移位暂存电路及其应用的显示面板的制作方法

本申请涉及一种显示技术领域，特别涉及一种移位暂存电路及其应用的显示面板。

背景技术：

近年来，随着科技的进步，平面液晶显示器逐渐普及化，其具有轻薄等优点。目前平面液晶显示器驱动电路主要是由面板外连接ic来组成，但是此方法无法将产品的成本降低、也无法使面板更薄型化。

且液晶显示设备中通常具有栅极驱动电路、源极驱动电路和像素阵列。像素阵列中具有多个像素电路，每一个像素电路依据栅极驱动电路提供的扫描讯号开启和关闭，并依据源极驱动电路提供的数据讯号，显示数据画面。以栅极驱动电路来说，栅极驱动电路通常具有多级移位寄存器，并藉由一级移位寄存器传递至下一级移位寄存器的方式，来输出扫描讯号到像素阵列中，以依序地开启像素电路，使像素电路接收数据讯号。

因此在驱动电路的制程中，便直接将栅极驱动电路制作在阵列基板上，来取代由外连接ic制作的驱动芯片，此种被称为栅极阵列驱动(gateonarray，goa)技术的应用可直接做在面板周围，减少制作程序、降低产品成本且使面板更薄型化。

在栅极阵列驱动技术中，将原本的栅极集成电路(gateic)拆分成升压集成电路(levelshifteric)和移位寄存器(shiftregister)两部分，升压集成电路做在驱动板上，移位寄存器做在了面板上，这样便不需要栅极集成电路了，因此可以进一步压缩边框长度。

然而，移位寄存器连接频率讯号的主动开关，在频率讯号切入低电位时，很容易因为频率讯号的低电位小于低默认电位vss，导致此主动开闭被打开。而且对于面板充电来说，在一帧的时间内，一行只被打开一次，剩下的绝大部分时间是关闭的，所以此类主动开关被打开即造成功耗相对较高的情形。对于大尺寸且高分辨率的面板来说更是如此。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本申请的目的在于，提供一种移位暂存电路，能在频率讯号切入低电位时，使连接频率讯号的主动开关不再有跨压的压差产生，避免主动开关漏电，被打开等产生额外功率。

本申请的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本申请提出的一种移位暂存电路，包括多级移位寄存器，每一移位寄存器包括：第一开关，所述第一开关的控制端电性耦接第一节点，所述第一开关的第一端电性耦接第一频率讯号，所述第一开关的第二端电性耦接本级栅极讯号；第二开关，所述第二开关的控制端电性耦接所述第一节点，所述第二开关的第一端电性耦接第二频率讯号，所述第二开关的第二端电性耦接次级帧讯号；第三开关，所述第三开关的控制端电性耦接本级帧讯号，所述第三开关的第二端电性耦接所述第一节点。

本申请解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

在本申请的一实施例中，更包括第四开关，所述第四开关的控制端电性耦接第二节点，所述第四开关的第一端电性耦接所述本级栅极讯号，所述第四开关的第二端电性耦接一低预设电位，所述第二节点电性耦接次级栅极讯号。

在本申请的一实施例中，更包括第五开关，所述第五开关的控制端电性耦接第二节点，所述第五开关的第一端电性耦接所述第一节点，所述第五开关的第二端电性耦接低预设电位，所述第二节点电性耦接次级栅极讯号。

在本申请的一实施例中，更包括子下拉电路，电性耦接于所述第一节点、所述本级栅极讯号及低默认电位。

在本申请的一实施例中，更包括子下拉电路控制器，电性耦接于所述低默认电位及所述子下拉电路。

在本申请的一实施例中，所述第三开关的第一端电性耦接前级栅极讯号。

在本申请的一实施例中，所述第三开关的第一端电性耦接本级帧讯号。

在本申请的一实施例中，所述第三开关的第一端电性耦接直流讯号用以提供电源给予预充所述移位暂存电路。

本申请的次一目的为一种显示面板，其包括：相对设置的第一基板与第二基板；第一偏光片设置于所述第一基板的外表面上；以及第二偏光片设置于所述第二基板的外表面上，其中所述第一偏光片与所述第二偏光片的偏振方向为互相平行；及包括上述任何一种实施例的技术特征的移位暂存电路。

本申请可以不大幅改变现有生产流程的前提，维持原制程需求和产品成本；能在频率讯号切入低电位时，使连接频率讯号的主动开关不再有跨压的压差产生，避免主动开关漏电，被打开等产生额外功率；改进简便易行，亦有助提升电路可靠性；能使用于各种尺寸面板的制作，适用性相对较高。

