阵列基板和显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型实施例公开了一种阵列基板和显示装置，涉及显示领域，能够解决现有液晶显示器视角狭窄的问题，并且可兼顾色彩表现的真实度。所述阵列基板，包括：交叉设置的数据线和栅线，以及亚像素，所述亚像素包括第一亚像素和第二亚像素，所述第一亚像素的像素电极与该第一亚像素的数据线的距离为d1；所述第二亚像素的像素电极与该第二亚像素的数据线的距离为d2，其中，d1大于第一阈值，d2小于第二阈值，第一阈值大于等于第二阈值。
【专利说明】阵列基板和显示装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
【背景技术】
[0002]典型的TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)包括:设置有公共电极和彩色滤光片的彩膜基板，设置有薄膜晶体管和像素电极的阵列基板，以及夹置在彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。TN(Twist Nematic，扭曲向列型液晶)型液晶显示装置是TFT-LCD中最基础、最普遍的显示装置，具有体积小、重量轻、制造简单、透过率高、成本低等优点，广泛应用于电视、笔记本电脑等产品中。
[0003]对TN型液晶显示装置，阵列基板与液晶的接触面，彩膜基板与液晶的接触面上各设置有一层取向膜，且上述两层取向膜的角度差为90°，在这两层取向膜表面锚定力的共同作用下，液晶分子会在阵列基板与彩膜基板之间形成一个90°的扭曲配向结构。如果在公共电极和像素电极之间施加一定大小的电压，液晶分子受该电压产生的电场影响，其排列方向会倾向于与电场平行的方向，即液晶分子垂直于阵列基板及彩膜基板排列，液晶分子的扭曲配向结构消失。撤去该电压后，液晶分子会恢复到原来的扭曲配向结构。因此，通过控制外加电压的大小，可以控制液晶分子的扭曲程度，从而可控制透过液晶的光亮度。
[0004]众所周知，上述TN型显示装置存在可视角度(简称视角)狭窄的问题，如果超过可视角度的范围，就会存在对比度低、色彩失真的问题。相类似地，在VA (VerticalAlignment，垂直排列)型显示装置中，也存在同样的问题。
实用新型内容
[0005]本实用新型实施例提供一种阵列基板和显示装置，能够解决现有液晶显示器视角狭窄的问题，并且可兼顾色彩表现的真实度。
[0006]为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案:
[0007]—方面，本实用新型提供一种阵列基板，包括:交叉设置的数据线和栅线，以及亚像素，所述亚像素包括第一亚像素和第二亚像素，所述第一亚像素的像素电极与该第一亚像素的数据线的距离为dl ;所述第二亚像素的像素电极与该第二亚像素的数据线的距离为d2，其中，dl大于第一阈值，d2小于第二阈值，第一阈值大于等于第二阈值。
[0008]可选地，所述第一亚像素的像素电极的面积小于所述第二亚像素的像素电极的面积。
[0009]优选的，所述第二亚像素的像素电极与该第二亚像素的数据线相交叠。
[0010]可选地，所述第一亚像素、所述第二亚像素以下列方式形成两种像素:第一种像素中包括至少三个第一亚像素，第二种像素中包括至少三个第二亚像素。
[0011]可选地，所述第一种像素和所述第二种像素间隔排列。
[0012]可选地，所述第一亚像素、所述第二亚像素以下列方式形成第一像素子单元和第二像素子单元:第一像素子单元中，沿与所述数据线平行的方向上，所述第一亚像素位于所述第二亚像素的下方，第二像素子单元中，沿与所述数据线平行的方向上，所述第一亚像素位于所述第二亚像素的上方；并且，位于同一像素子单元中的所述第一亚像素和所述第二亚像素受同一数据线和同一栅线的驱动。
[0013]进一步地，所述第一像素子单元和所述第二像素子单元以下列方式形成两种像素:第一种像素中至少包括三个第一像素子单元，第二种像素中至少包括三个第二像素子单元。
[0014]可选地，所述第一种像素和所述第二种像素间隔排列。
[0015]所述第一像素子单元和所述第二像素子单元以下列方式形成像素:第一像素子单元和第二像素子单元沿栅线方向交替排列形成像素。
