阵列基板、显示装置及驱动方法
【专利摘要】本发明涉及液晶显示技术，具体提供了一种阵列基板、显示装置及驱动方法，该阵列基板包括交叉设置的信号线，以及由信号线围设而成的像素单元，所述信号线包括栅线和数据线，所述像素单元包括第一开关元件、第二开关元件、第一像素电极和第二像素电极，所述第一开关元件控制数据信号写入第一像素电极，所述第二开关元件控制数据信号写入第二像素电极，所述信号线与所述第一像素电极之间的至少部分区域设置有所述第二像素电极，且所述第二像素电极设置于所述第一像素电极的外围，所述第二像素电极上的电压小于所述第一像素电极上的电压。本发明可以减小相邻像素间边缘场效应的相互影响，有利于像素间距的减小和开口率的提高。
【专利说明】阵列基板、显示装置及驱动方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示领域，具体涉及一种阵列基板、显示装置及驱动方法。
【背景技术】
[0002]随着薄膜场效应晶体管液晶显示(TFT-1XDDisplay)技术的发展和工业技术的进步，液晶显示器件生产成本的降低、制造工艺的日益完善，使得TFT-1XD已经取代了阴极射线管显示成为平板显示领域的主流技术。其由于本身所具备的优点，在市场和消费者心中成为理想的显示器件。目前市场上各种模式，各种尺寸的液晶显示屏已十分普及，而最为人们接受:的液晶显不屏为移动终端广品，故而解决其技术缺点，如提闻PPI (Pixels Per Inch,每英寸所拥有的像素数目)，开口率等日益重要。
[0003]在实现高PPI时，由于像素尺寸减小，相邻像素之间的间距也减小，导致相邻像素之间的电场干扰严重，影响显示效果。
【发明内容】
[0004](一 )解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本发明提供一种阵列基板、显示装置及驱动方法，其通过在每个像素单元的像素电极周围设置第二像素电极，并藉由第二开关元件向其提供较像素电极电压较小的预定电压，减小了相邻像素间边缘场效应的相互影响，提高显示的效果。
[0006]( 二 )技术方案
[0007]为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现:
[0008]一种阵列基板，其特征在于，包括交叉设置的信号线，以及由信号线围设而成的像素单元，所述信号线包括栅线和数据线，所述像素单元包括第一开关元件、第二开关元件、第一像素电极和第二像素电极，所述第一开关元件控制数据信号写入第一像素电极，所述第二开关元件控制数据信号写入第二像素电极，所述信号线与所述第一像素电极之间的至少部分区域设置有所述第二像素电极，且所述第二像素电极设置于所述第一像素电极的外围，所述第二像素电极上的电压小于所述第一像素电极上的电压。
[0009]优选地，所述第一开关元件与所述第二开关元件同时开启和同时关闭。
[0010]优选地，所述开关元件为薄膜晶体管。
[0011]优选地，所述第一开关元件的栅极和所述第二开关元件的栅极与同一条栅线电连接。
[0012]优选地，所述第一开关元件的栅极与所述第二开关元件的栅极为一体结构。
[0013]优选地，所述数据线包括第一数据线和第二数据线，所述第一数据线通过所述第一开关元件将第一数据信号写入第一像素电极，所述第二数据线通过所述第二开关元件将第二数据信号写入第二像素电极，所述第一数据信号的电压小于所述第二数据信号的电压。
[0014]优选地，所述像素单元还包括第三开关元件、第三像素电极，所述信号线与所述第一像素电极之间至少部分设置有第三像素电极，且所述第三像素电极设置于第一像素电极的外围，所述数据线还包括第三数据线，所述第三数据线通过第三开关元件将第三数据信号写入第三像素电极，所述第三数据信号的电压小于所述第一数据信号的电压。
[0015]优选地，所述第三数据信号的电压与所述第二数据信号的电压相同。
[0016]优选地，所述第三像素电极与所述第二像素电极关于第一像素电极对称设置。
[0017]优选地，所述第三开关元件为薄膜晶体管，所述第三开关元件的栅极与第一开关元件的栅极和所述第二开关元件的栅极与同一条栅极电连接。
[0018]优选地，所述第三开关元件的栅极与所述第一开关元件的栅极和所述第二开关元件的栅极为一体结构。
[0019]优选地，所述第一开关元件的源极所述第二开关元件的源极与同一条数据线电连接。
