专利名称：凸块结构、芯片封装结构及该凸块结构的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种细间距芯片封装结构及其凸块结构的制备方法。
背景技术：
当显示面板朝向高解析度、高画质的方向发展时，用于驱动像素的电极数量也不 可避免地也要随之而增加，然而在既定的驱动芯片尺寸或在更小的驱动芯片尺寸下增加电 极数目时，目前在液晶模块(Liquid Crystal Module，LCM)的驱动芯片构装中，不管是晶 粒玻璃(Chip On Glass, COG)也或是晶粒软膜(Chip On Flex, C0F)皆朝向细间距(fine pitch)构装的研究方向。通常，在液晶模块中，驱动芯片是使用接合胶材作为中间层以将驱动芯片接合于 显示面板上，其中接合胶材可区分为异方性导电胶(AnisotropicConductive Adhesive, ACA)和非导电胶(Non-Conductive Adhesive, NCA)。然而，当驱动芯片采用细间距构装技 术及使用异方性导电胶为接合架构中间层时，由于凸块间的间距小于10 μ m，因此凸块间导 电颗粒容易聚集而产生桥接的问题(bridging issue)，从而导致电极短路。为解决桥接问 题，不同的技术被发展出来。美国专利申请号US 2007/0，063，347揭露一种导电颗粒，该导电颗粒外包覆一层 绝缘层，由此使位于凸块间群聚的导电颗粒彼此电隔离。然而，由于导电颗粒上的绝缘层相 当薄，因此在热压制作工艺中容易因胶材流动使导电颗粒受到摩擦，而使绝缘层破裂而导 致失效。美国专利申请号US 2005/0，227，475揭示一种利用外加电压控制导电颗粒在芯 片电极上的分布的方法。此方法虽可解决细间距接合时的桥接问题，但是会大幅提高构装 成本。美国专利公告号US 7，109，058公开一种无凸块的半导体装置及其制备方法，该 方法是将导电粒子以超音波熔接的方式固定在电极上。此方法虽可避免产生桥接问题，但 是制作工艺步骤繁复，且当电极间的间隙缩小时，因凸块被移除而可能导致电极的可靠度 降低。除了前述的桥接问题外，当电极密度越来越高时，与电极相接的凸块也会越做越 小。当凸块变得越来越小时，其能捕捉的导电颗粒数量也随之降低，而可能影响到凸块与电 极间接合品质。综上所述，现有的构装技术在面临细间距构装的挑战时，仍待开发一种可克服上 述种种不足的电极接合的结构及方法。
发明内容
本发明的目的在于提供凸块结构、芯片封装结构及该凸块结构的制备方法，以解 决上述问题。本发明的目的是这样实现的，即提供一种凸块结构，其包含一第一基板、多个第一电极、多个绝缘凸块、多个金属延伸层以及多个金属层。多个第一电极配置于该第一基板。 多个绝缘凸块相对应于该些第一电极设置，其中该些绝缘凸块将该些第一电极相互隔离。 各金属延伸层形成于相对应的该第一电极与该绝缘凸块之间，且延伸出该绝缘凸块的一侧 面，并于相对应的两相邻的该些绝缘凸块间形成一延伸部，其中各该延伸部在其延伸方向 上的长度小于相对应的两相邻的该绝缘凸块的间距。各金属层形成于相对应的该绝缘凸块 的该侧面与相对应的该延伸部的上方。本发明另一实施范例揭示一种凸块结构，其包含一第一基板、多个绝缘凸块、多个 第一电极以及多个金属层。多个绝缘凸块间隔地排列在该第一基板，各该绝缘凸块包含两 相对的侧面，其中至少一该侧面面对一相邻的该绝缘凸块。各第一电极相对应地设置于相 邻的该些凸块之间。各该金属层形成于相对应的该第一电极和相邻于该第一电极的该些绝 缘凸块的该些侧面上。本发明一实施范例揭示一种芯片封装结构，其包含一第一基板、多个第一电极、多 个绝缘凸块、多个金属延伸层、多个金属层、一第二基板、多个第二电极、及一导电胶。多个 第一电极配置在第一基板上。