一种显示基板及其制作方法、显示器件与流程

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示器件。

背景技术：

液晶显示装置的主体结构包括背光源、对盒的阵列基板和彩膜基板，以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。其显示原理为：通过电压来控制液晶分子的不同状态，使背光源的光线以所需的偏振方向穿透液晶层，呈现出不同的色泽与图形的画面。

为了实现显示，需要使液晶分子有规律的排列，为此在液晶层的上下表面增加取向膜，液晶分子顺着该取向膜方向排列并与基板呈一定角度。当向液晶层施加电压时，液晶分子会发生偏转，产生光电特性。形成取向膜的主要方法是将取向液涂布于阵列基板和彩膜基板的内侧，然后进行摩擦制程，在摩擦制程中，利用取向滚轴上摩擦布的毛羽摩擦取向膜的表面，刷出按照一定方向排列的沟槽，完成取向膜的取向。

由于取向膜需要与液晶层接触设置，只有在基板的其它结构的制作完成后，才会制作取向膜。因此，基板上的结构势必会影响取向膜的摩擦取向，尤其是与取向方向之间呈大于零的夹角的信号线。由于信号线与周边区域之间存在段差，这使在对取向膜摩擦取向的过程中，该信号线两侧段差的底部处的取向膜不容易被刷出取向沟槽，导致显示装置在该信号线两侧的部分产生漏光现象，使显示装置的亮度、色度不均匀，影响画质。

技术实现要素：

本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示器件，用以解决信号线两侧的部分会产生漏光现象的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种显示基板，包括基底和设置在所述基底上的第一信号线，所述第一信号线沿第一方向延伸，所述第一信号线的至少一部分包括至少两层层叠设置的导电线；在与第一方向垂直的方向上，最靠近所述基底的导电线的宽度大于其它导电线的宽度，且最靠近所述基底的导电线在所述基底上的正投影的沿第一方向延伸的长边位于其它导电线在所述基底上的正投影的沿第一方向延伸的长边的外侧。

如上所述的显示基板，其中，对于任意相邻的两层导电线，靠近所述基底的导电线的宽度大于另一导电线的宽度，且靠近所述基底的导电线在所述基底上的正投影的沿第一方向延伸的长边位于另一导电线在所述基底上的正投影的沿第一方向延伸的长边的外侧。

如上所述的显示基板，其中，在垂直于所述基底的方向上，所述至少两层导电线的厚度相同。

如上所述的显示基板，其中，所述第一信号线的至少一部分由第一导电线和第二导电线组成，所述第一导电线相对所述第二导电线更靠近所述基底，所述第一导电线由al制得，所述第二导电线由mo制得。

如上所述的显示基板，其中，所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板，所述第一信号线为数据线；

所述显示基板还包括取向膜，所述取向膜的取向方向与所述第一方向垂直。

本发明实施例中还提供一种显示器件，包括如上所述的显示基板。

本发明实施例中还提供一种如上所述的显示基板的制作方法，包括：

在一基底上形成第一信号线；

在所述第一信号线的背离所述基底一侧形成取向膜，所述第一信号线沿第一方向延伸，形成所述第一信号线的步骤包括：

形成至少两层层叠设置的导电线；在与第一方向垂直的方向上，最靠近所述基底的导电线的宽度大于其它导电线的宽度，且最靠近所述基底的导电线在所述基底上的正投影的沿第一方向延伸的长边位于其它导电线在所述基底上的正投影的长边的沿第一方向延伸的外侧。

如上所述的制作方法，其中，形成所述第一信号线的步骤包括：

依次形成至少两层导电层，每一导电层用于形成所述第一信号线的一导电线；

在所述至少两层导电层上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶不保留区域、光刻胶保留区域，所述光刻胶保留区域至少对应所述第一信号线所在的区域，所述光刻胶保留区域包括光刻胶第一保留区域和光刻胶第二保留区域，所述光刻胶第一保留区域的光刻胶的厚度小于所述光刻胶第二保留区域的光刻胶的厚度，在与第一方向垂直的方向上，所述光刻胶第一保留区域位于所述光刻胶保留区域的最外围；

