专利名称：液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示装置，特别涉及至少具有反射型功能的有源矩阵型液晶显示装置。
背景技术：
在有源矩阵型液晶显示装置中，在相对配置以使液晶夹在其中的各基板一方的液晶侧的面上，以在X方向延伸Y方向平行配置的栅极信号线和在Y方向延伸X方向平行配置的漏极信号线围住的区域作为象素区域。在各个象素区域中，包括薄膜晶体管和象素电极。所述薄膜晶体管由一侧栅极信号线的扫描信号(电压)驱动，所述象素电极由漏极信号线的一侧通过薄膜晶体管提供视频信号(电压)。
象素电极在象素电极和在基板另一侧与每个象素区域共同形成的反电极之间产生电场，以便控制配置在它们之间的液晶的光透射率。
已知液晶显示装置使金属层形成的象素电极的一部分或者全部具有高的光反射率。这种液晶显示装置至少具有反射型功能。
因为液晶显示装置能使显指示器利用例如太阳光那样的外来光识别图像，所以能节省功耗。
但是，只要液晶显示装置用作反射型功能，就有不能依靠使用液晶显示装置地点来保证充分的外来光的场合，因此，与其它类型的液晶显示装置相比，提高数值孔径(numerical aperture)的结构变得更加重要。
本发明鉴于这种情况，其要解决的技术问题是提供一种液晶显示装置，这种液晶显示装置具有能提高数值孔径的结构。
此外，本发明要解决的另一个技术问题是提供一种液晶显示装置，这种液晶显示装置能消除来自信号线引起的光反射。
此外，本发明要解决的另外其它技术问题是提供一种液晶显示装置，这种液晶显示装置被构成部分反射型(提供背光)液晶显示装置的场合，能防止来自背光的光漏。
发明内容
下面，对说明书中公开的本发明典型例子的概要简单地进行说明。
本发明的液晶显示装置，包括在绝缘基板上形成的多根栅极信号线，在绝缘基板上与栅极信号线交叉形成的多根漏极信号线，在由相应的信号线围住的象素区域上形成薄膜晶体管和反射电极，所述薄膜晶体管与栅极信号线和漏极信号线连接，所述反射电极与所述薄膜晶体管连接，和至少由遮光膜和半导体层构成的顺次叠层体，在所述反射电极和所述其它邻接象素区域的反射电极之间形成每个顺次叠层体，以便将顺次叠层体重叠在这些反射电极的边上。
在具有这种结构的液晶显示装置中，因在相应的象素区域的反射电极之间形成遮光膜，所以不必对于其它的绝缘基板设置具有类似于遮光膜功能的黑色矩阵(black matrix)。
这表示不必考虑一个绝缘基板和另一个绝缘基板之间的重叠容差，就能减小遮光膜的宽度，由此能提高数值孔径(numerical aperture)。
此外，因在遮光膜上形成半导体层，所以能大大地减少在遮光膜上外来光的反射。
图1表示本发明液晶显示装置的象素的一实施例的平面图。
图2表示本发明液晶显示装置的一实施例的整体等效电路图。
图3表示沿着图1中III-III线的剖视图。
图4表示沿着图1中IV-IV线的剖视图。
图5表示本发明液晶显示装置的彩色滤光片的配置的详细平面图。
图6A-图6D表示本发明液晶显示装置的制造方法的一实施例的步骤图。
图7表示本发明液晶显示装置的象素的另一实施例的平面图。
图8表示沿着图7中VIII-VIII线的剖视图。
图9表示本发明液晶显示装置的象素的另外其它实施例的平面图。
图10表示沿着图9中X-X线的剖视图。
图11表示本发明液晶显示装置的其它实施例的剖视图。
具体实施例方式
下面，参照附图对本发明的液晶显示装置的实施例详细地进行说明。
实施例1《等效电路》图2表示本发明液晶显示装置的一实施例的等效电路图。虽然本图是电路图，但电路与实际的几何配置相一致。
