液晶显示装置及其制造方法

专利名称：液晶显示装置及其制造方法
技术领域：
本公开涉及一种安装接触传感器的液晶显示装置及其制造方法。
背景技术：
通常，安装接触传感器的液晶显示装置具有布置在薄膜晶体管 基板与滤色片基板之间的接触传感器。
液晶显示("LCD")装置包括具有薄膜晶体管("TFT")开关 装置的薄膜晶体管基板以及具有在其中形成有滤色片的滤色片基 板。液晶层布置在TFT基板与滤色片基板之间。
在安装接触传感器的LCD装置中，如图1所示，多个支撑柱 形隔离部130在滤色片基板120与TFT基板IIO之间彼此隔开。柱 形隔离部130在基板120和110之间保持均匀间隙。在两块基板120 和110之间的才企测片主形隔离部140冲企测滤色片基才反120净皮4安压的坐 标。传感器电极160布置在^r测柱形隔离部140之下。 预定间隙，或者传感器间隙d，，布置在传感器电才及160与4企测 柱形隔离部140之间。因此，检测柱形隔离部140比支撑柱形隔离 部130短相应等于传感器间隙d，的大小的距离。当按压滤色片基板 120时，通常与传感器电才及160隔开的4企测柱形隔离部140与传感 器电极160相接触，从而对应于按压位置的坐标值向传感器电极160 传递信号电压。可以通过检测来自传感器电极160的信号电压，可 以识别按压位置的坐标值。
但是，由于支撑柱形隔离部130和才企测柱形隔离部140具有不
同的高度，所以形成柱形隔离部的过程是复杂的。
此外，由于传感器间隙由柱形隔离部的长度确定，所以可能难 以控制接触传感器的灵敏度。

发明内容
根据此处公开的示例性实施例，液晶显示装置包括第一基板， 具有图像显示器件；第二基板，具有多个柱形隔离部；液晶层，设 置在第一基板与第二基板之间；接触传感器，通过在第二基板上按 压而被驱动，间隙保持区域，与柱形隔离部结合来保持第一基板与 第二基板之间的间隙；以及检测区域，形成得比间隙保持区域低， 以便响应第二基板上的按压来实现接触传感器的检测。
多个柱形隔离部在高度上基本上彼此相等。
柱形隔离部可以包括第一柱形隔离部，接触间隙保持区域； 以及第二柱形隔离部，设置于检测区域，其中第一柱形隔离部的面 积可以比第二片主形隔离部的面积大。
间隙保持区域可以包括绝缘层和间隙保持层。在该情况下，间 隙保持层可以包括栅极金属层、数据金属层和半导体层中的至少一 个。
间隙保持区域可以进一步包括弹性层。弹性层可以由有才几材利-形成。
检测区域可以包括绝缘层。进一步地，检测区域可以具有检测 凹部。
图像显示器件可以包括薄膜晶体管，具有栅电极、半导体层、 源电极、以及漏电极；像素电极，连接至薄膜晶体管；以及7>共电 极，接收7>共电压，并且和^象素电才及一起产生电场。
接触传感器可以包括第一导线；第二导线，与第一导线交叉； 第一导电焊盘，连接至第一导线；第二导电焊盘，连接至第二导线， 并且与第一导电焊盘隔开；以及连接电极，形成在柱形隔离部的表 面上，以通过第二基^反上的^l安压而将第一和第二导电焊盘电连^妾。
第一和第二导电焊盘可以形成于基本上相同的高度处。连接电 极与第一和第二导电焊盘中的每一个隔开大约4,000至大约5,000A。
