专利名称：光致抗蚀剂用剥离液的制作方法
技术领域：
本发明涉及光致抗蚀剂用剥离液。特别涉及液晶面板的制造工序、半导体元件的组件制造工序中使用的光致抗蚀剂用剥离液。
背景技术：
TFT-LCD等液晶显示器具有在对置玻璃基板间插入液晶的结构，一般而言，在一侧玻璃基板上形成TFT(薄膜晶体管)或像素电极(透明电极)，在其上于基板的整个表面层合方向性涂膜，在另一侧玻璃基板上依次层合滤色片、透明电极、方向性涂膜，使上述各方向性涂膜面朝内地对置玻璃基板。此时，由于TFT比其他像素电极等高，因此被上述对置玻璃基板夹持的液晶的厚度不均匀，上述TFT对应部位的液晶的厚度降低相应水平。
因此，为了实现液晶厚度均匀化而采用下述方法在上述一侧玻璃基板上形成TFT后，在该玻璃基板的整个表面上设置透明绝缘膜(例如丙烯酸类透明膜)，完全覆盖上述TFT，吸收TFT的高出部分，将表面平坦化，在表面平坦化的丙烯酸类透明膜上形成像素电极(透明电极)，在其上整个表面层合方向性涂膜。
此处，如下所述地形成上述像素电极(透明电极)在丙烯酸类透明膜上利用溅射法等设置透明导电膜，在其上均匀地涂布光致抗蚀剂，对其进行选择性曝光、显影处理，形成光致抗蚀剂图案，以上述光致抗蚀剂图案为掩模，选择性蚀刻上述透明导电膜，形成像素电极(透明电极)后，用剥离液除去光致抗蚀剂图案形成像素电极(透明电极)。
因此，由于上述剥离液在光致抗蚀剂图案剥离处理中直接接触丙烯酸类透明膜，因此必须不对上述丙烯酸类透明膜产生膨润、着色等不良影响。如果引起膨润，则出现透明电极被剥离等不良情况，而如果被着色，则影响透明性。
另外，在半导体元件的组件制造工序中，随着近年元件的微细化、多层化，开始制造在晶片状态下一并进行组件化的超小型晶片水平芯片尺寸组件(W-CSP；Wafer level chip size package)。
在W-CSP制造工序中，例如利用溅射法在具有钝化膜(绝缘膜)的硅晶片等基板上形成导电性金属膜(例如铜薄膜)，在该铜薄膜上设置正型光致抗蚀剂图案，以此为掩模，蚀刻铜薄膜，形成铜重布线图案。形成单层～多层该绝缘膜/重布线图案。
接下来，在该基板上热压合由负型光致抗蚀剂构成的感光性干膜，对其进行选择性曝光、显影处理，形成厚膜光致抗蚀剂图案(光固化图案)，在未形成光致抗蚀剂图案的部分，利用电镀法形成铜端子(凸点)后，用剥离液除去光致抗蚀剂图案。然后，将基板的整个表面用封固树脂封固，使铜端子被完全覆盖后，同时切削封固树脂上部和铜端子上部。接下来，在切削后露出的铜端子顶部软钎焊导电性端子(铜端子)后，将晶片单片化为组件，加以制造。
在上述组件制造工序中，负型光致抗蚀剂图案(光固化图案)与正型光致抗蚀剂图案相比难以除去，而且因被用于形成铜端子(凸点)而为厚膜，因此剥离除去更为困难。因此，要求上述难以除去的厚膜负型光致抗蚀剂具有优良的除去性。而且还要求防止对金属(铜)造成损害。
目前，液晶面板、半导体元件的制造中使用的光致抗蚀剂用剥离液主要是含有极性溶剂、胺类(包括季铵盐)及水的体系的剥离液(例如参见专利文献1～2)。但是，上述剥离液含水，无法避免对金属材料造成损害，另外，存在可观察到对液晶显示器等中使用的丙烯酸类透明膜造成着色·膨润等影响的问题。
专利文献1特开2001-215736号公报专利文献2特开平10-239865号公报
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种光致抗蚀剂用剥离液，其对液晶面板的制造工序中使用的丙烯酸类透明膜不产生膨润·着色等不良情况，也不损害电极材料，且具有优良的光致抗蚀剂剥离性，同时对半导体元件的组件(特别是W-CSP)制造工序中使用的厚膜负型光致抗蚀剂的剥离性、抑制对铜造成损害的效果也优良。