[0020]优选地，所述第一开关元件与所述第二开关元件共用一个源极。
[0021]优选地，所述第一开关元件的宽长比与所述第二开关元件的宽长比不同。
[0022]优选地，所述第一开关元件的宽长比大于所述第二开关元件的宽长比。
[0023]优选地，所述第一开关元件的漏极与所述第一像素电极电连接，所述第二开关元件的漏极与所述第二像素电极电连接。
[0024]优选地，所述像素单元还包括第三开关元件，所述第三开关元件为薄膜晶体管，所述第一开关元件的源极、第二开关元件的源极和第三开关元件的源极与同一条数据线电连接。
[0025]优选地，所述第一开关元件的漏极与所述第一像素电极电连接，所述第二开关元件的漏极与所述第二像素电极电连接，所述第三开关元件的漏极与所述第三像素电极电连接。
[0026]优选地，所述第三开关元件的宽长比小于所述第一开关元件的宽长比。
[0027]优选地，所述第三开关元件的宽长比与所述第二开关元件的宽长比相同。
[0028]优选地，所述第二像素电极为以导电材料形成的U型区域。
[0029]优选地，所述第二像素电极和第三像素电极均为以导电材料形成的条形区域。
[0030]一种显示装置，其特征在于，包括上述任意一种阵列基板。
[0031]优选地，所述第一像素电极为狭缝状电极。
[0032]优选地，所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极设置于所述像素电极上方，所述公共电极为狭缝电极。
[0033]优选地，所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极设置于所述像素电极下方，所述公共电极为狭缝电极或板状电极。
[0034]优选地，所述第一像素电极为板状电极。
[0035]优选地，还包括与阵列基板相对设置的对置基板，所述对置基板上设置有公共电极，所述公共电极为板状电极。
[0036]一种显示装置的驱动方法，其特征在于，所述显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括交叉设置的信号线，以及由信号线围设而成的像素单元，所述信号线包括栅线和数据线，所述像素单元包括第一开关元件、第二开关元件、第一像素电极和第二像素电极，所述数据线包括第一数据线和第二数据线，在第一时刻，所述第一开关元件和所述第二开关元件开启，所述第一数据线通过所述第一开关元件将第一数据信号写入第一像素电极，所述第二数据线通过所述第二开关元件将第二数据信号写入第二像素电极，所述第二数据信号的电压小于所述第一数据信号的电压。
[0037]优选地，所述阵列基板还包括第三数据线，所述像素单元还包括第三开关元件和第三像素电极，在所述第一时刻，所述第三开关元件开启，所述第三数据线通过所述第三开关元件将所述第三数据信号写入第三像素电极，所述第三数据信号的电压小于第一数据信号的电压。
[0038]优选地，所述第三数据信号的电压与所述第二数据信号的电压相同。
[0039](三)有益效果
[0040]本发明至少具有如下的有益效果:
[0041]本发明主要通过在每个像素单元的像素电极周围设置一个第二像素电极，同时在开关元件周围设置一个第二开关元件用于给第二像素电极供电，并使像素单元中第一像素电极的电压大于周围第二像素电极的电压。经实验验证，这样的设置可以减小相邻像素间边缘场效应的相互影响。
[0042]从而相较于【背景技术】而言，本发明就可以把像素单元间距设计得更小，也就是获得了更大的PPI (Pixels Per Inch，每英寸所拥有的像素数目)；而且由于像素单元之间的间隔区域面积小了，在阵列基板上设置的黑矩阵面积也就随之减小，因而可以提高阵列基板的透光率、和整个显示装置的开口率。
[0043]当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0044]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0045]图1是本发明一个实施例中阵列基板中像素单元的结构示意图(2个像素电极和2个开关元件)；
[0046]图2是本发明一个实施例中阵列基板的像素单元中薄膜晶体管的横截面结构图(2个像素电极和2个开关元件)；
[0047]图3是本发明一个实施例中阵列基板中像素单元的结构示意图(3个像素电极和3个开关元件)；
