本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种LED显示器件。
背景技术：
液晶显示器、有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)等是目前普遍的小尺寸显示器。目前普遍的小尺寸显示器都存在亮度有限、无法使人在强光下看到其显示的图像的问题。
随着发光二极管(Lighting Emitting Diode，简称LED)在显示及照明领域的广泛应用，可以采用微米级LED(Micro LED)芯片组成的显示器件代替目前普遍的小尺寸显示器。由于LED芯片组成的显示器件具有亮度高的特点，因此可以使人在强光下清晰地看到其显示的图像。但目前并没有制作LED显示器件的具体技术。
技术实现要素：
为了解决现有技术的问题，本实用新型实施例提供了一种LED显示器件。所述技术方案如下：
本实用新型实施例提供了一种发光二极管LED显示器件，所述LED显示器件包括电路基板、以及设置在所述电路基板上的多个LED芯片，所述多个LED芯片的颜色包括红色、绿色和蓝色中的至少一种，所述LED芯片和所述电路基板上铺设的线路之间通过连接桥连通，所述LED芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述P型层上开设有延伸至所述N型层的凹槽，所述N型层的中心设置有N型电极，所述P型层的边缘设置有P型电极。
可选地，所述P型层延伸至所述N型层的侧壁、以及所述P型层延伸至所述衬底的侧壁上设置有绝缘层。
可选地，所述绝缘层为反光层或透光层。
可选地，所述LED芯片的尺寸为20～80μm。
本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过电路基板和设置在电路基板上的多个LED芯片，多个LED芯片的颜色包括红色、绿色和蓝色中的至少一种，LED芯片和电路基板上铺设的线路之间通过连接桥连通，LED芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层，P型层上开设有延伸至N型层的凹槽，N型层的中心设置有N型电极，P型层的边缘设置有P型电极，实现LED显示器件。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的LED显示器件的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
实施例
本实用新型实施例提供了一种LED显示器件，参见图1，该LED显示器件包括电路基板40、以及设置在电路基板40上的多个LED芯片60，多个LED芯片60的颜色包括红色、绿色和蓝色中的至少一种，LED芯片60和电路基板40上铺设的线路之间通过连接桥6连通，LED芯片60包括衬底4、以及依次层叠在衬底4上的N型层、发光层、P型层3，P型层上开设有延伸至N型层的凹槽，N型层的中心设置有N型电极2，P型层的边缘设置有P型电极1。
可选地，P型层延伸至N型层的侧壁、以及P型层延伸至衬底4的侧壁上可以设置有绝缘层5。
可选地，绝缘层5可以为反光层或透光层。
可选地，LED芯片60的尺寸可以为20～80μm，如50μm。
本发明实施例通过电路基板和设置在电路基板上的多个LED芯片，多个LED芯片的颜色包括红色、绿色和蓝色中的至少一种，LED芯片和电路基板上铺设的线路之间通过连接桥连通，LED芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层，P型层上开设有延伸至N型层的凹槽，N型层的中心设置有N型电极，P型层的边缘设置有P型电极，实现LED显示器件。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。