根据此处公开的示例性实施例，制造液晶显示装置的方法包括 在第一基板上形成间隙保持区域和比间隙保持区域低的检测区域； 在检测区域中形成连接至第 一导线的第 一导电焊盘和连接至第二 导线的第二导电焊盘；形成第二基板，该第二基板在与间隙保持区 域和检测区域相对应的位置处形成有至少一个柱形隔离部；在柱形 隔离部的表面上形成连接电极；以及在待粘合在一起的第 一基板与 第二基板之间注入液晶层。
形成间隙保持区域和检测区域的步骤可以包括在第一基板上 形成具有薄膜晶体管和像素电极的图像显示器件；在第 一基板上形 成第一和第二导线以及第一和第二导电焊盘；对金属层或半导体层 进行图案化，以形成间隙保持区域；以及利用绝缘层形成检测区域。
形成间隙4呆持区域的步骤可以进一步包括形成向上突出的弹性层。
形成检测区域的步骤可以进一步包括通过蚀刻绝缘层形成检 测凹部。
在形成第二基板的步骤中，可以将所述至少一个柱形隔离部形 成为具有基本上相同的高度。
可以理解，本/>开的上面的总体i兌避暑胜地以及下面的详细iJt
明都是示例性的和解释性的，并且旨在对所要求保护的发明提供进 一步的解释。通过下面的详细描述，可以获得对本发明的上述的和
许多特征和优点的更好理解，尤其如果该描述是结合附图的多个视 图而进4亍的话，那么在全文中，相同元件通过相同的参考标号来表示。


图1是安装接触传感器的LCD装置的示例性实施例的横截面
图2是LCD装置的示例性实施例的布局图3是沿图2所示的线I-I，截取的对黄截面图4是沿图2所示的线II-ir截取的一黄截面图；图5是沿图2所示的线ni-nr截取的横截面图6是检测区域的示例性实施例的横截面图7A、图7B、和图7C是示出了在制造LCD装置的方法中用 于形成第 一 导电图案的过程的示例性实施例的横截面图8A、图8B、和图8C是示出了在制造LCD装置的方法中用 于形成半导体层的过程的示例性实施例的横截面图9A、图9B、和图9C是示出了在制造LCD装置的方法中用 于形成第二导电图案的过程的示例性实施例的横截面图IOA、图IOB、和图10C是示出了在制造LCD装置的方法 中用于形成钝化层的过程的示例性实施例的4黄截面图IIA、图IIB、和图IIC是示出了在制造LD装置的方法中 用于形成第三导电图案的过程的示例性实施例的横截面图12是示出了根据本发明示例性实施例的用于形成弹性层的 过程的示例性实施例的横截面图；以及
图13、图14、和图15是示出了用于制造第二基板的过程的示 例性实施例的4黄截面图。
具体实施例方式
图2到图6示出了 LCD装置的示例性实施例。
图2是LCD装置的示例性实施例的布局图，图3、图4、和图
5分别是沿图i所示的线i-r,线n-n，和线ni-in，截取的横截面图， 并且图6是检测区域的可替换示例性实施例的横截面图。
参照图2到图5， LCD装置的示例性实施例可以包括第一基 板l、第二基板2、液晶层60、 ^接触传感器20、图^象显示器件10、 间隙保持区域30 ，以及才企测区域40。
第一基板1设置有棚-极线11、数据线12、和图像显示器件10。 第一基板1可以包括透明的绝缘基板，诸如玻璃基板或者塑料基板。
例如，多条栅极线11被布置成彼此平行地隔开。用于驱动TFT 的扫描信号施加于相应的栅极线11。栅极线11可以被形成为基于 金属的单层或基于金属的多层。在多层的情况下，4册^l线11可以
由透明导电层和堆叠在该透明导电层上的不透明金属层形成。