[0016]可选的，第一像素子单元和第二像素子单元中均设置有:用于驱动所述第一亚像素的第一薄膜晶体管，和，用于驱动所述第二亚像素的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用同一数据线和同一栅线；或者，
[0017]第一像素子单元和第二像素子单元中均设置有一双沟道薄膜晶体管，所述双沟道薄膜晶体管的两个源极均连接至同一数据线，共用的栅极连接至同一栅线，两个漏极分别连接至所述第一亚像素的像素电极和所述第二亚像素的像素电极。
[0018]可选的，所述第一亚像素和所述第二亚像素分别位于所共用的栅线的两侧。
[0019]本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0020]本实用新型提供的阵列基板及其显示装置，将位于不同亚像素中的像素电极与数据线的距离设置成不同值，利用数据线电势的影响在像素电极边缘形成横向电场，从而实现宽视角。具体而言，第一亚像素的像素电极距离该亚像素数据线的距离为d2，且d2小于第二阈值，其中，所述第二阈值定义为只要数据线到像素电极的距离小于该第二阈值，就会因数据线电势的影响而在像素电极边缘产生图3所示的横向电场，横向电场可对液晶分子产生影响(实际上，横向电场与像素电极、公共电极之间的驱动电场耦合形成如图4所示的电场分布)，达到扩宽显示视角的效果；第二亚像素的像素电极距离该亚像素数据线的距离为dl，因dl大于第一阈值，该第一阈值定义只要数据线到像素电极的距离大于该第一阈值，数据线电势的影响就小到可以忽略，所以第二亚像素中像素电极、公共电极之间的驱动电场不受数据线电势的影响，可保证色彩还原的真实性。第一亚像素和第二亚像素的共同作用，即可达到兼顾宽视角和色彩还原的真实度的效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0022]图1为本实用新型的实施例1提供的阵列基板的结构示意图；
[0023]图2为图1的局部放大图；
[0024]图3为本实用新型的实施例1中横向电场和驱动电场的分布示意图；
[0025]图4为本实用新型的实施例1中横向电场和驱动电场耦合形成的实际电场分布图；
[0026]图5为本实用新型的实施例1提供的另一种阵列基板的局部放大示意图；
[0027]图6为本实用新型的实施例2的第一种【具体实施方式】提供的阵列基板的结构示意图；
[0028]图7为图6的局部放大图；
[0029]图8为本实用新型的实施例2的第二种【具体实施方式】提供的阵列基板的结构示意图。
[0030]实施例1中的附图标记:
[0031]11-第二亚像素，12-第一亚像素，21-数据线，23-栅线，24-像素电极，
[0032]25-像素电极，26-第一种像素，27-第二种像素，31-公共电极；
[0033]实施例2中新出现的附图标记:
[0034]46-第一像素子单元，47-第一种像素，48-第二种像素，49-第二像素子单元，
[0035]50-像素，52-双沟道薄膜晶体管。
【具体实施方式】
[0036]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0037]实施例1
[0038]本实用新型实施例提供一种阵列基板，参照图1所示，该阵列基板包括:交叉设置的数据线21和栅线23，以及相邻数据线21和相邻栅线23定义出的亚像素，所述亚像素包括第一亚像素12和第二亚像素11，第一亚像素12的像素电极24与该第一亚像素的数据线的距离为dl ;第二亚像素11的像素电极25与该第二亚像素的数据线的距离为d2，其中，dl大于第一阈值，d2小于第二阈值,第一阈值大于等于第二阈值。
[0039]本实施例所述的像素电极与数据线的距离，是指某一像素电极与驱动该像素电极的数据线之间的距离，具体就图2所示而言，第一亚像素12中，像素电极24与数据线21的距离为dl,其起始端为像素电极24的左边缘,末尾端为位于像素电极24左侧的数据线21。相类似地，第二亚像素11中，像素电极25与数据线21的距离为d2，d2为像素电极25的左边缘到数据线21之间的距离。
[0040]本实用新型实施例将第一阈值定义为只要数据线到像素电极的距离大于该第一阈值，数据线电势的影响就小到可以忽略；第二阈值定义为只要数据线到像素电极的距离小于该第二阈值，就会因数据线电势的影响而在像素电极边缘区域产生横向电场。