附图说明

图1a为范例性的液晶显示器示意图。

图1b为范例性的移位寄存器电路示意图。

图1c为范例性的栅极驱动电路基板的波形示意图。

图2a为显示依据本申请的方法，一实施例应用于移位暂存电路示意图。

图2b为显示依据本申请的方法，一实施例应用于移位暂存电路的波形示意图。

图3为显示依据本申请的方法，一实施例应用于移位暂存电路示意图。

图4为显示依据本申请的方法，一实施例应用于移位暂存电路示意图。

图5为显示依据本申请的方法，一实施例应用于移位暂存电路示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。

附图和说明被认为在本质上是示出性的，而不是限制性的。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。另外，为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。

在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。

另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在......上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力方向的顶部上。

为更进一步阐述本申请为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本申请提出的一种移位暂存电路及其应用的显示面板，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

本申请的液晶面板可包括主动阵列(thinfilmtransistor，tft)基板、彩色滤光层(colorfilter，cf)基板与形成于两基板之间的液晶层。

在一些实施例中，本申请的液晶面板可为曲面型显示面板。

在一些实施例中，本申请的主动阵列(tft)及彩色滤光层(cf)可形成于同一基板上。

图1a为范例性的液晶显示器示意图。请参照图1a，一种栅极阵列驱动(gateonarray)的液晶显示器100，包括一彩色滤光片基板110、一主动阵列基板120。栅极集成电路(gateic)被分成了两部分，一是升压模块(levelshifter)103，一是移位寄位器(shiftregister)105。所述升压模块103设置在在驱动电路板130上，移位寄存器105则是设置在主动阵列基板120上，由于移位寄存器105占的面积很小，因此栅极阵列驱动(goa)面板一般都可以做到超窄边框。

图1b为范例性的移位寄存器电路示意图，一般是通过汤普森电路改良设计而得。请参照图1b，一种移位寄存器电路200，包括一输入脉冲讯号电路210及一频率讯号电路220。频率讯号clk是升压模块103输出的，栅极信号g(n)是由显示面板中的栅极走线(gateline)提供，低默认电位vss是栅极走线关闭的低电平，帧讯号stv(n)是起始信号。

当本级帧讯号stv(n)启动后，第三开关t30被打开，前级栅极信号g(n-1)给第一节点p1充电，同时第一开关t10和第二开关t20被打开，这样当频率讯号clk为高电平时，次级帧讯号stv(n+1)和本级栅极信号g(n)就输出高电平，其中次级帧讯号stv(n+1)也作为次一级移位寄存器电路的起始信号，本级栅极信号g(n)不仅打开显示面板当前第n行栅极走线连接的主动开关(tft)，同时也作为下一级次一级移位寄存器电路的控制信号。当次级g栅极信号(n+1)也输出高电平时，同步会打开第五开关t50和第四开关t40使本级栅极信号g(n)输出为低默认电位vss，从而关闭显示面板当前第n行的主动开关。这样便完成了下一行主动开关被打开的同时，上一行主动开关被关闭，这样逐次进行传递，完成依次打开所有栅极走线所连接主动开关。

图1c为范例性的栅极驱动电路基板的波形示意图，其为图1b所绘示电路的波形示意图。请参照图1c，频率讯号clk与次级频率讯号xclk两者是为极性相反的信号，分别控制栅极走线奇数行与偶数行连接主动开关(tft)的充电动作。

由于为了让第三开关t3更好的关闭，频率讯号clk和次级频率讯号xclk的低调整电位为vss1，低调整电位vss1的电压准位小于低默认电位vss，这样帧讯号stv得到的低电平信号也是低调整电位vss1，第三开关t3就可以关闭得比较好。

其中，本级栅极信号g(n)充电完毕后，本级栅极信号g(n)和第一节点p1一直保持为低默认电位vss，即第一开关t10的控制端t13(g极)和第二端t12(s极)处于低默认电位。当频率讯号clk为高电位时，第一开关t10可以完全关闭没有问题，可是当频率讯号clk为低调整电位vss1时，因为低调整电位vss1的电压准位小于低默认电位vss，所以这时第一开关t10会被打开，而且第一开关t10的第一端t11(d极)和第二端t12(s极)的跨压维持为低默认电位vss与低调整电位vss1的压差值(vss-vss1)，第一开关t10的功耗就会较大。而且对于显示面板充电来说，在一帧的时间内，一行只被打开一次，剩下的绝大部分时间是关闭的，所以第一开关t10会维持大量的功耗。