[0048]图4是本发明一个实施例中阵列基板的像素单元中薄膜晶体管的横截面结构图(3个像素电极和3个开关元件)；
[0049]图5是【背景技术】和本发明一个实施例中的阵列基板边缘场效应下混色现象的模拟结果对比图。
【具体实施方式】
[0050]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0051]实施例1
[0052]本发明实施例提供了一种阵列基板，包括交叉设置的信号线，以及由信号线围设而成的像素单元，所述信号线包括栅线A2和数据线Al，所述像素单元包括第一开关元件A3、第二开关元件A4、第一像素电极A5和第二像素电极A6，所述第一开关元件A3控制数据信号写入第一像素电极A5，所述第二开关元件A4控制数据信号写入第二像素电极A6，所述信号线与所述第一像素电极A5之间的至少部分区域设置有所述第二像素电极A6，且所述第二像素电极A6设置于所述第一像素电极A5的外围，所述第二像素电极A6上的电压小于所述第一像素电极A5上的电压。
[0053]具体来说，该阵列基板包括交叉设置的数据线Al和栅线A2，以及由数据线Al和栅线A2围设而成的像素单元，图1为阵列基板上一个像素单元的示意图，所述像素单元包括一个第一像素电极A5和一个第一开关元件A3，所述第一开关元件A3用于在栅线A2中的电压的控制下以数据线Al中的电压将所述第一像素电极A5充电至预定的电压值。在此基础之上，所述像素单元还包括一个第二像素电极A6，所述第二像素电极A6位于所述像素电极与A6围成该像素单元的数据线Al或栅线A2之间；所述像素单元还包括一个第二开关元件A4，用于在栅线A2中的电压的控制下以数据线Al中的电压将所述第二像素电极A6充电至预定的电压值；而且，对所述第一像素电极A5充电的预定的电压值大于对所述第二像素电极A6充电的预定电压值。
[0054]其中，第一开关元件A3和第二开关元件A4在图1中的标注仅作为其所处位置的示意。因为其要实现数据写入的功能，因此很明显地其需要和栅线A2、数据线A2、以及第一像素电极A5或第二像素电极A6电连接。可见这里所述的开关元件的主要功能是实现电信号控制下的电连接或断开，所以可以选择具有对应功能的电器元件来实现这一功能。
[0055]第二像素电极A6所在区域包围着第一像素电极A5的所在区域，且两个区域都位于信号线所围成的像素单元内部，而第一像素电极A5与第二像素电极A6在其所在区域内的具体形状可以是任意的。图1中出于结构工艺尽量简单、边缘场效应的消除效果尽量好的考虑，采用第二像素电极为以导电材料形成的U型区域的设计。但其仅是其中一种结构，仅作为示意。另外，图1所示的结构中在第一像素电极A5上设置了多条空隙(Slit)，其可根据像素的大小设置其尺寸和数目。
[0056]可见，对于相同尺寸的像素电极区域，这样的设计相当于把原有的像素电极拆分成若干个较小的像素电极包围一个较大的像素电极的形式，并使得第二像素电极的电压比第一像素电极的电压稍低。从而，由于周边像素电极的电压降低了，像素电极周围的电场强度也就随之下降，继而相邻像素单元之间的边缘场效应就会被减弱，因而可以减小相邻像素单元之间的相互影响。
[0057]从而，相较于【背景技术】而言，本发明实施例由于减小了相邻像素单元之间的边缘场效应，就可以在不出现混色的情况下把像素单元间距设计得更小，因而获得了更大的PPKPixelsPer Inch，每英寸所拥有的像素数目)，适用于各类高PPI的显示设备。
[0058]由于相邻像素单元之间的间隔区域面积小了，在阵列基板上对应于这些间隔区域所设置的黑矩阵面积及黑矩阵所占的面积比例也就随之减小，因而可以提高阵列基板的透光率，以及整个显示装置的开口率。
[0059]其中，栅线A2中加载的栅线电压可以控制第一开关元件A3和/或第二开关元件A4的开启或关闭，在其处于开启的状态下，数据线Al就会通过通过第一开关元件A3向第一像素电极A5提供电压，并通过第二开关元件A4向第二像素电极A6提供电压，并最终的供电电压上使第二像素电极A6中的电压小于第一像素电极A5中的电压。
[0060]进一步地，为了节省栅线条数，提高开口率，简化阵列基板的布局和相应的制作工艺流程，可以使所述第一开关元件与所述第二开关元件同时开启和同时关闭，也就是使所述第一开关元件的控制端和所述第二开关元件的控制端与同一条栅线电连接。而对于数据线，可以采用两根数据线分别写入数据信号的电压，即所述数据线包括第一数据线和第二数据线，所述第一数据线通过所述第一开关元件将第一数据信号写入第一像素电极，所述第二数据线通过所述第二开关元件将第二数据信号写入第二像素电极，所述第一数据信号的电压小于所述第二数据信号的电压。这样的设计可以比较简便而直观地使所述第二像素电极上的电压小于所述第一像素电极上的电压。