去除光刻胶不保留区域的所述至少两层导电层；

通过灰化工艺去除光刻胶第一保留区域的光刻胶，去除光刻胶第一保留区域的除最靠近所述基底的导电层以外的其它导电层，以使在与第一方向垂直的方向上，最靠近所述基底的导电线的宽度大于其它导电线的宽度，且最靠近所述基底的导电线在所述基底上的正投影的沿第一方向延伸的长边位于其它导电线在所述基底上的正投影的沿第一方向延伸的长边的外侧。

如上所述的制作方法，其中，所述第一信号线由第一导电线和第二导电线组成，形成所述第一信号线的步骤包括：

依次形成第一导电层和第二导电层；

在所述第二导电层上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶不保留区域、光刻胶保留区域，所述光刻胶保留区域至少对应所述第一信号线所在的区域，所述光刻胶保留区域包括光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域，在与第一方向垂直的方向上，所述光刻胶部分保留区域位于所述光刻胶完全保留区域的外围；

去除光刻胶不保留区域的所述第一导电层和第二导电层，由所述第一导电层形成所述第一导电线，由所述第二导电层形成一过渡层；

通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，去除光刻胶部分保留区域的第二导电层；

剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，由所述过渡层形成所述第二导电线。

如上所述的制作方法，其中，通过湿法刻蚀工艺去除光刻胶不保留区域的所述第一导电层和第二导电层；

通过干法刻蚀工艺去除光刻胶部分保留区域的第二导电层。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述技术方案中，显示基板的第一信号线的至少一部分包括至少两层层叠设置的导电线。其中，在与第一方向垂直的方向上，最靠近所述基底的导电线的宽度大于其它导电线的宽度，且最靠近所述基底的导电线在所述基底上的正投影的沿第一方向延伸的长边位于其它导电线在所述基底上的正投影的沿第一方向延伸的长边的外侧。具有上述结构的第一信号线能够减小信号线两侧的底部处与周边区域之间的段差，便于信号线两侧段差的底部处的取向膜的摩擦取向，克服了该信号线两侧的部分产生漏光现象的问题，使显示产品的亮度和色度均匀，提高显示品质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1表示本发明实施例中显示基板的局部结构示意图；

图2表示图1的俯视图；

图3-图6表示本发明实施例中显示基板的制作过程示意图；

图7表示本发明实施例中显示基板的俯视图；

图8表示图7沿a-a的局部剖视图。

具体实施方式

对于液晶显示技术，通过设置取向膜对液晶进行取向，使液晶分子按一定规则排列，以实现显示功能。现有技术中通过摩擦制程在取向膜的表面形成取向沟槽，来实现对取向膜的取向。其中，取向膜设置在显示基板的最外侧，在对盒形成显示面板后，所述取向膜与液晶接触设置。由于取向膜设置在显示基板的最外侧，当显示基板的信号线的延伸方向与位于其上的取向膜的取向方向之间呈大于零的夹角时，由于信号线与周边区域之间存在段差，在对取向膜摩擦取向的过程中，该信号线两侧的段差底部处的取向膜不容易被摩擦出取向沟槽，导致该信号线两侧的部分产生漏光现象，使显示装置的亮度、色度不均匀，影响画质。

为了解决上述技术问题，本申请设置显示基板的信号线包括至少两层层叠设置的导电线，且最靠近显示基板的基底的导电线的线宽最大，最靠近基底的导电线的长边位于其它导电线的长边的外侧，从而减小了信号线两侧的底部处与周边区域之间的段差，便于信号线两侧的段差底部处的取向膜的摩擦取向，克服漏光现象，提高显示品质。

