专利名称：液晶显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明一般涉及一种液晶显示(“LCD”)装置，尤其是减轻或是有效防止由于圆柱间隔件移动在像素电极一侧周围产生的纹理缺陷而导致的显示缺陷的LCD装置，以及其制造方法。
背景技术：
“LCD”装置广泛应用于诸如蜂窝电话、电脑监视器、电视等产品中，并且由于其具有尺寸小、重量轻和能耗低的优点，对其需求正在增加。
典型的LCD装置包括彩色滤光片基板和薄膜晶体管(“TFT”)基板，两者之间插入有液晶层。彩色滤光片基板包括公共电极和彩色滤光片，TFT基板包括TFT和像素电极。不同的电势施加到像素电极和公共电极上以改变液晶分子的取向，从而调节光的透射率以显示图像。
最近，垂直取向(“VA”)模式LCD装置(其中当没有对其施加电场时，液晶分子的纵向或是主轴垂直于上基板或是下基板)由于具有高对比度和广视角而引起人们的注意。
目前，在VA模式LCD装置中，存在两种获得广视角的方法。第一种方法是在一个电极中形成切口图案，而第二种方法是在一个电极中形成突起。这两种方法都形成一个边缘场，以在四个方向上均匀分布液晶分子的倾斜方向，由此获得广视角。形成切口图案的构型垂直取向(“PVA”)模式也用作代替平面内切换(in-plane switching)(“IPS”)模式的一种广视角技术。
因为在液晶分子的移动过程中不存在扭转，并且液晶分子在垂直于电场的方向被展开，或仅是由弹性弯曲产生移动，与扭曲向列(“TN”)模式相比，PVA模式具有相对较快的响应特性。
然而，如果包括有黑矩阵的上基板和包括有TFT的下基板由于外部物理震动或冲击而不对齐或移动，黑矩阵也会移动。在这种情况中，由于光泄漏可能会发生纹理控制缺陷，由此导致LCD装置中的显示缺陷。尤其是，如果用于保持上基板和下基板之间的单元间隙的圆柱间隔体形成在蓝色像素区域附近的区域，并且该圆柱间隔体受到震动或冲击，则因为圆柱间隔体在像素区域方向上的移动，因为光泄漏而产生的纹理缺陷比其他区域更大。即使圆柱间隔体恢复到其初始位置，但蓝色像素区域的纹理缺陷仍不会消除。结果，这种缺陷可导致显示器亮度变差，并且还可导致水平线缺陷并出现偏黄现象。
发明内容
发明的各方面提供一种LCD装置，其中通过改进存储延伸部分的一部分的形状或是桥电极的一部分的形状防止显示缺陷，所述桥电极连接存储延伸部分和位于圆柱间隔体所设置的区域中的存储线，以及制造该LCD装置的方法。
本发明的一示例性实施例提供了一种LCD装置，包括在一个方向上设置的栅极线；在与栅极线垂直的方向上设置的数据线；在由栅极线和数据线限定的区域中设置的像素电极，其具有邻近栅极线和数据线的交叉部分的斜边；在与像素电极的斜边平行的方向上设置的阻光图案，其防止光泄漏。
在本发明的一示例性实施例中，阻光图案在与栅极线相同的平面上由与栅极线相同的金属形成。
在本发明的一示例性实施例中，阻光图案包括在与栅极线平行的方向上设置的第一存储线用以提供存储电压；以及在与数据线平行方向上设置并从第一存储线延伸的存储延伸部分，其中该存储延伸部分与像素电极的一侧重叠。
在本发明的一示例性实施例中，LCD装置还包括桥电极，其电连接第一存储线的存储延伸部分和第二存储线。
在本发明的一示例性实施例中，桥电极在与像素电极相同的平面上以与像素电极相同的金属形成。
在本方面的一示例性实施例中，阻光图案在与像素电极相同的平面上以与像素电极相同的金属形成。
在本发明的一示例性实施例中，LCD装置还包括在与栅极线平行方向上设置的第一存储线，用以提供存储电压；以及在与数据线平行方向上设置并从第一存储线延伸的存储延伸部分，其中存储延伸部分与像素电极的一侧重叠，并且其中阻光图案电连接存储延伸部分至第二存储线，并具有与像素电极的斜边基本上平行的斜边。
在本发明的一示例性实施例中，阻光图案接收存储电压。
本发明的另一示例性实施例提供一种形成LCD装置的方法，包括形成设置在一个方向上的栅极线以及设置在与栅极线垂直的方向上的数据线；形成设置在由栅极线和数据线限定的像素区域中的像素电极，该像素电极的斜边邻近栅极线和数据线的交叉部分；以及形成设置在与像素电极的斜边平行的方向上的阻光图案。