[0061]当然，为了使第二像素电极A6中的电压小于第一像素电极A5中的电压，也并不一定需要由两根数据线以不同的电压分别向两个像素电极提供电压，下面就开关元件优选使用薄膜晶体管TFT (Thin Film Transistor)的情况下,展示一种使用一条数据线达到上述目标的实例:
[0062]出于阵列基板的制作工艺的统一和开关元件性能上考虑，优选采用薄膜晶体管TFT (Thin Film Transistor)作为上述开关元件。此时，对应有第一开关元件A3和第二开关元件的A4与同一条栅线电连接。
[0063]优选地，所述第一开关元件的栅极与所述第二开关元件的栅极为一体结构，即采用两个TFT共栅极的结构，可以节省栅线条数，简化阵列基板的布局和相应的制作工艺流程。
[0064]进一步地，使所述第一开关元件与所述第二开关元件共用一个源极，并使第一开关元件的宽长比大于所述第二开关元件的宽长比。其中，规定漏极和共用源极之间的距离为宽长比中的长，漏极和公共源极相对的长度为宽长比中的宽。也就是说，在相同的充电时间内，宽长比越大，充电电压越大，宽长比越小，充电电压越小，在充电时间相同且充电未饱和的情况下，使第一开关元件的宽长比大于第二开关元件的宽长比，就可以使所述第二像素电极上的电压小于所述第一像素电极上的电压。该设计可以在不增加TFT工艺和数据线数量的条件下，使得第一像素电极上的电压大于第二像素电极上的电压，减小相邻像素单元的电场干扰，提高显示效果。
[0065]具体来说，图1中203所标注的区域为第一开关元件的漏极、204所标注的区域为第二开关元件的漏极、而下方与数据线Al相连的矩形区域202即为两个开关元件共用的源极。图2展示的就是沿栅线方向(横向)该共用的源极处的截面。其中，201为开关元件A3、A4所共用的栅极层。
[0066]实施例2
[0067]基于相同的发明构思，本发明实施例提出了另一种阵列基板，其像素单元结构如图3所示，其中的附图标记的含义与图1中的保持一致。其包括交叉设置的信号线，以及由信号线围设而成的像素单元，所述信号线包括栅线A2和数据线Al，所述像素单元包括第一开关元件A3、第二开关元件A4、第一像素电极A5和第二像素电极A6，所述第一开关元件A3控制数据信号写入第一像素电极A5，所述第二开关元件A4控制数据信号写入第二像素电极A6，所述信号线与所述第一像素电极A5之间的至少部分区域设置有所述第二像素电极A6，且所述第二像素电极A6设置于所述第一像素电极A5的外围，所述第二像素电极A6上的电压小于所述第一像素电极A5上的电压。
[0068]所述像素单元还包括第三开关元件AS、第三像素电极A7，所述信号线与所述第一像素电极A5之间至少部分设置有第三像素电极A7，且所述第三像素电极A7设置于第一像素电极A5的外围，所述第三像素电极A7上的电压小于所述第一像素电极A5上的电压。
[0069]其中，所述信号线与所述第一像素电极A5之间的至少部分区域指的是信号线所围成区域内第一像素电极A5四周的部分区域，为第一像素电极A5上侧、下侧(与栅线及数据线相连)、左侧或/和右侧区域；第二像素电极A6与第三像素电极A7优选设置在所述上侦U、左侧和右侧区域，像素电极的这种布局方式可大大节省像素单元所占据的空间。
[0070]优选地，如图3所示，所述第二像素电极A6和第三像素电极A7均为以导电材料形成的长条形区域。这样的设计在结构上较为简单，工艺上比较容易实现，对于横向上的边缘场效应的减小效果比较明显，适用于纵向上边缘场效应较弱而不需要对应设计的阵列基板。当然，第二像素电极A6和第三像素电极A7也可以是其他形状。
[0071]可见，其相对于实施例1所提出的阵列基板，增加了第三像素电极A7及第三开关元件AS，其与第二像素电极A6及第二开关元件A4—样，均可以起到减小相邻像素间边缘场效应的效果。这里，由于采用了两个电压较低的像素电极，在布局上可以使用较为简单的形状(简单的矩形、条状、带状等等)组合后达到减小相邻像素间边缘场效应的效果，因而可以简化像素电极的布局和制作工艺。