下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例一

结合图1和图2所示，本实施例中提供一种显示基板，包括基底100和设置在所述基底100上的第一信号线1，以及设置在第一信号线1的背离所述基底100一侧的取向膜(图中未示出)，第一信号线1沿第一方向延伸，所述取向膜的取向方向与所述第一方向之间具有大于零的夹角。

第一信号线1的至少一部分包括至少两层层叠设置的导电线；在与第一方向垂直的方向上，最靠近基底100的导电线的宽度大于其它导电线的宽度，且最靠近基底100的导电线在基底100上的正投影的沿第一方向延伸的长边位于其它导电线在基底100上的正投影的沿第一方向延伸的长边的外侧。即，其它导电线在基底100上的第一正投影位于最靠近基底100的导电线在基底100上的第二正投影内，且第一正投影的沿第一方向延伸的长边与第二正投影的沿第一方向延伸的长边之间的距离大于零。

上述技术方案中，具有上述结构的第一信号线能够减小信号线两侧的底部处与周边区域之间的段差，便于信号线两侧段差的底部处的取向膜的摩擦取向，克服了该信号线两侧的部分产生漏光现象的问题。

需要说明的是，本实施例中第一信号线1沿第一方向延伸，定义第一信号线1的宽度是指：在垂直于第一方向的方向上，第一信号线1的延伸距离，而第一信号线1的长度是指：在第一方向上，第一信号线1的延伸距离。第一信号线1的两侧是指：在垂直于第一方向的方向上，第一信号线1的相对两侧。因为第一信号线1的宽度较小，对位于其上方的取向膜的摩擦取向的影响很小，可以不予考虑。

其中，取向膜设置在所述第一信号线的上方，位于所述第一信号线的背离所述基底的一侧。具体的，取向膜位于显示基板的最外侧，在通过对盒工艺形成显示面板后，取向膜与液晶接触设置，实现对液晶分子的取向。

本实施例中取向膜的取向方向与所述第一方向之间的夹角是指：位于该第一信号线1两侧的取向膜的取向方向与所述第一方向之间的夹角。因为第一信号线1的两侧与周边区域的段差会对位于其上方的取向膜的取向产生影响。

在实际应用过程中，取向膜的取向方向并不局限于一个方向，例如：取向膜的取向沟槽可以为折线形。则，可能会出现一条第一信号线的一部分与位于该一部分两侧的取向膜的取向方向之间的夹角等于零，即位于该一部分两侧的取向膜的取向方向与所述第一方向之间的夹角等于零。而该条第一信号线的另一部分与位于该另一部分两侧的取向膜的取向方向之间的夹角大于零，当取向膜的取向沟槽为折线形，就可能会出现上述情形。此时，可以仅设置该条第一信号线的所述另一部分由具有上述结构的至少两层导电线组成，也可以设置整条第一信号线由具有上述结构的至少两层导电线组成，以克服所述第一信号线两侧的部分产生漏光现象的问题。

为了简化制作工艺，本实施例中设置整条第一信号线1由至少两层层叠设置的导电线组成。

具体的，在垂直于基底100的方向上，可以设置所述至少两层导电线的厚度相同。

进一步地，对于任意相邻的两层导电线，靠近基底100的导电线的宽度大于另一导电线的宽度，且靠近基底100的导电线在基底100上的正投影的长边位于另一导电线在基底100上的正投影的长边的外侧，即，从靠近基底100的一侧到远离基底100的一侧，第一信号线1的导电线的宽度逐层减小，呈台阶形状，使得导电线与周边区域的段差呈逐渐增加的趋势，防止较大的陡直度影响第一信号线1两侧的段差底部处的取向膜的摩擦取向。

在一个具体的实施方式中，设置第一信号线1的至少一部分由两层导电线组成，其中，靠近基底100的导电线的宽度大于另一导电线的宽度，且靠近基底100的导电线在基底100上的正投影的长边位于另一导电线在基底100上的正投影的长边的外侧，即可有效解决第一信号线1两侧的部分产生漏光现象的问题。同时，第一信号线1的结构较简单，便于制作工艺的实现。

