一种阵列基板的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种阵列基板，所述阵列基板至少包括一具有一第一表面的基板，所述第一表面上具有多个像素区域，每一所述像素区域上形成有像素电极，所述像素电极至少包括第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域和第三区域通过所述第二区域电性相连，且所述第一区域和第三区域在所述第一表面上的投影面积远大于所述第二区域在所述第一表面上的投影面积。
【专利说明】一种阵列基板
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及平板显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板。
【背景技术】
[0002] 目前，TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜 晶体管液晶显示器）的显示模式主要有TN(Twisted Nematic,扭曲向列）模式、 VA(Vertical Alignment，垂直取向）模式、IPS(In-Plane_Switching，平面方向转换）模 式、ADS(Advanced Super Dimension Switch，高超维场转换）模式、MVA (Muti-domain Vertical Alignment，多畴垂直取向）模式和 AIFF MVA(Amiplified Intrinsic Fringe Field Controlled Muti-domain Vertical Alignment，强化液晶内边缘电场效应多域垂直 取向）等模式。
[0003] 如图1、图2和图3所示，为AIFF MVA液晶盒的结构示意图、AIFF MVA模式的工作 原理图以及其像素电极的电压施加方式示意图，所述AIFF MVA液晶盒包括第一基板101、 第二基板102和置于其间的液晶分子105,公共电极103形成于所述第一基板101上，像素 电极104形成于所述第二基板102上。其工作原理为：在第二基板102上制作出精密的方 形的像素电极104,并对相邻的像素电极104施加异性电压，并利用第一基板101和第二基 板102上不一致的电极图形以及巧妙的电压实施方式在像素电极104边缘处产生边缘电场 10(即弯曲电场)，所述边缘电场10进而控制液晶分子105达到多畴取向，向多个角度偏转， 从而实现广视角的目的。相比于MVA模式，无需在液晶盒的上下基板上制作价格昂贵且复 杂的凸起图案，进而提高了制作成本和生产效率，且其视角效果并不逊于MVA模式。
[0004] 如图4所示，其为图1中AIFF MVA液晶盒的对比度视角曲线图，从图中可以 看出，虽然在水平和垂直方向的视角较好，但斜方向视角（30° -60°、120° -150°、 210° -240°和300° -330° )相对较差。因此，如何在不设置凸起于电极上的基础上提高 AIFF MVA模式的广视角效果，仍需进一步研究。 实用新型内容
[0005] 有鉴于此，本实用新型提供了一种能提高广视角效果的阵列基板。
[0006] 本实用新型提供的所述阵列基板中，其至少包括一具有一第一表面的基板，所述 第一表面上具有多个像素区域，每一所述像素区域上形成有像素电极，所述像素电极至少 包括第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域和第三区域通过所述第二区域电性相 连，且所述第一区域和第三区域在所述第一表面上的投影面积远大于所述第二区域在所述 第一表面上的投影面积。
[0007] 本实用新型提供的所述阵列基板中，所述第一区域、第二区域、第三区域在所述第 一表面上的投影具有相似的形状；或所述第一区域与所述第三区域在所述第一表面上的投 影具有相似的形状，所述第二区域在所述第一表面上的投影与所述第一区域和第三区域在 所述第一表面上的投影形状不相同。