多个绝缘凸块相对应于该些第一电极设置，并将该些第一电 极相互隔离。各金属延伸层形成于相对应的该第一电极与该绝缘凸块之间，且延伸出该绝 缘凸块的一侧面，并在相对应的两相邻的该些绝缘凸块间形成一延伸部，其中各该延伸部 在其延伸方向上的长度小于相对应的两相邻的该绝缘凸块的间距。各金属层形成于相对应 的该绝缘凸块的该侧面与相对应的该延伸部。多个第二电极与该些第一电极相对应设置于 该第二基板，其中各该第二电极相对应地凸伸于两相邻的该绝缘凸块之间。导电胶包含多 个导电颗粒，该导电胶设于该第一基板与该第二基板之间，其中部分的该些导电颗粒捕捉 于各该第二电极与相对应的该金属层之间。本发明另一实施范例揭示一种芯片封装结构，其包含一第一基板、多个绝缘凸块、 多个第一电极、多个金属层、一第二基板、多个第二电极、及一导电胶。多个绝缘凸块间隔地 排列在该第一基板，各该绝缘凸块包含两相对的侧面，其中至少一该侧面面对一相邻的该 绝缘凸块。各第一电极相对应地设置于相邻的该些绝缘凸块之间。各金属层形成于相对应 的该第一电极和相邻于该第一电极的该些绝缘凸块的该些侧面上。多个第二电极与该些第 一电极相对应地设置于该第二基板，其中各该第二电极相对应地凸伸于两相邻的该绝缘凸 块之间。导电胶包含多个导电颗粒，该导电胶设于该第一基板与该第二基板之间，其中部分 的该些导电颗粒捕捉于各该第二电极与相对应的该金属层之间。本发明一实施范例揭示一种凸块结构的制备方法，其包含下列步骤提供一第一 基板；形成多个配置于该第一基板上的第一电极；形成一金属延伸层在该第一基板上；相 对应于该些第一电极，形成多个绝缘凸块在该金属延伸层上；形成一金属层在该金属延伸 层与该些绝缘凸块上；相对应地形成多个遮罩层在相邻的该些绝缘凸块之间，其中各该遮 罩层覆盖一该绝缘凸块的一侧面上的该金属层及相邻的该绝缘凸块间的部分的该金属层， 其中该部分的该金属层在该第一电极排列方向上的长度小于相邻的该绝缘凸块间的间距； 以及移除未遮罩的该金属层与该金属延伸层。本发明另一实施范例揭示一种凸块结构的制备方法，其包含下列步骤提供一第 一基板；形成多个配置于该第一基板上的第一电极；相对应地形成多个金属延伸层在该些 第一电极上，其中该些金属延伸层彼此电性隔离；相对应地形成多个绝缘凸块在该些金属延伸层上，其中部分的各该金属延伸层位于相邻的该绝缘凸块间；形成一金属层于该些绝 缘凸块与该些部分的各该金属延伸层；以及移除该些绝缘凸块顶部的该金属层。
本发明又一实施范例揭示一种凸块结构的制备方法，其包含下列步骤提供一第 一基板；形成多个配置于该第一基板上的第一电极；形成多个绝缘凸块于该第一基板，其 中该些第一电极相对应地位于该些绝缘凸块之间；形成一金属层在该些绝缘凸块与该些第 一电极之上；以及移除该些绝缘凸块顶部的该金属层。
图1显示本发明第一实施范例的芯片封装结构的剖面示意图；图2显示本发明第二实施范例的芯片封装结构的剖面示意图；图3显示本发明第三实施范例的芯片封装结构的剖面示意图；图4显示本发明第四实施范例的芯片封装结构的剖面示意图；图5至图8显示本发明其他实施范例的芯片封装结构的剖面示意图；图9至图14显示本发明一实施范例的凸块结构的制作工艺流程示意图；图15至图18显示本发明另一实施范例的凸块结构的制作工艺流程示意图19至图21显示本发明又一实施范例的凸块结构的制作工艺流程示意图22显示本发明一实施范例的绝缘凸块的剖面示意图；及图23与图M是图22的绝缘凸块的接合示意图。主要元件符号说明Ia Ih凸块结构2第二电极3第二基板4异方性导电胶5导电颗粒IOa IOh芯片封装结构11第一基板12第一电极13保护层14a 14c金属延伸层15a 15c绝缘凸块16a、16b金属层17金属延伸层18金属层19遮罩层20高分子层121电极侧边141a 141c 延伸部142,143延伸层侧边151侧面
