显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示装置，并且涉及有效应用于例如在彼此相对的基板的各自上形成有电极的显示装置的技术。

背景技术：

对于构成显示装置的基板而言，存在使用具有挠性的基板的技术(参见日本特开2015-118373号公报(专利文献1))。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-118373号公报

技术实现要素：

实用新型要解决的课题

当在基板的外部存在用于驱动在显示装置的基板上形成的电路的驱动电路的情况下，存在于基板的连接端子与驱动电路经由各向异性导电膜等导电性部件而得以电连接。当将连接端子与驱动电路电连接时，根据连接端子的构造，存在应力集中于连接端子的一部分的情况。在基板中，在设置有连接端子的区域中形成绝缘层、导电层等部件，但已知的是，若上述应力集中于这些部件的一部分，则在上述部分中存在产生裂纹等损伤的情况。

本实用新型的目的在于，提供提高显示装置的性能的技术。

用于解决课题的手段

本实用新型的一个方式的显示装置具有：存在于显示区域的液晶层；具备挠性及可见光透过性的第一基板；存在于上述液晶层与上述第一基板之间的第一导电层；和存在于上述第一导电层与上述第一基板之间的第二导电层。另外，显示装置具有：第一绝缘层，其存在于上述第一导电层与上述第二导电层之间，且具有第一开口部；存在于上述第二导电层与上述第一基板之间的第二绝缘层；和覆盖上述第一导电层的第三绝缘层。另外，显示装置具有：连接端子，其包含上述第一导电层的第1A部分及上述第二导电层的第2A部分；驱动电路，其经由各向异性导电膜而电连接于上述连接端子；和连接布线，其连接于上述连接端子，并且在上述连接端子与上述显示区域之间延伸。上述第三绝缘层具有与上述第一导电层的上述第1A部分重叠的第二开口部。上述第一导电层的上述第1A部分与上述第二导电层的上述第2A部分通过上述第一开口部而电连接。在俯视下，上述第一开口部比上述第二开口部靠上述连接端子的缘部侧。

另外，本实用新型的另一方式的显示装置具有：存在于显示区域的液晶层；具备挠性及可见光透过性的第一基板；存在于上述液晶层与上述第一基板之间的第一导电层；和存在于上述第一导电层与上述第一基板之间的第二导电层。另外，显示装置具有：第一绝缘层，其存在于上述第一导电层与上述第二导电层之间，且具有第一开口部；存在于上述第二导电层与上述第一基板之间的第二绝缘层；和覆盖上述第一导电层的第三绝缘层。另外，显示装置具有：连接端子，其包含上述第一导电层的第1A部分及上述第二导电层的第2A部分；驱动电路，其经由各向异性导电膜而电连接于上述连接端子；和连接布线，其连接于上述连接端子，并且在上述连接端子与上述显示区域之间延伸。上述第三绝缘层具有与上述第一导电层的上述第1A部分重叠的第二开口部。上述第一导电层的上述第1A部分与上述第二导电层的上述第2A部分通过上述第一开口部而电连接。上述第一开口部不与上述第二开口部重叠。

附图说明

图1：为示出实施方式的显示装置的一例的俯视图。

图2：为沿着图1的A-A线的剖面图。

图3：为图1的显示区域的一部分的放大剖面图。

图4：为示出图1所示显示装置中的一个像素周边的电路构成例的电路图。

图5：为示出在图1所示驱动器芯片上连接的多个连接端子之中的一部分的放大俯视图。

图6：为示出在图5所示连接端子上连接了图1所示驱动器芯片的状态的放大剖面图。

图7：为示出相对于图6的研究例的端子构造的放大剖面图。

图8：为图7所示绝缘膜的产生了裂纹的部分的放大剖面图。

图9：为在图6所示显示装置中与图8的放大剖面对应的部分的放大剖面图。

图10：为作为相对于图6的变形例的显示装置的放大剖面图。

图11：为作为相对于图5的其他变形例的显示装置的放大俯视图。

图12：为作为相对于图6的其他变形例的显示装置的放大剖面图。

图13：为作为相对于图6的其他变形例的显示装置的放大剖面图。

图14：为作为相对于图6的其他变形例的显示装置的放大剖面图。

图15：为示出在图14的显示装置的显示区域中配置的晶体管的构成例的放大剖面图。

图16：为作为相对于图2的变形例的显示装置的剖面图。

附图标记说明

10、20 基板(基底基板、绝缘性基板)

10b、20b 背面(主面、面)

10f、20f 前面(主面、面)

11、12、13、14、15、16、17 绝缘层

12H、12H2、12H3、12Hc 开口部(贯通孔、接触孔)

12HW 开口宽度

13H 开口部(贯通孔)

ACF1 各向异性导电膜

AL1、AL2 取向膜

BL 背光单元(光源部)

BM 遮光膜

BND 粘接材料(密封材料)

CB1 电路基板

CD 公共电极驱动电路

CE 公共电极

CFB、CFG、CFR 滤色器

CL1、CL2、CL3、CL4、CL5、CL6 导电层

CML 公共线

CP1 导电粒子

CPW 粒径

CR1 裂纹

DA 显示区域

DE 漏电极

DRB 突起电极(安装引脚)

DRC1 驱动器芯片

DRP 焊盘(电极焊盘)

DSP1、DSP2、DSP3、DSP4、DSP5、DSP6、DSP7、DSPc 显示装置

FWB1 布线板(柔性布线板)

GD 栅极驱动电路(扫描线驱动电路)

GE 栅电极

GL 栅极线(扫描线)

Gsi 扫描信号

IF1 绝缘层

LQ 液晶层

LSL 遮光线

NDA 非显示区域(边框区域)

OC1 绝缘层

OD1、OD2 光学元件

OSC 半导体层

PE 像素电极

PF1 周边区域

PSW 像素开关元件

PX 像素

RE 中继电极

SCL 信号用连接布线

SD 信号线驱动电路

SE 源电极

SL 源极线(信号线、视频信号线)

Spic 视频信号

SUB1、SUB2 基板

SWS 开关电路部

TM1、TM2 连接端子

TMP1、TMP2、TMP3、TMP4、TMP5、TMP6 导体图案

TP1f 前面(上表面、表面)

Tr1 晶体管(显示用晶体管)

WR1 连接布线

具体实施方式

以下，参照附图对本实用新型的各实施方式进行说明。需要说明的是，所公开的终究不过是一例，对于本领域技术人员而言容易想到的在保持实用新型主旨进行的适当变更，当然包含于本实用新型的范围。另外，为了更清楚地进行说明，与实际情况相比，附图中有时对各部分的宽度、厚度、形状等进行示意性表示，但终究不过是一例，并非用来限定本实用新型的解释。另外，在本说明书和各图中，对与关于已经出现的图已说明过的要素同样的要素标注同一或相关标记，有时适当省略详细的说明。