数据线12与栅极线11绝缘，且数据线12被布置成基本上垂 直于4册极线11。与栅极线11相同，多条数据线12被布置成彼此平 ^f亍。在本实施例中，每三个子^f象素分配一个4妄触传感器。因此，在 一组三个子像素的第 一 数据线与相邻组三条数据线的第三数据线 之间的间距比每一組三条数据线内的数据线之间的间距宽，以便提 供具有容纳相应的接触传感器的空间的布置。根据接触式传感器是 如何布置的，在LCD装置内可以以各种方式改变给定布置的4妄触 传感器的密度(布置密度)。当接触传感器被布置得较密时，就能 够更精确地检测坐标值。当接触传感器被布置得较不密时，就较不 精确地4企测坐标值。
与栅极线11相同，数据线12可以由基于金属的单层或者基于 金属的多层形成。像素信号施加于数据线12，且通过TFT传递到 4象素电才及。
TFT包括栅电极、半导体层13、源电极14、以及漏电极15。 栅电极连接至栅极线11。扫描信号通过栅极线11传递，以控制TFT 的4妄通时间。半导体层13覆盖栅电极，并JU册极绝纟彖层16 i殳置在 半导体层与栅电极之间。半导体层13可以由非晶硅或者多晶硅形 成。可替换地，欧姆4妾触层17可以进一步形成在半导体层13上。 设置欧姆接触层17,以便在半导体层13与源电极14或漏电极15 之间形成欧姆接触。
源电极14的一端连接至数据线12，且源电极14的另一端部分 地与半导体层13交迭。因此，像素信号从数据线12施加于源电极 14，然后通过形成于半导体层13中的通道传递到漏电才及15。漏电 极15的一端部分地与半导体层13交迭，且漏电极15的另一端连 4妻至4象素电才及18。
如2和图3所示，i象素电才及18连4妾至漏电才及15且布置在4象素 区域内。像素电极18可以具有增加视角或侧面可视性的各种图案 中的一种。
第二基板2设置有滤色片(未示出)、公共电4及52、以及第一 柱形隔离部51a和第二4主形隔离部51b。可替才灸地，滤色片可以形 成在第一基板l上。设置滤色片，以便为每个像素区域显示颜色。 滤色片包括三种颜色红(R)、绿(G)、和蓝(B)。单色滤色片 i殳置于每个子^f象素。^象素可以由呈现例如红、绿和蓝的三个子^f象素 组成。
公共电极52和〗象素电才及18 —起形成用于驱动液晶的电场。7> 共电压作为基准电压施加于7〉共电才及52,以产生电场。
为了增大视角，公共电极52可以在第二基板2的表面上广阔 延伸，并且可以被图案化。由于在本实施例中公共电极52形成在
第二基板2上，所以由像素电极18和7>共电极52产生的电场是垂 直电场或者边纟彖型电场。
可替换地，公共电极可以形成在第一基板1上。在示例性实施 例中，由设置于第一基板l的像素电极18和公共电极52产生水平
电场或者边纟彖型电场。
第 一柱形隔离部51a和第二柱形隔离部51b从第二基板2突出， 并且涂覆有7>共电极52。第 一柱形隔离部51a布置在间隙保持区域 30(见图2)中，而第二柱形隔离部51b布置在检测区域40 (见图 2)中。如图4所示，第一柱形隔离部51a在间隙保持区域30中与 第 一基板1相接触，并且第 一柱形隔离部起到保持第 一基板1与第 二基板2之间的间隙的支撑柱形隔离部的作用。第 一柱形隔离部51a 可以具有弹性以改进灵敏度，从而使得当按压第二基板2时第 一柱 形隔离部51a净皮轻孩吏压缩，并且当第二基4反2上的力释方文时第一柱 形隔离部51a又扩展至其初始状态。
如图5所示，第二柱形隔离部51bi殳置成与第一基^11隔开预 定间隙Dl,并且当力施加于第二基斗反2时，第二4i形隔离部起到 接触导电焊盘的检测柱形隔离部的作用。在本实施例中，所有的柱 形隔离部51a和51b具有基本上相同的高度。