在图中，将透明基板SUB1设置成相对于另一透明基板SUB2，使得液晶夹持在透明基板SUB1和SUB2之间。
在透明基板SUB1的液晶侧面上形成在X方向延伸并在Y方向并设的栅极信号线GL和在Y方向延伸并在X方向并设的漏极信号线DL。由相应的信号线GL和DL围住的每个长方形区域，构成象素区域，并通过这些相应的象素区域的集合，形成液晶显示部分AR。
在每个象素区域形成薄膜晶体管TFT和象素电极PX。薄膜晶体管TFT由来自一侧的栅极信号线GL的扫描信号(电压)提供驱动，通过薄膜晶体管TFT，由一侧的漏极信号线DL将视频信号(电压)提供给象素电极PX。
在象素电极PX和配置成接近于一个栅极信号线GL的另一栅极信号线GL之间形成电容器元件Cadd，由这种电容器元件Cadd，在所述薄膜晶体管TFT断开时长期存储提供给象素电极的视频信号。
将象素区域中的每个象素电极设置成在象素电极PX和反电极CT(未图示)之间产生电场。所述反电极CT在与透明基板SUB1相对从而夹持液晶的另一个透明基板SUB2的液晶侧面上与各象素区域共同形成。由于这种结构，所以能控制各电极之间的液晶的光透射率。
各栅极信号线GL具有由此延伸到透明基板SUB1一侧(图中左侧)的一端，在栅极信号线GL延伸的部分上形成端接部GTM。这种端接部GTM连接到由安装在透明基板SUB1上的垂直扫描电路构成的半导体集成电路GDRC的凸起上。此外，各漏极信号线DL具有延伸到透明基板SUB1一侧(图中上侧)的一端。在漏极信号线DL延伸的部分上形成端接部DTM。这种端接部DTM连接到由安装在透明基板SUB1上的视频信号驱动电路构成的半导体集成电路DDRC的凸起上。
各半导体集成电路GDRC、DDRC自身，完全地安装在透明基板SUB1上，形成所谓的COG(Chip-On-Glass)系统。
在半导体集成电路GDRC、DDRC的输入侧的各凸起，分别连接到在透明基板SUB1上形成的GTM2、DTM2的端接部。这些端接部GTM2、DTM2连接到端接部GTM3、DTM3。这些端接部GTM3、DTM3通过各布线层分别配置在透明基板SUB1的周围的最接近于端面的部分。
透明基板SUB2设置成相对于透明基板SUB1，以避免安装半导体集成电路GDRC、DDRC的区域。透明基板SUB2的面积比透明基板SUB1的面积小。
利用形成于透明基板SUB2的周围的密封材料SL将透明基板SUB2固定在透明基板SUB1上。这种密封材料还具有密封透明基板SUB1、SUB2之间的液晶的功能。
在前述的说明中，对使用COG系统的液晶显示装置进行了说明，但本发明也适用于采用TCP系统的液晶显示装置。这里，在TCP系统中将半导体集成电路形成在带载系统中，将半导体集成电路的输出端连接到形成在透明基板SUB1上的端接部，将半导体集成电路的输入端连接到设置成最接近于透明基板SUB1的印刷电路板的端接部。
《象素的结构》图1表示在透明基板SUB1上的一象素区域的平面图，也表示相应于图2中虚线框A示出的部分的平面图。
此外，图3表示沿着图1中III-III线的剖视图，图4表示沿着图1中IV-IV线的剖视图。
图1中，首先在透明基板SUB1的液晶侧面上形成图中的在X方向延伸Y方向平行配置的栅极信号线GL。
栅极信号线GL由例如铝形成，并具有经受阳极氧化的表面。
然后，在本实施例中，在象素区域内形成栅极信号线GL的同时，形成由铝做成的遮光膜SHL。
形成遮光膜SHL，形成具有相对于象素区域倒“L”形状。其中，将各遮光膜SHL配置成接近于下侧栅极信号线GL和后述的漏极信号线DL中的右侧漏极信号线DL。如栅极信号线GL那样，遮光膜SHL也具有经受阳极氧化的表面。