[0041]可选的，第一亚像素12的像素电极24的面积与第二亚像素11的像素电极25的面积不相等。进一步可选的，第一亚像素12的像素电极24的面积小于第二亚像素11的像素电极25的面积，使得像素电极24到数据线21的距离dl大于像素电极25到数据线21的距离d2。
[0042]本实施例提供的阵列基板,其上设置有两种亚像素,其中，第一亚像素12的像素电极24与对应亚像素的数据线21的距离均为dl，dl大于第一阈值，由第一阈值的定义可知，数据线电势产生的电场对像素电极和公共电极之间的驱动电场不产生影响或影响小到可忽略，因而色彩表现的更加真实；第二亚像素11的像素电极25与对应亚像素的数据线21的距离均为d2，d2小于第二阈值，根据上述第二阈值的定义可知，此时受数据线电势的影响，像素电极25与数据线之间有横向电场产生，横向电场可对液晶分子产生影响，可以使在水平大视角下的图像得到更好的对比度，从而增加TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式在水平方向的可视角度。实际上，像素电极25、公共电极31之间还存在驱动电场，驱动电场和横向电场的分布如图3所示，横向电场会与驱动电场耦合成如图4所示的电场分布，但效果上仍与上述相同。
[0043]本实施例采用上述的第一、第二亚像素实现宽视角同时还可保证色彩还原的真实度。具体实施时，往往将第一、第二亚像素先形成像素，然后再将像素进行混合排列。其中的一种方式是，若干第一亚像素组成第一种像素，若干第二亚像素组成第二种像素，第一种像素和第二种像素在基板上混合排列。
[0044]图1所示为符合本实施例的一种阵列基板的具体结构示意图，阵列基板上设置有两种像素，第一种像素26中包括至少三个第一亚像素12，第二种像素27中包括至少三个第二亚像素11，第一种像素26和第二种像素27在基板上间隔排列。
[0045]具体而言，第一种像素26中设置有三个第一亚像素12，其中每个第一亚像素12的像素电极24面积相同，且该些像素电极24与对应亚像素的数据线21的距离均为dl，具体到一个第一亚像素12，dl指的是像素电极24的左边缘与该亚像素数据线21的距离，dl大于第一阈值，由第一阈值的定义可知，数据线电势产生的电场对像素电极和公共电极之间的驱动电场不产生影响，因而色彩表现的更加真实。
[0046]第二种像素27中也设置有三个相同的第二亚像素11,其中每个第二亚像素11的像素电极25面积相同，且像素电极25与对应亚像素的数据线21的距离均为d2，同理具体到一个第二亚像素11，d2的是像素电极25的左边缘与该亚像素11的数据线21的距离，d2小于第二阈值，根据上述第二阈值的定义可知，此时受数据线电势的影响，像素电极25与数据线之间有横向电场产生，横向电场可对液晶分子产生影响，可以使在水平大视角下的图像得到更好的对比度，从而增加TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式在水平方向的可视角度。
[0047]本实施例中的第二亚像素11还可以如图5所示，第二亚像素的像素电极25的边界向外延伸超出相邻两个数据线的限定区域时，与该第二亚像素的数据线21相交叠，此时像素电极25的左边缘与数据线21的距离d2可以理解为负值，此时同样满足小于第二阈值的条件，仍然会因数据线电势的影响，在像素电极25的边缘产生横向电场，进而对应区域液晶分子的偏转会受到影响，可解决现有液晶显示器视角狭窄的问题。
[0048]需要注意的是，第一亚像素的像素电极与第一亚像素的数据线的距离dl，第二亚像素的像素电极与第二亚像素的数据线的距离d2，dl大于d2，应在同等条件下进行测量，这样才具有可比性，尤其是当像素电极为不规则形状时。例如，可以在像素电极24、25上选择到相邻栅线的长度相同的点作为各自的测量点，然后测量到数据线的距离。
[0049]本实施例采用上述的第一、第二两种像素实现了宽视角同时还可保证色彩还原的真实度。其中优选的，将第一种像素和第二种像素进行间隔排列，可以在图中所示水平方向(与栅线平行方向)交替排列，也可以图中所示竖直方向(与数据线平行方向)交替排列，但优选地，第一种像素和第二种像素在水平与竖直方向均交替排列，亮度比混合排列更均匀，显示效果更好。
[0050]需要注意的是，本实施例上述叙述中以像素包括有三个亚像素为例进行说明的，但这是因为液晶显示装置一般采用红绿蓝三基色的混色方案，因此每个像素均包括有红绿蓝三个亚像素，但实际上而混色方案不止包括红黄蓝(R/G/B)，还包括红绿蓝白(R/G/B/W)等其他混色方案，所以具体实施中，每个像素中亚像素的数目并不作限定。