该具体实施方式中，具体可以设置第一信号线1由厚度相同的两层导电线组成。

进一步地，设置整条第一信号线1由两层导电线组成，以简化第一信号线1的结构。

上述具体实施方式中的第一信号线1在解决第一信号线1两侧的部分产生漏光现象的问题的同时，还能够简化第一信号线1的制作工艺。

由于第一信号线1的至少一部分由至少两层层叠设置的导电线组成，且最靠近基底100的导电线的图形与其它导电线的图形不同，为了防止制作其它导电线的工艺影响最靠近基底100的导电线，需要设置最靠近基底100的导电线的材料与其它导电线的材料不同，从而可以利用不同的刻蚀工艺完成具有上述结构的第一信号线1的制作。

以第一信号线1的至少一部分由两层层叠设置的导电线组成为例来进行说明。

当第一信号线1的至少一部分由两层层叠设置的导电线组成，定义其中一条导电线为第一导电线11，另一条导电线为第二导电线12，所述第一导电线11相对第二导电线12更靠近基底100。在与第一方向垂直的方向上，第一导电线11的宽度大于第二导电线12的宽度，且第一导电线11在基底100上的正投影的沿第一方向延伸的长边位于第二导电线12在基底100上的正投影的沿第一方向延伸的长边的外侧。其中，第一导电线11由al制得，第二导电线12由mo制得。在制作第一信号线1的工艺中，可以以sf6和o2为刻蚀气体对金属mo层进行快速干法刻蚀，而由于金属al层抗干法刻蚀性能极强，这是因为在o等离子体环境中，金属al的表面会生成一层al2o3层，al2o3是一种陶瓷材料，几乎不会被干法刻蚀，在通过干法刻蚀工艺对金属mo层进行刻蚀时，al2o3层可以保护第一导电线11不会被等离子体损伤，从而能够形成至少一部分具有上述结构的第一信号线1。具体可以通过一次构图工艺(包括光刻胶的涂覆、曝光和显影、刻蚀工艺、光刻胶剥离等)形成所述第一导电线和第二导电线，还可以通过两次独立的构图工艺形成所述第一导电线和第二导电线，具体的过程将会在下面的内容中介绍。

进一步地，可以设置第一导电线11和第二导电线12的厚度相同。且整条第一信号线1由第一导电线11和第二导电线12组成，以简化第一信号线1的结构。

结合图7和图8所示，下面以所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板为例来具体介绍本发明的技术方案。

其中，所述第一信号线1具体可以为数据线，取向膜的取向方向可以与所述第一方向垂直。当然，所述第一信号线1也可以为栅线、公共电极线等，都可以应用本发明的技术方案来解决第一信号线1的两侧由于段差问题导致的漏光问题。以下仅以所述第一信号线1为数据线来举例说明。

所述薄膜晶体管阵列基板具体包括：

一透明的基底100，如：玻璃基底100、石英基底100、有机树脂基底100；

设置在所述基底100上的横纵交叉分布的栅线2和数据线1，限定多个像素区域，每一像素区域包括薄膜晶体管5和像素电极(图中未示出)，薄膜晶体管5的栅电极可以与栅线2一体成型，由同一栅金属层制得；源电极可以与数据线1一体成型，由同一源漏金属层制得；漏电极50与像素电极电连接，数据线1上传输的像素电压通过薄膜晶体管5传输至像素电极，用于形成驱动液晶分子偏转的电场；