[0072]所以，第三像素电极A7及第三开关元件AS也同样地在栅线A2控制下由数据线Al写入数据信号，当然其可以采取三根数据线分别给三个像素电极写入数据信号的方式，即所述数据线除第一数据线和第二数据线之外，还包括第三数据线，所述第三数据线通过第三开关元件将第三数据信号写入第三像素电极，所述第三数据信号的电压小于所述第一数据信号的电压。
[0073]考虑到像素单元在结构和制作工艺上的对称性，以及边缘场效应消除效果在像素两侧的对称性，优选地将第二像素电极和第三像素电极在结构与写入电压上都做对称处理，即使所述第三数据信号的电压与所述第二数据信号的电压相同，并使所述第三像素电极与所述第二像素电极关于第一像素电极对称设置。当然这两项对称处理并不需要同时达至IJ，其也可以彼此独立实施。
[0074]另一方面，在栅线的设置方面:所述第三开关元件为薄膜晶体管，所述第三开关元件的栅极与第一开关元件的栅极和所述第二开关元件的栅极与同一条栅极电连接。也就是使三个开关元件由同一条栅线进行控制开启或关闭，达到数据信号同时写入的效果。更优选的，所述第三开关元件的栅极与所述第一开关元件的栅极和所述第二开关元件的栅极为一体结构，该设计可以节省原料、简化制作工艺，优化阵列基板布局。
[0075]而在数据信号写入方式上，三个开关元件也可以采取如下的设计方案:所述第一开关元件的源极、第二开关元件的源极和第三开关元件的源极与同一条数据线电连接。所述第一开关元件的漏极与所述第一像素电极电连接，所述第二开关元件的漏极与所述第二像素电极电连接，所述第三开关元件的漏极与所述第三像素电极电连接。所述第三开关元件的宽长比小于所述第一开关元件的宽长比，进一步地，所述第三开关元件的宽长比与所述第二开关元件的宽长比相同，可以保证第二像素电极和第三像素电极的电压相同，从而在减小相邻像素单元电场干扰的同时，不会由于第二像素电极和第三像素电极的电压不同而导致视觉上有所差异，提高显示效果。其与实施例1中两个开关元件及像素电极的共数据线和/或共源极的方案相对应，在第三开关元件和第三像素电极的设计上可以视作新增加的一组第二开关元件和第二像素电极的设计，在阵列基板的整体布局以及TFT、像素电极、栅线和数据线的制作工艺上均有所简化，且不需要在原有的装置驱动方法上做大量改动，实用性强。
[0076]具体来说，共栅共源设计下的所述第一开关元件A3、第二开关元件A4、第三开关元件AS的横截面结构示意如图4所示，与图3对应，这里的202是三个开关元件所共用的U型的源极，而203是第二开关元件A4的漏极，204为第一开关元件A3的漏极、205为第三开关元件AS的漏极。对应于漏极203、204、205与源极202的位置，栅极层处有栅线覆盖，即三个开关元件所共用的栅极201。以上结构形成了上面所说的第一开关元件A3、第二开关元件A4和第三开关元件AS的TFT结构。
[0077]而且，为使对所述第二像素电极A6和第三像素电极A7充电电压值均相等，这里就要求两个开关元件的漏极要关于源极对称，以保证其对应的TFT的沟道结构上的尺寸都是相同的。
[0078]可见，结合上述全部技术特征的三开关元件的像素单元结构可以使在第一像素电极A5两侧的第二像素电极A6和第三像素电极A7上的充电电压小于第一像素电极A5上的充电电压，这样的结构与【背景技术】中的结构关于边缘场效应的模拟结果对比参见图5。
[0079]图5中展示了液晶盒横截面上沿栅线方向上两个相邻像素单元对应位置的液晶层和液晶效率曲线(其具备上述三开关元件的像素单元结构)，其中501和504分别代表了两个相邻像素单元的第一像素电极(当然其还包括若干个不靠近边缘的截面，图中没有画出)，502和503分别代表了两个相邻像素单元的第二像素电极和第三像素电极，其中两个相邻像素单元中左侧像素单元的第一像素电极501、第二像素电极502均已充电。代表【背景技术】的实验组中左侧像素单元的像素电极501与第二像素电极502上的充电电压为同一定值电压，而代表本发明实施例的实验组中左侧像素单元的像素电极501上的充电电压依然为该定值电压，但第二像素电极502中的充电电压小于该定值电压。
[0080]从液晶层中的液晶效率曲线(其与透过率呈正比)中可以看到，在加在第二像素电极A6上的电压小于该定值电压的情况下，其液晶效率不为零的区域均向左移动了一段距离，也就是相邻像素单元附近受到影响的区域变小了。可见，在像素透过率几乎不受影响的情况下，本发明实施例很明显地弱化了电极在所示方向上的边缘场效应的影响。