另外，在以下实施方式中，作为显示装置的例子，举出具有作为电光层的液晶层的液晶显示装置进行说明。但是，除了液晶显示装置以外，以下说明的技术还能应用于各种变形例。例如，除了液晶层以外，电光层可以是有机发光元件层、无机发光元件层、MEMS快门(Micro Electro Mechanical Systems，微电子机械系统)、或者电泳元件层等包含通过施加电能而使得光学特性变化的元件的层。

另外，根据用于使液晶层的液晶分子的取向变化的电场的施加方向，液晶显示装置大致分为以下两类。即，作为第一分类，有在显示装置的厚度方向(或者，面外方向)上施加电场的、所谓纵向电场模式。在纵向电场模式中，包括例如TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment，垂直对齐)模式等。另外，作为第二分类，有在显示装置的平面方向(或者，面内方向)上施加电场的、所谓横向电场模式。在横向电场模式中，包括例如IPS(In-Plane Switching，面内开关)模式、作为IPS模式之一的FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)模式等。以下说明的技术适用于纵向电场模式及横向电场模式中的任一者，而在以下说明的实施方式中，作为一例，举出横向电场模式的显示装置进行说明。

＜显示装置的构成＞

首先，针对显示装置的构成进行说明。图1为示出本实施方式的显示装置的一例的俯视图。图1中，俯视下的显示区域DA与非显示区域NDA的边界以双点划线示出。另外，图1中，显示装置DSP1具备的电路的电路块、布线的一部分以实线示意性地示出。另外，图1中，以与基板SUB1相对的方式配置的基板SUB2的轮廓以虚线示出。另外，图1中，在俯视下，在配置粘接材料BND的区域(密封区域)中标注点图案。另外，图2为沿着图1的A-A线的剖面图。虽然图2为剖面图，但为了方便观察，除了液晶层LQ、粘接材料BND、非显示区域NDA的连接端子TM1、TM2、驱动器芯片DRC1、以及布线板FWB1以外，将剖面线省略。另外，图3为图1的显示区域的一部分的放大剖面图。图3中，为了示出基板SUB1的厚度方向(图3所示Z方向)上的栅极线GL与源极线SL的位置关系的例，一同示出了在不同于图3所示剖面的剖面上设置的栅极线GL。另外，图4为示出图1所示显示装置中的一个像素周边的电路构成例。

如图1所示，本实施方式的显示装置DSP1具有根据从外部供给的输入信号而形成图像的显示区域DA。另外，在俯视下，显示装置DSP1具有以围绕显示区域DA的周围的方式设置的非显示区域(边框区域)NDA。需要说明的是，图1所示显示装置DSP1的显示区域DA为四角形，但显示区域也可以是多角形、圆形等四角形以外的形状。在观察显示面的俯视下，显示区域DA为显示装置DSP1显示图像的有效区域。因此，基板10及基板20分别具有显示区域DA。

另外，如图2所示，显示装置DSP1具有以隔着液晶层LQ而相对的方式贴合的基板(基底基板、绝缘性基板)10以及基板(基底基板、绝缘性基板)20。基板10与基板20在显示装置DSP1的厚度方向即Z方向上排列。换言之，基板10与基板20在显示装置DSP1的厚度方向(Z方向)上彼此相对。基板10具有与液晶层LQ(以及基板SUB2)相对的前面(主面、面)10f、以及前面10f的相反侧的背面(主面、面)10b。另外，基板20具有与基板10的前面10f(以及液晶层LQ)相对的背面(主面、面)20b、以及背面20b的相反侧的前面(主面、面)20f。

在基板10的前面10f侧，存在作为开关元件(有源元件)的多个晶体管、布线等导体图案、以及将多个导体图案之间绝缘的绝缘层等部件。在以下说明中，作为包括存在于基板10与液晶层LQ之间的多个部件、基板10的部分的统称，称为基板SUB1。基板SUB1也可以改称为具备以阵列状配置的多个晶体管的阵列基板。另外，在基板20的前面20f及背面20b的一者或两者，存在遮光膜、滤色器等部件。在以下说明中，将包括在基板20上形成的部件、和基板20的部分的统称，称为基板SUB2。就作为与阵列基板相对配置的基板的意义而言，可将基板SUB2改称为对置基板。

另外，液晶层LQ存在于基板10的前面10f与基板20的背面20b之间。液晶层LQ为上述电光层，并且具有通过上述开关元件而对在液晶层LQ的周边形成的电场的状态进行控制，从而调制通过其的光的功能。如图2所示，存在于基板10及基板20的显示区域DA与液晶层LQ重叠。

另外，基板SUB1与基板SUB2经由粘接材料(密封材料)BND而得以粘接。如图1所示，粘接材料BND以围绕显示区域DA的周围的方式配置于非显示区域NDA。如图2所示，在粘接材料BND的内侧存在液晶层LQ。粘接材料BND具有作为将液晶封入基板SUB1与基板SUB2之间的密封材料的作用。

另外，如图2所示，显示装置DSP1具有光学元件OD1和光学元件OD2。光学元件OD1配置子在基板10与背光单元(光源部)BL之间。背光单元BL位于相对于基板10而言的液晶层LQ的相反侧。光学元件OD2配置在基板SUB2的显示面侧、即夹着基板SUB2而配置在基板SUB1的相反侧。光学元件OD1与光学元件OD2分别至少包含偏光板，根据需要也可以包含相位差板。

另外，基板10及基板20分别具有使可见光透过的特性。另外，基板10具有挠性。如图2所例示的那样，基板10的非显示区域NDA的一部分弯折。换言之，在基板10的非显示区域NDA之中、位于粘接材料BND的外侧的周边区域PF1具有弯曲的部分。再换言之，基板10的前面10f具有平坦面区域、和在厚度方向(Z方向)上弯曲的曲面区域。基板10具备能够进行图2所例示的弯曲变形的程度的挠性。为了对基板10赋予挠性，例如，基板10由包含聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、或者聚酯等聚合物的树脂材料形成。

在基板10的周边区域中，存在多个连接端子TM1。在图2所示例子中，基板10具备：存在于周边区域PF1的前端部分的连接端子TM2、存在于接端子TM2与粘接材料BND之间的连接端子TM1。在连接端子TM1上搭载有驱动器芯片DRC1。驱动器芯片DRC1为具有对显示装置DSP1进行驱动的驱动电路(例如，图4所示信号线驱动电路SD)的半导体芯片。另外，在连接端子TM2上搭载有布线板FWB1。布线板FWB1为具备对显示装置DSP1进行驱动的驱动电路(例如，图4所示公共电极驱动电路CD，图1所示驱动器芯片DRC1、或向图4所示栅极驱动电路GD供给驱动电位的电路)的电路基板。驱动器芯片DRC1经由各向异性导电膜ACF1而与连接端子TM1电连接。另外，布线板FWB1经由各向异性导电膜ACF1而与连接端子TM2电连接。在后文对利用各向异性导电膜ACF1形成的电连接构造详细进行说明。