具体实施例方式图1显示本发明第一实施范例的芯片封装结构IOa的剖面示意图。本实施范例揭 示一种芯片封装结构10a，其包含一具有多个凸出的第二电极2的第二基板3与一凸块结构 la，凸块结构Ia包含一第一基板11、多个第一电极12、一保护层(passive layer) 13、多个 金属延伸层14a、多个绝缘凸块15a、以及多个金属层16a。多个第一电极12配置于第一基 板11，且在本实施范例中，第一电极12可以以超细间距排列。保护层13形成于第一电极12 的周围。多个金属延伸层Ha相对应地形成于该些第一电极12上，其中各金属延伸层1 朝反向于相对应的第一电极12的一电极侧边121的方向上延伸。多个绝缘凸块1 相对应地形成于该些第一电极12的上方，各绝缘凸块1 覆盖 相对应第一电极12的电极侧边121，而各相对应的金属延伸层1 延伸通过绝缘凸块1 的一略微朝上倾斜的侧面151，并于相对应的两相邻的绝缘凸块1 间形成一延伸部141a， 其中各延伸部141a在延伸方向上的长度L小于相对应的两相邻的绝缘凸块15a的间距D。 相对地，在金属延伸层Ha上，于延伸部141a相对的延伸层侧边142则可为绝缘凸块1 覆盖。由于延伸部141a未延伸至下个邻接的绝缘凸块15a，因此金属延伸层14a间可彼此 电性隔离。各绝缘凸块1 上有两相对的侧面151，侧面151均略微朝上倾斜。多个金属层 16a与绝缘凸块1 相对应设置，各金属层16a设置于绝缘凸块1 上、金属延伸层14a穿 过的侧面151上，以及位于绝缘凸块15a间的相对应的延伸部141a上。本发明的凸块结构Ia可用于接合具凸块形态的第二电极2的一第二基板3，第二 电极2具一截面外形，该截面外形可与两绝缘凸块15a间的凹陷轮廓相配合。因此当第二 电极2相对应地插置于两绝缘凸块15a间时，第二电极2的侧面可将异方性导电胶4的导 电颗粒5紧压并固着于绝缘凸块1 的侧面151，而第二电极2的顶面则可将导电颗粒紧压 于延伸部141a上。绝缘凸块1 具有足够的高度，因此当第二基板3与第一基板11接合 时，绝缘凸块15a可阻隔两相邻第二电极2接合处间导电颗粒群聚的现象，故可避免产生桥 接的问题。又，在绝缘凸块15a的一侧面151及绝缘凸块15a间的表面设置电性连接于第 一电极12的金属层16a，可因金属层16a具较大的面积而捕捉到更多的导电粒子，从而降低 接点的电阻值。图2显示本发明第二实施范例的芯片封装结构IOb的剖面示意图。本实施范例的 芯片封装结构10b，其包含一具多个凸出的第二电极2的第二基板3及一用于夹接第二电 极2的凸块结构lb，凸块结构Ib包含一第一基板11、多个配置于第一基板11的第一电极 12、一设置于第一电极12周边的保护层13、多个金属延伸层14b、多个绝缘凸块15a、以及 多个金属层16b。各绝缘凸块1 覆盖相对应的第一电极12的一电极侧边121，使各第一 电极12间形成电性隔离。金属延伸层14b形成于相对应的第一电极12与相对应的绝缘凸 块1 之间，金属延伸层14b朝第一电极12的电极侧边121的相反方向延伸。金属延伸层 14b延伸出绝缘凸块1 fe的一侧面151，并相对应地在两相邻的绝缘凸块1 fe之间形成一延 伸部141b。在本实施范例中，由于各绝缘凸块1 偏置于相对应的第一电极12上，使延伸 部141b可延伸至下个邻近的绝缘凸块1 而不会发生相邻第一电极12间导通的情形。各 金属层16b则相对应地设置于相邻的绝缘凸块1 上、相互面对的侧面151及延伸部141b上，如此可有效地提高导电颗粒的捕捉率。图3显示本发明第三实施范例的芯片封装结构IOc的剖面示意图。