[0081]根据这样的模拟结果，采用本发明实施例的技术方案可以缩小像素单元的间距。较为具体来讲，这样的模拟结果意味着该设计可以使同样效果的像素单元单边减小0.75微米。对于整个像素单元而言，两边就可以减少1.5微米的黑矩阵宽度，进而液晶效率引起的透过率变化就会减弱，对应的开口率就会提高。
[0082]以像素单元中这一部分为21X63微米的尺寸为例，当采用本发明实施例的设计时，开口率可以提升13 %,总的透过率会从【背景技术】的4.21 %提闻到4.46 %,提升比例为6%;可见，本发明实施例尤其对高PPI产品有很好的应用效果，可以起到提高透过率以及提高像素分辨率的效果。
[0083]当然，本发明实施例仅为本发明的一个具体实施例，本领域技术人员可以在此基础上做简单调整，如改变像素电极或第二像素电极的数目、形状和位置、采用等同于开关元件的结构为像素电极或第二像素电极充电、等等，但只要其包括上述任意一种第二像素电极及第二开关元件，或者其等同结构，就无疑没有脱离本发明实施例的技术方案的精神和范围。
[0084]实施例3
[0085]基于相同的发明构思，本发明实施例提出了一种显示装置，该显示装置包括实施例I或2所述的任意一种阵列基板，该显示装置可以为:液晶面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0086]其中，所述显不装置可以米用ADS (Advanced Super Dimens1n Switch,高级超维场转换)型的显示装置，在这种类型的显示装置中，所述第一像素电极A5会被设计为狭缝状电极。而所述阵列基板还会包括公共电极，当公共电极设置于像素电极的上方时，所述公共电极为狭缝电极；当公共电极设置于像素电极的下方时，所述公共电极为狭缝电极或板状电极。如此即可将实施例1或2所述的任意一种阵列基板应用于ADS型的显示装置中，其具有相同的技术特征，因而解决同样的技术问题，产生相同的技术效果。
[0087]所述显示装置也可以采用TN(Twisted Nematic，扭曲向列)型的显示装置，在这种类型的显示装置中，所述第一像素电极A5会被设计为板状电极。此时，显示装置还包括与阵列基板相对设置的对置基板，所述对置基板上设置有公共电极，所述公共电极为板状电极。如此即可将实施例1或2所述的任意一种阵列基板应用于TN型的显示装置中，其具有相同的技术特征，因而解决同样的技术问题，产生相同的技术效果。
[0088]由于本发明实施例提供的显示装置与实施例1或2所提供的任意一种阵列基板具有相同的技术特征，所以也能解决同样的技术问题，产生相同的技术效果。
[0089]实施例4
[0090]对应于上述显示装置，本发明实施例提出了一种显示装置的驱动方法，其特征在于，所述显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括交叉设置的信号线，以及由信号线围设而成的像素单元，所述信号线包括栅线和数据线，所述像素单元包括第一开关元件、第二开关元件、第一像素电极和第二像素电极，所述数据线包括第一数据线和第二数据线，在第一时刻，所述第一开关元件和所述第二开关元件开启，所述第一数据线通过所述第一开关元件将第一数据信号写入第一像素电极，所述第二数据线通过所述第二开关元件将第二数据信号写入第二像素电极，所述第二数据信号的电压小于所述第一数据信号的电压。
[0091]优选地，所述阵列基板还包括第三数据线，所述像素单元还包括第三开关元件和第三像素电极，在所述第一时刻，所述第三开关元件开启，所述第三数据线通过所述第三开关元件将所述第三数据信号写入第三像素电极，所述第三数据信号的电压小于第一数据信号的电压。优选地，所述第三数据信号的电压与所述第二数据信号的电压相同。
[0092]可见，这里给出的显示装置的驱动方法是基于上述阵列基板和显示装置的，具有相同的技术特征，因而能够解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。[0093]综上所述，本发明主要通过在每个像素单元的像素电极周围设置至少一个第二像素电极，同时在开关元件周围设置至少一个第二开关元件用于给第二像素电极供电，并使像素单元中像素电极的电压大于周围第二像素电极的电压。经实验验证，这样的设置可以减小相邻像素间边缘场效应的相互影响。