为了解决上述问题，本发明提供一种光致抗蚀剂用剥离液，实质上由以下部分组成(a)季铵氢氧化物，(b)从二元醇类、二元醇醚类中选出的至少1种水溶性有机溶剂，(c)非胺类水溶性有机溶剂。
另外，本发明提供上述光致抗蚀剂用剥离液，是液晶面板的制造工序中使用的光致抗蚀剂用剥离液，用于剥离在设置于玻璃基板上的透明绝缘膜面上形成的光致抗蚀剂图案。
另外，本发明提供上述光致抗蚀剂用剥离液，是半导体元件的组件制造工序中使用的光致抗蚀剂用剥离液，用于剥离在具有金属薄膜的基板上未形成光致抗蚀剂图案的部分(金属薄膜露出部)形成导电层后的该光致抗蚀剂图案。
具体实施例方式
下面详细说明本发明。
作为(a)成分的季铵氢氧化物优选使用下述通式(I)表示的化合物。
上式中，R1、R2、R3和R4分别独立地表示碳原子数为1～6的烷基或羟烷基。
具体而言，上述季铵氢氧化物可以举出氢氧化四甲基铵(＝TMAH)、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵、氢氧化四戊基铵、氢氧化一甲基三丙基铵、氢氧化三甲基乙基铵、氢氧化(2-羟基乙基)三甲基铵、氢氧化(2-羟基乙基)三乙基铵、氢氧化(2-羟基乙基)三丙基铵、氢氧化(1-羟基丙基)三甲基铵等。其中，从容易获得、而且安全性优良等方面考虑，优选TMAH、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵、氢氧化一甲基三丙基铵、氢氧化(2-羟基乙基)三甲基铵等。(a)成分可以使用1种、2种或2种以上。
(b)成分可以使用二元醇类、二元醇醚类。具体而言，可以举出乙二醇、乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一丁基醚、乙二醇一甲基醚乙酸酯、乙二醇一乙基醚乙酸酯、二甘醇、二甘醇一甲基醚、二甘醇一乙基醚、二甘醇一丙基醚、二甘醇一丁基醚(＝丁基卡必醇)等二甘醇一烷基醚(烷基为碳原子数1～6的低级烷基)、丙二醇等，但是并不限定于上述例子。其中，从高防膨润能力、高防腐蚀能力、低价等方面考虑，优选使用乙二醇、丙二醇、二甘醇一丁基醚。(b)成分可以使用1种、2种或2种以上。
(c)成分可以使用非胺类水溶性有机溶剂。具体而言，可以举出二甲基亚砜等亚砜类；二甲基砜、二乙基砜、二(2-羟基乙基)砜、四亚甲基砜等砜类；N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺等酰胺类；N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-丙基-2-吡咯烷酮、N-羟甲基-2-吡咯烷酮、N-羟乙基-2-吡咯烷酮等内酰胺类；1，3-二甲基-2-咪唑烷酮、1，3-二乙基-2-咪唑烷酮、1，3-二异丙基-2-咪唑烷酮等咪唑烷酮类等，但是并不限定于上述示例。(c)成分可以使用1种、2种或2种以上。
本发明的光致抗蚀剂用剥离液实质上由上述(a)～(c)成分3种成分构成，不含水。如果含有水作为配合成分，则布线材料(金属)的防腐性变差，另外，光致抗蚀剂剥离性也降低。另外，作为水溶性有机溶剂，不包括胺类(链烷醇胺类等)。
需要说明的是，本发明的光致抗蚀剂用涂布液中，可以在不影响本发明效果的范围内，根据需要配合表面活性剂、防腐剂等添加成分。作为表面活性剂，可以举出碳原子数至少为10或10以上的烷基或烷氧基取代的胺类活性剂、炔属醇类活性剂及至少1个或1个以上碳原子数为7或7以上的烷基取代的二苯基醚类活性剂等，但并不限定于上述示例。另外，作为防腐剂，可以举出芳香族羟基化合物(例如邻苯二酚、叔丁基邻苯二酚、连苯三酚、没食子酸等)、三唑类化合物(例如苯并三唑等)、含巯基的化合物(例如1-硫甘油、2-巯基乙醇等)、糖醇类(例如木糖醇、山梨醇等)等，但并不限定于上述示例。