[0051 ] 另外，本实施例中是通过将亚像素分成两种,具体实施中,本领域技术人员还可以根据需要将亚像素分成三、四甚至更多种，每种像素中像素电极与数据线的距离均不同。
[0052]上述方案适用于TN(Twisted Nematic,扭曲向列)型液晶显示器，也适用于VA (Vertical Alignment,垂直排列)类型的液晶显示器。
[0053]实施例2
[0054]本实用新型实施例提供一种阵列基板，参照图6、图7和图8所示，与实施例一的区别之处在于，本实施例中先将第一亚像素12、第二亚像素11以下列方式形成第一像素子单元和第二像素子单元:第一像素子单元46中，沿与数据线平行的方向上，第一亚像素12位于第二亚像素11的下方，第二像素子单元49中，沿与数据线21平行的方向上，第一亚像素12位于第二亚像素11的上方；并且，位于同一像素子单元中的第一亚像素12和第二亚像素11受同一数据线21和同一栅线23的驱动。然后，利用第一像素子单元46和第二像素子单元49形成像素。
[0055]第二像素子单元49可以看成第一像素子单元46上下颠倒后的形式，采用了第一种、第二种等字样仅为了后续在描述像素子单元(第一像素子单元和第二像素子单元的统称)的排列时便于区分。
[0056]本实施例中，每个像素子单元均包括:第一亚像素12和第二亚像素11，而第一亚像素12中，第一像素电极24与该亚像素的数据线21的距离为dl，且dl大于第一阈值，由阈值定义可知，数据线电势产生的影响可以忽略，保证了色彩表现的真实性；第二亚像素11中，第二像素电极25与该数据线21的距离为d2，d2小于第二阈值，根据第二阈值的定义可知，此时受数据线电势的影响，第二像素电极25的边缘有横向电场产生，影响像素电极25、公共电极31之间的驱动电场，进而像素区域边缘的液晶分子的偏转会受到影响，可解决现有液晶显示器视角狭窄的问题。因每个像素子单元都包括第一亚像素12和第二亚像素11，因此每个像素子单元都可以兼顾宽视角与色彩表现的真实度，显示器整体显示效果更好。
[0057]图7示出一个第一像素子单元46的结构示意图，其中，dl指的是第一像素电极24的左边缘到与该边缘相对的数据线21 (即该亚像素的数据线21)之间的距离；d2指的是第二像素电极25的左边缘到与该边缘相对的数据线21之间的距离。
[0058]本实施例，先利用第一亚像素12、第二亚像素11形成第一像素子单元和第二像素子单元，然后再将第一像素子单元和第二像素子单元排列组成像素，本实施例中对第一像素子单元和第二像素子单元如何排列组成像素不作限定，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的方式均包括在内，下面仅举出三种【具体实施方式】作为范例，进行详细介绍。
[0059]本实施例的第一种【具体实施方式】如下:上述第一像素子单元46和第二像素子单元49以下列方式形成两种像素:第一种像素47中至少包括三个第一像素子单元46，所述第二种像素48中至少包括三个第二像素子单元49。
[0060]如图6所示，为符合本实施方式的一种阵列基板的结构，该阵列基板上设置有两种像素，且，该两种像素混合排列；第一种像素47中包括三个第一像素子单元46，所述第二种像素48中至少包括三个第二像素子单元49。第一种像素47中，沿与数据线21平行的方向上，第一像素子单元46的第一像素电极24均位于第二像素电极25的下方；第二种像素48中，沿与数据线21平行方向上，第二像素子单元49的第一像素电极24均位于第二像素电极25的上方，即第二种像素48为第一种像素47上下颠倒的形式。
[0061]其中所述的上方、下方并不是指层结构上的位置关系，仅是一种相对的方位概念，用于指出平面图上亚像素中第一像素电极24、第二像素电极25的相对位置，也不是用于限定，本实施例中参照图6所示方位进行理解。
[0062]具体如图6示，第一种像素47中，包括若干结构相同的第一像素子单元46，第一像素子单元46采用第一像素电极24位于第二像素电极25下方的组合方式；第二种像素48中包括若干结构相同的第二像素子单元49，第二像素子单元49采用第一像素电极24位于第二像素电极25的上方的组合方式。然后，上述的第一种像素47和第二种像素48在阵列基板上混合排列。