柱形隔离部51a和51b可以由导电聚合物形成，诸如聚(3,4-亚乙二氧基蓬吩)(PEDOT )、 PProDOT-(CH3)2 、或者聚磺苯乙烯 (PSS)或者诸如丙烯酸树脂的有机绝缘材料。
第 一柱形隔离部51a的面积比第二柱形隔离部51b的面积大。
柱形隔离部的面积是指柱形隔离部的上表面或下表面的表面积，并 且可以相当于柱形隔离部的其中 一个水平4黄截面。第 一柱形隔离部 51a —致地保持第 一基板1与第二基板2之间的间隙。另 一方面，第二柱形隔离部51b不保持第 一基板1与第二基板2之间的间隙。 因此，第 一柱形隔离部51a具有足够的刚性来保持第 一基板1与第 二基4反2之间的间隙。另一方面，第二柱形隔离部51b不必具有与 第一^主形隔离部51a相同的刚性。
由于第一4主形隔离部51a和第二4主形隔离部51b两者均不显示 图像，所以有利的是将它们构造成具有小尺寸，以便使显示器的图 像生成表面最大化。即使为了保持间隙而增大第一柱形隔离部51a 的面积，第二柱形隔离部51b也可以具有最小面积。
间隙保持区域30形成在第一基板1上，以保持第一基板1与 第二基板2之间的间隙。根据本实施例的LCD装置是安装接触传 感器的LCD装置。因此，第一基板1与第二基板2之间的间隙应 该是一致的，以便为接触传感器提供良好的灵敏度。
在本实施例中，基板1的间隙保持区域30被构造在基板1的 位置处，该位置相对于基板1的表面比检测区域40高。如图15所 示，支撑柱形隔离部和4企测柱形隔离部两者均形成为相对于第二基 板2的表面具有基本上相同高度的柱形隔离部。因此，在检测区域 40中，柱形隔离部与导电焊盘隔开以提供传感器间隙。
在本实施例中，间隙保持区域30包括绝缘层19和35以及间 隙保持层32，如图4所示。相反，基板1上的检测区域40可以包 4舌绝》彖层19和35以及如图5所示的上导电焊盘23b、24b或如图6 所示的检测凹部42中的上导电焊盘23b、 24b。另一方面，基板1 上的间隙保持区域30可以包括间隙保持层32，并且可以被构造得 相只于于基^反1的表面比检测区域40高。
通过考虑传感器间隙，可以以不同的方式构造间隙保持层32。 在本实施例中，间隙l呆持层32包括第一至第四间隙《呆持层32a、
32b、 32c、和32d。第一至第四间隙保持层32a、 32b、 32c、和32d可以由在第一基板1上构造TFT的层形成。因此，用于构造间隙保 持层的附加过程是不必要的。
与传感器间隙耳又决于支撑柱形隔离部与4企测柱形隔离部之间 的高度差的实施例相反，在根据本公开的示例性实施例中，间隙保 持层32的厚度可以确定传感器间隙。因此，可以在基板的整个表 面上得到一致的传感器间隙。这是因为通过沉积来调整层的厚度比 通过沉积层的蚀刻来调整层的厚度更容易和更精确。
通过考虑包括柱形隔离部的弹性、第二基板的弹性等多个因 素，可以以不同的方式改变间隙^f呆持区i或30的布置密度。
由于间隙保持区域30不能显示图l象，所以通过将间隙保持区 域30的表面区域的面积最小化，可以增大孔径比。