本实施范例的 芯片封装结构10c，其包含一具有多个凸出的第二电极2的第二基板3及一用于夹接第二电 极2的凸块结构lc，凸块结构Ic包含一第一基板11、多个配置于第一基板11的第一电极 12、一设置于第一电极12周边的保护层13、多个金属延伸层14c、多个绝缘凸块15a、以及 多个金属层16b。各绝缘凸块1 覆盖相对应的第一电极12的一电极侧边121，使各第一 电极12间形成电性隔离。金属延伸层14c形成于相对应的第一电极12与相对应的绝缘凸 块1 之间，金属延伸层14c朝第一电极12的电极侧边121的相反方向延伸。金属延伸层 14c延伸出绝缘凸块1 的一侧面151，并相对应地在两相邻的绝缘凸块1 之间形成一延 伸部141c。在本实施范例中，各金属延伸层14c上相对于延伸部141c的侧边143位于相对 应的绝缘凸块1 下方，因此各延伸部141c可延伸至下个邻近的绝缘凸块1 而不会发生 相邻金属延伸层14c间导通的情形。各金属层16b则相对应地设置于相邻的绝缘凸块1 上、相互面对的侧面151及延伸部141c上，如此可有效地提高导电颗粒的捕捉率。图4显示本发明第四实施范例的芯片封装结构IOd的剖面示意图。本实施范例的 芯片封装结构10d，其包含一具多个凸出的第二电极2的第二基板3及一用于夹接第二电 极2的凸块结构ld，凸块结构Id包含一第一基板11、多个配置于第一基板11的第一电极 12、一设置于第一电极12周边的保护层13、多个绝缘凸块15a、以及多个金属层16b。多个 绝缘凸块1 配置于第一基板11上，各绝缘凸块1 具有两相对且表面略微朝上倾斜的侧 面151，而各侧面151可面对一相邻的绝缘凸块15a。多个第一电极12相对应地设置于相 邻的绝缘凸块1 之间，而多个金属层16b则相对应地设置于相邻的绝缘凸块1 间、相互 面对的侧面151及相对应的第一电极12上。图5至图8显示本发明其他实施范例的芯片封装结构IOe至IOh的剖面示意图。 图5至图8显示的实施范例与前述的第一至第四实施范例间相对应地具有类似的结构。惟 前述第一至第四实施范例中的绝缘凸块1 具有平的顶部，而在图5至图8的实施范例中， 绝缘凸块15b的顶部截面形状为圆形。当绝缘凸块1 具平顶时，接合后部分导电粒子可 能会被紧压在绝缘凸块1 的平顶与第二基板3之间；而圆顶的绝缘凸块1 在接合时，则 可将导电颗粒完全地推挤至两侧，而有效地分隔导电粒子。图9至图14显示本发明一实施范例的凸块结构Ia的制作工艺流程示意图。如图 9所示，首先提供一第一基板11，接着在第一基板11上形成多个间隔排列的第一电极12，然 后在各第一电极12的周围形成保护层13。参照图10所示，接着在第一基板11上形成一层 覆盖第一电极12与保护层13的金属延伸层17。参照图11与图12所示，接着在金属延伸 层17上涂布一高分子层20，接着图案化高分子层20，以形成多个绝缘凸块15a。参照图13 所示，之后形成一金属层18在绝缘凸块15a的表面及绝缘凸块15a间的金属延伸层17上。 接着，形成多个遮罩层19在相邻的绝缘凸块1 之间，其中各遮罩层19覆盖相对应的绝缘 凸块15a的一侧面与部分介于绝缘凸块15a间的金属层18。在绝缘凸块15a间，被遮蔽的 金属层18的在第一电极12排列方向上的长度小于绝缘凸块15a间的间距。参照图14所 示，最后将未被遮罩层19遮罩的金属层18与金属延伸层17移除。图15至图18显示本发明另一实施范例的凸块结构Ic的制作工艺流程示意图。 如图15所示，首先提供一第一基板11，接着在第一基板11上形成多个间隔排列的第一电极12，然后在各第一电极12的周围形成保护层13。参照图16所示，接着相对应于第一电 极12形成多个金属延伸层14c，其中金属延伸层Hc彼此电性隔离。