在一示例性实施例中，形成阻光图案包括形成第一存储线，其设置在与栅极线平行的方向上，并且在与栅极线相同的平面上由与栅极线相同的金属形成；以及形成存储延伸部分，其设置在与数据线平行的方向上并从第一存储线延伸，其中存储延伸部分重叠像素电极的一侧。
在一示例实施例中，形成阻光图案还包括形成与像素电极的斜边基本平行的存储线的一部分；以及形成与像素电极的斜边基本平行的存储延伸部分的一端的一侧。
在一示例性实施例中，该方法还包括形成桥电极，其将第一存储线的存储延伸部分和第二存储线电连接。
在一示例性实施例中，形成桥电极包括在与像素电极相同的平面上以与像素电极相同金属，形成与像素电极的斜边基本平行的桥电极的一侧。
在一示例性实施例中，在形成像素电极时，在与像素电极相同的平面上以与像素电极相同的金属形成阻光图案。
在一示例性实施例中，该方法还包括形成设置在与栅极线平行的方向上的第一存储线，形成设置在与数据线平行的方向上并从第一存储线延伸的存储延伸部分，以及形成电连接存储延伸部分至第二存储线的阻光图案。
将通过参照附图描述的特定示例性实施例来描述本发明的上述和其他方面、特征和优点。其中，图1是示出根据本发明一示例性实施例的TFT基板的顶视图；
图2是沿图1的I-I’线截取的截面图；图3A至图3E示出制造根据本发明一示例性实施例的图1和图2的TFT基板的过程的截面图；图4示出根据本发明另一示例性实施例的TFT基板的顶视图；图5是沿图4的I-I’线的截面图；图6A至6E示出制造根据本发明另一示例性实施例的图4和5的TFT基板的过程的截面图。
具体实施例方式
下文将参照示出本发明实施例的附图来更全面地描述本发明。然而，本发明可以以其他不同的方式实施，而不应被理解为限于此处描述的示例性实施方式。更确切的说，提供这些实施例是为了能够更全面和彻底地公开本发明，并且将本发明的范围充分传达给本领域技术人员。在这些附图中，为了清楚起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可能会被夸大。
应当理解，当一元件或层被称为“在......上”、“连接于”或“耦合到”另一元件或层时，其可以是直接在......上、连接于或耦合到另一元件或层，或是可以存在中间元件或层。相反，当一元件被称为“直接在......上”、“直接连接于”或“直接耦合到”另一元件或层时，其中则没有中间元件或层。全文中相同标记代表相同元件。如此处所使用的，术语“和/或”包括一或多个相关列出项目的任意和全部组合。
空间相关术语，例如“在......之下”、“在......下面”、“下面的”、“在......上方”、“上面的”等，可用于此处来简单地描述图中所示的一元件或特征与其它元件或特征的关系。应当理解，空间相关术语其意在包括除图中描述的方向之外的装置在使用或操作中的不同方向。例如，如果图中装置被翻转，被描述为在其他元件和特征“在......下面”、“下面的”的元件将被定向为在其它元件和特征“在......上方”、“上面的”。因此，示例性术语“在......下面”可包括之上和之下的方向。该装置可以是其它方向(旋转90度或在其它方向上)从而相应地解释此处使用的空间相关描述符。
此处使用的术语仅被用于说明特定实施例而并非要限制本发明。如此处所使用的，单数形式词“一”和“该”也意味着包括复数形式，除非上下文另有清楚的指示。还应该理解，术语“包括”和/或“包括着”，当用于本说明书中时，指明了确定的特征、整数、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，但不排除其中存在或附加一或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组。