为了增大传感器的灵敏度，如图4所示，弹性层34可以进一 步设置于间隙保持区域30。弹性层34可以由具有良好的弹性的有 机材料形成。弹性层34与第一柱形隔离部51a交迭。当力施加在 第二基板2上(例如，通过按压)时，弹性层34被压缩成使第一 柱形隔离部51a能够容易接触导电焊盘。弹性层34可以通过图案 化形成于第一基板1上以保护TFT的有机钝化层而形成。
在示例性实施例中，检测区域40是接触传感器进行检测的区 域。4全测区域40可以比间隙保持区域30低，以获得适当的传感器 间隙。与间隙保持区域30相反，冲企测区域40 <又包括绝缘层19和 35，而没有间隙保持层32。因而，由于间隙〗呆持层32的厚度，所 以检测区域40比间隙保持区域30低。在示例性实施例中，绝缘层 可以包括用于形成TFT的各种绝缘层中的至少一种，诸如栅极绝缘 层、无^几4屯化层、有一几绝纟彖层等。可^,才灸地，如图6所示，冲企测凹部42可以i殳置于^r测区域40 以具有预定深度。如上所述，示例性实施例可以利用间隙保持层32 的厚度来保持传感器间隙。在间隙保持层32不足以确保足够的传 感器间隙的实施例中，；险测凹部42可以通过在4佥测区域40上部分 ;也蚀刻绝纟彖层19和35而形成。在必须利用4企测凹部42的深度作 为传感器间隙来提供所需的传感器间隙的情况下，这是有利的。可 是，如果间隙保持层32的厚度足以提供所需的传感器间隙，那么 才全测凹部42是不必要的。
接触传感器20包括第一导线21、第二导线22、第一导电焊盘 23、第二导电焊盘24、以及连4矣电纟及25。
如图2所示，第一导线21平行于初M及线11，且沿图中的垂直 方向确定坐标值。第一导线21由与相同层上的4册极线和7>共线相 同的金属形成。
第一导电焊盘23连接至第一导线21，且通过按压在第二基板 2上而4妄触连4妄电才及25。在本实施例中，第一导电焊盘23包4舌第 一下导电焊盘23a和第一上导电焊盘23b。如图5所示，第一下导 电焊盘23a可以i殳置于与第一导线21相同的层。第一上导电焊盘 23b通过4妄触孔C2连4妄至第一下导电焊盘23a，且^l置在第一下导 电焊盘23a的上方。
如图2所示，第二导线22设置成平行于数据线12。第二导线 22沿图中的垂直方向确定坐标值。第二导电焊盘24连接至第二导 线22。类似于第一导电焊盘23，第二导电焊盘24包括第二下导电 焊盘24a和第二上导电焊盘24b。
如图5所示，第二下导电焊盘24a由与^t据线12相同的金属 和层形成。第二上导电焊盘24b通过接触孔C3连接至第二下导电焊盘24a。如图5所示，第二上导电焊盘24b设置在基本上与第一 上导电焊盘23b相同的高度处。从而，第一上导电焊盘23b和第二 上导电焊盘24b在第一基板1上具有基本上相同的高度，并且便于 通过连接电极25同时连接。
当按压第二基板2时，连接电极25接触第一导电焊盘23和第 二导电焊盘24，以转换信号电压。如图5所示，连4妄电4及25沉积 在第二;f主形隔离部51b的表面上。
在本实施例中，第二基板2上的公共电极52可以用作连接电 极25。代替形成附加连接电极，公共电极52的一部分可用作连接 电极25。公共电压施加于连4妾电才及25，以变成用于驱动4妄触传感 器的信号电压。
如图5所示，连接电极25与第一导电焊盘23b和第二导电焊 盘24b中的每一个隔开，以保持预定间隙。在本实施例中，预定间 隙变成传感器间隙。为了良好的传感器灵敏度，传感器间隙可以是 大乡勺4,000至)J大乡勺5,000人。