参照图17所示，之后 相对应地形成多个绝缘凸块1 在该些金属延伸层14c上，其中部分的金属延伸层Hc位 于绝缘凸块1 之间，而另一部分的金属延伸层14c则为相对应绝缘凸块1 所覆盖。参 照图18所示，接着形成一金属层在绝缘凸块15a与金属延伸层Hc上，然后将绝缘凸块1 顶部的金属层移除，以形成最后的金属层16b。图19至图21显示本发明又一实施范例的凸块结构Id的制作工艺流程示意图。如 图19所示，首先提供一第一基板11，接着在第一基板11上形成多个间隔排列的第一电极 12，然后在各第一电极12的周围形成保护层13。参照图20所示，接着形成多个绝缘凸块 1 在第一基板11上，其中该些第一电极12相对应地位于相邻的绝缘凸块1 之间。参照 图21所示，接着形成一金属层在绝缘凸块1 与第一电极12上，然后将绝缘凸块1 顶部 的金属层移除，以形成最后的金属层16b。图22显示本发明一实施范例的绝缘凸块15c的剖面示意图；图23与图M是图23 的绝缘凸块15c的接合示意图。参照图22至图24，绝缘凸块15c可分割成两个部分，使绝 缘凸块15c更易于变形，如此当第二电极2进行接合时，第二电极2与金属层16b间更可紧 密接合。各绝缘凸块15c沿垂直于第一电极12排列方向的方向上，分割成两个部分，其分 割的方式包含蚀刻方法。经分割后的绝缘凸块15c具弹性，可运用在使用异方性导电胶的 接合，如图23所示；或者运用在非导电胶的接合，如图M所示。在前述诸实施范例中，绝缘凸块15a、1恥可为一高分子凸块，例如聚醯亚胺 (Polyimide)凸块。绝缘凸块15a、15b的形状可包含六面体、圆柱体及多角柱体。第一基 板11可为硅基板。第二电极2和12的材料是金、铜或铝。金属层16a、16b和18的材质是 金。第二基板3的材质可包含玻璃基板、高分子基板、硅基板及陶瓷基板。本发明的技术内容及技术特点已揭示如上，然而熟悉本项技术的人士仍可能基于 本发明的教示及揭示而作种种不背离本发明精神的替换及修饰。因此，本发明的保护范围 应不限于实施范例所揭示者，而应包括各种不背离本发明的替换及修饰，并为以附上的权 利要求所涵盖。
权利要求
1.一种凸块结构，包含第一基板；多个第一电极，配置于该第一基板上；多个绝缘凸块，相对应于该些第一电极设置，其中该些绝缘凸块位于第一电极的上方；多个金属延伸层，各该金属延伸层形成于相对应的该第一电极与该绝缘凸块之间，且 延伸出该绝缘凸块的一侧面，并在相对应的两相邻的该些绝缘凸块间形成一延伸部，其中 各该延伸部在其延伸方向上的长度小于相对应的两相邻的该绝缘凸块的间距；以及多个金属层，各该金属层形成于相对应的该绝缘凸块的该侧面与相对应的该延伸部的 上方。
2.根据权利要求1所述的凸块结构，其中各该绝缘凸块包含相对于该侧面的另一侧 面，其中各该金属层形成于相邻的该些绝缘凸块间相互面对的两该侧面上。
3.根据权利要求1所述的凸块结构，其中各该绝缘凸块位于相对应的该第一电极的正 上方。
4.根据权利要求3所述的凸块结构，其中各该金属延伸层延伸至相邻的该绝缘凸块。
5.根据权利要求1所述的凸块结构，其中各该绝缘凸块设置于相对应的该第一电极， 且相对应的各该金属延伸层延伸至相邻的该绝缘凸块。
6.根据权利要求1所述的凸块结构，其中该绝缘凸块是一高分子凸块。
7.根据权利要求6所述的凸块结构，其中各该绝缘凸块沿垂直于该些第一电极排列方 向上分割成两部分。
8.根据权利要求1所述的凸块结构，其中该绝缘凸块的形状包含六面体、圆柱体及多 角柱体。
9.根据权利要求1所述的凸块结构，其中该绝缘凸块的顶部截面形状为一圆弧。
10.根据权利要求1所述的凸块结构，其中该第一基板为一硅基板。
11.根据权利要求1所述的凸块结构，其中该第一电极的材料是金、铜或铝。
12.根据权利要求1所述的凸块结构，其中该金属层的材质是金。