[0063]因第一像素电极24与数据线21的距离为dl，不受数据线21电势的影响，可以保证色彩还原的真实度；第二像素电极25与数据线的距离为d2，受数据线21电势的影响，有较宽的视角，因每个像素子单元中都包括第一像素电极24和第二像素电极25，所以每个像素子单元都可以兼顾宽视角与色彩表现的真实度。
[0064]本【具体实施方式】中的阵列基板上设置有由像素子单元组成的两种像素，其中的每个像素子单元都可以兼顾宽视角与色彩表现的真实度，第二种像素48为第一种像素47上下颠倒的形式，然后再将第一种像素47和第二种像素48在阵列基板上混合排列以弥补第一种像素47和第二种像素48在亮度分布上的差异性，使得亮度更均匀，显示效果更好。其中，“在上”、“在下”分别与“上方”、“下方”概念相同，具体见上面的解释。
[0065]如图8所示，为本实施例的第二种【具体实施方式】，该实施方式中，第一像素子单元和第二像素子单元以下列方式形成像素:第一像素子单元46和第二像素子单元49沿栅线方向交替排列形成像素50。
[0066]其中，沿与数据线21平行的方向上，第一种像素子单元46中第一像素电极24位于第二像素电极25下方，第二种像素子单元49中第一像素电极24位于第二像素电极25上方。沿栅线或数据线方向上，大面积的第二像素电极25和小面积的第一像素电极24交替排列，与本实施例的第一种【具体实施方式】相比，宽视角与色彩表现的真实性结合的更加完美，因此液晶显示面板的整体亮度更加均匀，显示效果更好。
[0067]本实施例还提供第三种【具体实施方式】，与第一、第二种【具体实施方式】的区别在于，该实施方式中第一像素子单元46和第二像素子单元49中均设置有:用于驱动第一亚像素12的第一薄膜晶体管和用于驱动第二亚像素11的第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用同一数据线21和同一栅线23。
[0068]或者，我们也可以在第一像素子单元46和第二像素子单元49中均设置一双沟道薄膜晶体管52，具体可参照图6和图8中所示，双沟道薄膜晶体管52的两个源极均连接至同一数据线，共用的栅极连接至同一栅线，两个漏极分别连接至第一亚像素12和第二亚像素11。
[0069]上述的第一亚像素12和第二亚像素11可以分别位于所共用的栅线23的两侧，对应地第一像素电极24和第二像素电极25也分别位于所共用的栅线23的两侧，当然也可以根据实际情况第一亚像素12和第二亚像素11设置于所共用的栅线23的同一侧。
[0070]本实施方式中，每种像素中第一像素子单元和第二像素子单元都交替排列，每个像素子单元都可以兼顾宽视角与色彩表现的真实度，并且，采用第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管(或者由双沟道薄膜晶体管52)对第一、第二像素电极分别进行驱动，提高了驱动能力，因此液晶显示器的亮度更均匀，显示效果更好。
[0071]上述【具体实施方式】中还包括与图5相类似的情形，第二亚像素的像素电极25向外延伸超出相邻两个数据线的限定区域的情况，此种情况下，同样会受数据线电势的影响，在第二像素电极25与数据线21之间产生横向电场，进而影响液晶分子的偏转，同样可实现宽视角。
[0072]本实施例中，每个像素子单元中均包括第一像素电极24和第二像素电极25，第一像素电极24与数据线21的距离为dl，不受数据线电势的影响，保证了色彩表现的真实性，第二像素电极25与数据线21的距离为d2，受数据线电势的影响，可实现宽视角，因此每个像素子单元中都可兼顾色彩表现的真实性与宽视角，然后，将像素子单元进行排列组成像素，可使宽视角与色彩表现结合的更好，显示效果更好。
[0073]实施例3
[0074]本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括上述实施例1-2中的任意一种阵列基板。所述显示装置可以为:液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0075]根据上述实施例中对阵列基板的描述，可知，当像素电极距离数据线较远时，数据线电势的影响较小可以忽略，色彩还原的真实度能得到保证；当像素电极距离数据线比较近，受数据线电势的影响产生横向电场时，可实现宽视角，本实施例显示装置采用上述原理，兼顾了宽视角与色彩表现的真实度，提高了显示效果。