覆盖薄膜晶体管5的钝化层101；

设置在钝化层101上的取向膜(图中未示出)；

其中，数据线1沿第一方向延伸，与取向膜的取向方向垂直。数据线1由第一导电线11和第二导电线12组成，第一导电线11由金属al制得，所述第二导电线12由金属mo制得。第一导电线11相对第二导电线12更靠近基底100。在与第一方向垂直的方向上，第一导电线11的宽度大于第二导电线12的宽度，且第一导电线11在所述基底100上的正投影的沿第一方向延伸的长边位于第二导电线12在所述基底100上的正投影的沿第一方向延伸的长边的外侧。

至于薄膜晶体管阵列基板的其它结构及结构之间的位置可参见现有技术，例如：薄膜晶体管5的栅电极、源电极、漏电极和有源层图案51之间的位置关系可以根据薄膜晶体管5的类型来设置，在此不再一一赘述。

本实施例中还提供一种显示器件，包括如上所述的显示基板，用于解决信号线的两侧与周边区域具有较大的段差，影响取向膜的摩擦取向，从而导致漏光的问题，使显示产品的亮度、色度均匀，提高显示品质。

所述显示器件可以为液晶显示面板或液晶显示装置。

当然，本发明的技术方案也适用于其它电子器件，以通过减小信号线与周边区域的段差的，来解决过大的段差造成的缺陷问题，并不局限于应用于液晶显示器件。

实施例二

结合图1和图2所示，本实施例中提供一种实施例一中的显示基板的制作方法，包括：

在一基底100上形成第一信号线1；

在第一信号线1的背离基底100一侧形成取向膜，第一信号线1沿第一方向延伸，形成所述第一信号线1的步骤包括：

形成至少两层层叠设置的导电线；在与第一方向垂直的方向上，最靠近所述基底100的导电线的宽度大于其它导电线的宽度，且最靠近所述基底100的导电线在所述基底100上的正投影的长边位于其它导电线在所述基底100上的正投影的长边的外侧。

通过上述步骤制得的第一信号线的至少一部分由至少两层层叠设置的导电线，且所述至少两层导电线具有上述结构，能够减小信号线两侧的底部处与周边区域之间的段差，当取向膜的取向方向与所述第一方向之间具有大于零的夹角，便于信号线两侧段差的底部处的取向膜的摩擦取向，克服该信号线两侧的部分产生漏光现象的问题，提高显示品质。

具体以克服信号线两侧的部分产生漏光现象为目的，来设置最靠近基底100的导电层的厚度。其中，最靠近基底100的导电层可以为单层结构，也可以为复合层结构。

当然，第一信号线1的每一导电层均可以为单层结构或复合层结构。

本实施例中，形成所述第一信号线的步骤具体包括：

依次形成至少两层导电层，每一导电层用于形成第一信号线的一导电线；

在所述至少两层导电层上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶不保留区域、光刻胶保留区域，所述光刻胶保留区域至少对应所述第一信号线所在的区域，所述光刻胶保留区域包括光刻胶第一保留区域和光刻胶第二保留区域，所述光刻胶第一保留区域的光刻胶的厚度小于所述光刻胶第二保留区域的光刻胶的厚度，在与第一方向垂直的方向上，所述光刻胶第一保留区域位于所述光刻胶保留区域的最外围；

去除光刻胶不保留区域的所述至少两层导电层；

通过灰化工艺去除光刻胶第一保留区域的光刻胶，去除光刻胶第一保留区域的除最靠近所述基底的导电层以外的其它导电层，以使在与第一方向垂直的方向上，最靠近所述基底的导电线的宽度大于其它导电线的宽度，且最靠近所述基底的导电线在所述基底上的正投影的长边位于其它导电线在所述基底上的正投影的长边的外侧。

其中，所述至少两层导电层的厚度可以相同。

上述步骤通过一次构图工艺形成本发明的第一信号线。所述构图工艺包括两次刻蚀工艺，并通过第一次刻蚀工艺形成第一信号线的图形，通过第二次刻蚀工艺去除最靠近所述基底的导电层以外的其它导电层，露出最靠近所述基底的导电层的两侧，从而减小第一信号线两侧的底部处与周边区域之间的段差。当然，也可以通过单独的构图工艺分别本发明的第一信号线的每一导电线。