在如显示装置DSP1那样、基板10的周边区域PF1在厚度方向上弯曲的情况下，驱动器芯片DRC1与布线板FWB1可如图2所示那样重叠。因此，可降低非显示区域NDA的面积。需要说明的是，在基板10具有挠性的情况下，也存在如显示装置DSP1那样基板10的周边区域PF1没有弯曲的情况。例如，在基板10及基板20分别具有挠性的情况下，可将显示装置DSP1用作能够弯曲变形的显示装置。

另外，如图3所示，基板SUB1具有存在于基板10与液晶层LQ之间的多个导体图案。存在于基板10与液晶层LQ之间的多个导体图案中，包括多条栅极线(扫描线)GL、多条源极线(信号线)SL、公共线CML、公共电极CE、以及多个像素电极PE。另外，在多个导体图案的各自之间存在绝缘层。在配置与相邻的导体图案之间、将导体图案彼此绝缘的绝缘层中，包含绝缘层11、12、13、14、15、以及取向膜AL1。需要说明的是，图3中，对于栅极线GL、公共电极CE、以及公共线CML而言，分别示出一个。

各个上述多个导体图案构成层叠在基板10上的多个导电层的一部分。在图3所示例中，在显示装置DSP1的显示区域DA中，从基板10的前面10f起依次具有导电层CL2、CL1、CL3、CL4、以及CL5。导电层CL2的与显示区域DA重合的部分(第2B部分)为晶体管Tr1(参见图4)的栅极线GL。另外，导电层CL1的与显示区域DA重合的部分(第1B部分)为源极线SL。另外，导电层CL3的与显示区域DA重合的部分为公共电极CE。另外，导电层CL4的与显示区域DA重合的部分为公共线CML。另外，导电层CL5的与显示区域DA重合的部分为像素电极。

导电层CL1、CL2、以及导电层CL4分别包含金属材料。在图3所示例中，导电层CL2的导体图案包含由例如钼(Mo)、钨(W)等金属或它们的合金形成的金属膜。另外，导电层CL1、导电层CL4的导体图案包含例如铝(Al)膜被钛(Ti)膜、氮化钛(TiN)膜等夹持的叠层膜等多层构造的金属膜。另外，导电层CL3和CL5主要包含ITO(Indium tin oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等导电氧化物材料(透明导电材料)。

导电层(第一导电层)CL1存在于液晶层LQ与基板10之间。导电层(第二导电层)CL2存在于导电层CL1与基板10之间。另外，在导电层CL1与导电层CL2之间存在绝缘层(第一绝缘层)12。另外，在导电层CL2与基板10之间存在绝缘层(第二绝缘层)11。另外，在导电层CL1与导电层CL3之间存在覆盖导电层CL1的绝缘层(第三绝缘层)13。绝缘层11、12以及13各自的代表例为由无机材料形成的无机绝缘膜。例如，绝缘层11、12以及13为例如氮化硅(SiN)膜、氧化硅(SiO)膜、氧化铝(AlOx)膜或它们的叠层膜。

另外，在绝缘层11与绝缘层12之间，除了栅极线GL以外，还形成有作为图4所示像素开关元件PSW的晶体管Tr1的栅电极GE、半导体层等。图4所示晶体管Tr1为薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)。另外，栅极线GL包含作为像素开关元件PSW的晶体管Tr1的栅电极GE。

另外，如图1所示，多个栅极线GL分别在X方向上延伸。另外，多个栅极线GL在Y方向上彼此隔开间隔而排列。换言之，多个栅极线GL从Y方向的一侧即Y1侧向另一侧即Y2侧排列。多个栅极线GL分别被引出至显示区域DA的外侧的非显示区域NDA、并连接于栅极驱动电路(扫描线驱动电路)GD。栅极驱动电路GD为输出被输入于多个栅极线GL的扫描信号Gsi(参见图4)的扫描信号输出电路。栅极驱动电路GD存在于基板SUB1的非显示区域NDA。

另外，如图1所示，多条源极线(信号线，视频信号线)SL分别在Y方向上延伸。另外，多条源极线SL在X方向上彼此隔开间隔而排列。换言之，多条源极线SL从X方向的一侧即X1侧向另一侧即X2侧排列。多条源极线SL分别被引出至显示区域DA的外侧的非显示区域NDA。如图4所示，多条源极线SL分别经由晶体管Tr1而连接于像素电极PE。详细而言，源极线SL连接于晶体管Tr1的源电极SE，像素电极PE连接于晶体管Tr1的漏电极DE。晶体管Tr1处于导通时，从源极线SL向像素电极PE供给视频信号Spic。视频信号Spic从信号线驱动电路SD被供给。如图1所示，显示区域DA内的源极线SL经由作为连接布线(也称为引出布线)的信号用连接布线SCL而与信号线驱动电路SD(参见图4)电连接。信号线驱动电路SD经由源极线SL而向多个像素PX中的各自具备的像素电极PE(参见图4)供给视频信号Spic(参见图4)。信号线驱动电路SD形成于图1所示驱动器芯片DRC1。其中，作为变形例，信号线驱动电路SD也可以形成于图2所示布线板(柔性布线板)FWB1、或电路基板CB1。

将在连接于信号线驱动电路SD、并且向多个像素PX供给视频信号的作为信号传输路径的视频信号线之中，存在于显示区域DA中的部分(布线部)称为源极线SL。另外，将在上述视频信号线之中位于显示区域DA的外侧的部分(布线部)称为信号用连接布线SCL。多条源极线SL分别在Y方向上延伸。另一方面，信号用连接布线SCL具有在相对于Y方向而言交叉的方向上延伸的部分。另外，在图1所示例中，在源极线SL与信号用连接布线SCL之间，存在开关电路部SWS。开关电路部SWS为例如多路调制器电路，并且选择各颜色用源极线SL并将所输入的信号输出。

另外，在基板SUB1的显示区域DA中，存在公共电极CE及像素电极PE(参见图3)。在显示装置DSP1显示图像的显示期间，根据公共电极CE与像素电极PE之间的电位差来形成驱动液晶分子的电场。如图3所示，公共电极CE形成于绝缘层13上。在显示期间，向公共电极CE供给对于多个像素PX(参见图1)而言共通的驱动电位。共通的驱动电位经由图3所示公共线CML而从图4所示公共电极驱动电路CD(参见图4)被供给。公共电极驱动电路CD形成在图2所示布线板FWB1、或电路基板CB1上。公共电极CE配置于显示区域DA的整体。在显示区域DA中可以存在一个公共电极CE，也可以在显示区域DA中存在多个公共电极CE。公共电极CE优选为ITO(Indium tin oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等透明导电材料。

另外，在图3所示例中，多个像素电极PE形成在绝缘层15上。俯视下，各像素电极PE位于彼此相邻的两个源极线SL之间。另外，在图3所示例中，公共电极CE与像素电极PE形成在彼此不同的层中。但是，作为变形例，也可以是，多个公共电极CE与多个像素电极PE形成于同一面(例如绝缘层13上)、并且以彼此相邻的方式交替排列。另外，还存在公共电极CE设置于基板SUB2的情况。像素电极PE优选为例如ITO或IZO等透明的导电材料或金属材料。如上所述，多个像素电极PE分别经由图4所示晶体管Tr1而与源极线SL及信号用连接布线SCL电连接。