然后，在形成薄膜晶体管TFT的区域、后述的形成漏极信号线DL的区域和遮光膜SHL的上表面，形成顺次叠层体。这种顺次叠层体由硅氮膜(SiN)形成的绝缘膜和在形成薄膜晶体管TFT的区域上形成的非晶硅(a-Si)形成的半导体层AS形成。
在形成薄膜晶体管TFT的区域，栅极信号线GL的部分用作栅极电极，绝缘膜GI用作栅极绝缘膜，半导体层AS用作沟道形成区域。此外，在半导体层AS的上表面，形成漏极电极SD1和源极电极SD2。用这种方法，能形成具有倒置交错(inverse stagger)结构的MIS型晶体管组成的薄膜晶体管TFT。
这里，在形成后述的漏极信号线DL的同时，形成漏极电极SD1和源极电极SD2。
由绝缘膜GI和配置在后述的形成漏极信号线的区域上的半导体层AS形成的顺次叠层体，具有相对于栅极信号线GL的层间绝缘膜的功能。此外，沿着漏极信号线DL的行进方向不形成急剧的段差地构成顺次叠层体。
由绝缘膜GI和配置在后述的形成漏极信号线的区域上的半导体层AS形成的顺次叠层体，至少具有由使用半导体层AS的遮光膜SHL衰减外来光的反射光的影响的作用。后面将详细地说明这种功能。
然后，形成在Y方向延伸X方向平行配置的漏极信号线DL。这里，在由绝缘膜GI和半导体层AS上形成的前述顺次叠层体上，形成漏极信号线DL。
此外，漏极信号线DL具有延伸，到并形成在形成薄膜晶体管TFT的区域中的在半导体层AS的上表面的部分。形成漏极信号线DL的这种延伸的部分作为薄膜晶体管TFT的漏极电极SD1。
此外，同时用相应于薄膜晶体管TFT的沟道长度的长度离开前述漏极电极SD1，形成源极电极SD2。将源极电极SD2连接到后述的象素电极PX。为了保证与象素电极PX的连接部分，电极SD2采用电极SD2具有稍微向着象素区域的中心侧延伸的延伸部分的图案。
这里，半导体层用分别在漏极电极SD1、源极电极SD2和半导体层AS间的交界形成的杂质参杂。这些半导体层用作接触层。
在形成半导体层AS后，在半导体层AS的表面上形成用杂质参杂并具有薄膜厚度的半导体层。接着，在形成漏极电极SD1和源极电极SD2后，以各电极为掩模，蚀刻用杂质参杂的半导体层的露出部分，构成前述的结构。
然后，在形成漏极信号线DL(漏极电极SD1，源极电极SD2)的透明基板SUB1的表面上，形成由例如SiN做成的保护膜PSV1，使保护膜PSV1也同样地覆盖漏极信号线DL。
提供保护膜PSV1，用于避免薄膜晶体管TFT直接地接触液晶。接触孔CH在保护膜PSV1中形成并露出薄膜晶体管TFT的源极电极SD2的延伸部分。
此外，在保护膜PSV1的上表面形成由例如铬(Cr)和铝(Al)组成的顺次叠层体构成的象素电极PX，以便象素电极PX覆盖象素区域。象素电极PX用作反射电极。也就是说，当来自后述的透明基板SUB2侧的外来光通过液晶LC时，光传输率被控制，外来光被反射在象素电极PX上，并再次出射到透明基板SUB2侧(观察侧)。
避开形成薄膜晶体管TFT的区域，形成象素电极PX。此外，形成象素电极PX，使得象素电极PX延伸到达例如设置在图中左侧和上侧的各象素区域的一部分。
换句话说，用前述的象素电极PX，覆盖象素区域与左侧区域形成的漏极信号线DL和象素区域与上侧区域形成的栅极信号线GL。这表示用下侧象素区域和右侧象素区域的象素电极PX，覆盖正在说明的象素区域的下侧栅极信号线GL和右侧漏极信号线DL。
由于前述的结构，用构成象素电极PX的不透明的金属层覆盖栅极信号线GL和漏极信号线DL，所以能避免通过各信号线的外来光的反射。
对于象素区域中的象素电极PX，象素电极PX位于象素区域中的下侧和右侧，其中两侧都位于遮光膜SHL上。而且象素电极PX设置成接近于另外邻接象素区域的象素电极PX，并且象素电极之间在遮光膜SHL上具有间隔。