13.—种凸块结构，包含第一基板；多个绝缘凸块，配置于该第一基板，各该绝缘凸块包含两相对的侧面，其中至少一该侧 面面对一相邻的该绝缘凸块；多个第一电极，各该第一电极相对应地设置于相邻的该些绝缘凸块之间；以及多个金属层，各该金属层形成于相对应的该第一电极和相邻于该第一电极的该些绝缘 凸块的该些侧面上。
14.根据权利要求13所述的凸块结构，其中该绝缘凸块是一高分子凸块。
15.根据权利要求13所述的凸块结构，其中各该绝缘凸块沿垂直于该些第一电极排列 方向上分割成两部分。
16.根据权利要求13所述的凸块结构，其中该绝缘凸块的形状包含六面体、圆柱体及 多角柱体。
17.根据权利要求13所述的凸块结构，其中该绝缘凸块的顶部截面形状为一圆弧。
18.根据权利要求13所述的凸块结构，其中该第一基板为一硅基板。
19.根据权利要求13所述的凸块结构，其中该第一电极的材料是金、铜或铝。
20.根据权利要求13所述的凸块结构，其中该金属层的材质是金。
21.一种芯片封装结构，包含第一基板；多个第一电极，配置于该第一基板上；多个绝缘凸块，相对应于该些第一电极设置，其中该些绝缘凸块位于第一电极的上方；多个金属延伸层，各该金属延伸层形成于相对应的该第一电极与该绝缘凸块之间，且 延伸出该绝缘凸块的一侧面，并于相对应的两相邻的该些绝缘凸块间形成一延伸部，其中 各该延伸部在其延伸方向上的长度小于相对应的两相邻的该绝缘凸块的间距；多个金属层，各该金属层形成于相对应的该绝缘凸块的该侧面与相对应的该延伸部的 上方；第二基板；多个第二电极，与该些第一电极相对应设置于该第二基板，其中各该第二电极相对应 地凸伸于两相邻的该绝缘凸块之间；以及导电胶，包含多个导电颗粒，该导电胶设于该第一基板与该第二基板之间，其中部分的 该些导电颗粒捕捉于各该第二电极与相对应的该金属层之间。
22.根据权利要求21所述的芯片封装结构，其中各该绝缘凸块包含相对于该侧面的另 一侧面，其中各该金属层形成于相邻的该些绝缘凸块间相互面对的两该侧面上。
23.根据权利要求21所述的芯片封装结构，其中各该绝缘凸块位于相对应的该第一电 极的正上方。
24.根据权利要求23所述的芯片封装结构，其中各该金属延伸层延伸至相邻的该绝缘 凸块。
25.根据权利要求21所述的芯片封装结构，其中各该绝缘凸块设置于相对应的该第一 电极，且相对应的各该金属延伸层延伸至相邻的该绝缘凸块。
26.根据权利要求21所述的芯片封装结构，其中该绝缘凸块是一高分子凸块。
27.根据权利要求沈所述的芯片封装结构，其中各该绝缘凸块沿垂直于该些第一电极 排列方向上分割成两部分。
28.根据权利要求21的芯片封装结构，其中该绝缘凸块的形状包含六面体、圆柱体及 多角柱体。
29.根据权利要求21所述的芯片封装结构，其中该绝缘凸块的顶部截面形状为一圆弧。
30.根据权利要求21所述的芯片封装结构，其中该第一基板为一硅基板。
31.根据权利要求21所述的芯片封装结构，其中该第一电极的材料是金、铜或铝。
32.根据权利要求21所述的芯片封装结构，其中该金属层的材质是金。
33.一种芯片封装结构，包含第一基板；多个绝缘凸块，配置于该第一基板，各该绝缘凸块包含两相对的侧面，其中至少一该侧面面对一相邻的该绝缘凸块；多个第一电极，各该第一电极相对应地设置于相邻的该些绝缘凸块之间； 多个金属层，各该金属层形成于相对应的该第一电极和相邻于该第一电极的该些绝缘 凸块的该些侧面上；第二基板；多个第二电极，与该些第一电极相对应设置于该第二基板，其中各该第二电极相对应 地凸伸于两相邻的该绝缘凸块之间；以及导电胶，包含多个导电颗粒，该导电胶设于该第一基板与该第二基板之间，其中部分的 该些导电颗粒捕捉于各该第二电极与相对应的该金属层之间。
34.根据权利要求33所述的芯片封装结构，其中该绝缘凸块是一高分子凸块。
