阵列基板及显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板包括金属公共电极，该金属公共电极的边缘部分为台阶状结构，该台阶状结构使得该金属公共电极的厚度从边缘至中心增大。本实用新型将金属公共电极的边缘部分设置为台阶状结构，其台阶厚度从边缘至中心呈增大趋势，有效的减小金属公共电极边缘的段差，并尽可能的减小最外侧台阶的厚度，从而避免由于金属公共电极边缘段差过大引起的漏光问题。
【专利说明】阵列基板及显示装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
【背景技术】
[0002]目前，采用ADS (ADvanced Super Dimension Switch,高级超维场转换技术)模式的 TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管-液晶显示器)产品，为避免公共电极被拉动，往往对需要对公共电极进行特殊的设计。
[0003]图1是现有技术中一种阵列基板结构示意图，该种阵列基板首先在第一玻璃基板5’上形成数据线2’、像素电极6’、第一绝缘层4’以及第二绝缘层3’的图形之后，然后在栅线和数据线2’上部增加金属公共电极1’，使之与透明公共电极7’直接相连，从而降低了透明公共电极7’的电阻，减小了透明公共电极7’的负载，因此避免了由于负载过大而引起的偏绿(Greenish)、闪烁(Flicker)等问题的发生,这种方法主要是针对ADS模式的上部透明公共电极的开口(Slit)结构进行优化，以提升显示面板的透过率。
[0004]但是，这种针对透明公共电极上再增加金属公共电极的设计，一个明显的不足就是其边界la’的段差比较陡峭，因此在后续进行PI (Polyimide，聚酰亚胺)涂覆和摩擦工艺中，金属公共电极边缘的部分液晶很难配向，从而产生严重的漏光。
实用新型内容
[0005](一)要解决的技术问题
[0006]本实用新型要解决的技术问题是:如何避免由于金属公共电极边缘段差过大而造成的漏光问题。
[0007](二)技术方案
[0008]为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种阵列基板，包括金属公共电极，所述金属公共电极的边缘部分为台阶状结构，所述台阶状结构使得所述金属公共电极的厚度从边缘至中心增大。
[0009]进一步地，所述边缘部分包括多阶台阶。
[0010]进一步地，所述阵列基板包括数据线和栅线，所述金属公共电极设置于所述数据线或所述栅线的上方，且所述金属公共电极的宽度大于或等于所述金属公共电极下方的所述数据线或所述栅线的宽度。
[0011]进一步地，所述金属公共电极由钥或者铝制成。
[0012]进一步地，所述阵列基板还包括梳状或带狭缝的板状的透明公共电极，所述金属公共电极位于所述透明公共电极的下方或上方。
[0013]为解决上述问题，本实用新型还提供一种显示装置，包括上述任意一种的阵列基板。
[0014]进一步地，所述显示装置包括设置于彩膜基板或者所述阵列基板上的黑矩阵，所述金属公共电极的位置与所述黑矩阵相对应。[0015]进一步地，所述金属公共电极的宽度大于或等于所述黑矩阵的宽度。
[0016](三)有益效果
[0017]本实用新型将金属公共电极的边缘部分设置为台阶状结构，其台阶厚度从边缘至中心呈增大趋势，有效的减小金属公共电极边缘的段差，并尽可能的减小最外侧台阶的厚度，从而避免由于金属公共电极边缘段差过大引起的漏光问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1是现有技术提供的一种阵列基板的结构图；
[0019]图2是本实用新型实施方式提供的一种阵列基板的结构图；
[0020]图3是本实用新型实施方式提供的另一种阵列基板的结构图；
[0021]图4为本实用新型实施方式提供的显示装置的结构图；
[0022]图5?11为本实用新型实施方式提供的在基板上形成金属公共电极的结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图和实施例，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
[0024]图2是本实用新型实施方式提供的一种阵列基板，包括金属公共电极1，所述金属公共电极I的边缘部分Ia为台阶状结构，所述台阶状结构使得所述金属公共电极的厚度从边缘至中心增大。其中，该阵列基板可以为ADS模式。
[0025]具体地,可以通过半色调(Halftone)曝光工艺,来形成上述金属公共电极的结构。本实用新型将金属公共电极I的边缘部分Ia设为台阶状结构，且其台阶厚度从边缘至中心呈增大趋势，有效地减小了金属公共电极边缘的段差，并尽可能的减小最外侧台阶的厚度，在后续的PI液(厚度为1000埃左右)涂覆工艺中，PI液的堆积和固化可以在金属公共电极的边缘部分形成有效的坡度，并在后续的摩擦取向工艺中，金属公共电极边缘部分的摩擦取向效果也会大大提升，进而有效的避免由于金属公共电极边缘段差过大引起的漏光问题。
[0026]优选地，所述边缘部分Ia包括多阶台阶，在金属公共电极边缘厚度一定的情况下，可以将边缘部分Ia设置为包含多阶台阶的台阶状结构，尽可能的减小边缘部分最外侧台阶的厚度，减小金属公共电极边缘段差，在后续进行PI涂覆和摩擦工艺中，有效地避免由于金属公共电极边缘段差过大引起的漏光问题。
[0027]优选地，所述阵列基板包括数据线和栅线，所述金属公共电极设置于所述数据线或者所述栅线上方，以减少金属公共电极的布线对于像素的开口率造成影响。所述金属公共电极的宽度可以小于、大于或等于所对应的所述数据线或者所述栅线的宽度，但优选地，所述金属公共电极的宽度大于或等于所对应的所述数据线或者所述栅线的宽度，从而尽可能地减小金属公共电极的电阻，进而降低透明公共电极的电阻，减小透明公共电极的负载。
[0028]优选地，该金属公共电极I可以为低电阻金属公共电极，具体地，该金属公共电极I为Mo (钥)或者Al (铝)，从而尽可能的减小透明公共电极7的负载。