显然，上述第二次刻蚀工艺仅去除最靠近所述基底的导电层以外的其它导电层，不对最靠近所述基底的导电层具有刻蚀作用，才能够实现露出最靠近所述基底的导电层的两侧，即，露出最靠近所述基底的导电线的两侧。

为了实现上述目的，需要设置最靠近所述基底的导电线的材料与其它导电线的材料不同，例如：最靠近所述基底的导电线的材料为金属al，其它导电线的材料为金属mo，所述第二次刻蚀工艺为采用sf6和o2为刻蚀气体的快速干法刻蚀。由于金属al层抗干法刻蚀性能极强，这是因为在o等离子体环境中，金属al的表面会生成一层al2o3层，al2o3是一种陶瓷材料，几乎不会被干法刻蚀的等离子体损伤，从而在第二次刻蚀工艺中，最靠近所述基底的导电线不会被刻蚀，通过刻蚀位于其上的其它导电层，能够露出最靠近所述基底的导电线的两侧。

为了简化工艺，可以设置整条第一信号线均由至少两层层叠设置的导电线组成，结构均一。

进一步地，基于同样的目的，参见图1所示，还可以设置第一信号线1由第一导电线11和第二导电线12组成，即可有效解决第一信号线1两侧的部分产生漏光现象的问题。同时，第一信号线1的结构较简单，便于制作工艺的实现。则形成所述第一信号线1的步骤具体包括：

依次形成第一导电层20和第二导电层30，第一导电层20用于形成第一导电线11，第二导电层30用于形成第二导电线12，结合图3和图8所示；

在第二导电层30上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶不保留区域、光刻胶保留区域，所述光刻胶保留区域至少对应所述第一信号线所在的区域，所述光刻胶保留区域包括光刻胶部分保留区域42和光刻胶完全保留区域41，在与第一方向垂直的方向上，光刻胶部分保留区域42位于光刻胶完全保留区域41的外围，如图4所示；

去除光刻胶不保留区域的所述第一导电层和第二导电层，由所述第一导电层形成第一导电线11，由所述第二导电层形成一过渡层31，如图5所示；

通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，如图6所示，去除光刻胶部分保留区域的所述第二导电层；

剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，由所述过渡层31形成第二导电线12，结合图6和图1所示。

其中，第一导电层20和第二导电层30的厚度可以相同。

上述步骤中具体通过湿法刻蚀工艺去除光刻胶不保留区域的第一导电层20和第二导电层30；通过干法刻蚀工艺去除光刻胶部分保留区域的第二导电层30。为了实现两次刻蚀工艺的目的，设置第一导电层20的材料为金属al，第二导电层30的材料为金属mo，从而湿法刻蚀工艺可以同时去除光刻胶不保留区域的所述第一导电层20和第二导电层30。而干法刻蚀工艺仅能够去除光刻胶部分保留区域的第二导电层30，不会刻蚀第一导电层20，具体的原理已在上面的内容中详述。

当然，第一导电层20的材料并不局限为金属al，第二导电层30的材料也并不局限为金属mo，只要能够实现上述目的即可。

下面以所述显示基板为薄膜晶体管阵列基板为例来具体介绍本发明的技术方案。

其中，第一信号线1具体为数据线，所述取向膜的取向方向与所述第一方向垂直。

薄膜晶体管阵列基板的制作方法具体包括：

步骤s1、提供一基底100，在基底100上形成横纵交叉分布的栅线2和数据线1，限定多个像素区域。在每一像素区域形成薄膜晶体管5，栅线2与薄膜晶体管5的栅电极由同一栅金属层形成，且一体成型；数据线1与薄膜晶体管5的源电极、漏电极50由同一源漏金属层形成，且数据线1与源电极一体成型，如图7所示；