另外，多个像素电极PE分别被取向膜AL1覆盖。取向膜AL1为具有使液晶层LQ中所含的液晶分子的初始取向一致的功能的有机绝缘层，并且例如由聚酰亚胺树脂形成。另外，取向膜AL1与液晶层LQ接触。

另外，如图3所示，基板SUB2位于基板20的与基板SUB1相对的背面(主面)20b与液晶层LQ之间，并且具有遮光膜BM、滤色器CFR、CFG以及CFB、绝缘层OC1和取向膜AL2。

滤色器CFR、CFG以及CFB形成在与基板SUB1相对的背面20b侧。在图3所示例中，红(R)、绿(G)、蓝(B)的三色滤色器CFR、CFG、CFB周期性地排列。彩色显示装置中，例如以上述红(R)、绿(G)、蓝(B)这三种颜色的像素为1组来显示彩色图像。基板SUB2的多个滤色器CFR、CFG、CFB配置在与形成在基板SUB1上的具有像素电极PE的各个像素PX(参见图1)彼此相对的位置。需要说明的是，滤色器的种类不限于红(R)、绿(G)、蓝(B)这三种颜色。

另外，在各颜色的滤色器CFR、CFG、CFB的各自的边界处配置遮光膜BM。遮光膜BM被称为黑矩阵，例如由黑色的树脂、低反射性的金属形成。遮光膜BM在俯视下形成为例如格子状。换言之，遮光膜BM在X方向以及Y方向上延伸。详细而言，遮光膜BM具有在Y方向上延伸的多个部分、和在与Y方向交叉的X方向上延伸的多个部分。通过由黑矩阵划分各像素PX，从而能够抑制漏光、混色。

另外，遮光膜BM形成在基板SUB2的非显示区域NDA中。非显示区域NDA与遮光膜BM重叠。显示区域DA规定为比非显示区域NDA靠内侧的区域。另外，非显示区域NDA为与遮光膜BM(其对从图2所示背光单元(光源部)BL照射的光进行遮光)重叠的区域。遮光膜BM也形成在显示区域DA内，但在显示区域DA中，在遮光膜BM中形成多个开口部。通常，在形成在遮光膜BM中的、使滤色器露出的开口部之中，形成在最靠缘部侧的开口部的端部规定为显示区域DA与非显示区域NDA的边界。

另外，图3所示绝缘层OC1覆盖着滤色器CFR、CFG、CFB。绝缘层OC1作为防止杂质从滤色器向液晶层LQ扩散的保护膜而发挥功能。绝缘层OC1为由例如丙烯酸系的感光性树脂等形成的有机绝缘层。

＜连接端子的构造＞

接下来，对形成在基板10上的、连接驱动器芯片DRC1、布线板FWB1(参见图2)的连接端子TM1(参见图2)的构造进行说明。需要说明的是，图2所示布线板FWB1与基板10上的连接端子TM2的连接构造、与驱动器芯片DRC1与基板10上的连接端子TM1的连接构造相同。以下，作为连接构造的代表例，举出驱动器芯片DRC1与连接端子TM1电连接的部分进行说明。也可以将以下说明的驱动器芯片DRC1涉及的说明的部分替换应用于布线板FWB1、将连接端子TM1涉及的说明的部分替换应用于连接端子TM2。图5为示出在图1所示驱动器芯片上连接的多个连接端子之中的一部分的放大俯视图。图5中，以虚线示出图6所示导电层CL2的导体图案的轮廓。另外，图5中，以双点划线示出图6所示开口部12H的位置。图6为示出在图5所示连接端子上连接了图1所示驱动器芯片的状态的放大剖面图。图7为示出相对于针对图6的研究例的端子构造的放大剖面图。

如图5所示，显示装置DSP1具有连接端子TM1，其连接于驱动器芯片DRC1(参见图1)的信号线驱动电路SD(参见图4)。另外，显示装置DSP1具有连接布线WR1，其连接于连接端子TM1、并且在连接端子TM1与显示区域DA(参见图1)之间延伸。在连接布线WR1中，包含在图1所示源极线SL上连接的信号用连接布线SCL。连接布线WR1从连接端子TM1向显示区域DA侧延伸。

如图6所示，连接端子TM1包含导电层(第一导电层)CL1的导体图案(第1A部分)TMP1、以及导电层(第二导电层)CL2的导体图案(第2A部分)TMP2。在导电层CL2的导体图案TMP1与导体层CL2的导体图案TMP2之间存在绝缘层12。绝缘层12具有开口部(接触孔)12H。开口部12H以在厚度方向(图6的Z方向)上贯通绝缘层12的方式形成，在开口部12H中埋入导电层CL1的导电性材料。另外，开口部12H与导电层CL1以及导电层CL2重叠。由此，导电层CL1与导电层CL2通过开口部12H而电连接。

另外，在导电层CL1上存在覆盖导电层CL1的绝缘层13。绝缘层13与导电层CL1的导体图案TMP1重叠，并且具有使导电层CL1的导体图案TMP1的一部分从绝缘层13露出的开口部13H。导电层CL1的导体图案TMP1在与绝缘层13的开口部13H重叠的部分中与各向异性导电膜ACF1(详细而言，各向异性导电膜ACF1的导电粒子CP1)电连接。

各向异性导电膜ACF1包含多个导电粒子CP1以及存在于多个导电粒子CP1的周围的绝缘层IF1。各向异性导电膜ACF1借助绝缘层IF1中包含的导电粒子CP1与连接对象物的接触而将彼此相对的连接对象物电连接。在图6所示例中，在驱动器芯片DRC1的焊盘(电极焊盘)DRP上接合有突起电极(安装引脚)DRB。各向异性导电膜ACF1的绝缘层IF1为由例如树脂材料形成的有机绝缘膜。另外，导电粒子CP1为由金属材料被覆的有机树脂。当例如像由金属形成的突起电极DRB那样比绝缘层IF1硬的材料推压于绝缘层IF1时，绝缘层IF1发生变形。由此，各向异性导电膜ACF1中所含的导电粒子CP1与突起电极DRB以及导体图案TMP1这两者接触。结果，连接端子TM1经由各向异性导电膜ACF1以及突起电极DRB而与驱动器芯片DRC1的焊盘DRP电连接。

这里，如上所述，导电层CL1的导体图案TMP1与导体层CL2的导体图案TMP2通过绝缘层12的开口部12H而彼此电连接。在连接端子TM1中，通过将导体图案TMP1与导体图案TMP2电连接，能够降低连接端子TM1部分处的电阻值。