除非另有说明，此处使用的所有术语(包括技术和科技术语)具有与本发明所属技术领域的术人员的通常理解相同的含义。还应当理解，这些术语，例如在通用词典中定义的，应被解释为具有与相关领域上下文中的意义一致的含义，而不应理想化或过于形式化方式地解释，除非此处明确地这样限定。
下文将参照附图详细描述本发明。
图1是示出根据本发明一示例性实施例的TFT基板的顶视图。图2是沿图1中I-I’线截取的截面图。
参照图1和2，TFT基板包括设置在横向方向上的栅极线21，设置在垂直于栅极线21的方向上的数据线60，设置在由栅极线21和数据线60限定的像素区域中的像素电极100，设置在栅极线21平行方向上以施加存储电压的存储线22，从存储线22延伸并设置在平行于数据线60的方向上的存储延伸部分23。存储线21和存储延伸部分23构成了存储电极。像素电极100具有邻近栅极线21和数据线60交叉点的斜边100a。换言之，像素电极100的斜边100a的形成是通过从像素电极上去除一个角。存储延伸部分23与像素电极100的邻近数据线60的一侧重叠，并且还具有对应于(通常为平行于)像素电极100的斜边100a的斜边23a。存储线22和存储延伸部分23构成了阻光图案。
栅极线21提供扫描信号，而数据线60提供图像数据信号。栅极绝缘层30(图2)位于栅极线21和数据线60之间。在像素区域中形成连接栅极线21和数据线60的TFT。
TFT包括从栅极线21延伸的栅极20，从数据线60延伸的源极50，与像素电极100电连接的漏极40，以及半导体层31，其具有在源极50和漏极40之间的通道区域，并且叠置于栅极20之上，而栅极绝缘层30置于其间。TFT还包括欧姆接触层32，其用于提供在源极50和漏极40与半导体层31之间的欧姆接触。TFT响应栅极线21的扫描信号将数据线60的图像数据信号传输至像素电极100。
在基板10的整个表面上形成钝化膜90。像素电极100形成在钝化膜90上，并通过穿过钝化膜90形成的像素接触孔70电连接至漏极40上。从TFT接收到图像数据信号的像素电极100利用与彩色滤光片基板的公共电极的电压差来驱动液晶层而改变光透射率。像素电极100包括将像素区域分为多个域的至少两个狭缝101和102。在像素电极的上部和下部，这两个狭缝101和102在横向轴方向上以预定的角度对称设置。在一示例性实施例中，第一狭缝101和第二狭缝102彼此垂直设置。第一狭缝101和第二狭缝102在多个方向上均匀分散边缘场的方向以在一个像素中形成多个域。像素电极100的斜边100a(设置为与栅极线21和数据线60的交叉点相邻)用来防止像素电极100与桥电极110交叠，所述桥电极110连接存储延伸部分23和下一级的存储线22。
阻光图案包括存储线22和存储延伸部分23。阻光图案与像素电极100交叠。存储电压施加到阻光图案以便在一帧期间中保持加载到像素电极100上的数据电压。
存储线22设置在与栅极线21平行的方向上并提供存储电压。从存储线22延伸的存储延伸部分23设置在与数据线60平行的方向上。
存储延伸部分23形成在与数据线60平行的方向上，并且与像素电极100邻近数据线60的一侧交叠。存储延伸部分23的一端通过桥电极110电连接至下一级存储线22。存储延伸部分23具有基本平行于像素电极100的斜边100a的斜边23a，从而防止可能在像素电极100的边缘区域出现的漏光。另外，存储线22具有与像素电极100的斜边100a基本平行的斜边，以防止光泄漏。
因此，阻光图案防止由于彩色滤光片基板和TFT基板未对齐而可能在像素电极100的边缘区域发生的漏光。
即使由于外部冲击或是震动而引起位于图1中的区域“A”中的圆柱间隔体移动，也能通过存储延伸部分23端部的斜边23a防止光泄漏。因此，防止了在像素电极100的边缘可能出现的纹理缺陷。尤其是，即使在圆柱间隔体邻近蓝色单元像素设置的情况中，尽管圆柱间隔体移动也仍然能防止偏黄现象。因此，提高了LCD装置的显示质量。
存储延伸部分23的端部经由第一连接孔80电连接至桥电极110，并且下一级的存储线22经由第二连接孔81电连接至桥电极110。这样，存储线22和存储延伸部分23通过桥电极110彼此电连接。