[0008] 所述阵列基板还包括多条扫描线、多条信号线、公共电极，所述多条扫描线和多条 信号线相互交叉形成于所述基板的第一表面上，定义出所述多个像素区域；所述公共电极 形成于所述第一表面上，且位于所述第一表面与所述像素电极之间；所述像素电极的边缘 在所述第一表面上的投影被所述公共电极在所述第一表面上的投影所覆盖；且所述像素电 极在所述第一表面上的投影并未全部被所述公共电极所覆盖；所述像素电极与公共电极之 间完全绝缘。
[0009] 本实用新型提供的所述阵列基板中，所述公共电极至少具有一与所述像素电极对 应的电极孔，所述像素电极的边缘在所述第一表面上的投影与所述电极孔在第一表面上的 投影具有交叠区域。
[0010] 所述公共电极包括多个电性相连的子公共电极，每个像素区域内分布有一个子公 共电极，每一列的每个所述子公共电极分别与同一列中与其相邻的子公共电极电性相连， 所述子公共电极上具有两个电极孔，所述第一区域和第三区域在所述第一表面上的投影与 所述电极孔在所述第一表面上的投影具有一一对应的交叠区域，所述交叠区域上任一处的 跨度相等。
[0011] 本实用新型提供的所述阵列基板中，所述第一区域和/或第三区域的在所述第一 表面的投影的形状为圆形，所述电极孔在所述第一表面的投影的形状为圆形，所述电极孔 在所述第一表面上的投影与所述第一区域和/或第三区域在所述第一表面上的投影为同 心圆，所述第一区域和/或第三区域在所述第一表面上的投影半径大于所述电极孔在所述 第一表面上的投影半径。
[0012] 本实用新型提供的所述阵列基板中，所述同心圆的半径差的具体数值范围为1.8 至3. 5微米。
[0013] 本实用新型提供的所述阵列基板中，所述子公共电极为多边形，每个所述子公共 电极的每一边在所述第一表面上的投影分别与所述像素电极在所述第一表面上的投影相 切。
[0014] 本实用新型提供的所述阵列基板中，还包括位于所述像素区域内的晶体管元件， 所述晶体管元件为薄膜晶体管，所述薄膜晶体管至少包括栅极、源极和漏极，所述栅极与所 述扫描线电性相连，所述源极与所述信号线电性相连，所述漏极与所述像素电极电性相连。
[0015] 本实用新型提供的所述阵列基板中，由于像素电极在基板的第一表面上的投影为 圆形或者多边形，且公共电极具有与像素电极对应的电极孔，使得每一区域内的液晶在所 述像素电极与公共电极形成的边缘电场的作用下，能够更有规则的排列，从而使得从任一 角度观看，都能达到良好的可视效果。因此，本实用新型提供的阵列基板可以提高广视角效 果。
【专利附图】
【附图说明】
[0016] 下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：
[0017] 图1为现有技术中的AIFF MVA液晶盒的结构示意图；
[0018] 图2为图1所示的AIFF MVA液晶盒的工作原理图；
[0019] 图3为图1所示的AIFF MVA液晶盒中像素电极的电压施加方式示意图；
[0020] 图4为图1所示的AIFF MVA液晶盒的对比度视角曲线图；
[0021] 图5为本实用新型提供的一较佳实施方式的阵列基板的结构示意图；
[0022] 图6为图5中所述阵列基板沿A-A方向的截面图；
[0023] 图7为所述阵列基板沿B-B方向的截面图；
[0024] 图8为由图5中阵列基板组成的AIFF MVA液晶盒的对比度视角曲线图；
[0025] 图9为本实用新型提供的另一较佳实施方式的阵列基板的结构示意图；
[0026] 图10为由图9中阵列基板组成的AIFF MVA液晶盒的对比度视角曲线图；
[0027] 图11为本实用新型提供的另一较佳实施方式的阵列基板的结构示意图；
[0028] 图12为由图11中阵列基板组成的AIFF MVA液晶盒的对比度视角曲线图；
[0029] 图13本实用新型提供的另一较佳实施方式的阵列基板的结构示意图；
[0030] 图14为由图13中阵列基板组成的AIFF MVA液晶盒的对比度视角曲线图。
【具体实施方式】
[0031] 为说明本实用新型提供的阵列基板，以下结合说明书附图及文字说明进行详细阐 述。
[0032] 请参考图5,为本实用新型提供的一较佳实施方式的阵列基板200的结构示意图， 所述阵列基板200可以为AIFF MVA模式的基板，也可以为其他模式的阵列基板，其至少包 括一具有一第一表面201a的基板201，所述第一表面201a为一连续且光滑的平面，在其实 施方式中，所述第一表面可以为一曲面或以不规则表面，所述基板201为透明材料如硬质 玻璃、硬质或者柔性树脂制成。