本发明的光致抗蚀剂用剥离液包含负型及正型光致抗蚀剂，可在碱水溶液中有效用作能显影的光致抗蚀剂。作为上述光致抗蚀剂，可以举出(i)含有重氮基萘醌化合物和酚醛清漆树脂的正型光致抗蚀剂，(ii)含有通过曝光而产生酸的化合物、在酸的作用下分解而对碱水溶液的溶解性增大的化合物及碱可溶性树脂的正型光致抗蚀剂，(iii)含有通过曝光而产生酸的化合物、具有在酸的作用下分解而对碱水溶液的溶解性增大的基团的碱可溶性树脂的正型光致抗蚀剂，及(iv)含有在光的作用下产生酸或自由基的化合物、交联剂及碱可溶性树脂的负型光致抗蚀剂等，但是并不限定于此。
由上述(a)～(c)成分组成的本发明光致抗蚀剂用剥离液特别优选用于液晶面板的制造工序、半导体元件的组件(特别是W-CSP)制造工序。
在液晶面板的制造工序中，作为光致抗蚀剂，优选上述(i)所述酚醛清漆树脂类正型光致抗蚀剂。
在半导体元件的组件(特别是W-CSP)制造工序中，作为光致抗蚀剂，优选使用上述(iv)所述光固化型负型光致抗蚀剂等通过照射放射线发生聚合而变得对碱不溶的负型光致抗蚀剂。
在液晶面板的制造工序中使用本发明的光致抗蚀剂用剥离液时，特别优选使用TMAH作为(a)成分、使用乙二醇、丙二醇、二甘醇一丁基醚中的任意1种或1种以上作为(b)成分、单独使用二甲基亚砜(DMSO)作为(c)成分。
液晶面板的制造工序中优选使用的光致抗蚀剂用剥离液各成分的优选配合量如下所述。
(a)成分的配合量优选为0.1～10质量％、更优选为1～10质量％。如果(a)成分的配合量过少，则存在光致抗蚀剂溶解·剥离的效果变差的倾向，另外，即使过多，也无法获得与配合量增加相适应的效果，或者可能促进金属布线材料溶解。
(b)成分的配合量优选为5～40质量％、更优选为15～40质量％。如果(b)成分的配合量过少，则存在无法有效抑制透明绝缘膜(丙烯酸类透明膜)膨润的倾向，另外，如果过多，则存在光致抗蚀剂的溶解性能不足、光致抗蚀剂残留显著的倾向。
(c)成分的配合量优选为50～95质量％、更优选为50～80质量％。如果(c)成分的配合量过少，则光致抗蚀剂的剥离性可能降低，另外，如果过多，则透明绝缘膜可能发生膨润。
在TFT-LCD等液晶面板的制造工序中使用光致抗蚀剂用剥离液时，例如如下所述地进行使用。
即，在玻璃基板上形成具备门电极、漏电极、源电极等的TFT(薄膜晶体管)后，在该玻璃基板整个表面上设置透明绝缘膜，完全覆盖上述TFT，形成平坦化层。
上述透明绝缘膜只要能用于制造液晶面板即可，没有特别限定，优选使用丙烯酸类透明膜。
接下来，在表面平坦化的透明绝缘膜上，利用溅射法等形成透明导电层。作为透明导电层，例如可以举出ITO、ITO/IZO等优选例。
然后，在其上涂布、干燥光致抗蚀剂涂布液，设置光致抗蚀剂层，将其曝光、显影，形成光致抗蚀剂图案后，以该光致抗蚀剂图案为掩模，蚀刻透明导电层，形成像素电极(透明电极)图案。
光致抗蚀剂层的形成、曝光、显影及蚀刻处理均为惯用方法，没有特别限定。蚀刻可以使用湿式蚀刻、干式蚀刻中的任一种。
光致抗蚀剂涂布液没有特别限定，优选使用上述酚醛清漆类正型光致抗蚀剂。
然后，利用本发明的光致抗蚀剂用剥离液对上述光致抗蚀剂图案进行剥离处理。使用本发明剥离液的剥离处理通常利用浸渍法、喷淋法等加以实施。剥离处理时间只要是足以完成剥离的时间即可，没有特别限定，优选1～20分钟左右。
需要说明的是剥离处理后，也可以实施惯用的使用纯水或低级醇等的淋洗处理及干燥处理。