[0094]从而相较于【背景技术】而言，本发明就可以把像素单元间距设计得更小，也就是获得了更大的PPI ;而且由于像素单元之间的间隔区域面积小了，在阵列基板上设置的黑矩阵面积也就随之减小，因而可以提高阵列基板的透光率、和整个显示装置的开口率。
[0095]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0096]以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案 的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
【权利要求】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括交叉设置的信号线，以及由信号线围设而成的像素单元，所述信号线包括栅线和数据线，所述像素单元包括第一开关元件、第二开关元件、第一像素电极和第二像素电极，所述第一开关元件控制数据信号写入第一像素电极，所述第二开关元件控制数据信号写入第二像素电极，所述信号线与所述第一像素电极之间的至少部分区域设置有所述第二像素电极，且所述第二像素电极设置于所述第一像素电极的外围，所述第二像素电极上的电压小于所述第一像素电极上的电压。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关元件与所述第二开关兀件同时开启和同时关闭。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开关元件为薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关元件的栅极和所述第二开关元件的栅极与同一条栅线电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关元件的栅极与所述第二开关元件的栅极为一体结构。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线包括第一数据线和第二数据线，所述第一数据线通过所述第一开关元件将第一数据信号写入第一像素电极，所述第二数据线通过所述第二开关元件将第二数据信号写入第二像素电极，所述第一数据信号的电压小于所述第二数据信号的电压。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括第三开关元件、第三像素电极，所述信号线与所述第一像素电极之间至少部分设置有第三像素电极，且所述第三像素电极设置于第一像素电极的外围，所述数据线还包括第三数据线，所述第三数据线通过第三开关元件将第三数据信号写入第三像素电极，所述第三数据信号的电压小于所述第一数据信号的电压。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第三数据信号的电压与所述第二数据信号的电压相同。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第三像素电极与所述第二像素电极关于第一像素电极对称设置。
10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第三开关元件为薄膜晶体管，所述第三开关元件的栅极与第一开关元件的栅极和所述第二开关元件的栅极与同一条栅极电连接。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第三开关元件的栅极与所述第一开关元件的栅极和所述第二开关元件的栅极为一体结构。
12.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关元件的源极所述第二开关元件的源极与同一条数据线电连接。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关元件与所述第二开关元件共用一个源极。
14.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关元件的宽长比与所述第二开关元件的宽长比不同。
15.根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关元件的宽长比大于所述第二开关元件的宽长比。