[0033] 所述阵列基板200还包括形成于所述基板201的第一表面201a上的多条扫描线 206、多条信号线205,所述多条扫描线206之间等间隔且平行设置，所述多条信号线205之 间等间隔且平行设置，本实施方式中，多条所述扫描线206所述多条扫描线206和多条信号 线205之间相互垂直交叉形成在所述第一表面201a上，并定义出多个像素区域202。多条 所述扫描线206、信号线205由金属或金属合金制成，或者由透明材料如氧化锡铟（ΙΤ0)、氧 化铟锌（ΙΖ0)、氧化锌镓（GZ0)或其组成的化合物制成。
[0034] 所述阵列基板200还包括形成于所述基板201的第一表面201a上的像素电极 203,所述像素电极203位于所述像素区域202内。所述像素电极203包括第一区域203a、 第二区域203b和第三区域203c，所述第一区域203a和第三区域203c通过所述第二区域 203b电性相连，且所述第一区域203a和第三区域203c在所述第一表面201a上的投影面积 远大于所述第二区域203b在所述第一表面201a上的投影面积，所述第二区域203b的形状 不限。
[0035] 本实施方式中，所述第一区域203a和第三区域203c在第一表面201a的投影具有 相似的形状，且所述形状为圆形，在其他实施方式中，所述第一区域、第三区域可为多边形； 每个像素区域内亦可以只有第一区域；所述第一区域、第二区域和第三区域在第一表面上 的投影亦可以具有相似的形状。
[0036] 本实施方式中，所述阵列基板200还包括形成于所述基板201的第一表面201a 上的多个公共电极204,所述公共电极204和像素电极203均由透明导电材料如氧化锡铟 (ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0)、氧化锌镓（GZ0)或其组成的化合物制成。所述公共电极204形成 于所述第一表面上，且位于所述基板201的第一表面201a与所述像素电极203之间；所述 像素电极203的边缘在所述第一表面201a上的投影被所述公共电极204在所述第一表面 201a上的投影所覆盖；且所述像素电极203在所述第一表面201a上的投影并未全部被所 述公共电极204所覆盖；所述像素电极203与公共电极204之间完全绝缘。在其他实施方 式中，公共电极还可以位于像素电极远离所述第一表面的一侧，即像素电极可位于第一表 面与公共电极之间。
[0037] 本实施方式中，所述公共电极204包括电性相连的多个子公共电极24,每个像素 区域内分布有一个子公共电极24,每一列的每个所述子公共电极24分别与同一列中与其 相邻的子公共电极24电性相连，所述子公共电极204具有两个电极孔204a，所述像素电极 203的第一区域203a和第三区域203c的边缘在所述第一表面201a上的投影与所述电极 孔204a在所述第一表面201a上的投影具有一一对应的交叠区域208,如图7所示，即所述 第一区域203a和第三区域203c的边缘交叠于所述电极孔204a的边缘，所述交叠区域208 上任一处的跨度相等。
[0038] 本实施方式中，所述第一区域203a和/或第三区域203c的形状在所述第一表面 201a的投影形状为圆形，所述电极孔204a在所述第一表面201a的投影形状为圆形，所述电 极孔204a在所述第一表面201a上的投影与所述第一区域203a和/或第三区域203c在所 述第一表面201a上的投影为同心圆，所述第一区域203a和/或第三区域203c在所述第一 表面201a上的投影半径大于所述电极孔204a在所述第一表面201a上的投影半径。
[0039] 本实施方式中，所述同心圆的半径差（即所述交叠区域208的跨度)W为1.8至3. 5 微米。在其他实施方式中，所述像素电极可以只有第一区域，且所述第一区域可以为圆形， 多边形等，其在所述第一表面上的投影与所述电极孔在第一表面上的投影具有交叠区域； 当每个像素区域内还有第四区域、第五区域等时，所述子公共电极相应的具有与像素电极 区域个数相等的电极孔，第一至第五区域等在第一表面上的投影与多个电极孔在所述第一 表面上的投影具有一一对应的交叠区域，所述交叠区域上任一处的跨度相等；所述第一区 域和/或所述第二区域在第一表面上的投影半径还可以小于或者等于电极孔在第一表面 上的投影半径。