最后，液晶层60设置在第一基板1与第二基板2之间。液晶 层60通过4象素电才及18和/>共电才及52之间的电场驱动。并且，控 制通过液晶层60的光的透射率来显示图像。
本实施例可以应用于垂直和7jC平电场两种类型的'液晶显示装置。
另外，尽管间隙保持区域30和检测区域40附加地设置于第一 基板l,但是临近的(hither)部分或者基板，例如由于第一基板上 的TFT或各种线的厚度而比基板的其它部分高的部分，可以用作间 隙保持区域，并且基板的下部可以用作检测区域。在示例性实施例
17 中，制造LCD装置的过程可以通过利用先前形成的部分作为间隙 保持区域和检测区域而被简化。另外，通过附加的间隙保持区域或 才企测区域形成(其可以以其它方式存在)，还可以避免减少孔径比。
图7A至图15如下示出了制造LCD装置的示例性实施例。
图7A、 8A、 9A、 IOA、和11A是沿图2的线I-I，截取的像素
区域的示例性实施例的横截面图。
图7B、 8B、 9B、 IOB、和11B是沿图2的线II-II，截取的间隙
保持区域的示例性实施例的横截面图。
图7C、 8C、 9C、 IOC、和IIC是沿图2的线111-111，截取的检 测区域的示例性实施例的横截面图。
参照图7A至7C，形成第一导电图案。第一导电图案包括栅极 线ll、 4册电极、第一间隙保持层32a、第一导线21、以及第一下导 电焊盘23a。
更具体地，在第一基板1的上表面上沉积第一导电层。在示例 性实施例中，第一导电层可以由基于金属的单层或基于金属的多层 形成。将第一导电层图案化，以便如图7A所示在像素区域中形成 栅极线11和栅电极、如图7B所示在间隙保持区域30中形成第一 间隙保持层32a、以及如图7C所示在才企测区域中形成第一导线21 和第一下导电焊盘23a。
参照图8A到8C,在像素区域中形成半导体层13和欧姆接触 层17，并且在间隙保持区域中形成第二间隙保持层32b。
具体地，在形成有第一导电图案的第一基外反1上顺序地沉积包 括栅极绝缘层，半导体层、和掺杂半导体层的三个层。将这三个层 图案化，以1更如图8A所示在〗象素区域中形成半导体层13和欧姆接 触层17、以及如图8B所示在间隙保持区域30中形成第二间隙保 持层32b。第二间隙^呆持层32b由半导体层和欧姆4妾触层组成。可 选择地，可以省略第二间隙保持层32b。在检测区域中，仅保留栅 极绝缘层19,并且将半导体层和欧姆接触层通过蚀刻过程去除，如 图8C所示。
参照图9A到9C,在第一基板1上形成第二导电图案。第二导 电图案包括数据线12 (参照图2)、源电极14、漏电才及15、第三间 隙保持层32c、第二导线22、和第二下导电焊盘24a。
具体地，在第一基板1上沉积第二导电层。在示例性实施例中， 第二导电层可以包括基于金属的单层或基于金属的多层。将第二导 电层图案化，以《更如图9A所示在〗象素区域中形成凝:据线12、源电 极14、和漏电极15、以及如图9B所示在间隙保持区域30中形成 第三间隙保持层32c。可替换地，可以省略第三间隙〗呆持层32c。并 且，如图9C所示，在检测区域40中形成第二导线22和第二下导 电焊盘24a。
参照图IOA到IOC，在第一基^反1上方沉积4屯化层，然后将4屯 化层图案化以形成接触孔C1、 C2和C3。钝化层35可以由无机的 或有机的钝化层形成。可替换地，钝化层35可以被构造成具有包括无机钝化层以及该无机钝化层上的有机钝化层的双层.