上述剥离处理中，光致抗蚀剂用剥离液接触丙烯酸类透明膜，但是，本发明的剥离液对丙烯酸类透明膜无膨润、着色等不良影响，可以有效地剥离除去光致抗蚀剂图案。因此，无透明电极被剥离等不良情况，另外，也不损害透明性。
在半导体元件的组件(特别是W-CSP)制造工序中使用本发明的光致抗蚀剂用剥离液时，特别优选使用TMAH作为(a)成分、使用丙二醇作为(b)成分、使用二甲基亚砜(DMSO)单独溶剂或由二甲基亚砜(DMSO)和N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)组成的、DMSO/NMP＝1.9或1.9以上(质量比)、优选为5.5或5.5以上(质量比)、更优选为7.0或7.0以上(质量比)的混合溶剂作为(c)成分。通过单独使用DMSO、或使用将DMSO按特定配合量或该配合量以上的比例与NMP混合而成的溶剂，使用负型光致抗蚀剂时的光致抗蚀剂剥离性特别优良。DMSO/NMP不足1.9(质量比)时，光致抗蚀剂的剥离性差，光致抗蚀剂剥离残留。
半导体元件的组件制造工序中优选使用的光致抗蚀剂用剥离液的各成分的优选配合量如下所述。
(a)成分的配合量优选为0.5～5质量％、更优选为0.5～3质量％。如果(a)成分的配合量过少，则存在光致抗蚀剂溶解·剥离的效果变差的倾向，另外，如果过多，则可能促进铜的溶解。
(b)成分的配合量优选为5～30质量％、更优选为5～15质量％。如果(b)成分的配合量过少，则存在铜被腐蚀的倾向，而如果过多，则存在光致抗蚀剂的溶解性能不足、光致抗蚀剂残留显著的倾向。
(c)成分的配合量优选为65～95质量％、更优选为70～90质量％。(c)成分的配合量过少或过多，均可能导致剥离性降低。
在半导体元件的组件(特别W-CSP)制造工序中使用光致抗蚀剂用剥离液时，例如如下所述地进行使用。
即，在具有钝化膜(绝缘膜)的硅晶片等基板上利用溅射法等形成导电性金属薄膜。特别是在W-CSP制造工序中，导电性金属薄膜优选铜(Cu)薄膜。需要说明的是本发明中的铜(Cu)不仅包括纯铜，也包括以铜为主成分的铜合金中的任一种。
然后，在上述铜薄膜上设置正型光致抗蚀剂图案，以此为掩模蚀刻铜薄膜，形成铜重布线图案。形成单层～多层绝缘膜/重布线图案。
然后，在具有上述铜重布线图案的基板上热压合由负型光致抗蚀剂组成的感光性干膜，对其进行选择性曝光、显影处理，形成厚膜光致抗蚀剂图案(光固化图案)。然后，利用电镀法在未形成该光致抗蚀剂图案的部分形成铜端子(凸点)后，用剥离液除去光致抗蚀剂图案。上述光固化图案也取决于形成的铜端子的高度，通常为20～150μm。铜端子的高度通常为20μm或20μm以上。
接下来，利用本发明的光致抗蚀剂用剥离液对上述光致抗蚀剂图案进行剥离处理。使用本发明剥离液的剥离处理通常利用浸渍法、喷淋法等加以实施。剥离处理时间只要是足以完成剥离的时间即可，没有特别限定，由于与正型光致抗蚀剂相比，溶解·剥离困难，而且剥离厚膜光致抗蚀剂图案，因此优选为30～90分钟左右。
然后，用封固树脂封固基板整个表面，完全覆盖铜端子后，一同切削封固树脂和铜端子上部。接下来，在切削露出的铜端子顶部软钎焊导电性端子(铜端子)后，将晶片单片化成组件而制成。
在上述剥离处理中，通过使用本发明的光致抗蚀剂用剥离液，即使在使用不易剥离的负型光致抗蚀剂，而且为了形成具有某一特定值或特定值以上高度的铜端子(凸点)而形成更难剥离的厚膜光致抗蚀剂图案的情况下，光致抗蚀剂剥离性也极其优良，且对铜无腐蚀，另外也未见铜的溶解性。
实施例以下通过实施例更详细地说明本发明，但本发明并不受这些实施例的任何限定。