[0040] 本实施方式中，所述子公共电极24为六边形，所述公共电极204的每一边在所述 第一表面201a上的投影分别与第一区域203a和/或第三区域203c在所述第一表面201a 上的投影相切。在其他实施方式中，公共电极的每一边在第一表面上的投影可与像素电极 在第一表面上的投影的切线平行；或者所述子公共电极可以为具有电极孔的条形电极，也 可以为具有电极孔的其他多边形。
[0041] 所述阵列基板200还包括形成于所述基板201的第一表面201a上的多个晶体管 元件，所述晶体管元件位于所述像素区域202内，本实施方式中，所述晶体管元件为薄膜晶 体管207,在其他实施方式中，所述晶体管元件还可以为场效应晶体管、双极型晶体管等。所 述薄膜晶体管207至少包括栅极217、源极227和漏极237,所述栅极217与所述扫描线206 电性相连，所述源极227与所述信号线205电性相连，所述漏极237与所述像素电极203电 性相连。如图6、图7所示，其为图5中阵列基板沿A-A方向、B-B方向的截面图，所述薄膜 晶体管207还包括位于所述栅极217之上的栅绝缘层247和有源层257,位于所述源极227、 漏极237之上的第一绝缘层267和第二绝缘层277,所述公共电极204位于所述第一绝缘层 267之上，所述像素电极203位于所述第二绝缘层277之上，并与所述漏极237电性相连。
[0042] 本实施方式提供的所述阵列基板中，由于所述像素电极在所述第一表面上的投影 为圆形或者多边形，所述公共电极具有与所述像素电极对应的电极孔，使得每一区域内的 液晶在所述像素电极与公共电极形成的边缘电场的作用下，能够更规则有序的排列，从而 使得从任一角度观看，都能达到很好的可视效果。
[0043] 如图8所示，其为本实施方式提供的阵列基板在AIFF MVA模式下组成的液晶盒的 对比度视角图，从图中可看出，在斜方向的视角得到了扩展，因此，本实用新型提供的阵列 基板可以提商广视角效果。
[0044] 如图10所示，其为本实用新型提供的另一较佳实施方式的阵列基板300的结构示 意图，其与图5所示的阵列基板200的区别在于，像素电极303在第一表面上的投影形状为 正六边形，相应的，公共电极304上的电极孔在第一表面上的投影形状为与所述像素电极 303相对应的正六边形。在其他实施方式中，像素电极在第一表面上的投影形状以及公共 电极上的电极孔在第一表面上的投影形状也可以为不规则的六边形或者其他多边形。如图 11所示，其为所述阵列基板300在AIFF MVA模式下组成的液晶盒的对比度视角图。
[0045] 如图12所示，其为本实用新型提供的另一较佳实施方式的阵列基板400的结构示 意图，其与图5所示的阵列基板200的区别在于，第一区域413在第一表面上的投影形状 为一圆形，第三区域423电极在第一表面上的投影形状为一正六边形，相应的，子公共电极 404上的电极孔在第一表面上的投影形状为与所述像素电极303相对应的一正六边形和一 圆形。如图13所示，其为所述阵列基板400在AIFF MVA模式下组成的液晶盒的对比度视 角图。
[0046] 如图14所示，其为本实用新型提供的另一较佳实施方式的阵列基板500的结构示 意图，其与图5所示的阵列基板200的区别在于，第一区域513在第一表面上的投影形状为 一矩形，第三区域523电极在第一表面上的投影形状为一菱形，相应的，子公共电极504上 的电极孔在第一表面上的投影形状为与所述第一区域513和第二区域523相对应的一矩形 和一菱形。如图15所示，其为所述阵列基板500在AIFF MVA模式下组成的液晶盒的对比 度视角图。
[0047] 在其他实施方式中，每个像素区域内还可以只具有第一区域或者还包括电性相连 的第四区域、第五区域……。当像素区域内只具有第一区域时，所述像素电极在第一表面的 投影为圆形或者多边形；当每个像素区域还包括电性相连的第四区域、第五区域……时，所 述各区域在第一表面的投影为多个四边形或者多个多边形，所述多边形的边数可以相等， 也可以不相等，所述多边形的形状可以相同，也可以不相同。