图2a为显示依据本申请的方法，一实施例应用于移位暂存电路示意图。请参照图2a，一种移位暂存电路300，包括多级移位寄存器，以虚框范围表明每一级的移位寄存器，包括：第一开关t10，所述第一开关t10的控制端t13电性耦接第一节点p1，所述第一开关t10的第一端t11电性耦接第一频率讯号clk’，所述第一开关t10的第二端t12电性耦接本级栅极讯号g(n)；第二开关t20，所述第二开关t20的控制端t23电性耦接所述第一节点p1，所述第二开关t20的第一端t21电性耦接第二频率讯号clk，所述第二开关t20的第二端t22电性耦接次级帧讯号stv(n+1)；第三开关t30，所述第三开关t30的控制端t33电性耦接本级帧讯号stv(n)，所述第三开关t30的第二端t32电性耦接所述第一节点p1。

在一些实施例中，移位暂存电路300更包括第四开关t40，所述第四开关t40的控制端t43电性耦接第二节点p2，所述第四开关t40的第一端t41电性耦接所述本级栅极讯号g(n)，所述第四开关t40的第二端t42电性耦接一低预设电位vss。

在一些实施例中，移位暂存电路300更包括第五开关t50，所述第五开关t50的控制端t53电性耦接第二节点p2，所述第五开关t50的第一端t51电性耦接所述第一节点p1，所述第五开关t50的第二端t52电性耦接低预设电位vss。

在一些实施例中，所述第二节点p2电性耦接次级栅极讯号g(n+1)。

在一些实施例中，所述第三开关t30的第一端t31电性耦接前级栅极讯号g(n-1)。

图2b为显示依据本申请的方法，一实施例应用于移位暂存电路的波形示意图，其为图2a所绘示电路的波形示意图。请参照图2a与图2b，频率讯号电路分为两个频率讯号端，第二频率讯号clk负责本级帧讯号的产生，第一频率讯号clk’负责本级栅极讯号g(n)的产生，第二频率讯号clk的低电平准位为低调整电位vss1，而第一频率讯号clk’的低电平准位为低默认电位vss。当第n行栅极走线进行正常充电时，第一开关t10和第二开关t20照常被打开，此时次级帧讯号stv(n+1)和本级栅极信号g(n)都为高电平，当第n行栅极走线充电完毕后，本级栅极信号g(n)为低默认电位vss，次级帧讯号stv(n+1)为低调整电位vss1，可以看到帧讯号stv和栅极信号的输出是独立控制的，即使第二频率讯号clk和第一频率讯号clk’是连续的方波信号，可是第一开关t10的第一端t11和第二端t12，第二开关t20的第一端t21和第二端t22，即两者的d极与s极两端都不会再有跨压的压差产生，所以第一开关t10和第二开关t20不会产生额外的功耗。

图3为显示依据本申请的方法，一实施例应用于移位暂存电路示意图。请参照图3，在一些实施例中，移位暂存电路300更包括子下拉电路420，电性耦接于所述第一节点p1、所述本级栅极讯号g(n)及低默认电位vss。

在一些实施例中，移位暂存电路300更包括子下拉电路控制器410，电性耦接于所述低默认电位vss及所述子下拉电路420。

图4为显示依据本申请的方法，一实施例应用于移位暂存电路示意图。请参照图5，在一些实施例中，所述第三开关t30的第一端t31电性耦接本级帧讯号stv(n)。

图5为显示依据本申请的方法，一实施例应用于移位暂存电路示意图。请参照图5，在一些实施例中，所述第三开关t30的第一端t31电性耦接直流讯号vdd_lc用以提供电源给予预充所述移位暂存电路。所述直流讯号用以提升所述第三开关t30的控制端t33电位。

在本申请一实施例中，一种显示面板，包括：相对设置的第一基板与第二基板；设置于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层；第一偏光片设置于所述第一基板的外表面上；以及第二偏光片设置于所述第二基板的外表面上，其中所述第一偏光片与所述第二偏光片的偏振方向为互相平行；及包括上述任何一种实施例的技术特征的移位暂存电路。

本申请可以不大幅改变现有生产流程的前提，维持原制程需求和产品成本；能在频率讯号切入低电位时，使连接频率讯号的主动开关不再有跨压的压差产生，避免主动开关漏电，被打开等产生额外功率；改进简便易行，亦有助提升电路可靠性；能使用于各种尺寸面板的制作，适用性相对较高。

“在一些实施例中”及“在各种实施例中”等用语被重复地使用。所述用语通常不是指相同的实施例；但它亦可以是指相同的实施例。“包含”、“具有”及“包括”等用词是同义词，除非其前后文意显示出其它意思。

以上所述，仅是本申请的较佳实施例而已，并非对本申请作任何形式上的限制，虽然本申请已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本申请技术方案的范围内。