这里，构成象素电极PX，以覆盖在保护膜PSV1中形成的接触孔CH，并使象素电极PX连接到薄膜晶体管TFT的源极电极SD2。
此外，在形成象素电极PX的透明基板SUB2的表面上，形成例如由氮化硅膜(SiN)形成的保护膜PSV2，使得保护膜(SiN)也覆盖象素电极PX。这种保护膜PSV2用于防止象素电极PX与液晶的直接接触，并能防止由于金属层的液晶的特性劣化。
然后，在保护膜PSV2的上表面上形成取向膜(orientation film)ORI1.这种取向膜ORI1由例如树脂构成，并在施加到取向膜ORI1的表面的固定方向上进行研磨处理。使取向膜ORI1与液晶LC接触，以便由取向膜ORI1决定液晶LC的初始取向方向。
另一方面，在透明基板SUB2的液晶侧面，在包括形成薄膜晶体管TFT的区域的周围形成黑色矩阵BM(参照图1)。
这种黑色矩阵BM仅具有避免外来光照射到薄膜晶体管TFT的功能，所以岛状图案地形成黑色矩阵BM。
本来，黑色矩阵BM通常也形成在栅极信号线GL和漏极信号线DL上，以增强显示的对比度。但是，在本实施例中，因为象素电极PX的一部分也具有这种功能，所以黑色矩阵BM采用前述的岛状图案。
在透明基板SUB2上形成彩色滤光片FIL，使彩色滤光片FIL也覆盖黑色矩阵BM。
设置这种彩色滤光片FIL，例如使得在Y方向平行设置的各象素区域上使用同色的共同的滤光片，在X方向上对于每个象素区域设置例如以红(R)、绿(G)和蓝(B)顺序重复配置的滤光片。
这种场合，各彩色滤光片FIL互相不重叠地与邻接的彩色滤光片FIL接触，并且将接触部分设置成对准遮光膜SHL的大致中心轴。这种遮光膜SHL是在透明基板SUB1侧上形成的遮光膜中平行于漏极信号线DL地形成。图5表示形成彩色滤光片FIL的透明基板SUB1和透明基板SUB2之间位置关系的图(对应于图1)。彩色滤光片FIL和其它邻接彩色滤光片FIL之间的边界部分位于遮光膜SHL上。
在用前述方法形成的黑色矩阵BM和彩色滤光片FIL的透明基板SUB2的表面上，利用涂敷形成树脂做成的平坦膜OC，使得平坦膜OC也覆盖彩色滤光片FIL。形成这种平坦膜OC，使得在表面上不会明显表现出由黑色矩阵BM驱动的段差部分。
然后，由例如ITO做成的反电极CT共同地用于在平坦膜OC表面上形成的各象素区域。
反电极CT在各象素区域中在反电极CT和象素电极PX之间产生相应于视频信号(电压)电场，控制这些电极之间液晶LC的光透过率。
此外，在形成反电极CT的透明基板SUB2的表面，形成取向膜ORI2，使得取向膜ORI2也覆盖反电极CT。这种取向膜ORI2由例如树脂构成，并在施加到取向膜ORI2的表面的固定方向上进行摩擦处理。使取向膜ORI1与液晶LC接触，以便由取向膜ORI2决定液晶LC的初始取向方向。
在具有这种结构的液晶显示装置中，每个象素区域的象素电极PX在象素电极PX和其它邻接的象素电极PX之间的区域形成遮光膜SHL，以便不必设置对于其它透明基板SUB2侧具有类似于遮光膜SHL功能(增强对比度)的黑色矩阵。
这表示不必考虑一块透明基板SUB1和另一块透明基板SUB2之间的重叠容差，就能减小遮光膜SHL的宽度，以便能使液晶显示装置具有改善的数值孔径。
此外，因为将半导体层AS叠层在遮光膜SHL上，利用这种半导体层AS，能大幅度地减少在遮光膜SHL上的外来光的反射。
由a-Si构成的半导体层AS为暗红褐色，在通过半导体层AS后反射在遮光膜SHL上的光成为基于红色的彩色。
