像素结构及液晶面板的制造方法与工艺

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种像素结构及液晶面板。

背景技术：
随着液晶显示技术的飞速发展，液晶显示器已经成功应用于笔记本、监视器、电视等显示设备中。薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）是众多液晶显示器的一种。薄膜晶体管液晶显示器是指显示器的液晶面板上的每一液晶像素点都是由集成在其后的薄膜晶体管（TFT）来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度地显示屏幕信息。现有技术的TFT液晶面板的薄膜晶体管连接电路结构如图1所示，液晶面板的每个像素结构均包括数据线1、栅线2和像素电极3，所述数据线1和栅线2交叉部分处形成有薄膜晶体管9，薄膜晶体管9的栅极连接栅线2，源极连接数据线1，漏极连接像素电极3。上述电路结构的等效电路如图2所示，其中11为液晶电容Clc，12为存储电容Cst。当薄膜晶体管9反向偏置的时候，由于自由电子的存在，自由电子附着在有源层上，从而导致漏极和源极会流过微小的电流，这个电流叫做关态电流Ioff，也习惯称为TFT像素结构的漏电流。在TFT像素结构设计时关态电流过大会引起一些问题，例如如果关态电流过大，对像素电压的保持特性带来一定的影响，当栅极关闭的时候保持电压损失过快，超过2个灰阶的时候，人眼就能分辨出变化，引起闪烁的现象；另一方面，如果关态电流过大，导致像素放电时残留的直流分量增加而引起电荷残留，从而产生残像。

技术实现要素：
（一）要解决的技术问题本发明要解决的技术问题是：提供一种能够有效减小关态电流，改善残像问题，提高液晶面板显示质量的像素结构及液晶面板。（二）技术方案为解决上述问题，本发明第一方面提供了一种像素结构，该像素结构除包括数据线、像素电极和栅线外，还包括串联于像素电极与数据线之间的至少两个薄膜晶体管，所述至少两个薄膜晶体管的栅极均连接于所述栅线。在第一方面的第一种可能实现方式中，所述薄膜晶体管有两个，分别为第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的源极相连，所述第一薄膜晶体管的源极与数据线相连，所述第二薄膜晶体管的漏极与像素电极相连。在第一方面的第二种可能实现方式中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在相同的工艺中同步形成。在第一方面的第三种可能实现方式中，所述第一薄膜晶体管的漏极和源极、所述第二薄膜晶体管的漏极和源极、所述数据线均由源漏电极层形成，所述第一薄膜晶体管的有源层、所述第二薄膜晶体管的有源层均由半导体层形成，所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极、所述栅线均由栅线层形成。在第一方面的第四种可能实现方式中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为形状和尺寸相同的薄膜晶体管。在第一方面的第五种可能实现方式中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的位置与栅线或数据线的位置至少部分重叠。在第一方面的第六种可能实现方式中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅极由所述栅线构成，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源层和源极、漏极均形成于所述栅线上方。在第一方面的第七种可能实现方式中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源极呈U形，漏极呈条状，并且源极的U形对漏极的一端形成半包围的布局。在第一方面的第八种可能实现方式中，还包括连接各像素的公共电极的公共电极线。第二方面，提供一种液晶面板，所述液晶面板的像素结构采用第一方面所述的像素结构，以提高液晶面板的显示质量。（三）有益效果本发明提出的像素结构和液晶面板，通过利用两个级连的薄膜晶体管替代现有技术的单薄膜晶体管，能够有效地减小关态电流，改善残像问题，提高液晶面板显示质量。附图说明图1为现有技术像素结构中薄膜晶体管连接电路结构示意图；图2为现有技术像素结构中薄膜晶体管连接电路等效电路图；图3为本发明的像素结构中双薄膜晶体管连接电路结构示意图；图4为本发明的像素结构中双薄膜晶体管连接电路等效电路图；图5为利用SmartSpice来仿真模拟单TFT电路的电路结构图；图6为利用SmartSpice来仿真模拟双TFT电路的电路结构图。具体实施方式下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明如下。现有的薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）中的薄膜晶体管的主要参数有开启电流Ion、关态电流Ioff、漏源电压Vds、栅源电压Vgs和阈值电压VTH等，其中Ion、Ioff和VTH对像素的影响比较大。其中开启电流Ion的计算公式如下：其中，W、L分别为薄膜晶体管的有源层所形成的通道宽度和长度，μn为等效电子迁移率，CSiNx为薄膜晶体管的电容，VTH为薄膜晶体管的阈值电压，VG和VD为薄膜晶体管的栅极和漏极相对于源极的电压。由上述公式可以看出，影响开启电流Ion的因素有通道宽度与长度的比值W/L、电子迁移率等。而关态电流Ioff的计算公式为：其中，q为电子电荷量，n为电子密度，μn为等效电子迁移率，ρ为空穴密度，μp为空穴迁移率，W、L分别为薄膜晶体管的有源层所形成的通道宽度和长度，VD为薄膜晶体管的漏极相对于源极的电压。由此可见，影响关态电流Ioff的因素有通道宽度与长度的比值W/L等。因此，在像素设计时可以通过调整薄膜晶体管宽长比W/L来调整Ion...