形成薄膜晶体管5的步骤还包括形成栅绝缘层和有源层图案51。所述栅绝缘层的材料为sinx，siox或si(on)x，可以为单层结构或者多层结构。有源层图案51的材料为硅半导体或金属氧化物等半导体材料。

所述栅金属层的材料为cu，al，ag，mo，cr，nd，ni，mn，ti，ta，w等金属以及这些金属的合金，栅电极、栅线可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如cu\mo,ti\cu\ti，mo\al\mo等。

具体可以通过磁控溅射工艺沉积栅金属层和源漏金属层。

所述源漏金属层由两层层叠设置的导电层组成，制得的数据线1由两层层叠设置的第一导电线11和第二导电线12组成。其中，远离基底100的第二导电线12的材料为容易被等离子体刻蚀的金属，例如金属mo等，靠近基底100的第一导电线11的材料为不易被等离子体刻蚀的金属，例如金属al等。第一导电线11和第二导电线12的厚度相同，大约为250nm左右。

其中，结合图3-图6所示，形成数据线1的步骤具体包括：

通过磁控溅射工艺依次形成第一导电层20和第二导电层30，如图3所示；

在第二导电层30上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶不保留区域、光刻胶保留区域，所述光刻胶保留区域至少对应所述数据线所在的区域，所述光刻胶保留区域包括光刻胶部分保留区域42和光刻胶完全保留区域41，在与第一方向垂直的方向上，光刻胶部分保留区域42位于光刻胶完全保留区域41的外围，并对称分布在光刻胶完全保留区域41的两侧，如图4所示；

通过湿法刻蚀工艺去除光刻胶不保留区域的所述第一导电层和第二导电层，由所述第一导电层形成第一导电线11，由所述第二导电层形成一过渡层31，如图5所示；

通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，以sf6和o2为刻蚀气体，通过干法刻蚀工艺去除光刻胶部分保留区域的所述第二导电层，由于所述第一导电层由金属al制得，在o等离子体环境中，金属al层的表面会生成一层al2o3层，al2o3是一种陶瓷材料，几乎不会被干法刻蚀，从而可以保护所述第一导电层不会被等离子体损伤；

剥离光刻胶完全保留区域的光刻胶，由所述过渡层形成第二导电线12，结合图6和图1所示。

至此完成数据线1的制作。

需要说明的是，上述步骤中所述光刻胶完全保留区域还对应于薄膜晶体管5的源电极和栅电极所在的区域。

步骤s2、通过气相沉积的方式形成覆盖薄膜晶体管5的钝化层101，如图8所示；

步骤s3、在所述钝化层上形成取向膜，对所述取向膜进行摩擦取向，形成与数据线垂直的取向沟槽。

至此完成薄膜晶体管阵列基板的制作。

如图8所示，通过上述步骤制得的薄膜晶体管阵列基板，其数据线由第一导电线11和第二导电线12组成，呈台阶结构。第一导电线11与周边区域的段差h＝h/2，小于第一信号线1的最大厚度h，减小了第一信号线1两侧的底部处与周边区域之间的段差。其中，数据线1上覆盖有钝化层101，钝化层101因数据线1与周边区域产生的段差，取向膜设置在钝化层101上。由于数据线1两侧的底部处与周边区域之间的段差减小，也使得钝化层101的底部处与周边区域之间的段差减小，同样有助于钝化层101的段差底部处的取向膜的摩擦取向，克服数据线1两侧的部分产生漏光的问题，使薄膜晶体管显示器件的亮度和色度均匀，提高显示品质。

至于薄膜晶体管阵列基板的其它结构及结构之间的位置关系，可以根据实际需要进行设置和调整，如：像素电极的薄膜晶体管的位置关系；栅电极、源电极、漏电极和有源层图案的位置关系，可以根据薄膜晶体管的类型来设置。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。