此外，形成由不透明金属构成的象素电极PX，使得象素电极PX在图中通过象素区域的上侧形成的栅极信号线GL和图中通过象素区域的左侧形成的漏极信号线DL的下面延伸到邻接的象素区域，并由象素电极PX覆盖各信号线。
因此，能避免栅极信号线GL和漏极信号线DL上的外来光的反射。
在栅极信号线GL和覆盖该栅极信号线GL的象素电极PX之间，形成使用保护膜PSV1作为介电膜的电容元件Cadd。在这种结构中，因为形成象素电极PX使得象素电极PX在宽度方向上覆盖整个栅极信号线GL，所以能增加重叠部分的面积，以便得到能增加电容元件Cadd的电容的有益效果。
《制造方法》下面，参照图6A到图6D对前述液晶显示装置的制造方法的一实施例进行说明。图6A到图6D是图1中沿着IV-IV线的剖视图。
工序1(图6A)在透明基板SUB1上用溅射法堆积Al，直到形成厚度300nm的Al抗蚀膜。在光刻工序后，使用磷酸、盐酸和硝酸的混合液通过蚀刻剥离抗蚀膜，形成栅极信号线GL。并同时形成遮光膜SHL。
也就是说，在形成栅极信号线GL的同时形成遮光膜SHL，以便不必增加形成遮光膜SHL的工序数。
在酒石酸中对图案的铝表面进行阳极氧化，以便形成具有180nm厚度的阳极氧化膜。由于下述的原因，有必要形成阳极氧化膜。也就是说，Al容易产生蚀丘，使得在后面的工序中在夹持在漏极信号线DL和铝之间的层间绝缘膜上形成漏极信号线DL时，容易穿通层间绝缘膜产生短路。而阳极氧化膜能防止上述现象的发生。
工序2(图6B)在透明基板SUB1上用CVD法堆积由SiN做成的绝缘膜，直到其厚度为240nm，以形成绝缘膜GI。然后，堆积非晶体硅直到其厚度为200nm。接着，堆积用磷(P)参杂的n+非晶硅直到其厚度为35nm。以形成半导体层AS。
在完成光刻工序后，使用六氟硫磺气体一次干式蚀刻由如前所述绝缘膜GI和半导体层AS形成叠层体。
这种场合，形成构成上层的半导体层AS的非晶硅的蚀刻速度，比形成构成下层的绝缘膜GI的氮化硅的蚀刻速度快，因此，能在实质上相同的图案中形成半导体层AS和绝缘膜GI，其中绝缘膜GI的端部具有4°左右的圆锥形而半导体层AS的端部具有70°左右的圆锥形。
由于这种结构，由绝缘膜GI和半导体层AS构成的叠层体能使侧壁表面平滑避免在侧壁表面产生陡峭的阶差部分，因此，能避免在由于存在陡峭的阶差部分而发生的阶差部分与布线层的不连接。
工序3(图6C)在透明基板SUB1上用溅射法堆积具有30nm厚度的Cr，然后堆积200nm厚度的Al。
在光刻工序后，使用磷酸、盐酸和硝酸的混合液通过蚀刻剥Al，然后用硝酸铈第2铵溶液蚀刻Cr，形成漏极信号线DL、漏极电极SD1和源极电极SD2。
接着，用六氟硫磺气体进行干式蚀刻，并在除去构成半导体层AS的上层的n+非晶硅后，剥离抗蚀膜。
在透明基板SUB1上用CVD法堆积具有600nm膜厚的氮化硅。在光刻工序后，用六氟硫磺气体对图案进行干式蚀刻。然后，剥离抗蚀膜，形成第1保护膜PSV1及其接触孔CH。
工序4(图6D)在透明基板SUB1上用溅射法堆积具有30nm厚度的Cr，然后堆积200nm厚度的Al。
在光刻工序后，使用磷酸、盐酸和硝酸的混合液进行蚀刻，然后用硝酸铈第2铵溶液蚀刻Cr，形成象素电极PX。
在透明基板SUB1上用CVD法堆积具有300nm膜厚的氮化硅。在光刻工序后，用六氟硫磺气体对图案进行干式蚀刻。然后，剥离抗蚀膜，形成第2保护膜PSV2。
实施例2图7表示本发明液晶显示装置的象素的另一实施例的平面图。图7对应于图1。图8表示沿着图7中VIII-VIII线的剖视图。
本实施例与图1所示的实施例不同的是在透明基板SUB2侧形成彩色滤光片FIL。