在一示例性实施例中，桥电极110由透明导电材料，例如氧化铟锡(“ITO”)或是氧化铟锌(“IZO”)制成。
图3A至3E是示出根据本发明一示例性实施例的图1和2的TFT基板的制造过程的截面图。
参照图3A，包括栅极线21(在图3A中未示出)、栅极20和阻光图案的第一导电图案组使用第一掩模工序形成在基板10上。阻光图案包括存储线22和具有斜边的存储延伸部分23。
更具体地说，第一导电层使用例如溅射技术沉积在基板10上。第一导电层可由Al(铝)、Cr(铬)、Cu(铜)、Mo(钼)，它们的合金或是它们的组合形成。此外，第一导电层可以是单层结构或是多层结构。通过使用第一掩模的光刻工序和蚀刻工序的而形成第一导电图案组以构型第一导电层，该第一导电图案组包括栅极线21、栅极20、存储线22和具有斜边23a的存储延伸部分23。存储线22具有基本上与像素电极100的斜边110a相平行的斜边以防止漏光。
参照图3B，使用第一掩模工序，栅极绝缘层30、半导体层31和欧姆接触层32顺序形成在前面形成有第一导电图案组的基板10上。
更具体地说，通过使用例如离子增强化学气相沉积(“PECVD”)技术将栅极绝缘层30、非晶硅层和高密度掺杂非晶硅层顺序形成在具有第一导电图案组的基板10上。通过使用第二掩模的光刻工序和蚀刻工序的构型非晶硅层和高密度掺杂非晶硅层从而形成半导体层31和欧姆接触层32。在一示例性实施例中，栅极绝缘层30由无机材料例如SiNx或SiOx形成。
参照图3C，在前面形成有半导体层30和欧姆接触层32的基板10上，使用第三掩模工序形成包括数据线60、源极50和漏极40的第二导电图案组。
更具体的说，在与存储延伸部分23平行的方向上在栅极绝缘层30上形成数据线60，并且在栅极绝缘层30上形成源极50和漏极40以覆盖欧姆接触层32的两端。源极50从数据线60延伸。为了形成第二导电图案组，使用例如溅射技术在基板10的整个表面上沉积第二导电层，并通过使用第三掩模的光刻工序和蚀刻工序对其构型。第二导电层可由Al、Cr、Cu、Mo，它们的合金或是它们的组合形成。此外，第二导电层可以是单层结构或是多层结构。
参照图3D，通过使用第四掩模工序，包括像素接触孔70以及第一和第二接触孔80、81(接触孔81未示出在图3D的截面图中)的钝化膜90形成在基板10的整个表面上。
更具体地说，通过使用诸如PECVD技术或是旋转涂敷技术的沉积技术，在基板10的整个表面形成钝化膜90。通过使用第四掩模的光刻工序和蚀刻工序，在钝化膜90中形成像素接触孔70和第一接触孔80和第二接触孔81。像素接触孔70穿透钝化膜90以露出漏极40的一部分，同时第一接触孔80穿透栅极绝缘层30和钝化层90以露出存储延伸部分23端部的一部分，而第二接触孔81(图1)穿透栅极绝缘层30和钝化膜90以露出下一级的存储线22的一部分。钝化层90可由例如有机绝缘材料或是与栅极绝缘层30类似的无机绝缘材料构成。
最后，参照图3E，使用第五掩模工序在钝化膜90上形成像素电极100和桥电极110。
更具体的说，通过例如溅射技术在钝化膜90上沉积透明导电层。通过使用第五掩模的光刻工序和蚀刻工序来构型透明导电层，从而形成像素电极100和桥电极110。在像素电极100中，第一狭缝101和第二狭缝102也被构型。构型桥电极110从而使存储延伸部分23的端部连接到下一级的存储线22上。为了避免与桥电极110交叠，像素电极100的每个角部分具有斜边。透明导电层例如由诸如ITO、IZO和氧化锡(TO)的透明材料形成。像素电极100通过像素连接孔70电连接到漏电极40上，而桥电极110分别通过第一和第二连接孔80和81电连接至存储延伸部分23和下一级的存储线22。
图4示出根据本发明另一示例性实施例的TFT阵列基板的顶视图，图5是沿图4中I-I’线截取的截面图。
除了连接到存储延伸部分23端部的桥电极110的一部分形状不同以外，图4和图5所示实施例的TFT基板包括与图1和2中实施例的TFT基板相同或相似的部件。因此，为简洁起见，在下面的描述中，省略该实施例与前面的实施例的说明的相同部分。