例如，将《屯化层35图案化，以1更如图IOA所示形成露出漏电 极15的一部分的第一接触孔C1、以及如图IOC所示在检测区域中 形成露出第一下导电焊盘23a的第二接触孔C2和露出第二下导电 焊盘24a的第三接触孔C3。间隙保持区域30中的钝化层35未被 图案化，以在第三间隙保持层32c上保持4屯化层35，如图10B所示。
可以通过去除钝化层35和栅极绝缘层19形成第二接触孔C2，而 可以<义通过去除4屯4匕层35形成第三^妄触^L C3。
可^夺才奐i也，可以如图6所示在4企测区i或40中进一步形成才企测 凹部42。可以通过蚀刻未形成有第一和第二下导电焊盘的4M匕层或 栅极绝缘层来形成检测凹部42。在通过间隙保持层没有形成足够的 检测器间隙的实施例中，检测凹部提供足够的检测间隙。因此，如 果间隙保持层提供足够的传感器间隙，那么这个步骤可以是不必要 的。
参照图11A至11C，在钝化层35上形成第三导电图案。第三 导电图案包括像素电极18、第四间隙保持层32d、第一上导电焊盘 23b、和第二上导电焊盘24b。
例如，在第一基才反1上方沉积第三导电层。为4象素电才及i殳置第 三导电层。因而，第三导电层由"^者如氧^f匕铟^t易(ITO)、氧^f匕铟4辛 (IZO)、或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电材料形成。
可以将第三导电层图案化，以便如图IIA所示在像素区域中形 成像素电极18、以及如图11B所示在间隙保持区域30中形成第四 间隙保持层32d。可替换地，可以省略第四间隙保持层32d。并且， 如图11C所示在才全测区域40中形成第一上导电焊盘23b和第二上 导电焊盘24b。
在间隙保持区域30中，可以如图12所示进一步形成弹性层34。
图12是示出了根据本发明示例性实施例的用于形成弹性层34 的过程的示例性实施例的才黄截面图。
参照图12，在第一基板l上涂覆有机层，然后对有机层进行图 案化，以在第四间隙j呆持层32d上形成弹性层34。有才几层由具有良 好弹性的材料形成。
图13至15是示出了根据本发明示例性实施例的用于制造第二 基板的过程的示例性实施例的横截面图。
参照图13，在第二基々反2上沉积有冲几层55至预定厚度。在示 例性实施例中，通过考虑第一基板1与第二基板2之间的间隙确定 该预定厚度。例如，可以将有机层55形成为在第二基板2的整个 表面上具有基本上一致的厚度。
参照图14， ^!寻有才几层55图案化，以形成第一柱形隔离部51a 和第二柱形隔离部51b。例如，可以利用掩^^对有机层曝光和显影， 以便通过去除有机层的其余部分而仅保留柱形隔离部51。在示例性 实施例中，可以根据所需的传感器灵敏度对柱形隔离部的位置进行 不同i也更改。
此外，第一柱形隔离部51a和第二柱形隔离部51b^皮构造成在 面积方面;f皮此不同。例如，第一柱形隔离部51a可以^皮构造成面积 比第二^主形隔离部51b的面积大。由于第一4主形隔离部51a和第二 柱形隔离部51b通过显影相同厚度的有才几层而形成，所以第一柱形 隔离部51a的高度基本上等于第二柱形隔离部51b的高度。因而， 本实施例的优点在于，通过单个过程形成第一柱形隔离部51a和第 二柱形隔离部51b两者，从而简化了过程。
参照图15，形成乂^共电极52。例如，在i殳置有柱形隔离部51a 和51b的第二基板2的整个表面上方形成透明导电层。在第二基板 2的整个表面上方形成透明导电层，以用作7>共电才及52。并且，形成于第二柱形隔离部51b的表面上的透明电极起到连接电极25的 作用。
随后，将第一基板1和第二基板2粘合在一起，并在第一基板 1与第二基板2之间注入液晶层。具体地，以将第一柱形隔离部51a 对应于间隙保持区域30以及将第二柱形隔离部51b对应于才金测区 域40的方式，将第一基板1和第二基板2精确地4皮此对齐。
通过前面的描述可以清楚，由于利用沉积的金属层或半导体层 来在第 一基板上构造TFT可以形成传感器间隙，所以能够增加接触 传感器的灵敏度。
进一步地，由于支撑柱形隔离部和^r测柱形隔离部被构造成具 有基本上相同的高度，所以通过单个过程形成隔离部。
显然，对于本领域冲支术人员来说，在不脱离本发明的精神或范 围的情况下，可以对本发明进行各种l,改和变型。因而，本发明旨 在覆盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的对本发明的修改 和变型。
权利要求
1.一种液晶显示装置，包括第一基板，具有图像显示器件；第二基板，具有多个柱形隔离部；液晶层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间；接触传感器，通过在所述第二基板上按压来驱动；间隙保持区域，与所述柱形隔离部结合来保持所述第一基板与所述第二基板之间的间隙；以及检测区域，形成得比所述间隙保持区域低，以便响应所述第二基板上的按压而实现所述接触传感器的检测。
