I分别在阵列基板上的投影交叠。
[0032]本实用新型提供的阵列基板,每一个像素单元3具有的薄膜晶体管源极71连接数据线I,薄膜晶体管栅极连接栅极线2,薄膜晶体管漏极72通过接触孔6与像素单元3连接,当阵列基板上的某条数据线I断裂时(如图2所示的叉号“ X ”位置),优选地可将与该条数据线相邻的那条第一修复线41剪断(图2所示的Al和A2处),并将该数据线I断点处对应的像素单元3另外两侧分别设有的连接线5的另一端与该条断裂的数据线I在图2中所示的BI和B2处(即连接线的另一端与数据线交叠处)通过激光焊接技术焊接在一起实现电连接,使得连接线5、第二修复线42、第一修复线41和该断裂的数据线I形成新的信号传输路径(如图2中所示的箭头方向),由于该第一修复线41和第二修复线42设置于每一个像素单元3的非数据线包围侧,第一修复线41与数据线I平行设置,也就是说第一修复线41的数目与数据线I的数目相同,无论几条数据线I出现断裂,都可以进行修补,避免了现有技术中因为修补线的数量不足而导致断线处的数据线过多时无法修补的现象的发生,且与现有技术中的修补线设置在阵列基板的外围区域相比,减少了修复线的走线长度,也就减少了阻抗过高和信号受干扰的现象的发生。需要说明的是,上述实施例中,将Al和A2处切断,这样可以避免由于修复线固有的电气特性而导致的数据信号的延迟或干扰;然而,本实用新型不限于此,也可以不切断Al和A2处。
[0033]所以,本实用新型提供的阵列基板,可实现多条数据线断裂进行修复的目的,可减小显示装置的边框。
[0034]将图2中的Al和A2处切断,可以采用激光切割方法,将数据线I断点处对应的像素单元3另外两侧分别设有的连接线5的另一端与该条断裂的数据线I焊接在一起,也可以采用激光焊接的方法,当然上述切割和焊接方法不限于列举的激光方法。
[0035]激光深熔焊接一般采用连续激光光束完成材料的连接,其冶金物理过程与电子束焊接极为相似,即能量转换机制是通过“小孔”(Key-hole)结构来完成的。在足够高的功率密度激光照射下,材料产生蒸发并形成小孔。这个充满蒸气的小孔犹如一个黑体,几乎吸收全部的入射光束能量,孔腔内平衡温度达25000C左右,热量从这个高温孔腔外壁传递出来,使包围着这个孔腔四周的金属熔化。小孔内充满在光束照射下壁体材料连续蒸发产生的高温蒸汽,小孔四壁包围着熔融金属,液态金属四周包围着固体材料(而在大多数常规焊接过程和激光传导焊接中,能量首先沉积于工件表面,然后靠传递输送到内部)。孔壁外液体流动和壁层表面张力与孔腔内连续产生的蒸汽压力相持并保持着动态平衡。光束不断进入小孔,小孔外的材料在连续流动,随着光束移动,小孔始终处于流动的稳定状态。就是说,小孔和围着孔壁的熔融金属随着前导光束前进速度向前移动,熔融金属充填着小孔移开后留下的空隙并随之冷凝,焊缝于是形成。
[0036]本实用新型较优选的实施方式中,第二修复线42与数据线I同层设置。
[0037]一种【具体实施方式】中,第一修复线41的材料与数据线I材料相同,第二修复线42的材料与数据线I材料相同,连接线5由透明导电金属氧化物材料制成。
[0038]优选地,第一修复线41、第二修复线42和连接线5的线宽相同,进一步的,第一修复线41、第二修复线42和连接线5的线宽均为4微米。一般来说,在目前的工艺条件下,两行同层的栅极线2之间的间距为10微米左右,将第二修复线42设置为4微米,这样,第二修复线42与上下两栅极线2之间的间距均为3微米左右,不会使非同层的第二修复线42与栅极线2之间出现重叠而产生较大的寄生电容。
[0039]由于,现有技术中,为了避免在像素区域内没有被电场覆盖的区域出现漏光,以及考虑阵列基板与彩膜基板的贴合偏差等因素,在图2中虚线框C,D,E等区域均会有黑色不透光的材料(又称黑矩阵,Black Matrix,图中未表示)覆盖,而且在设计中,为了使数据线两侧的像素透光面积近似相等,避免两侧像素的亮度差别明显而出现显示不良的现象,虚线框C,D内黑色不透光材料的宽度一般满足经验公式:
【权利要求】
1.一种阵列基板,包括:多条相互交叉分布的数据线和栅极线、阵列分布的多个像素单元,相邻的两行所述像素单元之间设有两条平行分布的栅极线,每条所述数据线由其左右相邻的两列像素单元所共用,其特征在于,还包括: 第一修复线和第二修复线,所述第一修复线与所述数据线平行设置,且设置于所述像素单元的与所述数据线所在侧相反的一侧,所述第二修复线至少设置于奇数列或者偶数列上每一个所述像素单元另外两侧设有的所述两条平行分布的栅极线之间,且每一条所述第二修复线的一端与所述第一修复线连接; 连接线,所述连接线至少设置于奇数列或者偶数列上每一个所述像素单元另外两侧设有的所述两条平行分布的栅极线之间,所述连接线与所述像素单元同层设置,且所述连接线的一端通过接触孔与所述第二修复线的另一端连接,所述连接线的另一端与所述数据线分别在所述阵列基板上的投影交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二修复线与所述数据线同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一修复线为与所述数据线材料相同的修复线,所述第二修复线为与所述数据线材料相同的修复线。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述连接线为透明导电金属氧化物材料的连接线。
5.根据权利要求1?4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一修复线、所述第二修复线和所述连接线的线宽相等。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一修复线、所述第二修复线和所述连接线的线宽均为4微米。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一修复线的两端均连接到阵列基板的公共电极端。
8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一修复线的两端均连接到阵列基板的接地端。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1?8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
【文档编号】G09F9/30GK203480777SQ201320607422
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年9月29日 优先权日:2013年9月29日
【发明者】姜清华, 秦锋, 李小和, 李红敏, 张晓洁 申请人:合肥京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
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