参照图4和5，TFT阵列基板包括在横向上设置的栅极线21，在与栅极线21垂直的方向上设置的数据线60，在由栅极线21和数据线60限定的像素区域中设置的像素电极100，在与栅极线21平行的方向上设置以提供存储电压的存储线21，从存储线22延伸并在与数据线60平行的方向上设置的存储延伸部分23，以及电连接存储延伸部分23和下一级的存储线22的桥电极110。像素电极100在邻近栅极线21和数据线60的交叉点处具有斜边100a。换言之，通过去除像素电极100的一个角来形成像素电极100的斜边100a。存储延伸部分23与像素电极100临近数据线60的一侧交叠。然而，与图1的实施例对比，连接桥电极110的存储延伸部分23的端部不具有斜边部分。取而代之的是，桥电极110具有至少一个对应于(并且基本平行于)像素电极100的斜边100a的斜边110a。在所描述的示例性实施例中，桥电极110的两端部都具有斜边，110a和110b。即，桥电极110电连接至存储延伸部分23的一端具有斜边110a，而桥电极110电连接至下一级的存储线22的另一端具有斜边110b。桥电极110的斜边110a和110b与像素电极100的斜边100a基本平行，由此形成水平电场。桥电极110为阻光图案。
在一示例性实施例中，桥电极110由与像素电极100相同的透明导电材料制成。由于桥电极110的上述形状，结果在像素电极100和桥电极110之间形成水平电场，从而可以控制设置在像素电极100的角部分的液晶分子。在桥电极110的斜边110a和像素电极100的斜边100a之间形成的电场由在形成于其间的边缘场水平地形成，而液晶分子被垂直地驱动，由此防止了光泄漏。因此，防止了由于像素电极100的边缘区域的漏光而可能出现的纹理缺陷。
在后面的工序中，圆柱间隔体(未示出)位于栅极线21和桥电极110交叠的区域“A”中。即使由于外部的物理震动或冲击使圆柱间隔体移动，在像素电极100和桥电极110之间形成的边缘电场防止了异常纹理的出现，从而得到较高的显示质量。尤其是，即使在圆柱间隔体邻近蓝色单元像素排列的情况下，即使圆柱间隔体移动也仍然可防止偏黄现象。
图6A至图6E示出根据本发明另一实施例的图4和5的TFT阵列基板的制造过程。
除了桥电极具有斜边以外，图6A至6E的步骤与图3A至图3E的步骤相似或是相同，因此省略了重复的描述。
参照图6A，通过使用第一掩模工序将包括有栅极线21(在图6A中未示出)、栅极20、存储线22和存储延伸部分23的第一导电图案组形成在基板10上。在该实施例中，连接至桥电极110的存储延伸部分23的末端不具有斜边部分。
更具体地说，使用例如溅射技术将第一导电层沉积在基板10上。第一导电层可由Al、Cr、Cu、Mo、它们的合金或是它们的组合形成。此外，第一导电层可以是单层结构或是多层结构。通过使用第一掩模的光刻工序以及蚀刻工序来构型第一导电层，以形成包括有栅极线21、栅极20、存储线22和存储延伸部分23的第一导电图案。
图6B至图6D的步骤与图3B至3D的步骤相同，因此省略重复的描述。
参照图6E，通过使用第五掩模工序在钝化膜90上形成像素电极100和桥电极110。
更具体的说，使用例如溅射技术在钝化膜90上形成透明导电层。通过使用第五掩模的光刻工序和蚀刻工序来构型透明导电层，由此形成像素电极100和桥电极110。第一和第二狭缝101和102也形成在像素电极100中。构型桥电极110以连接存储延伸部分23的端部和下一级的存储线22。桥电极110电连接至存储延伸部分23的一端具有斜边部分110a。桥电极110电连接至下一级的存储线22的另一端也可以具有斜边部分110b。在一示例性实施例中，像素电极100的两个角部分均具有斜边以避免与桥电极110重叠。由于桥电极110的上述形状，结果在像素电极100和桥电极110之间形成边缘场。透明导电层由例如诸如ITO、IZO和TO的透明导电材料形成。像素电极100通过像素接触孔70电连接至漏极40，而桥电极110分别通过第一和第二接触孔80和81电连接至存储延伸部分23和下一级的存储线22。