实施例1～5、比较例1～4调制下述表1所示组成的剥离液。以其为试料，利用下述试验方法，评价光致抗蚀剂的剥离性、对丙烯酸类透明膜的损害(膨润·着色)、金属布线(Al类布线)材料的腐蚀。结果示于表2。
在硅基板上，利用旋转器涂布作为由重氮基萘醌化合物和酚醛清漆树脂组成的正型光致抗蚀剂的TFR-1070(东京应化工业(株)制)，在110℃下预烘焙90秒钟，形成膜厚为1.5μm的光致抗蚀剂层。使用曝光装置NSR-1505G7E((株)尼康制)，经由掩模图案曝光该光致抗蚀剂层，用2.38质量％氢氧化四甲基铵(TMAH)水溶液进行显影，形成光致抗蚀剂图案。然后，在140℃下进行90秒主烘焙。
接下来，将具有在上述条件下形成的光致抗蚀剂图案的基板在下述表1所示光致抗蚀剂用剥离液(60℃)中浸渍1分钟后，用扫描型电子显微镜(SEM)观察，按下述评价基准评价光致抗蚀剂的剥离性。
(评价)S光致抗蚀剂完全被除去A虽然很少，但是可见光致抗蚀剂残渣B可见光致抗蚀剂残留[对丙烯酸类透明膜的损害(膨润·着色)]在硅基板上，用旋转器涂布丙烯酸类透明膜，在95℃下预烘焙110秒钟后，在G线、H线、I线实施全面曝光，再在230℃下烘焙30分钟。
将上述处理基板在下述表1所示光致抗蚀剂用剥离液(60℃)中浸渍5分钟，用薄膜厚度量测仪测定膨润程度、着色程度，按下述评价基准进行评价(评价)
S膨润·着色非常小A膨润·着色小B可见大的膨润·着色[Al类布线材料的腐蚀]在硅基板上形成Al-Si-Cu层(150nm厚)后，将该基板在下表1所示光致抗蚀剂用剥离液(60℃)中浸渍10分钟，测定薄层电阻值，由该结果求出Al-Si-Cu层的膜减少量(蚀刻量)，按下述评价基准评价对Al-Si-Cu层的防腐蚀性。
需要说明的是薄层电阻值的测定使用VR-70(国际电气(株)制)进行测定。
(评价)A未见腐蚀B可见腐蚀表1
注TMAH氢氧化四甲基铵；EG乙二醇；PG丙二醇；DMSO二甲基亚砜；BDG二甘醇一丁基醚(＝丁基卡必醇)
表2
实施例6～10、比较例5～8调制下表3所示组成的剥离液。以其为试料，利用下述试验方法，评价光致抗蚀剂的剥离性、铜的溶解、铜的氧化。结果示于表4。
在铜溅射膜上形成了铜重布线的晶片上层合由负型光致抗蚀剂组成的感光性干膜(“ORDYL”；东京应化工业(株)制)。经由掩模图案将该负型感光性干膜选择性曝光，用碳酸钠溶液进行显影，形成光致抗蚀剂图案(膜厚120μm)。
然后，通过电解电镀，在未形成光致抗蚀剂图案的部分形成铜端子(高度120μm)。
将上述处理基板在下表3所示的光致抗蚀剂用剥离液(60℃)中浸溃60分钟后，用扫描型电子显微镜(SEM)观察，基于下述评价基准评价光致抗蚀剂的剥离性。
(评价)S光致抗蚀剂被完全除去A虽然很少，但是可见光致抗蚀剂残渣B可见光致抗蚀剂残留[铜的溶解]将形成了铜溅射膜的基板在下表3所示的光致抗蚀剂用剥离液(60℃)中浸渍60分钟后，用扫描型电子显微镜(SEM)观察，按下述评价基准评价表面状态、溶解程度。
(评价)S未发生铜溶解A虽然很少，但是可见铜溶解B可见铜溶解[铜的氧化]将形成了铜溅射膜的基板在下表3所示光致抗蚀剂用剥离液(60℃)中浸渍60分钟后，测定铜溅射膜的薄层电阻值，评价氧化程度。结果示于表4。需要说明的是薄层电阻值的测定使用VR-70(国际电气(株)制)进行测定。
(评价)S铜氧化少A虽然很少，但是可见铜氧化B可见铜氧化表3
注TMAH氢氧化四甲基铵；PG丙二醇；DMSO二甲基亚砜；NMPN-甲基-2-吡咯烷酮表4
由表2、4的结果可知，本发明的光致抗蚀剂剥离液对液晶面板的制造工序中使用的丙烯酸类透明膜不发生膨润·着色等不良情况，且光致抗蚀剂剥离性优良，同时W-CSP组件制造工序中使用的厚膜负型光致抗蚀剂的剥离也优良，另外对铜的防腐性优良。