作为将导体图案TMP1与导体图案TMP2电连接的方法，存在图7所示的显示装置DSPc的方法。在显示装置DSPc的情况下，在驱动器芯片DRC1的与突起电极DRB重叠的区域(换言之，连接端子TM1的中央区域)中，设置有绝缘层12的开口部12Hc，导体图案TMP1与导体图案TMP2通过开口部12Hc而电连接。该情况下，导体图案TMP1与导体图案TMP2之间的接触面积大于图6所示显示装置DSP1，因此，能够进一步降低连接端子TM1的电阻。

这里，根据本申请的实用新型人的研究，获知了在显示装置DSPc的情况下，在与导电粒子CP1重叠的区域的附近，在绝缘层11中产生裂纹等损伤。因此，针对在绝缘层11中产生裂纹的原因详细地进行了研究，结果获知了以下内容。图8为图7所示绝缘膜的产生了裂纹的部分的放大剖面图。图9为在图6所示显示装置中与图8的放大剖面对应的部分的放大剖面图。图7及图8所示的显示装置DSPc除了绝缘层12的开口部12Hc的位置及形状、以及导体图案TMP1的剖面形状以外，与图6所示显示装置DSP1同样。

基板10由于是具有挠性的基板，因此，主要由例如聚酰亚胺树脂等弹性模量低的材料形成。另外，作为金属膜的导体图案TMP1以及导体图案TMP2与作为无机绝缘膜的绝缘层11相比易于变形。因此，若经由图8所示导电粒子CP1而向导体图案TMP1施加局域性的负荷，则该负荷将向基板10传导。此时，当基板10为例如玻璃基板那样的硬基板时，基板10不易由于上述负荷而变形。这种情况下，基板10作为抑制绝缘层11的变形的增强部件而发挥功能，因此，绝缘层11不易变形。但是，如图8所示，若使基板10为具有挠性的柔软基板，则易于因上述负荷的影响而变形。当基板10如图8所示那样变形的情况下，应力集中于与基板10、导体图案TMP1、TMP2相比不易变形的绝缘层11，从而在绝缘层11中产生裂纹CR1。

如图5所示，在本实施方式的显示装置DSP1的情况下，绝缘层12(参见图6)的开口部12H不与连接端子TM1的中央部重叠，而与端子TM1的比中央部靠外侧的周边部重叠。换言之，在俯视下，开口部12H存在于比开口部13H靠连接端子TM1的缘部侧。如图5及图6所示，为了使得导电粒子CP1与导体图案TMP1适当地连接，开口部13H在连接端子TM1的中央部较大地形成。另外，开口部12H不与开口部13H重叠、而是配置在比开口部13H靠连接端子TM1的缘部侧。这种情况下，如图9所示，在与导电粒子CP1重叠区域中，在导体图案TMP1与导体图案TMP2之间，存在绝缘层12。绝缘层12为比基板10硬的无机绝缘膜，即便与绝缘层11同样地被施加负荷，也不易变形。因此，绝缘层11与绝缘层12彼此相互增强，由此，抑制来自导电粒子CP1的局域性的负荷传导至基板10。结果，基板10的变形的程度得以抑制，能够防止或抑制伴随基板10的变形而带来的绝缘层11的损伤。

另外，在如图6所示那样经由各向异性导电膜ACF1而将驱动器芯片DRC1与连接端子TM1电连接的工序中，在隔着各向异性导电膜ACF1而将驱动器芯片DRC1的突起电极DRB与连接端子TM1贴合的状态下施加热并进行压接。另外，绝缘层11与基板10在与开口部13H重叠的区域中彼此接触。因此，将向绝缘层11与基板10的密合截面上施加起因于绝缘层11与基板10的线膨胀系数的差异的应力。起因于上述线膨胀系数的差异而产生的应力也是损伤绝缘层11的要因之一。在本实施方式的连接端子TM1的情况下，绝缘层11利用绝缘层12而被增强。因此，即便在绝缘层11与基板10的线膨胀系数之差大的情况下，也能够抑制绝缘层11的损伤。

另外，如图2所示，本实施方式的显示装置DSP1具备背光单元(光源部)BLc，其存在于相对于基板10而言的液晶层LQ的相反侧。因此，基板10需要能够使从背光单元BL照射的光透过的程度的透明度。本实施方式的情况下，基板10包含聚酰亚胺，并且雾度为30％以下、优选为10％以下。需要说明的是，所谓雾度，是指总光线透过率中的扩散透过率的比例。

像本实施方式这样，在使由聚酰亚胺树脂形成的基板10的透明度提高的情况下，以减少构成聚酰亚胺树脂的骨架(苯环)的数量的方式调节树脂的组成。因此，越是提高基板10的透明度，基板10变得越是柔软(换言之，易于变形)。作为抑制图8所示绝缘层11的损伤的方法，存在下述方法：使基板10在具有挠性的范围内变硬，抑制向绝缘层11的应力集中。然而，这种情况下，将会增多构成基板10的聚酰亚胺的骨架，结果，产生另一课题：基板10的透明度降低。使用图6、图9所说明的方法(抑制绝缘层11的损伤的方法)是即便在基板10柔软的情况下也能够抑制绝缘层11的损伤的方法。因此，如本实施方式那样，特别有效地应用于要求基板10的透明度的显示装置DSP1。

另外，对于由聚酰亚胺等树脂形成的基板10而言，当成膜时，内在地具有收缩方向的应力。因此，在显示装置DSP1的制造工序中，在未图示的玻璃基板等基材上贴合有基板10的背面10b(参见图2)的状态下，在前面10f上叠层绝缘层、导电层。通过将基板10的背面10b贴附于基材，抑制了基板10的收缩。此后，当将基板10的背面10b从未图示的基材剥离时，为了抑制基板10的收缩，需要利用贴附于基板10的前面10f上的部件来抑制基板10的收缩。绝缘层11等的无机膜当成膜时内在地具有膨胀方向的应力。因此，基板10的前面10f的整体被作为无机膜的绝缘层11覆盖。另外，通过使绝缘层11的膜厚变厚，绝缘层11的刚性增大，因此，抑制基板10的收缩的效果提高。换言之，通过使绝缘层11的厚度变厚，能够增大包含基板10以及在基板10上叠层的绝缘层、导电层的基板SUB1(参见图2)整体而言的刚性。因此，从抑制基板10的收缩的观点考虑，绝缘层11的厚度优选为300nm以上。优选的是，绝缘层11的厚度为1μm以下。例如，在图6所示例中，绝缘层11的厚度为700nm左右。

但是，若使绝缘层11的厚度变厚，则绝缘层11的刚性变高，因此，当施加上述局域性的负荷时，绝缘层11易于由于应力集中而被破坏。因此，在图7所示显示装置DSPc的例中，仅通过使绝缘层11的厚度变厚，存在不能够抑制绝缘层11的损伤的情况。例如，存在从绝缘层11的破坏起点向其周围形成裂纹CR1(参见图8)的情况。

另一方面，如图6所示显示装置DSP1那样，在导体图案TMP1与导体图案TMP2之间存在包含无机材料的绝缘层12的情况下，可利用绝缘层12而将负荷的一部分分散。结果，由于能够减小传导至绝缘层11的负荷的值，因此，假设在绝缘层11中产生应力集中，也能够减小该应力的值。