[0076]为了便于清楚说明，在本实用新型中采用了第一、第二等字样对相似项进行类别区分，该第一、第二字样并不在数量上对本实用新型进行限制，只是对一种优选的方式的举例说明，本领域技术人员根据本实用新型公开的内容，想到的显而易见的相似变形或相关扩展均属于本实用新型的保护范围内。
[0077]本实用新型中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。
[0078]以上所述，仅为本实用新型的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括:交叉设置的数据线和栅线，以及亚像素，其特征在于， 所述亚像素包括第一亚像素和第二亚像素，所述第一亚像素的像素电极与该第一亚像素的数据线的距离为dl ;所述第二亚像素的像素电极与该第二亚像素的数据线的距离为d2，其中，dl大于第一阈值，d2小于第二阈值，第一阈值大于等于第二阈值。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一亚像素的像素电极的面积小于所述第二亚像素的像素电极的面积。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述第二亚像素的像素电极与该第二亚像素的数据线相交叠。
4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一亚像素、所述第二亚像素以下列方式形成两种像素: 第一种像素中包括至少三个第一亚像素，第二种像素中包括至少三个第二亚像素。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一种像素和所述第二种像素间隔排列。
6.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一亚像素、所述第二亚像素以下列方式形成第一像素子单元和第二像素子单元: 第一像素子单元中，沿与所述数据线平行的方向上，所述第一亚像素位于所述第二亚像素的下方， 第二像素子单元中，沿与所述数据线平行的方向上，所述第一亚像素位于所述第二亚像素的上方；并且， 位于同一像素子单元中的所述第一亚像素和所述第二亚像素受同一数据线和同一栅线的驱动。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素子单元和所述第二像素子单元以下列方式形成两种像素: 第一种像素中至少包括三个第一像素子单元，第二种像素中至少包括三个第二像素子单元。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一种像素和所述第二种像素间隔排列。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素子单元和所述第二像素子单元以下列方式形成像素: 第一像素子单元和第二像素子单元沿栅线方向交替排列形成像素。
10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，第一像素子单元和第二像素子单元中均设置有:用于驱动所述第一亚像素的第一薄膜晶体管，和，用于驱动所述第二亚像素的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用同一数据线和同一栅线；或者， 第一像素子单元和第二像素子单元中均设置有一双沟道薄膜晶体管，所述双沟道薄膜晶体管的两个源极均连接至同一数据线，共用的栅极连接至同一栅线，两个漏极分别连接至所述第一亚像素的像素电极和所述第二亚像素的像素电极。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，所述第一亚像素和所述第二亚像素分别位于所共用的栅线的两侧。
12.—种显示装置，其特征在于，包括:权利要求1-11任一项所述的阵列基板。
【文档编号】G02F1/1343GK203982046SQ201420467196
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年8月18日 优先权日:2014年8月18日
【发明者】李盼, 李文波, 乔勇, 程鸿飞, 先建波 申请人:京东方科技集团股份有限公司