16.根据权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关元件的漏极与所述第一像素电极电连接，所述第二开关元件的漏极与所述第二像素电极电连接。
17.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括第三开关元件，所述第三开关元件为薄膜晶体管，所述第一开关元件的源极、第二开关元件的源极和第三开关元件的源极与同一条数据线电连接。
18.根据权利要求17所述的阵列基板，其特征在于，所述第三开关元件与所述第一开关元件、所述第二开关元件共用一个源极。
19.根据权利要求17所述的阵列基板，其特征在于，被共用的所述源极形状为U型，所述第二开关元件和第三开关元件的漏极对称设置在U型源极的两侧，所述第一开关元件设置在U型源极的内侧。
20.根据权利要求17所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关元件的漏极与所述第一像素电极电连接，所述第二开关元件的漏极与所述第二像素电极电连接，所述第三开关元件的漏极与所述第三像素电极电连接。
21.根据权利要求20所述的阵列基板，其特征在于，所述第三开关元件的宽长比小于所述第一开关元件的宽长比。
22.根据权利要求21所述的阵列基板，其特征在于，所述第三开关元件的宽长比与所述第二开关元件的宽长比相同。
23.根据权利要求1-6、12-16中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素电极为以导电材料形成的U型区域。
24.根据权利要求7-11、17-22中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素电极和第三像素电极均为以导电材料形成的长条形区域。
25.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-24任一所述的阵列基板。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其特征在于，所述第一像素电极为狭缝状电极。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极设置于所述像素电极上方，所述公共电极为狭缝电极。
28.根据权利要求26所述的显示装置，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极，所述公共电极设置于所述像素电极下方，所述公共电极为狭缝电极或板状电极。
29.根据权利要求25所述的显示装置，其特征在于，所述第一像素电极为板状电极。
30.根据权利要求29所述的显示装置，其特征在于，还包括与阵列基板相对设置的对置基板，所述对置基板上设置有公共电极，所述公共电极为板状电极。
31.一种显示装置的驱动方法，其特征在于，所述显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括交叉设置的信号线，以及由信号线围设而成的像素单元，所述信号线包括栅线和数据线，所述像素单元包括第一开关元件、第二开关元件、第一像素电极和第二像素电极，所述数据线包括第一数据线和第二数据线，在第一时刻，所述第一开关元件和所述第二开关元件开启，所述第一数据线通过所述第一开关元件将第一数据信号写入第一像素电极，所述第二数据线通过所述第二开关元件将第二数据信号写入第二像素电极，所述第二数据信号的电压小于所述第一数据信号的电压。
32.根据权利要求31所述的驱动方法，其特征在于，所述阵列基板还包括第三数据线，所述像素单元还包括第三开关元件和第三像素电极，在所述第一时刻，所述第三开关元件开启，所述第三数据线通过所述第三开关元件将所述第三数据信号写入第三像素电极，所述第三数据信号的电压小于第一数据信号的电压。
33.根据权利要求32所述的驱动方法，其特征在于，所述第三数据信号的电压与所述第二数据信号的电压相 同。
【文档编号】G02F1/1343GK104035256SQ201410259408
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年6月11日 优先权日:2014年6月11日
【发明者】田允允, 崔贤植, 王强涛, 李会, 方正, 王海燕 申请人:京东方科技集团股份有限公司