[〇〇48] 以上为本实用新型提供的阵列基板的较佳实施方式，并不能理解为对本实用新型 权利保护范围的限制，本领域的技术人员应该知晓，在不脱离本实用新型构思的前提下，还 可做多种改进或替换，所有的该等改进或替换都应该在本实用新型的权利保护范围内，即 本实用新型的权利保护范围应以权利要求为准。
【权利要求】
1. 一种阵列基板，至少包括一具有一第一表面的基板，所述第一表面上具有多个像素 区域，每一所述像素区域上形成有像素电极，所述像素电极至少包括第一区域、第二区域及 第三区域，所述第一区域和第三区域通过所述第二区域电性相连，且所述第一区域和第三 区域在所述第一表面上的投影面积远大于所述第二区域在所述第一表面上的投影面积。
2. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述第一区域、第二区域、第三区域在 所述第一表面上的投影具有相似的形状；或所述第一区域与所述第三区域在所述第一表面 上的投影具有相似的形状，所述第二区域在所述第一表面上的投影与所述第一区域和第三 区域在所述第一表面上的投影形状不相同。
3. 如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：所述阵列基板还包括多条扫描线、多条 信号线、公共电极，所述多条扫描线和多条信号线相互交叉形成于所述基板的第一表面上， 定义出所述多个像素区域；所述公共电极形成于所述第一表面上，且位于所述第一表面与 所述像素电极之间；所述像素电极的边缘在所述第一表面上的投影被所述公共电极在所述 第一表面上的投影所覆盖；且所述像素电极在所述第一表面上的投影并未全部被所述公共 电极所覆盖；所述像素电极与公共电极之间完全绝缘。
4. 如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：所述公共电极至少具有一与所述像素 电极对应的电极孔，所述像素电极的边缘在所述第一表面上的投影与所述电极孔在第一表 面上的投影具有交叠区域。
5. 如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于：所述公共电极包括多个电性相连的 子公共电极，每个像素区域内分布有一个子公共电极，每一列的每个所述子公共电极分别 与同一列中与其相邻的子公共电极电性相连，所述子公共电极上具有两个电极孔，所述第 一区域和第三区域在所述第一表面上的投影与所述电极孔在所述第一表面上的投影具有 一一对应的交叠区域，所述交叠区域上任一处的跨度相等。
6. 如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：所述第一区域和/或第三区域的在所 述第一表面的投影的形状为圆形，所述电极孔在所述第一表面的投影的形状为圆形，所述 电极孔在所述第一表面上的投影与所述第一区域和/或第三区域在所述第一表面上的投 影为同心圆，所述第一区域和/或第三区域在所述第一表面上的投影半径大于所述电极孔 在所述第一表面上的投影半径。
7. 如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：所述同心圆的半径差的具体数值范围 1. 8至3. 5微米。
8. 如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：所述子公共电极为多边形，每个所述子 公共电极的每一边在所述第一表面上的投影分别与所述像素电极在所述第一表面上的投 影相切。
9. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：还包括位于所述像素区域内的晶体管 元件，所述晶体管元件为薄膜晶体管，所述薄膜晶体管至少包括栅极、源极和漏极，所述栅 极与所述扫描线电性相连，所述源极与所述信号线电性相连，所述漏极与所述像素电极电 性相连。
【文档编号】G02F1/1368GK203838452SQ201420070287
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年2月18日 优先权日:2014年2月18日
【发明者】王士敏, 谢凡, 赵约瑟, 张超, 徐爽, 刘立峰, 李绍宗 申请人:深圳莱宝高科技股份有限公司