[0029]具体地，作为示例，金属公共电极I可以位于透明公共电极7的下方，透明公共电极I可以为梳状结构或带有狭缝开口的板状结构，参见图2，首先在第一玻璃基板5上形成第一绝缘层4，在第一绝缘层4上分别形成数据线2和像素电极6，在数据线2和像素电极6上形成第二绝缘层3，在第二绝缘层3上方形成金属公共电极1，然后在经过上述处理的基板上形成透明公共电极7。
[0030]此外，金属公共电极I还可以位于透明公共电极7的上方，该透明公共电极7可以为梳状结构或带有狭缝开口的板状结构，参见图3，首先在第一玻璃基板5上形成第一绝缘层4，在第一绝缘层4上分别形成数据线2和像素电极6，在数据线2和像素电极6上形成第二绝缘层3，在第二绝缘层3上方形成透明公共电极7，然后在经过上述处理的基板上形成金属公共电极I。
[0031]当然，上述两种实施方式仅为示例性的，本领域的技术人员应当明白，也可在栅线上方形成金属公共电极。
[0032]此外，本实用新型实施方式还提供一种显示装置，包括上述任意一种的阵列基板。该显示装置可以为:液晶面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0033]参见图4，图4是本实用新型实施方式提供的一种显示装置的结构图，该显示装置包括彩膜基板和阵列基板，其中彩膜基板包括黑矩阵8、色阻9和第二玻璃基板10，阵列基板包括第一玻璃基板5、位于第一玻璃基板5上的第一绝缘层4、位于第一绝缘层上的数据线2和像素电极6、位于数据线2和像素电极6上的第二绝缘层3，以及位于第二绝缘层上的透明公共电极7和金属公共电极1，其中，金属公共电极I位于黑矩阵8的下方。另外，类似于上面所述，本领域的技术人员应当明白，也可在栅线上方形成金属公共电极。
[0034]所述金属公共电极的宽度可以小于、大于或等于所对应的黑矩阵8的宽度，但优选地，为了减小金属公共电极I的电阻，金属公共电极I的宽度可以大于或等于所述黑矩阵8的宽度，此外，当金属公共电极I的宽度达到预定值时，相邻子像素之间则不会产生混光问题，因此彩膜基板不需要设置黑矩阵8，即黑矩阵8的宽度为O。
[0035]此外，本实用新型实施方式还提供一种阵列基板制造方法，具体地，在基板上形成包括栅线、数据线、透明像素电极以及绝缘层的图形之后，再通过包括半色调曝光工艺的构图工艺在上述基板上形成金属公共电极的图形，所述金属公共电极的边缘部分为台阶状结构，所述台阶状结构使得所述金属公共电极的厚度从边缘至中心增大。
[0036]其中，若将金属公共电极设置于透明公共电极的下方，在通过构图工艺在基板上形成金属公共电极的图形之后，再通过构图工艺在所述基板上形成透明公共电极的图形。
[0037]其中，若将金属公共电极设置于透明公共电极的上方，在通过构图工艺在基板上形成金属公共电极的图形之前还需通过构图工艺在所述基板上形成透明公共电极的图形。
[0038]具体地，通过包括半色调曝光工艺的构图工艺在基板上形成上述的金属公共电极的图形的步骤具体可以包括:
[0039]S1:参见图5，基板上形成包括栅线、数据线2、像素电极6、第一绝缘层4以及第二绝缘层3的图形之后，在第二绝缘层3上形成金属公共电极I的图形；
[0040]S2:参见图6，在金属公共电极I上形成光阻层11，并进行半色调曝光和显影处理，其中，对光阻层中与A区域对应的区域不进行曝光，对光阻层中与B区域对应的区域进行部分曝光，对光阻层中与C区域对应区域进行全曝光，得到如图7所示的结构；[0041]S3:对步骤S2得到的结构进行第一次刻蚀，参见图8，金属公共电极I上无光阻层覆盖的区域被刻蚀掉；
[0042]S4:对步骤S3得到的结构进行灰化处理，参见图9，金属层公共电极I中处于半曝光的区域露出；
[0043]S5:对步骤S4得到的结构进行第二次刻蚀，参见图10，位于半曝光区域的金属公共电极被部分刻蚀掉；
[0044]S6:去除掉金属公共电极上的剩余光阻层，得到如图11所示的结构。
[0045]以上实施方式仅用于说明本实用新型，而并非对本实用新型的限制，有关【技术领域】的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的范畴，本实用新型的专利保护范围应由权利要求限定。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括金属公共电极，其特征在于，所述金属公共电极的边缘部分为台阶状结构，所述台阶状结构使得所述金属公共电极的厚度从边缘至中心增大。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述边缘部分包括多阶台阶。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括数据线和栅线，所述金属公共电极设置于所述数据线或所述栅线的上方，且所述金属公共电极的宽度大于或等于所述金属公共电极下方的所述数据线或所述栅线的宽度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属公共电极由钥或者铝制成。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括梳状或带狭缝的板状的透明公共电极，所述金属公共电极位于所述透明公共电极的下方或上方。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任意一项所述的阵列基板。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括设置于彩膜基板或者所述阵列基板上的黑矩阵，所述金属公共电极的位置与所述黑矩阵相对应。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述金属公共电极的宽度大于或等于所述黑矩阵的宽度。
【文档编号】G02F1/1343GK203519980SQ201320616963
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年9月30日 优先权日:2013年9月30日
【发明者】张然 申请人:合肥京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司