如上所述，本发明的光致抗蚀剂用剥离液可以用于液晶面板的制造工序、半导体元件的组件(特别是W-CSP)制造工序中的任一工序，对液晶面板的制造工序中使用的丙烯酸类透明膜不发生膨润·着色等不良情况，不损害电极材料，且光致抗蚀剂剥离性优良，同时对W-CSP制造工序中使用的厚膜负型光致抗蚀剂的剥离性、抑制对铜造成损害的效果也优良。
权利要求
1.一种光致抗蚀剂用剥离液，实质上由下述成分组成(a)季铵氢氧化物，(b)从二元醇类、二元醇醚类中选出的至少1种水溶性有机溶剂，(c)非胺类水溶性有机溶剂。
2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂用剥离液，其中，(a)成分为下述通式(I)表示的化合物， 式中，R1、R2、R3、R4分别独立地表示碳原子数1～6的烷基或羟烷基。
3.如权利要求1所述的光致抗蚀剂用剥离液，其中，(b)成分为从乙二醇、丙二醇、二甘醇一丁基醚中选出的至少1种。
4.如权利要求1所述的光致抗蚀剂用剥离液，其中，(c)成分为二甲基亚砜。
5.如权利要求1所述的光致抗蚀剂用剥离液，其中，(c)成分是二甲基亚砜单独溶剂、或由二甲基亚砜和N-甲基-2-吡咯烷酮组成的按质量比计DMSO/NMP＝1.9或1.9以上的混合溶剂。
6.如权利要求1所述的光致抗蚀剂用剥离液，其中，使用二甲基亚砜(DMSO)作为(c)成分，含有0.1～10质量％的(a)成分、5～40质量％的(b)成分、50～95质量％的(c)成分。
7.如权利要求1所述的光致抗蚀剂用剥离液，其中，作为(c)成分是二甲基亚砜单独溶剂、或由二甲基亚砜和N-甲基-2-吡咯烷酮组成的按质量比计DMSO/NMP＝1.9或1.9以上的混合溶剂，含有0.5～5质量％的(a)成分、5～30质量％的(b)成分、65～95质量％的(c)成分。
8.如权利要求6所述的光致抗蚀剂用剥离液，所述光致抗蚀剂用剥离液是液晶面板的制造工序中使用的光致抗蚀剂用剥离液，用于剥离在设置于玻璃基板上的透明绝缘膜面上形成的光致抗蚀剂图案。
9.如权利要求8所述的光致抗蚀剂用剥离液，其中，透明绝缘膜为丙烯酸类透明膜。
10.如权利要求7所述的光致抗蚀剂用剥离液，所述光致抗蚀剂用剥离液是半导体元件的组件制造工序中使用的光致抗蚀剂用剥离液，用于剥离在具有金属薄膜的基板上未形成光致抗蚀剂图案的部分即金属薄膜露出部上形成导电层后的光致抗蚀剂图案。
11.如权利要求10所述的光致抗蚀剂用剥离液，其中，金属薄膜及导电层由铜组成。
12.如权利要求10所述的光致抗蚀剂用剥离液，其中，光致抗蚀剂图案是使用通过照射放射线发生聚合而对碱不溶的负型光致抗蚀剂组合物形成的光固化图案。
全文摘要
本发明公开了由(a)季铵氢氧化物(例如氢氧化四甲基铵等)、(b)从二元醇类、二元醇醚类中选出的至少1种水溶性有机溶剂(例如丙二醇、乙二醇、二甘醇一丁基醚等)、(c)非胺类水溶性有机溶剂(例如二甲基亚砜、N－甲基－2－吡咯烷酮等)组成的光致抗蚀剂用剥离液。本发明的光致抗蚀剂用剥离液对液晶面板的制造工序中使用的丙烯酸类透明膜不发生膨润·着色等不良情况，对电极材料无损害，且光致抗蚀剂剥离性优良，同时对半导体元件的组件(特别是晶片水平芯片尺寸组件(W－CSP))制造工序中使用的厚膜负型光致抗蚀剂(感光性干膜)的剥离性、抑制对铜造成损害的效果也优良。
文档编号G03F7/42GK1873543SQ20061008024
公开日2006年12月6日 申请日期2006年5月12日 优先权日2005年5月12日
发明者横井滋, 山之内笃史 申请人:东京应化工业株式会社