另外，在图6所示连接端子TM1的位置形成的绝缘层12作为加强绝缘层11的部件而发挥功能。因此，若考虑作为绝缘层12的增强部件的效果，则与导电层CL1的导体图案TMP1重叠的区域中的绝缘层12的厚度优选相对于绝缘层11的厚度而言为其0.8倍以上。在图6所示例中，与导体图案TMP1重叠的区域中的绝缘层11的厚度与绝缘层12的厚度彼此相等。另外，在与导体图案TMP1重叠的区域中，绝缘层11的厚度以及绝缘层12的厚度比绝缘层13的厚度厚。

需要说明的是，若绝缘层12的厚度变厚，则绝缘层12的刚性增大。因此，若在绝缘层12中产生应力集中，则会产生绝缘层12破损的问题。但是，在显示装置DSP1的情况下，在绝缘层12与基板10之间配置有与绝缘层12的硬度同程度的绝缘层11。另外，在绝缘层12与绝缘层11之间，配置有与绝缘层12相比易于发生塑性变形、能够使应力松弛的导电层CL2的导体图案TMP2。因此，即便绝缘层12的厚度变厚，如图7所示绝缘层11那样，发生应力集中的可能性低。

另外，从减小传导至绝缘层12的负荷的值的观点考虑，导电层CL1的导体图案TMP1的厚度优选为较厚。导体图案TMP1为包含金属材料的金属图案。因此，若在被绝缘层11和绝缘层12支承的状态下对导体图案TMP1施加负荷，则导体图案TMP1发生塑性变形。由此，起因于负荷的应力通过导体图案TMP1而被松弛。当导体图案TMP1的厚度厚时，缓和由负荷导致的应力的余裕变大，因此，能够进一步抑制绝缘层11、12的损伤。

另外，在图5及图6所示例中，绝缘层12(参见图6)的开口部12H不与绝缘层13的开口部13H重叠。详细而言，在显示装置DSP1的情况下，沿着连接端子TM1的长度方向即Y方向，而在开口部13H的两侧设置有开口部12H。另外，两个开口部12H分别在X方向上具有长边、且不与开口部13H重叠。换言之，如图6所示，开口部12H被绝缘层13覆盖。在显示装置DSP1的开口部12H与开口部13H不重叠的情况下，导电层CL1的导体图案TMP1之中从开口部13H露出的露出面变得平坦。在导电层CL1的导体图案TMP1之中、从开口部13H露出的露出面上存在凹凸的情况下，存在起因于上述凹凸而使得导电粒子CP1与导体图案TMP1的接触面积变小的情况。另一方面，如图6所示，在从导体图案TMP1的开口部13H露出的露出面整体变得平坦的情况下，导电粒子CP1与导体图案TMP1以面接触。因此，导电粒子CP1与导体图案TMP1的接触电阻降低，能够提高电特性。

但是，作为相对于显示装置DSP1的变形例，如例如图10所示显示装置DSP2、图11所示显示装置DSP3那样，还存在开口部12H2或12H3的一部分与开口部13H重合的情况。图10为作为相对于图6的变形例的显示装置的放大剖面图。另外，图11为作为相对于图5的其他变形例的显示装置的放大俯视图。图10中，示意性地示出了将导电粒子CP1的体积假定为球体的体积时的粒径CPW。

图10所示的显示装置DSP2在下述方面不同于图6所示显示装置DSP1：绝缘层12的开口部12H2的开口宽度12HW大于图6所示绝缘层12的开口部12H的开口宽度12HW。另外，显示装置DSP2在开口部12H2的一部分与开口部13H重叠这一方面不同于显示装置DSP1。另外，显示装置DSP2在导体图案TMP1的从绝缘层13的露出面的一部分并非平坦(详细而言，朝向突起电极DRB突出)这一方面不同于显示装置DSP1。

对于图10所示显示装置DSP2而言，绝缘层12的开口部12H2的开口宽度12HW宽。在图10所示例中，开口部12H2之中的与导电层CL2接触的位置处的开口宽度12HW大于导电粒子CP1的粒径CPW。需要说明的是，开口宽度12HW定义如下。即，如图5所示，在开口部12H的平面形状为四角形的情况下，开口宽度12HW规定为在彼此相对的边的离间距离之中的、最短部分的长度。例如，对于图5所示开口部12H而言，平面形状为长方形，因此，开口宽度12HW定义为短边的长度。另外，在开口部12H的平面形状为椭圆形的情况下，开口宽度12HW定义为椭圆的短轴的长度。另外，如图10所示意性示出的那样，导电粒子CP1的粒径CPW定义为将导电粒子CP1的体积假定为球体的体积时的、导电粒子CP1的直径。导电粒子CP1的粒径CPW有各种变形例，但例如为3μm以下左右。另外，图10所示开口部12H2的开口宽度12HW为3μm以上。

在如显示装置DSP2那样开口宽度12HW大的情况下，在连接端子TM1中，导电层CL1与导电层CL2的接触面积变大。结果，能够减小接触连接端子TM1的电阻。但是，如使用图7所说明的显示装置DSPc那样，当开口宽度大的开口部12Hc在连接端子TM1的长度方向(Y方向)上配置于中央部的情况下，导电粒子CP1的整体有可能进入开口部12Hc内。这种情况下，在与导电粒子CP1重合的区域区域中，将形成下述状态：在导电层CL1与导电层CL2之间不存在绝缘层12。因此，从而抑制绝缘层11的损伤的观点考虑，不优选。

另一方面，在显示装置DSP2的情况下，开口部12H2比开口部13H靠连接端子TM1的缘部侧。因此，在显示装置DSP2的情况下，在与导电粒子CP1重合的区域中，在导电层CL1与导电层CL2之间存在绝缘层12。如上所述，绝缘层12作为抑制绝缘层11的损伤的增强部件而发挥功能，因此，在显示装置DSP2的情况下，与图7所示显示装置DSPc相比，能够抑制绝缘层11的损伤。

另外，如显示装置DSP2那样，当将开口部12H2的开口宽度12HW增大时，存在开口部12H2的一部分与开口部13H重叠的情况。这种情况下，导体图案TMP1的从绝缘层13的露出面的一部分存在变得不平坦的情况，因此，从减小导电粒子CP1与导体图案TMP1的接触电阻的观点考虑，如图6所示显示装置DSP1那样，绝缘层12(参见图6)的开口部12H更优选为不与绝缘层13的开口部13H重叠的构成。

