一种用于半导体集成电路中的显影液的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种用于半导体集成电路中的显影液，所述显影液包括有壬基酚聚氧乙烯醚、四甲基氢氧化铵和超纯水。通过上述方式，本发明的用于半导体集成电路中的显影液具有生产成本低、显影性能良好、金属离子含量低和适用范围广等优点，能广泛使用在半导体集成电路制造过程的光刻工艺中，显影后显影残渣少、图形光滑、图形边缘清晰整齐且无图形坍塌。
【专利说明】 一种用于半导体集成电路中的显影液
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种显影液，特别是涉及一种用于半导体集成电路中的显影液。
【背景技术】
[0002]光刻技术作为半导体产业的关键技术之一，在半导体加工领域具有非常广泛的应用。利用光刻胶涂布、曝光、显影得到所需精密图形的光刻胶蚀刻技术，广泛用于集成电路，TFT-LCD等微电子制造领域。生产中的光刻质量的好坏直接影响到器件的性能、成品率和可靠性。作为电子产品的第一生产国，我国目前也大量投入，努力壮大其产业链的实力。但是目前国内的上游原材料基本都无法实现国产化，国内电子生产商的成本偏高，效益上难以同韩台同行竞争。为了加强竞争，本地化生产是必然趋势。
[0003]光刻过程中所用的显影液基本为碱性显影液，碱性显影液对光刻胶有着良好的显影性能。人们利用光刻胶在曝光前后在显影液的溶解性不同进行显影。即光刻胶可以根据曝光或未曝光(与掩模版的形状有关)选择性的溶于显影液，从而形成需要的图形。为了获得良好的图形，需要对光刻胶进行高精度的显影，因此对显影液的显影性提出更高的要求。
[0004]为了提高显影液对光刻胶可溶区的溶解性，提高显影液的显影性，通常在显影液中添加能够改善显影液对光刻胶的润湿性的试剂，使曝光后光刻胶的可溶区具有了很好的溶解性。但现在一般试剂的添加会使显影液对光刻胶的不溶区的溶解性常常也相应提高，从而导致光刻胶不可溶区的表面和边缘也容易被显影液溶解，造成光刻图形畸变，从而影响显影液的显影性。
【发明内容】
[0005]本发明主要解决的技术问题是提供一种用于半导体集成电路中的显影液，该显影液具有良好的显影效果。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种用于半导体集成电路中的显影液，所述显影液包括有壬基酚聚氧乙烯醚、四甲基氢氧化铵和超纯水。
[0007]在本发明一个较佳实施例中，所述显影液的组成为:以质量百分比计，壬基酚聚氧乙烯醚0.05-6%、四甲基氢氧化铵0.05-12%、超纯水余量。
[0008]在本发明一个较佳实施例中，所述显影液的组成为:以质量百分比计，壬基酚聚氧乙烯醚0.05-5%、四甲基氢氧化铵0.1-10%、超纯水余量。
[0009]在本发明一个较佳实施例中，所述显影液的组成为:以质量百分比计，壬基酚聚氧乙烯醚2%、四甲基氢氧化铵4%、超纯水94%。
[0010]本发明的有益效果是:本发明的用于半导体集成电路中的显影液，所述显影剂具有生产成本低、显影性能良好、金属离子含量低和适用范围广等优点，能广泛使用在半导体集成电路制造过程的光刻工艺中，显影后显影残渣少、图形光滑、图形边缘清晰整齐且无图形坍塌。【具体实施方式】
[0011]下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0012]实施例一:
本发明实施例包括:一种用于半导体集成电路中的显影液，所述显影液的组成为:以质量百分比计，壬基酚聚氧乙烯醚0.8%、四甲基氢氧化铵5.2%、超纯水94%。
[0013]实施例二:
本发明实施例包括:一种用于半导体集成电路中的显影液，所述显影液的组成为:以质量百分比计，壬基酚聚氧乙烯醚2%、四甲基氢氧化铵4%、超纯水94%。
[0014]实施例三:
本发明实施例包括:一种用于半导体集成电路中的显影液，所述显影液的组成为:以质量百分比计，壬基酚聚氧乙烯醚4%、四甲基氢氧化铵7%、超纯水89%。
[0015]本发明揭示了一种用于半导体集成电路中的显影液，所述显影剂具有生产成本低、显影性能良好、金属离子含量低和适用范围广等优点，能广泛使用在半导体集成电路制造过程的光刻工艺中，显影后显影残渣少、图形光滑、图形边缘清晰整齐且无图形坍塌。
[0016]以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的【技术领域】，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【权利要求】
1.一种用于半导体集成电路中的显影液，其特征在于，所述显影液包括有壬基酚聚氧乙烯醚、四甲基氢氧化铵和超纯水。
2.根据权利要求1所述的显影液，其特征在于，所述显影液的组成为:以质量百分比计，壬基酚聚氧乙烯醚0.05-6%、四甲基氢氧化铵0.05-12%、超纯水余量。
3.根据权利要求2所述的显影液，其特征在于，所述显影液的组成为:以质量百分比计，壬基酚聚氧乙烯醚0.05-5%、四甲基氢氧化铵0.1-10%、超纯水余量。
4.根据权利要求3所述的显影液，其特征在于，所述显影液的组成为:以质量百分比计，壬基酚聚氧乙烯醚2%、四甲基氢氧化铵4%、超纯水94%。
【文档编号】G03F7/32GK103955119SQ201410153317
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年4月17日 优先权日:2014年4月17日
【发明者】江磊, 金旭 申请人:富士胶片电子材料（苏州）有限公司