在各彩色滤光片FIL和与该彩色滤光片FIL邻接设置的彩色滤光片FIL的边界部分，位于遮光膜SHL的上面。此外，在前述的遮光膜SHL上用重叠的方法在另一的彩色滤光片FIL上形成该彩色滤光片FIL。
这种场合，重叠的彩色滤光片FIL至少一个是绿色或者蓝色滤光片FIL，防止仅仅由红色滤光片FIL用叠层的状态形成。
如前所述，由半导体层AS覆盖的遮光膜SHL上反射的外来光，在通过半导体层AS后成为红色，并被照射在前述彩色滤光片FIL的重叠部分上。这种场合，因为构成重叠部分的上层的彩色滤光片FIL的彩色是绿色或者蓝色，所以这种光被吸收能减少反射光。
当构成上层的彩色滤光片FIL(在液晶LC侧的彩色滤光片)是红色时，虽然被反射的外来光通过红色滤光片，但因在下层存在绿色或者蓝色滤光片，所以这种光被这种绿色或者蓝色滤光片吸收。因此，彩色滤光片FIL的彩色可以用任何所要的顺序重叠。
基于这种理解，不必将彩色滤光片FIL设置在遮光膜SHL上形成与其它邻接彩色滤光片FIL的重叠部分，只要配置绿色或者蓝色滤光片FIL，也能得到与实施例1相同的有益效果。
实施例3图9表示本发明液晶显示装置的另一实施例的平面图。图9对应于图7。图10表示沿着图9中X-X线的剖视图(仅透明基板SUB1侧)。
本发明的液晶显示装置采用部分透过部分反射结构。在背面将背光提供给液晶显示装置，并根据在显示时的情况，对背光进行点灯或者熄灯。
本实施例与图7所示的实施例不同的是，首先，由金属层形成的象素电极(相应于图7中的象素电极)具有开口部分HO，并且这种开口部分占据的部分接近例如象素区域一半的部分。
也就是说，在象素电极PX1形成的开口部分HO，构成允许来自背光的光透过的部分。
此外，如图10所示，在除去象素区域周围的保护膜PSV2的上表面的大部分上，形成例如由ITO(Indium-tin-Oxide)膜构成的象素电极。
虽然在图中没有示出，象素电极PX2通过在保护膜PSV2中形成的接触孔连接到象素电极PX，使得提供给象素电极PX1的视频信号也提供给象素电极PX2。
也就是说，利用象素电极PX2在象素电极PX1的开口部分HO产生电场，并将来自背光的光透过率按照电场强度进行变化的光，通过液晶显照射到观察侧。
在具有这种结构的液晶显示装置中，因为在各象素电极PX1和设置在接近于这种象素电极PX1的其它邻接象素电极PX1之间存在遮光膜SHL，所以有能防止来自背光的光泄漏的有益效果。
在本实施例中，在保护膜PSV2的上表面上，形成由ITO膜构成的象素电极PX2。但是，当然也能在形成栅极信号线GL和遮光膜SHL的层上，形成象素电极PX2。
这种场合，在形成薄膜晶体管TFT的源极电极SD2时，透过将源极电极SD2延伸到前述形成象素电极PX2的区域，使源极电极SD2和象素电极PX2相互连接，从而不必形成接触孔等的工序就能得到有益效果。
实施例4图11表示本发明液晶显示装置的其它实施例的剖视图，对应于图4、图8和图10。
本实施例与图7所示的实施例不同的是，用作薄膜晶体管TFT的栅极绝缘膜功能的绝缘膜GI。
也就是说，在前述的各实施例中，在形成薄膜晶体管TFT的区域、形成漏极信号线的区域和形成遮光膜SHL的区域上，与半导体层AS一起形成绝缘膜GI。但是，在本实施例中，在透明基板SUB1的上表面的实质上整个区域上，形成绝缘膜GI。
这种构成不会损害本发明的有益效果，所以本实施例能得到与前述实施例相同的有益效果。
如前所述，采用本发明的液晶显示装置，则能消除信号线的光反射。
此外，在液晶显示装置的构成为部分反射型器件(包括背光的构成)时，能防止来自背光的光泄漏。
权利要求
