1.一种金属纳米线的制备方法，包括如下步骤：
步骤A：制备多层胶结构，所述多层胶结构从下至上依次为衬底(1)、第一光刻胶层(2)、金属插层(3)和第二光刻胶层(4)；
步骤B：采用激光干涉曝光技术在所述第二光刻胶层(4)制备纳米光刻胶光栅图形；
步骤C：将所述第二光刻胶层(4)的纳米光刻胶光栅图形反转至所述第一光刻胶层(2)；
步骤D：在所述第一光刻胶层(2)的纳米光刻胶光栅图形的基础上制备金属纳米线。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述步骤C还包括如下子步骤：
a)在所述第二光刻胶层(4)的纳米光刻胶光栅图形上制备钼金属层(5)；
b)剥离所述第二光刻胶层(4)制备反转的钼金属纳米光栅图形；
c)将所述钼金属纳米光栅图形转移至所述第一光刻胶层(2)。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述第一光刻胶层(2)的厚度为300nm-900nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述金属插层(3)为金插层、镍插层或铜插层。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述第二光刻胶层(4)的厚度为70nm～120nm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，所述步骤B还包括将所述第二光刻胶层(4)的纳米光刻胶光栅图形进行泛曝光的步骤。
7.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述钼金属层的厚度为8～20nm。
8.根据权利要求2所述的制备方法，在子步骤b)中，采用正胶显影液剥离所述第二光刻胶层(4)。
9.根据权利要求2所述的制备方法，在子步骤c)中，采用干法刻蚀技术或湿法刻蚀技术将所述钼金属纳米光栅图形转移至所述第一光刻胶层(2)。
10.根据权利要求1所述的制备方法，在步骤D中，采用剥离技术制备金属纳米线。