1.一种掩模的形成方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上形成图形化的掩模层；
在所述掩模层的侧壁形成收缩层，所述收缩层和掩模层共同构成掩模图形。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述收缩层的材料与掩模层的材料相同。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，掩模层的材料为铬。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述基板上形成掩模层的步骤包括：
在基板上依次形成掩模材料层和图形化的光刻胶层；
以所述图形化的光刻胶层为掩模对掩模材料层进行第一刻蚀，去除光刻胶层露出的掩模材料层，所述剩余的掩模材料层形成遮挡部分基板的掩模层。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，对所述掩模材料层进行第一刻蚀的步骤包括：采用各向异性刻蚀方法对所述掩模材料层进行第一刻蚀。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，采用各向异性刻蚀方法对所述掩模层进行第一刻蚀的步骤包括：采用等离子体干法刻蚀对所述掩模材料层进行第一刻蚀。
7.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在基板上形成掩模材料层的步骤包括：采用化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积的方式形成所述掩模材料层。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述掩模层的侧壁形成收缩层的步骤包括：
形成保形覆盖所述掩模层和基板的收缩材料层；
对所述收缩材料层进行第二刻蚀，去除所述掩模层表面和所述基板表面的收缩材料层，在所述掩模层侧壁形成收缩层。
9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，形成保形覆盖所述掩模层和基板的收缩材料层的步骤包括：采用原子层沉积的方式形成所述收缩材料层。
10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，对所述收缩材料层进行第二刻蚀的步骤包括：采用各向异性刻蚀方法对所述收缩材料层进行第二刻蚀。
11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，采用各向异性刻蚀方法对所述收缩材料层进行第二刻蚀的步骤包括：采用等离子体干法刻蚀对所述收缩材料层进行第二刻蚀。
12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基板的材料为石英。
13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成收缩层的步骤中，使收缩层的厚度为掩模层的掩模图形临界尺寸与掩模图形临界尺寸差值的一半。
14.一种掩模，其特征在于，包括：
基板；
位于基板上的掩模层，所述掩模层覆盖部分基板；
位于所述掩模层侧壁的收缩层，所述收缩层和所述掩模层共同构成掩模图形。
15.如权利要求14所述的掩模，其特征在于，所述收缩层和所述掩模层材料相同。
16.如权利要求14所述的掩模，其特征在于，所述掩模层的材料为铬。
17.如权利要求14所述的掩模，其特征在于，所述收缩层的厚度为所述掩模层的掩模图形临界尺寸与所述掩模图形临界尺寸差值的一半。
18.如权利要求14所述的掩模，其特征在于，所述基板的材料为石英。