1.一种液晶显示装置，其特征在于，包括在绝缘基板上形成的多根栅极信号线，在绝缘基板上与栅极信号线交叉形成的多根漏极信号线，在由相应的信号线围住的象素区域上形成薄膜晶体管和反射电极，所述薄膜晶体管与栅极信号线和漏极信号线连接，所述反射电极与所述薄膜晶体管连接，和由遮光膜和半导体层构成的顺次叠层体，用将顺次叠层体重叠在所述反射电极的边上的方法，覆盖所述反射电极和所述其它邻接象素区域的反射电极之间的区域，形成每个顺次叠层体。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，将设置在所述反射电极和所述其它邻接象素区域的反射电极之间的区域设置成接近于形成所述栅极信号线的区域或者形成所述漏极信号线的区域。
3.如权利要求2述的液晶显示装置，其特征在于，将所述遮光膜设置成接近于形成所述栅极信号线的区域或者形成所述漏极信号线的区域。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，在形成所述栅极信号线的层上形成所述遮光膜，和在形成所述薄膜晶体管的半导体层的层上形成所述半导体层。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，用所述漏极信号线具有设置在所述反射电极下面的整个宽度并重叠在所述反射电极上的方法，形成所述漏极信号线。
6.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述反射电极和所述其它邻接象素区域的反射电极之间，定位不同彩色的彩色滤光片之间确定的边界部分。
7.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述反射电极和所述其它邻接象素区域的反射电极之间，形成绿色滤光片或者蓝色滤光片。
8.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述反射电极和所述其它邻接象素区域的反射电极之间，定位不同彩色的所述彩色滤光片的重叠部分。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述反射电极和所述其它邻接象素区域的反射电极之间，定位不同彩色的所述彩色滤光片的重叠部分，并且至少一种彩色滤光片是绿色滤光片或者蓝色滤光片。
10.如权利要求6至9任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，在配置成面对所述绝缘基板的另一绝缘基板边上形成所述彩色滤光片，以便夹持液晶。
11.如权利要求1至9任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，同时形成所述遮光膜和所述栅极信号线，和同时形成所述半导体层和所述薄膜晶体管的半导体层。
全文摘要
本发明揭示一种液晶显示装置,包括在绝缘基板上形成的多根栅极信号线,在绝缘基板上与栅极信号线交叉形成的多根漏极信号线,在由相应的信号线围住的象素区域上形成薄膜晶体管和反射电极,所述薄膜晶体管与栅极信号线和漏极信号线连接,所述反射电极与所述薄膜晶体管连接,和由遮光膜和半导体层构成的顺次叠层体,用将顺次叠层体重叠在所述反射电极的边上的方法,在所述反射电极和所述其它邻接象素区域的反射电极之间,形成每个顺次叠层体。本发明能解决消除信号线的光反射的技术问题。
文档编号G02F1/1362GK1374633SQ0210693
公开日2002年10月16日 申请日期2002年3月8日 优先权日2001年3月9日
发明者阿武恒一, 佐佐木亨 申请人:株式会社日立制作所