2. 根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述多个柱形隔 离部在高度上基本上彼此相等。
3. 才艮据片又利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述柱形隔离部 包括第一柱形隔离部，接触所述间隙保持区域；以及 第二柱形隔离部，设置在所述4企测区域中，其中，所述第一柱形隔离部的面积比所述第二柱形隔离 吾I5的面积、大。
4. 根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述间隙保持区 域包括绝缘层和间隙保持层。
5. 根据权利要求4所述的液晶显示装置，其中，所述间隙保持层 包括栅极金属层、数据金属层和半导体层中的至少一个。
6. 才艮据^L利要求5所述的液晶显示装置，其中，所述间隙4呆持区 域进一步包括弹性层。
7. 根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中，所述弹性层由有 机材料形成。
8. 才艮据^^利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述^r测区i或包 括绝缘层。
9. 根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中，所述检测区域具 有才企测凹部。
10. 根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述图像显示器 件包括薄膜晶体管，包括4册电极、半导体层、源电极、以及漏 电极；像素电极，连接至所述薄膜晶体管；以及公共电极，接收公共电压，并且和所述像素电极一起产 生电场。
11. 根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述接触传感器 包括第一导线；第二导线，与所述第一导线交叉； 第一导电焊盘，连接至所述第一导线；第二导电焊盘，连接至所述第二导线，以1更与所述第一导电焊盘隔开；以及连接电极，形成在所述柱形隔离部的表面上，以通过所 述第二基板上的按压而将所述第一和第二导电焊盘电连接。
12. 根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，所述第一和第 二导电焊盘形成于基本上相同的高度处。
13. 根据权利要求12所述的液晶显示装置，其中，所述连接电极 与所述第 一和第二导电焊盘中的每一个隔开大约4,000到大约 5,000 A。
14. 一种制造液晶显示装置的方法，所述方法包才舌在第 一基板上形成间隙保持区域和比所述间隙保持区域 l氐的4全测区i或；在所述检测区域中形成连接至第 一导线的第 一导电焊盘 和连接至第二导线的第二导电焊盘；形成第二基板，所述第二基板在与所述间隙保持区域和 所述4企测区i或相对应的位置处形成有至少 一个柱形隔离部；在所述至少一个柱形隔离部的表面上形成连4妾电极；以及在所述第一和第二基板之间注入液晶层，以粘合所述第 一和第二基斗反。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中，所述形成间隙保持区域 和检测区域的步骤包括在所述第一基板上形成包括薄膜晶体管和像素电极的图 像显示器件；形成所述第一和第二导线以及所述第一和第二导电焊盘；在所述第一基板上将金属层或半导体层图案化，以形成 所述间隙4呆持区i或；以及利用绝纟彖层形成所述才企测区i或。
16. 根据权利要求15所述的方法，其中，所述形成间隙保持区域 的步骤进一步包括形成向上突出的弹性层。
17. 根据权利要求16所述的方法，其中，通过将有机层图案化而 形成所述弹性层。
18. 根据权利要求15所述的方法，其中，所述形成检测区域的步 骤进一步包括通过蚀刻所述绝纟彖层形成4企测凹部。
19. 根据权利要求15所述的方法，其中，将所述至少一个柱形隔 离部形成为具有基本上相同的高度。
全文摘要
一种安装接触传感器的液晶显示装置，包括第一基板，具有图像显示器件；第二基板，具有多个柱形隔离部；液晶层，设置在第一基板与第二基板之间。接触传感器通过在第二基板上按压而被驱动。间隙保持区域与柱形隔离部结合，以保持第一基板与第二基板之间的间隙，形成得比间隙保持区域低的检测区域响应第二基板上的按压来实现接触传感器的检测。
文档编号G02F1/1339GK101196652SQ20071019531
公开日2008年6月11日 申请日期2007年12月10日 优先权日2006年12月8日
发明者卢水贵, 尹荣男, 文智慧, 李明雨 申请人:三星电子株式会社