专利名称：宽栅格双极静电感应晶体管的光刻版的制作方法
技术领域：
本实用新型属于微电子技术领域，特别是一种功率半导体器件的生产技术领域。
背景技术：
现有双极静电感应晶体管(Bipolar static induction transistor, BSIT)是一种静电感应器件，实际上是把SIT(静电感应晶体管)的原始沟道做得更窄，使得在栅电压为零时即已形成电子势垒。它是一个常关器件，器件的沟道中栅极沟道的自建电场形成沟道势垒使器件完全断开。如果一个正向电压加于栅极上时就降低了这一势垒，当电压Ve> Vt开启电压时，使得沟道中有漏电流通过，形成类似于双极型晶体管的具有饱和输出的伏安特性。由于在设计中，必须将原始沟道做得很窄，通常光刻版的栅格条宽小等于5um，因此，对生产工艺要求较高，通常需在大规模集成电路生产线中方可生产。
发明内容本实用新型目的在于设计一种方便生产的宽栅格双极静电感应晶体管的光刻版。本实用新型包括设有光刻栅区的版体，其特征在于在所述光刻栅区内的栅格条宽度为7 30um。本实用新型将光刻栅区内的栅格条设计得很宽，可达大于7um，小于30um，以此形成的双极静电感应晶体管工作原理为当栅极G (B)与源极S(E)之间加正电压时，当Ve小于Vt开启电压时，管A处于关闭状态，此时管B工作，为双极型三极管(BJT)。当Ve逐渐增大，大于Vt开启电压时，使管A自建电场形成的势垒沟道打开，产生能导电的沟道，形成类似于双极型晶体管的具有饱和输出的伏安特性(即BSIT)，与管A共同参与工作。因此，以此形成的双极静电感应晶体管的特点为在B(G)与E(S)间电压较小时， 即小电流情况下，三极管呈现双极型三极管特性，当B(G)与E6)间电压增大时，即大电流情况下，三极管呈现BSIT特性。因此，该产品在高温段，大电流下电流放大倍数随温度的上升而下降，有一种自我平衡的能力，非常适合在高温下工作。由于本设计将栅格条设计得较宽，因此，生产工艺较为简单，无需大规模集成电路生产线，在普通功率三极管生产线就可生产，大大降低了进入门槛，为产品的规模化生产提供了较好的基础。
图1为本实用新型的一种结构示意图。图2为以本实用新型加工成的双极静电感应晶体管的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型在同一光刻栅区1内的各栅格条2的宽度可以相同，也可以不同，各栅格条2的宽度中7 30um之间(图1中为18 um)。[0011] 图2为加工成的双极静电感应晶体管的断面示意图。
权利要求1.宽栅格双极静电感应晶体管的光刻版，包括设有光刻栅区的版体，其特征在于在所述光刻栅区内的栅格条宽度为7 30um。
专利摘要宽栅格双极静电感应晶体管的光刻版，属于微电子技术领域，特别是一种功率半导体器件的生产技术领域。包括设有光刻栅区的版体，其特征在于在所述光刻栅区内的栅格条宽度为7～30μm。由于本实用新型将栅格条设计得较宽，因此，生产工艺较为简单，无需大规模集成电路生产线，在普通功率三极管生产线就可生产，大大降低了进入门槛，为产品的规模化生产提供了较好的基础。
文档编号G03F1/00GK202102241SQ20112021182
公开日2012年1月4日 申请日期2011年6月22日 优先权日2011年6月22日
发明者李彤 申请人:李彤