如上所述，根据本发明的LCD装置，存储延伸部分和桥电极至少其中之一具有与像素电极的斜边部分相对应的斜边部分，从而在存储延伸部分和桥电极之一和像素电极之间形成边缘场，由此防止漏光，因为液晶分子被边缘场在垂直方向上驱动。此外，即使由于外部物理冲击使圆柱间隔体移动，也可以防止纹理缺陷并提高了显示质量。
尽管已经参照特定示例性实施例描述了本发明，本领域的技术人员应当理解，在不偏离在所附权利要求中限定的本发明的精神范围及其等同物的情况下，可对其作出多种改型和变化。
权利要求
1.一种液晶显示(LCD)装置，包括设置在一个方向上的栅极线；设置在与栅极线垂直的方向上的数据线；设置在由栅极线和数据线限定的像素区域中的像素电极，其具有与栅极线和数据线的交叉部分相邻的斜边；以及设置在与像素电极的斜边平行的方向上并防止漏光的阻光图案。
2.权利要求1的LCD装置，其中阻光图案在与栅极线在相同的平面上，并由与栅极线相同的金属形成。
3.权利要求2的LCD装置，其中阻光图案包括设置在与栅极线平行方向上以提供存储电压的第一存储线；和设置在与数据线平行方向上并从第一存储线延伸的存储延伸部分，其中存储延伸部分与像素电极的一侧交叠。
4.权利要求3的LCD装置，还包括将第一存储线的存储延伸部分和第二存储线电连接的桥电极。
5.权利要求4的LCD装置，其中桥电极在与像素电极相同的平面上，并由与像素电极相同的金属形成。
6.权利要求1的LCD装置，其中阻光图案在与像素电极相同的平面上，并由与像素电极相同的金属形成。
7.权利要求6的LCD装置，还包括设置在与栅极线平行方向上以提供存储电压的第一存储线；以及设置在与数据线平行的方向上并从第一存储线延伸的存储延伸部分，其中存储延伸部分与像素电极的一侧交叠，并且其中阻光图案电连接存储延伸部分和第二存储线，并具有与像素电极的斜边基本平行的斜边。
8.权利要求1的LCD装置，其中阻光部分接收存储电压。
9.一种形成液晶显示(LCD)装置的方法，该方法包括形成设置在一个方向上的栅极线以及设置在与栅极线垂直的方向上的数据线；形成设置在由栅极线和数据线限定的像素区域中的像素电极，该像素电极具有与栅极线和数据线的交叉部相邻的斜边；以及形成设置在与像素电极的斜边平行的方向上的阻光图案。
10.权利要求9的方法，其中形成阻光图案包括形成第一存储线，该第一存储线设置在与栅极线平行的方向上，在与栅极线相同的平面上，并由与栅极线相同的金属形成；以及形成存储延伸部分，该存储延伸部分设置在与数据线平行的方向上并从第一存储线延伸，其中存储延伸部分与像素电极的一侧交叠。
11.权利要求10的方法，其中形成阻光图案还包括将存储线的一部分形成为与像素电极的斜边基本平行；以及将存储延伸部分的一端的一侧形成为与像素电极的斜边基本平行。
12.权利要求11的方法，还包括形成电连接第一存储线的存储延伸部分和第二存储线的桥电极。
13.权利要求12的方法，其中形成桥电极包括将桥电极的一侧形成为与像素电极的斜边基本平行，并且形成在与像素电极相同的平面上，并以与像素电极相同的金属。
14.权利要求9的方法，在形成像素电极时，在与像素电极相同的平面上由与像素电极相同的金属形成阻光图案。
15.权利要求14的方法，还包括形成设置在与栅极线平行的方向上的第一存储线；形成设置在与数据线平行的方向上并从第一存储线延伸的存储延伸部分；以及形成电连接存储延伸部分至第二存储线的阻光图案。
全文摘要
液晶显示(LCD)装置及其制造方法，包括在一个方向上设置的栅极线，在与栅极线垂直的方向上设置的数据线；在由栅极线和数据线限定的像素区域中设置的像素电极，其具有临近栅极线和像素线的交叉部分的斜边；以及在与像素电极的斜边的平行方向上设置的防止漏光的阻光图案。
文档编号G02F1/1333GK101017302SQ20071008605
公开日2007年8月15日 申请日期2007年2月6日 优先权日2006年2月6日
发明者金爀珍, 金景旭, 郭相基, 尹汝建 申请人:三星电子株式会社