图11に示す显示装置DSP3在多个开口部12H3沿着与连接端子TM1的长度方向即Y方向交叉的X方向排列这一方面不同于图5所示显示装置DSP1。另外，显示装置DSP3在开口部12H3的一部分与开口部13H重叠的方面不同于显示装置DSP1。在显示装置DSP3的情况下，开口部12H3的开口宽度12HW与图10所示开口部12H2的开口宽度12HW相比更窄。例如，开口部12H3的开口宽度12HW小于图10所示导电粒子CP1的粒径CPW。如图11所示，多个连接端子TM1沿X方向排列。在沿着X方向来排列开口部12H3与开口部12H3的情况下，由于相邻连接端子TM1的配置间隔窄，因此，难以充分地增大开口部12H3的开口宽度12HW。

但是，开口部12H3具有沿Y方向延伸的长边。由于连接端子TM1在Y方向上具有长度方向，因此，能够使开口部12H3的长边的长度边长。因而，在显示装置DSP3的开口部12H3的情况下，与图5所示显示装置DSP1的开口部12H相比，能够使开口面积(换言之，图6所示导体图案TMP1与导体图案TMP2的接触面积)增大。

另外，对于开口部12H3而言，X方向上的开口宽度12HW狭窄，因此，与图6所示显示装置DSP1的情况同样地，在导体图案TMP1的前面(上表面、表面)TP1f之中、与开口部12H重叠的部分的凹凸与图10所示显示装置DSP2的情况相比不大。因此，在图11所示开口部12H3的一部分与开口部13H重叠的情况下，也能够减小导体图案TMP1的从绝缘层13的露出面的凹凸的程度。

图10所示显示装置DSP2以及图11所示显示装置DSP3除了上述的区别点以外，与图1所示显示装置DSP1相同。因此，省略重复说明。

另外，在图6、图10中，作为金属膜的导电层CL1的导体图案TMP1露出，针对在该露出的导电层CL1上连接导电粒子CP1的例子进行了说明。但是，在连接端子TM1的最上层配置的导电层不限于导电层CL1。例如，如图12所示显示装置DSP4、图13所示显示装置DSP5那样，在与开口部13H重叠的区域中，导电层CL1的导体图案TMP1也可以被其他导电层覆盖。图12与图13分别为作为相对于图6的其他变形例的显示装置的放大剖面图。

图12所示显示装置DSP4在下述方面不同于图6所示显示装置DSP1：在导电层CL1的导体图案TMP1与驱动器芯片DRC1的突起电极DRB之间存在导电层CL3的导体图案TMP3。显示装置DSP4的连接端子TM1具有覆盖导电层CL1的导体图案TMP1的、导电层CL3(第四导电层)的导体图案(第4A部分)TMP3。导电层CL3在图3所示显示区域DA中为形成公共电极CE的导电层。因此，与公共电极CE同样地，导体图案TMP3为包含ITO或IZO等导电氧化物材料(透明导电材料)的导电氧化物膜。导电层CL3的导体图案TMP3在与绝缘层13的开口部13H重叠的区域中叠层在导电层CL1上。换言之，在绝缘层13的开口部13H中，导电层CL1的导体图案TMP1从绝缘层13露出，但被导电层CL3的导体图案TMP3覆盖。

如显示装置DSP4那样，在开口部13H中，在作为金属膜的导电层CL1的导体图案TMP1被作为导电氧化物膜的导电层CL3的导体图案TMP3覆盖的情况下，能够抑制导体图案TMP1的氧化、腐蚀。

需要说明的是，与金属膜相比，导电氧化物膜不易变形。因此，若导电粒子CP1被推压于导体图案TMP3，则存在下述情况：起因于从导电粒子CP1施加的负荷而导致导体图案TMP3的一部分被破坏。但是，导体图案TMP3选择性地形成在与绝缘层13的开口部13H重叠的区域及其周边区域。因此，导体图案TMP3与图3所示公共电极CE电分离。另外，导体图案TMP3独立地形成在多个连接端子TM1的各自中。因此，例如，即便是在多个导体图案TMP3的一部分被部分地破坏的情况下，裂纹也不会在导电层CL3的其他部分中扩展。另外，导体图案TMP3的主要作用是下述作用，即在显示装置DSP4的制造工序中作为防止导体图案TMP1的氧化、腐蚀的保护膜的作用。因而，即便是在导体图案TMP3的一部分中产生了裂纹的情况下，对将驱动器芯片DRC1与连接端子TM1电连接的路径的电特性产生的影响也小。

另外，如上所述，导电层CL3的与图3所示显示区域DA重合的部分(第4B部分)是作为导电氧化物膜的公共电极CE。因此，能够在相同定时(timing)一并形成导体图案TMP3和公共电极CE。

另外，图13所示显示装置DSP5在下述方面不同于图12所示显示装置DSP4：在导电层CL1的导体图案TMP1与驱动器芯片DRC1的突起电极DRB之间存在导电层CL4的导体图案TMP4。另外，显示装置DSP5在下述方面不同于显示装置DSP4：在导体图案TMP4与驱动器芯片DRC1的突起电极DRB之间存在覆盖导体图案TMP4的导电层CL5的导体图案TMP5。

显示装置DSP5的连接端子TM1具有覆盖导电层CL1的导体图案TMP1的、导电层(第五导电层)CL4的导体图案(第5A部分)TMP4。导电层CL4在图3所示显示区域DA中是形成公共线CML的导电层。导体图案TMP4与公共线CML同样地是包含铝等金属材料的金属膜。另外，绝缘层13的一部分存在于导电层CL4的导体图案TMP4与导电层CL1的导体图案TMP1之间。另外，导电层CL4在开口部13H中与导电层CL1电连接。换言之，在与开口部13H重叠的区域中，在导电层CL1的导体图案TMP1与驱动器芯片DRC1的突起电极DRB之间存在作为金属膜的导体图案TMP4。在显示装置DSP5的情况下，由于在导体图案TMP1的上方叠层有作为金属膜的导体图案TMP4，因此，易于将来自导电粒子CP1的负荷分散。

另外，在图13所示例中，显示装置DSP5的连接端子TM1具有覆盖导电层CL4的导体图案TMP4的、导电层CL5(第六导电层)的导体图案(第6A部分)TMP5。导电层CL5在图3所示显示区域DA中是形成像素电极PE的导电层。因此，与像素电极PE同样地，导体图案TMP5为包含ITO或IZO等导电氧化物材料(透明导电材料)的导电氧化物膜。导电层CL4的导体图案TMP4从绝缘层13露出，但被导电层CL5的导体图案TMP5覆盖。因此，在显示装置DSP5的制造工序中，能够防止作为金属膜的导体图案TMP4的氧化、腐蚀。

图12所示显示装置DSP4以及图13所示显示装置DSP5除了上述区别点以外，与图1所示显示装置DSP1同样。因此，省略重复的说明。另外，图13中，针对具有导体图案TMP3以及导体图案TMP5的显示装置DSP5进行了说明。虽然省略了图示，作为相对于显示装置DSP5的进一步的变形例，也可以是图13所示导体图案TMP3以及导体图案TMP5中的任一者或两者不存在的显示装置。