35.根据权利要求33所述的芯片封装结构，其中各该绝缘凸块沿垂直于该些第一电极 排列方向上分割成两部分。
36.根据权利要求33所述的芯片封装结构，其中该绝缘凸块的形状包含六面体、圆柱 体及多角柱体。
37.根据权利要求33所述的芯片封装结构，其中该绝缘凸块的顶部截面形状为一圆弧。
38.根据权利要求33所述的芯片封装结构，其中该第一基板为一硅基板。
39.根据权利要求33所述的芯片封装结构，其中该第一电极的材料是金、铜或铝。
40.根据权利要求33所述的芯片封装结构，其中该金属层的材质是金。
41.一种凸块结构的制备方法，包含下列步骤提供一第一基板；形成多个在该第一基板上的第一电极； 形成一金属延伸层于该第一基板上；相对应于该些第一电极，形成多个绝缘凸块在该金属延伸层上； 形成一金属层在该金属延伸层与该些绝缘凸块上；相对应地形成多个遮罩层在相邻的该些绝缘凸块之间，其中各该遮罩层覆盖该绝缘凸 块的一侧面上的该金属层及相邻的该绝缘凸块间部分的该金属层，其中部分的该金属层在 该第一电极排列方向上的长度小于相邻的该绝缘凸块间的间距；以及 移除未遮罩的该金属层与该金属延伸层。
42.一种凸块结构的制备方法，包含下列步骤 提供一第一基板；形成多个配置于该第一基板上的第一电极；相对应地形成多个金属延伸层在该些第一电极上，其中该些金属延伸层彼此电性隔1 ；相对应地形成多个绝缘凸块在该些金属延伸层上，其中部分的各该金属延伸层位于相 邻的该绝缘凸块间；形成一金属层于该些绝缘凸块与该些部分的各该金属延伸层；以及 移除该些绝缘凸块顶部的该金属层。
43.一种凸块结构的制备方法，包含下列步骤提供一第一基板；形成多个配置于该第一基板上的第一电极；形成多个绝缘凸块于该第一基板，其中该些第一电极相对应地位于该些绝缘凸块之间；形成一金属层在该些绝缘凸块与该些第一电极之上；以及 移除该些绝缘凸块顶部的该金属层。
44.根据权利要求41至43的任一项所述的凸块结构的制备方法，其还包含形成一保护 层于该些第一电极的周围的步骤，其中形成一保护层在该些第一电极之间的步骤早于形成 一金属延伸层在该第一基板上的步骤。
45.根据权利要求41至43的任一项所述的凸块结构的制备方法，其中该绝缘凸块是一 高分子凸块。
46.根据权利要求41至43的任一项所述的凸块结构的制备方法，其还包含将各该绝缘 凸块沿垂直于该些第一电极排列方向上蚀刻成两部分的步骤。
47.根据权利要求41至43的任一项所述的凸块结构的制备方法，其中该绝缘凸块的形 状包含六面体、圆柱体及多角柱体。
48.根据权利要求41至43的任一项所述的凸块结构的制备方法，其中该第一基板为硅 基板。
49.根据权利要求41至43的任一项所述的凸块结构的制备方法，其中该第一电极的材 料是金、铜或铝。
50.根据权利要求41至43的任一项所述的凸块结构的制备方法，其中该金属层的材质是金。
全文摘要
本发明公开一种凸块结构、芯片封装结构及该凸块结构的制备方法。该凸块结构包含一第一基板、多个第一电极、多个绝缘凸块、多个金属延伸层以及多个金属层。多个第一电极间隔地排列在该第一基板。多个绝缘凸块相对应于该些第一电极设置且将该些第一电极相互隔离。各金属延伸层形成于相对应的该第一电极与该绝缘凸块之间，且延伸出该绝缘凸块的一侧面，并在相对应的两相邻的该些绝缘凸块间形成一延伸部，其中各该延伸部在其延伸方向上的长度小于相对应的两相邻的该绝缘凸块的间距。各金属层形成于相对应的该绝缘凸块的该侧面与相对应的该延伸部。
文档编号G02F1/13GK102053395SQ200910181090
公开日2011年5月11日 申请日期2009年10月28日 优先权日2009年10月28日
发明者陆苏财, 黄昱玮 申请人:财团法人工业技术研究院