另外，在图6、图10～图13中，针对在连接端子TM1的绝缘层11与导电层CL1之间叠层有导电层CL2与绝缘层12的构造进行了说明。但是，在连接端子TM1的绝缘层11与导电层CL1之间叠层的导电层、绝缘层的数量不限于上述构成，存在各种变形例。图14为作为相对于图6的变形例的显示装置的放大剖面图。另外，图15为示出在图14的显示装置的显示区域中配置的晶体管的构成例的放大剖面图。

在图14所示显示装置DSP6的情况下，具有存在于导电层CL2与基板10之间的导电层(第三导电层)CL6。连接端子TM1包含导电层CL6的导体图案(第3A部分)TMP6。形成在导电层CL6的导体图案TMP6包含金属材料。导体图案TMP6包含与导体图案TMP2相同的金属膜(由例如钼(Mo)、钨(W)等金属或它们的合金形成的金属膜)。另外，绝缘层16为由氧化硅、氮化硅等无机材料形成的无机绝缘膜。

如图14所示，在显示装置DSP6的情况下，在与导电粒子CP1重叠的区域中，在导体图案TMP2与绝缘层11之间存在导体图案TMP6以及绝缘层16。这种情况下，由于对导体图案TMP1以及导体图案TMP2进行支承的支承强度变大，因此，更易于将来自导电粒子CP1的负荷分散于导体图案TMP1、导体图案TMP2。

另外，在显示装置DSP6的情况下，导电层CL6以及绝缘层16还存在于图15所示显示区域DA中。如图15所示，在显示装置DSP6中作为图4所示像素开关元件PSW而发挥功能的晶体管Tr1包含氧化物半导体作为图15所示的半导体层OSC。详细而言，半导体层OSC为被称为TAOS(透明非晶氧化物半导体，Transparent Amorphous Oxide Semiconductor)的氧化物半导体。

使用图15所示TAOS的TFT按以下方式构成。即，导电层CL1的源极线SL经由源电极SE而连接于半导体层OSC的源极区域。另外，像素电极PE经由导电层CL1的中继电极RE以及漏电极DE而连接于半导体层OSC的漏极区域。另外，在绝缘层16与导电层CL2的栅极线GL之间，配置有半导体层OSC的沟道区域。绝缘层16、源电极SE、以及漏电极DE被绝缘层17覆盖。使用TAOS的TFT具有载流子迁移率高的特征。另外，使用TAOS的TFT还具有下述特征：在晶体管的沟道长度短的情况下，也能够抑制电流泄露。

但是，TAOS具有若向活性层照射可见光、则电特性发生变动的特征。因此，从确保晶体管的工作可靠性的观点考虑，优选抑制向半导体层OSC的沟道区域(图15中，源电极SE与漏电极DE之间的区域)照射可见光。在显示装置DSP6的情况下，在栅极线GL与基板10之间，配置有作为遮光膜而发挥功能的遮光线LSL。遮光线LSL由对可见光进行遮光的材料形成，例如，为与栅极线GL相同的金属膜。通过以夹持半导体层OSC的沟道区域的方式配置栅极线GL和遮光线LSL，能够提高使用了TAOS的TFT的可靠性。

另外，在遮光线LSL由导电材料形成的情况下，优选减小在遮光线LSL与栅极线GL之间形成的寄生电容。因此，如图15中用双点划线所示意性示出的那样，彼此重叠的栅极线GL与遮光线LSL得以电连接。栅极线GL与遮光线LSL在例如存在于非显示区域NDA(参见图1)的端部处得以连接。在栅极线GL与遮光线LSL被电连接的情况下，栅极线GL与遮光线LSL彼此处于相同电位。因此，能够减小在遮光线LSL与栅极线GL之间形成的寄生电容。另外，遮光线LSL与栅极线GL电连接，因此，可视为使用了TAOS的TFT的栅极线。换言之，在显示区域DA中，导电层CL2的栅极线(第2B部分)GL和导电层CL6的遮光线(第3B部分)LSL为晶体管Tr1(参见图4)的栅极线。

如上所述，在显示装置DSP6的情况下，将使用了TAOS的TFT用作像素开关元件PSW(参见图4)的晶体管Tr1(参见图4)。因此，在图14所示非显示区域NDA中，导电层CL6的导体图案TMP6能够在相同定时与图15所示导电层CL6的遮光线LSL一并形成。

另外，由于导体图案TMP6是金属膜，因此，通过将导体图案TMP2与导体图案TMP6电连接，能够进一步减小连接端子TM1的电阻。但是，在显示装置DSP6的情况下，导体图案TMP2与导体图案TMP6没有电连接。换言之，导电层CL6的导体图案TMP6与导电层CL2的导体图案TMP2电分离。在将导体图案TMP2与导体图案TMP6电连接的情况下，在绝缘层16中形成未图示的开口部，通过该开口部将导体图案TMP2与导体图案TMP6电连接。但是，根据开口部的位置，其可能成为使导体图案TMP1的前面TP1f的从开口部13H的露出面的平坦性降低的原因。或者，在不与开口部13H以及开口部12H重叠的位置设置绝缘层16的开口部的情况下，成为导致连接端子TM1的尺寸增大的原因。

因而，通过将导体图案TMP1与导体图案TMP2电连接，在连接端子TM1的电阻值满足要求值的情况下，如显示装置DSP6所示，也存在导体图案TMP2与导体图案TMP6电分离是更加优选的情况。

图14所示显示装置DSP6除了上述区别点以外，与图1所示显示装置DSP1同样。因此，省略重复说明。

＜其他变形例＞

如上所述所说明的技术除了已经说明的各种变形例以外，还可应用于其他变形例。例如，图1与图2中，针对在基板10的周边区域PF1搭载有驱动器芯片DRC1的显示装置DSP1进行了说明。但图16所示，也存在在基板10上没有搭载驱动器芯片DRC1(参见图2)的情况。图16为作为相对于图12的变形例的显示装置的剖面图。

图16所示显示装置DSP7在下述方面不同于图2所示显示装置DSP1：在基板10上没有搭载驱动器芯片DRC1，连接端子TM1与布线板FWB1连接。在显示装置DSP7的情况下，图4所示信号线驱动电路SD形成在例如布线板FWB1上。

将布线板FWB1与连接端子TM1电连接的连接部的构造与使用图5～图15而说明的、将驱动器芯片DRC1与连接端子TM1电连接的部分的构造相同。因此，通过将使用图5～图15所说明的技术应用于图16所示显示装置DSP7，能够抑制例如图6所示绝缘层11发生损伤。

另外，也可以将上述各种变形例之中的一部分或全部与其他变形例的一部分或全部组合。

本领域技术人员能够在本实用新型的构想范畴内想到各种变型例及修改例，并可理解变型例及修改例也属于本实用新型的范围。只要具有本实用新型的要旨，例如，针对上述各实施方式，由本领域技术人员对构成要素进行适宜添加、删除、或设计变更，或者进行工序的添加、省略或条件变更后的实用新型也包含于本实用新型的范围中。

产业上的可利用性

本实用新型可用于显示装置、组装有显示装置的电子设备。